用于多晶硅還原爐的底盤組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種用于多晶硅還原爐的底盤組件。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅還原爐是多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)出最終產(chǎn)品的核心設(shè)備,也是決定系統(tǒng)產(chǎn)能、能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。小型多晶硅還原爐(如12對棒、18對棒還原爐等)生產(chǎn)單位重量產(chǎn)品普遍能耗較高,單爐產(chǎn)量相對低,已經(jīng)越來越不適應(yīng)目前的市場要求.隨著多晶硅設(shè)備水平的不斷發(fā)展和提高,大型還原爐得到不斷開發(fā),出現(xiàn)了 36對棒、48對棒甚至60對棒還原爐。
[0003]相關(guān)技術(shù)中的大型多晶硅還原爐,雖然解決了一些產(chǎn)量和能耗的問題,但伴隨著設(shè)備的大型化和復(fù)雜化,其底盤中的冷卻液流動阻力增大,導(dǎo)致冷卻效果較差,且由于冷卻液的流程較長,底盤徑向溫度分布不均,致使底盤產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問題之一。為此,本發(fā)明提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件,該用于多晶硅還原爐的底盤組件具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點。
[0005]為實現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的實施例提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件,所述用于多晶硅還原爐的底盤組件包括:底盤本體,所述底盤本體內(nèi)限定有從所述底盤本體的中心處旋向所述底盤本體的外周緣處的多個螺旋流道,所述底盤本體上設(shè)有與多個所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和多個冷卻液出口 ;多個電極座,多個所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上;多個進(jìn)氣管和多個排氣管,多個所述進(jìn)氣管和多個所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上。
[0006]根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點。
[0007]另外,根據(jù)本發(fā)明上述實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,多個所述螺旋流道的長度相等。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,所述底盤本體包括:底盤法蘭;上底板,所述上底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi);下底板,所述下底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板下方;中隔板,所述中隔板設(shè)在底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板和所述下底板之間,所述中隔板與所述上底板和所述底盤法蘭限定出冷卻腔;多個導(dǎo)流板,多個所述導(dǎo)流板設(shè)在所述冷卻腔內(nèi)且在所述冷卻腔內(nèi)限定出多個所述螺旋流道。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,多個所述導(dǎo)流板焊接在所述中隔板上。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,所述導(dǎo)流板的鄰近部分所述進(jìn)氣管、所述排氣管和部分所述電極座處分別設(shè)有弧形段。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,每個所述導(dǎo)流板上設(shè)有若干連通孔。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,所述上底板為碳鋼和不銹鋼復(fù)合板,所述中隔板和所述下底板均為碳鋼板。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,所述用于多晶硅還原爐的底盤組件還包括設(shè)在所述底盤本體上的冷卻液進(jìn)管和多個冷卻液出管,所述冷卻液進(jìn)口設(shè)置在所述底盤本體的中心處,所述冷卻液出口為多個且設(shè)置在所述底盤本體的外周緣處,所述冷卻液進(jìn)管與所述冷卻液進(jìn)口連通,所述冷卻液出管設(shè)置在所述底盤本體的外周緣處且分別與對應(yīng)的所述冷卻液出口連通。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,任一個所述冷卻液出管的最高點高于所述冷卻液進(jìn)管的最尚點。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,多個所述進(jìn)氣管中位于所述底盤本體中心處的所述進(jìn)氣管嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi),多個所述排氣管分別嵌套在多個所述冷卻液出管內(nèi)。
【附圖說明】
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的軸向剖視圖。
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的徑向剖視圖。
[0019]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的噴嘴的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記:用于多晶硅還原爐的底盤組件10、底盤本體100、螺旋流道110、進(jìn)氣腔111、冷卻液進(jìn)口 120、冷卻液出口 130、底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷卻腔180、導(dǎo)流板190、弧形段191、電極座200、進(jìn)氣管300、排氣管400、冷卻液進(jìn)管500、冷卻液出管600 ;
[0023]多晶硅還原爐1、爐體20、半球形封頭21、進(jìn)水管22、出水管23、電極30、上觀察試鏡41、中觀察試鏡42、下觀察試鏡43、噴嘴50、基座51、導(dǎo)向桿52、止擋臺53、支腿54、引流轉(zhuǎn)子55、側(cè)旋流道56、止擋螺母57、進(jìn)氣環(huán)管61、進(jìn)氣口 62、進(jìn)氣支管63、進(jìn)氣擋板64、排氣環(huán)管71、排氣口 72、排氣支管73、進(jìn)液管74、出液管75、膨脹節(jié)76。
【具體實施方式】
[0024]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,旨在用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0025]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0026]如圖1和圖2所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個電極座200、多個進(jìn)氣管300和多個排氣管400。
[0027]底盤本體100內(nèi)限定有多個螺旋流道110和位于多個螺旋流道110下方的進(jìn)氣腔111 (上下方向如附圖中的箭頭A所示),多個螺旋流道110從底盤本體100的中心處旋向底盤本體100的外周緣處,底盤本體100上設(shè)有與多個螺旋流道110連通的冷卻液進(jìn)口120和多個冷卻液出口 130。多個電極座200設(shè)置在底盤本體100上。多個進(jìn)氣管300和多個排氣管400設(shè)置在底盤本體100上,多個進(jìn)氣管300分別與進(jìn)氣腔111連通,多個排氣管400分別貫穿底盤本體100。
[0028]根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10,通過在底盤本體100內(nèi)設(shè)置從底盤本體100的中心旋向底盤本體100的外周緣的多個螺旋流道110,這樣冷卻液可以通過冷卻液進(jìn)口 120分別進(jìn)入多個螺旋流道110,對底盤本體100的上表面、多個進(jìn)氣管300、多個排氣管400和多個電極座200進(jìn)行強(qiáng)制冷卻。由于在底盤本體100內(nèi)設(shè)置多個螺旋流道110,使得每個螺旋流道110的流程較短,減少了冷卻液的流動阻力,提高了冷卻效果,且避免了底盤本體100徑向溫差過大,有利于防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0029]此外,底盤本體100內(nèi)進(jìn)一步限定了與進(jìn)氣管300連通的進(jìn)氣腔111,進(jìn)氣氣體首先進(jìn)入進(jìn)氣腔111,均勻分散后由多個進(jìn)氣管300進(jìn)入爐體內(nèi),由此可以提高進(jìn)氣的均勻性。
[0030]因此,根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形、進(jìn)氣均勻、工作穩(wěn)定等優(yōu)點。
[0031]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明具體實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0032]在本發(fā)明的一些具體實施例中,如圖1和圖2所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個電極座200、多個進(jìn)氣管300和多個排氣管400。
[0033]進(jìn)一步地,多個螺旋流道110的長度相等,且多個螺旋流道110的相同長度處的寬度相等。由此可以進(jìn)一步提高底盤本體100徑向溫度的均勻性,從而進(jìn)一步防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0034]可選地,如圖1所示,螺旋流道110為六個,六個螺旋流道110沿底盤本體100的徑向盤繞成七層,冷卻液進(jìn)口 120設(shè)置在底盤本體100的中心處,冷卻液出口 130設(shè)置在底盤本體100的外周緣處,冷卻液由底盤本體100中心經(jīng)螺旋流道110后排出。
[0035]在本發(fā)明的一些具體示例中,如圖1和圖2所示,底盤本體100包括底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板17