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      一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):39345963發(fā)布日期:2024-09-10 12:09閱讀:來源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于,包括機(jī)架(1),所述機(jī)架(1)的頂部固定安裝有碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2),所述碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的表面鉸接有爐門,所述碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部安裝有提拉器(3),所述提拉器(3)的一側(cè)安裝有旋轉(zhuǎn)器(4),所述旋轉(zhuǎn)器(4)的輸出端延伸至碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)內(nèi)部,且與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部?jī)?nèi)壁相適配,所述碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的內(nèi)部設(shè)置有電加熱器(6),所述電加熱器(6)位于旋轉(zhuǎn)器(4)的下方,且所述電加熱器(6)的頂部安裝有坩堝取出板(7),所述坩堝取出板(7)的頂部放置有生長(zhǎng)坩堝(5);

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述提拉器(3)包括有立架(31),所述立架(31)的底面與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部相固定,所述立架(31)的頂部固定安裝有伺服電機(jī)(32),所述伺服電機(jī)(32)的輸出軸貫穿立架(31)的頂部,且與立架(31)的內(nèi)壁相轉(zhuǎn)動(dòng),所述伺服電機(jī)(32)的輸出軸端部固定連接有絲桿(33),所述絲桿(33)的底部與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部相轉(zhuǎn)動(dòng),所述絲桿(33)的外緣表面螺紋傳動(dòng)有升降板(34),所述升降板(34)靠近立架(31)的一側(cè)表面與立架(31)的表面相滑動(dòng),所述立架(31)的外緣表面上固定安裝有限位滑桿,所述限位滑桿的底部與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部相固定,所述升降板(34)遠(yuǎn)離立架(31)的一端內(nèi)壁與限位滑桿的外緣表面相滑動(dòng)。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)器(4)包括有電機(jī)(41),所述電機(jī)(41)的底面與升降板(34)遠(yuǎn)離立架(31)的一端頂部相固定,所述電機(jī)(41)的輸出軸貫穿升降板(34)且與升降板(34)的內(nèi)壁相轉(zhuǎn)動(dòng),所述電機(jī)(41)的輸出軸端部固定連接有轉(zhuǎn)桿(42),所述轉(zhuǎn)桿(42)的底端延伸至碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的內(nèi)部,且所述轉(zhuǎn)桿(42)的外緣表面與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的頂部?jī)?nèi)壁相適配滑動(dòng),所述轉(zhuǎn)桿(42)的底部安裝有坩堝提拉架(43)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述坩堝提拉架(43)包括有橫板(431),所述橫板(431)的頂部與轉(zhuǎn)桿(42)的底部相固定,所述橫板(431)的外側(cè)表面固定安裝有提拉板(432),且所述提拉板(432)關(guān)于橫板(431)的中心線對(duì)稱設(shè)置,所述提拉板(432)的內(nèi)側(cè)表面底端固定安裝有弧抓板(433),所述弧抓板(433)的內(nèi)緣表面上固定安裝有咬合墊塊(434),所述咬合墊塊(434)的內(nèi)側(cè)表面傾斜設(shè)置,且所述咬合墊塊(434)的內(nèi)側(cè)表面開設(shè)有弧槽(435)。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述承載架(53)包括有外環(huán)板(531),所述外環(huán)板(531)的外緣表面與坩堝鍋體(51)的內(nèi)緣表面相適配滑動(dòng),所述外環(huán)板(531)的外緣表面上開設(shè)有疏導(dǎo)槽(532),所述疏導(dǎo)槽(532)和氣體流通槽(56)均設(shè)置有若干個(gè),且所述疏導(dǎo)槽(532)與氣體流通槽(56)相對(duì)應(yīng)設(shè)置。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述坩堝鍋體(51)的內(nèi)緣表面上固定安裝有支撐塊(57),所述支撐塊(57)設(shè)置在外環(huán)板(531)的下方,且所述支撐塊(57)的頂部開設(shè)有定位插槽(58),所述外環(huán)板(531)的底面固定安裝有插桿(533),所述插桿(533)的外緣表面與定位插槽(58)的內(nèi)壁相適配插接。

      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述籽晶托架(54)包括有撐板(542),所述撐板(542)的底端與外環(huán)板(531)的內(nèi)緣表面相固定,所述撐板(542)遠(yuǎn)離外環(huán)板(531)的一端固定連接有籽晶撐塊(541),所述撐板(542)等間距設(shè)置,且相鄰所述撐板(542)之間固定連接有連接板(544),所述籽晶撐塊(541)的底面固定連接有承托墊環(huán)(543),所述籽晶撐塊(541)和承托墊環(huán)(543)用于承托籽晶。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述導(dǎo)流板(55)包括有導(dǎo)流斜板(551),所述導(dǎo)流斜板(551)的頂部與外環(huán)板(531)的底面相固定,所述導(dǎo)流斜板(551)設(shè)置有若干個(gè),相鄰所述導(dǎo)流斜板(551)之間固定安裝有固定插板(552),所述導(dǎo)流斜板(551)靠近坩堝鍋體(51)內(nèi)緣表面的一側(cè)開設(shè)有通槽(554),所述導(dǎo)流斜板(551)的頂部開設(shè)有調(diào)流槽(553),且所述調(diào)流槽(553)傾斜設(shè)置。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述電加熱器(6)包括有電加熱元件(61),所述電加熱元件(61)的底面與機(jī)架(1)的頂部相固定,所述電加熱元件(61)的輸出端延伸至碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的內(nèi)部且固定連接有保溫桶(62),所述保溫桶(62)的底面與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的內(nèi)腔底面相固定,所述保溫桶(62)位于生長(zhǎng)坩堝(5)的下方且與生長(zhǎng)坩堝(5)處在同一軸線上。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,其特征在于:所述坩堝取出板(7)包括有支撐板(71),所述支撐板(71)的外緣表面與碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(2)的內(nèi)緣表面相滑動(dòng),所述支撐板(71)的底面與保溫桶(62)的頂部相滑動(dòng),所述支撐板(71)的表面上固定安裝有拉柄(72),所述支撐板(71)的頂部固定安裝有坩堝墊座(73),且所述坩堝墊座(73)位于生長(zhǎng)坩堝(5)的下方。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,本發(fā)明涉及碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域,包括機(jī)架,所述機(jī)架的頂部固定安裝有碳化硅晶體生長(zhǎng)爐,所述碳化硅晶體生長(zhǎng)爐的表面鉸接有爐門,所述碳化硅晶體生長(zhǎng)爐的頂部安裝有提拉器。該碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備,通過生長(zhǎng)坩堝盛放碳化硅粉料和籽晶,并利用提拉器使生長(zhǎng)坩堝落入電加熱器中,對(duì)生長(zhǎng)坩堝進(jìn)行加熱,再配合旋轉(zhuǎn)器的驅(qū)動(dòng),帶動(dòng)生長(zhǎng)坩堝轉(zhuǎn)動(dòng),并配合熱效應(yīng)和空氣的流動(dòng)效果,加速碳化硅粉料升華形成氣相組分并在籽晶上凝結(jié),共同形成晶塊,且通過加快碳化硅晶體的生長(zhǎng)制備,從而避免碳化硅粉料在籽晶表面形成碳包裹,造成多晶核的情況,進(jìn)而提高碳化硅晶體的制備品質(zhì)和效率。

      技術(shù)研發(fā)人員:胡運(yùn)俊,謝繼飛,佘潔柯,林峰,陳真,張雙鋒
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:東莞市鼎力自動(dòng)化科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/9/9
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