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      一種碳化硅粉料合成坩堝及碳化硅粉料的合成方法

      文檔序號:40272454發(fā)布日期:2024-12-11 13:06閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種碳化硅粉料合成坩堝,其特征在于:包括坩堝主體、坩堝上蓋、通氣圓筒、支撐圓筒和石墨片,其中,

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅粉料合成坩堝,其特征在于:坩堝上蓋和坩堝主體的材質(zhì)為等靜壓石墨,兩者之間采用螺紋或螺釘連接;

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅粉料合成坩堝,其特征在于:支撐圓筒、通氣圓筒和環(huán)形支撐的材質(zhì)為碳化鉭或在其表面進(jìn)行鍍鉭處理。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅粉料合成坩堝,其特征在于:所述支撐圓筒的高度為40-60mm,厚度為10-15mm;

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅粉料合成坩堝,其特征在于:坩堝主體的直徑為350-400mm,壁厚為15-30mm。

      6.一種碳化硅粉料的合成方法,其特征在于:包括如下步驟:

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述碳化硅粉料的合成方法,其特征在于:高純石墨粉和高純硅粉的原子摩爾比為1:1.05-1.3。

      8.根據(jù)權(quán)利要求6所述碳化硅粉料的合成方法,其特征在于:合成結(jié)束后,降至室溫,通入保護氣體,將爐內(nèi)壓力升至800-1000mbar,即可。

      9.根據(jù)權(quán)利要求6所述碳化硅粉料的合成方法,其特征在于:反復(fù)抽充清洗的方法為:通入保護氣體,使?fàn)t內(nèi)壓力為200-500mbar,保持時間為0.5-1h,隨后抽真空至低于5×10-5mbar,保持1-2h,重復(fù)此過程為3-5次;

      10.根據(jù)權(quán)利要求6所述碳化硅粉料的合成方法,其特征在于:所述保護氣體為ar、h2、he或ar/h2、he/h2混合氣體;采用混合氣時,h2的體積占比小于20%;


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種碳化硅粉料合成坩堝及碳化硅粉料的合成方法,將高純石墨粉和高純硅粉按比例混勻后鋪設(shè)于坩堝的底部;在支撐圓筒、通氣圓筒和環(huán)形支撐之間圍成的盛放腔室中鋪設(shè)高純石墨粉,并蓋合坩堝上蓋;將坩堝放入爐體中,抽真空后,加熱,通入保護氣體后進(jìn)行反復(fù)抽充清洗;然后升溫,保溫30?50h,期間通入保護氣體,保持爐內(nèi)溫度為2000?2600℃,壓力為50?800mbar,合成得到碳化硅粉料。通過在坩堝上部放置額外石墨粉,合成過程中從粉料中逸出的Si氣氛與通氣圓筒外側(cè)放置的石墨粉優(yōu)先發(fā)生反應(yīng),生成額外的碳化硅粉料,提高了原料的利用效率,降低了原材料成本。此外,由于逸出的Si氣氛與通氣圓筒外側(cè)放置的石墨粉優(yōu)先發(fā)生反應(yīng),坩堝、保溫氈減少腐蝕的可能性,預(yù)估坩堝、保溫氈使用壽命可以顯著提高。

      技術(shù)研發(fā)人員:謝雪健,趙來斌,陳秀芳,楊祥龍,胡小波,徐現(xiàn)剛
      受保護的技術(shù)使用者:山東大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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