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      一種溫度可控的碳化硅生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)的制作方法

      文檔序號(hào):11372021閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)涉及碳化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種溫度可控的碳化硅生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的碳化硅生長(zhǎng)坩堝平臺(tái),該裝置通過(guò)在石墨平臺(tái)上的坩堝槽內(nèi)鋪設(shè)石墨氈,石墨氈內(nèi)部均勻分布有電阻絲,電阻絲的端部裸露在石墨氈外部,加熱時(shí),直接在石墨氈上通電加熱,使得石墨氈發(fā)熱,從而進(jìn)一步加熱坩堝。這樣設(shè)置,避免了直接給坩堝通電,而造成糊鍋等問(wèn)題。另一方面,為了能夠使得加熱結(jié)束后,石墨平臺(tái)能夠在短時(shí)間內(nèi)溫度下降,在石墨槽對(duì)應(yīng)的石墨平臺(tái)底部,設(shè)置了風(fēng)扇,風(fēng)扇可以吹散石墨平臺(tái)的熱量,使得石墨坩堝中的溫度迅速下降。

      技術(shù)研發(fā)人員:梁慶瑞;高超;宗艷民;于國(guó)建;張紅巖
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:山東天岳晶體材料有限公司
      文檔號(hào)碼:201720036334
      技術(shù)研發(fā)日:2017.01.12
      技術(shù)公布日:2017.09.22

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