相比，靶的熱容量增大，能夠 更長時間地維持玻璃坯錠110的成長面ll〇a的溫度。
[0054] 此外，通常在Si02玻璃上合成低熱膨脹玻璃時，有可能因Si02玻璃與低熱膨脹玻 璃的熱膨脹系數(shù)的差異，導致合成后在冷卻時產(chǎn)生內(nèi)部應力使得低熱膨脹玻璃發(fā)生破裂。 但是，對于本實施方式1涉及的Si0 2-Ti02系玻璃而言，如上所述，摻雜物（鈦化合物）的混 合量緩慢地增加，與此相對應，熱膨脹系數(shù)也緩慢地發(fā)生變化，因此該Si0 2-Ti02*玻璃發(fā) 生破裂的可能性極低。
[0055] 接著，以通過本發(fā)明的實施方式1制造的Si02-Ti02*玻璃作為母材（原材料）， 對制造光掩模基板的方法進行說明。
[0056] 圖2是在光掩?；宓闹圃旆椒ㄖ兴褂玫牟ＡС尚脱b置的構成例。圖2中所 示的玻璃成型裝置200是通過包括下述部件而構成的：金屬制的真空腔室201、在真空腔室 201的內(nèi)壁覆蓋整面而設置的絕熱材料202、在絕熱材料202的側壁部配設的碳加熱器203、 在真空腔室201的中央部配置的由碳構成的玻璃成型模具204和抵接于玻璃成型模具204 的上面而配置的活塞桿209。
[0057] 玻璃成型模具204由包括底座205和底板206的底部212、側板207和頂板208構 成，由底板206、側板207、頂板208形成橫截面為矩形的中空部210。頂板208受到活塞桿 209的按壓，可以使頂板208向下方、即底板206側移動。
[0058] 使用圖2的成型裝置200制造光掩?；鍟r，按照如下步驟。
[0059] 首先，在玻璃制造工序中，根據(jù)本發(fā)明的實施方式1制造Si02-Ti02*玻璃。
[0060] 然后，轉移至玻璃切出工序，從該Si02-Ti02*玻璃切出在第2工序成長的玻璃部 分（不帶有110 2濃度漸變的部分）。即，在第1工序中成長而成的玻璃部分帶有TiO 2濃度 的漸變，不適合作為光掩?；宓牟牧?，因此從Si02-Ti02系玻璃去除。進一步，根據(jù)需要對 在第2工序成長的玻璃部分的上下面和側外周面進行適當除去，由此使該玻璃部分為圓柱 形狀。
[0061] 最后，轉移至板狀部件形成工序，以在第2工序中成長而形成圓柱形狀的玻璃部 分作為母材，通過如下所述的步驟，對該玻璃部分進行加熱加圧成型而形成板狀部件。
[0062] 即，首先，將該玻璃部分211收納于成型裝置200的中空部210中，對真空腔室201 內(nèi)進行真空排氣后，充填非活性氣體。作為所充填的非活性氣體，可以使用氮氣或氬氣、氦 氣等。
[0063] 接著，利用碳加熱器203將玻璃成型模具204和玻璃部分211加熱至規(guī)定溫度。在 此，加熱溫度設定為使玻璃部分211變形為所期望的形狀的溫度即可，具體而言，可以設定 為玻璃部分211的結晶化溫度以上、軟化點以下的溫度。另外，玻璃部分211的溫度達到規(guī) 定溫度后，為了使內(nèi)部的溫度更均勻可以在規(guī)定溫度下保持一定時間。
[0064] 玻璃部分211被加熱至規(guī)定溫度后，利用活塞桿209按壓頂板208而使其向底板 206側下降，加圧成型至玻璃部分211達到所期望的厚度，冷卻后，從成型模具204取出成型 為板狀的玻璃部件。
[0065] 對如此制造而成的由Si02-Ti02系玻璃構成的部件可以適當施以用于制成規(guī)定尺 寸的切片加工或磨削加工、用于使端面為R形狀的倒角加工、使表面變得平滑的研磨加工 等，由此形成能夠用作光掩?；宓陌鍫畈考?。
[0066] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的制造方法，以大型Si02-Ti02系玻璃作為母材而成型為 板狀部件，因此能夠制造以往所不存在的大面積的板狀部件，能夠使用其制造大面積且低 熱膨脹率的光掩模。更具體而言，能夠制造例如一個邊超過1. 2m的第八代以后的液晶面板 用光掩模，并且該光掩模抑制了曝光光照射所導致的熱膨脹。
[0067] [發(fā)明的其它實施方式]
[0068] 需要說明的是，上述實施方式1中，針對在坯錠成長工序中伴隨玻璃坯錠110的成 長而階段性地提高110 2的前體的供給量相對于Si〇d9前體的供給量的比率由此緩慢地增 加的情況進行了說明。但是，使該比率緩慢地增加時，并非一定需要階段性地提高該比率。 例如，也可以使該比率相對于時間呈一次函數(shù)或二次函數(shù)的方式增加。
[0069] 實施例
[0070] 以下，對本發(fā)明的實施例進行說明。在實施例中，利用實施方式1的制造方法制造 Si0 2-Ti02系玻璃。另外，使用SiCl4作為Si02的前體、使用TiCl 4作為Ti02的前體。需要 說明的是，本發(fā)明并不受實施例限定。
[0071] <實施例1 >
[0072] 在表1的"實施例1"欄所示的條件下進行實驗。
[0073] 準備直徑350mm、厚度120mm的Si02玻璃作為靶。從燃燒器以氧氣為315slm、氫 氣為775slm的比例噴出氧氣和氫氣而形成氫氧火焰，利用該氫氧火焰對靶加熱4小時。4 小時后，在以30g/分鐘的比例供給SiCl 4的同時，花費113個小時在靶上制作出直徑300mm 的Si02玻璃成長面，結果成長面的溫度為1750°C。
[0074] 然后，將SiCl4的供給量變?yōu)?5g/分鐘，以0. lg/分鐘的比例、且每1cm的TiCl 4 變動量以Ti02摻雜濃度計為1質量％以下的方式混合TiCl4，結果可以在成長面上不產(chǎn)生 局部凸部的情況下持續(xù)地成長出Si0 2-Ti02系玻璃，可以制作出直徑為350mm、長度為500mm 的坯錠，結束制造Si0 2-Ti02*玻璃。
[0075] 在該實施例1中，如表1明顯所示，在開始供給TiCl4時，Ti02濃度為0. 8質量％ (即4質量％以下）。另外，各工序間的1102濃度的變化量為0.7~0.8質量％ (即，1質 量％以下）。此外，玻璃坯錠的每lcm長度的1102濃度的增加量為0. 12~0. 8質量％ (即 1質量％以下）。因此，能夠在維持了成長面的情況下制造玻璃坯錠。
[0076] <比較例1 >
[0077] 在表1的"比較例1"欄中所示的條件下進行實驗。
[0078] 準備直徑350mm、厚度120mm的Si02玻璃作為靶。從燃燒器以氧氣為347slm、氫氣 為930slm的比例噴出氧氣和氫氣而形成氫氧火焰，利用該氫氧火焰對靶加熱4小時。4小 時后，在以30g/分鐘的比例供給SiCl 4的同時，花費40個小時在靶上制作出直徑300mm的 Si02玻璃成長面，結果成長面的溫度為1745°C。
[0079] 然后，混合1. 2g/分鐘的TiCljP 30g/分鐘的SiCl 4使得玻璃中的Ti02濃度為4. 6 質量％。考慮到混合11(：14時會因成長面的溫度降低而在成長面產(chǎn)生局部凸部，因此實施 在混合TiCl 4時使氫氧氣體增量而進行熱供給的辦法。但是，30小時后在成長面產(chǎn)生局部 凸部，不能使Si02-Ti0 2系玻璃進一步繼續(xù)成長。
[0080] 在該比較例1中，如表1明顯所示，在開始供給TiCl4時，Ti02濃度為4. 6質量％ (即大于4質量％的值）。因此，不能穩(wěn)定地維持成長面。
[0081] <比較例2>
[0082] 在表1的"比較例2"欄中所示的條件下進行實驗。
[0083] 準備直徑350mm、厚度120mm的Si02玻璃作為靶。從燃燒器以氧氣為377slm、氫氣 為930slm的比例噴出氧氣和氫氣而形成氫氧火焰，利用該氫氧火焰對靶加熱4小時。4小 時后，在以30g/分鐘的比例供給SiCl 4的同時，花費1個