>[0021]實施例1
一種紅色氧化鋁寶石單晶的生長方法，具體步驟如下:
(1)預熔化:采用通冷卻水的銅排密集排布組成的冷坩禍，冷坩禍的外部設置有可移動的感應線圈，將氧化鋁與氧化鉻放置在冷坩禍中，元素鉻占氧化鋁與氧化鉻的重量百分比為0.1%，然后對感應線圈通電，通電電壓為10kV，控制溫度為2050°C，采用導電的石墨電極棒打火，打火完成后使感應線圈在打火位置停留20min，使熔區(qū)充分擴大，取出石墨電極棒，開啟電機，不斷實現(xiàn)熔化-凝固-熔化-凝固的過程，當氧化鋁與氧化鉻全部熔化時，斷電，待熔體完全凝固并冷卻至室溫，停止通冷卻水，即得到預熔化的坯料，待用；
(2)抽真空:將步驟(I)所得坯料放入生長腔內的坩禍中，將籽晶固定在籽晶桿上，通冷卻水，控制冷卻水入水溫度為25 ± I °C，待生長腔內的真空度達到3X 10_3Pa時，停止抽真空；
(3)通保護氣:向生長腔內通入氬氣，待生長腔內的壓力達到0.1Pa時，停止通氬氣；
(4)升溫化料:啟動加熱裝置，設定程序24h內將坯料熔化，所需溫度為2050°C；
(5)引晶:根據(jù)熔體流動狀態(tài)，調節(jié)不同部位冷卻水進水量和出水溫度，使得各個方向的熔體均向中心方向流動，以lmm/min的速度將籽晶桿降到熔體液面，直到籽晶與熔液接觸，開啟籽晶旋轉，其旋轉速度為0.5r/min,采用提拉法的拉晶工藝進行引晶操作，引晶30次；
(6)放肩:設定降電壓速率為lmV/h和籽晶桿提拉速度0.lmm/h進行放肩； (7)等徑生長:控制籽晶旋轉速度為0.1 r/min，提拉籽晶桿速度為0.lmm/h,降電壓速率為lmV/h，使得單晶生長；
(8)降溫:待稱重計顯示單晶質量不再增加后，設定降電壓速率為ImV/h，當降溫程序運行24h后，調節(jié)降電壓速率為200 mV/h，至電壓降為零后自然冷卻48h，再通氬氣冷卻晶體，待生長腔內壓力達到15Pa時，停止通氬氣；
(9)出爐:開啟進氣閥，使得生長腔內壓力與外界相同，停止通冷卻水，得到顏色均勻的紅色氧化鋁寶石單晶。
[0022]實施例2
一種紅色氧化鋁寶石單晶的生長方法，具體步驟如下:
(1)預熔化:采用通冷卻水的銅排密集排布組成的冷坩禍，冷坩禍的外部設置有可移動的感應線圈，將氧化鋁與碳酸鉻放置在冷坩禍中，元素鉻占氧化鋁與碳酸鉻的重量百分比為1%，然后對感應線圈通電，通電電壓為10kV，控制溫度為2100°C，采用導電的石墨電極棒打火，打火完成后使感應線圈在打火位置停留20min，使熔區(qū)充分擴大，取出石墨電極棒，開啟電機，不斷實現(xiàn)熔化-凝固-熔化-凝固的過程，當氧化鋁與碳酸鉻全部熔化時，斷電，待熔體完全凝固并冷卻至室溫，停止通冷卻水，即得到預熔化的坯料，待用；
(2)抽真空:將步驟(I)所得坯料放入生長腔內的坩禍中，將籽晶固定在籽晶桿上，通冷卻水，控制冷卻水入水溫度為25± 1°C，待生長腔內的真空度達到4X 10_3Pa時，停止抽真空；
(3)通保護氣:向生長腔內通入氬氣，待生長腔內的壓力達到10Pa時，停止通氬氣；
(4)升溫化料:啟動加熱裝置，設定程序24h內將坯料熔化，所需溫度為2080°C；
(5)引晶:根據(jù)熔體流動狀態(tài)，調節(jié)不同部位冷卻水進水量和出水溫度，使得各個方向的熔體均向中心方向流動，以lmm/min的速度將籽晶桿降到熔體液面，直到籽晶與熔液接觸，開啟籽晶旋轉，其旋轉速度為0.8r/min,采用提拉法的拉晶工藝進行引晶操作，引晶30次；
(6)放肩:設定降電壓速率為10mV/h和籽晶桿提拉速度lmm/h進行放肩；
(7)等徑生長:控制籽晶旋轉速度為Ir/min，提拉籽晶桿速度為0.5mm/h，降電壓速率為2mV/h，使得單晶生長；
(8)降溫:待稱重計顯示單晶質量不再增加后，設定降電壓速率為2mV/h，當降溫程序運行24h后，調節(jié)降電壓速率為220 mV/h，至電壓降為零后自然冷卻56h，再通氬氣冷卻晶體，待生長腔內壓力達到15Pa時，停止通氬氣；
(9)出爐:開啟進氣閥，使得生長腔內壓力與外界相同，停止通冷卻水，得到顏色均勻的紅色氧化鋁寶石單晶。
[0023]實施例3
一種紅色氧化鋁寶石單晶的生長方法，具體步驟如下:
(I)預熔化:采用通冷卻水的銅排密集排布組成的冷坩禍，冷坩禍的外部設置有可移動的感應線圈，將氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻放置在冷坩禍中，元素鉻占氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻的重量百分比為5%，然后對感應線圈通電，通電電壓為10kV，控制溫度為2300°C，采用導電的石墨電極棒打火，打火完成后使感應線圈在打火位置停留20min，使熔區(qū)充分擴大，取出石墨電極棒，開啟電機，不斷實現(xiàn)熔化-凝固-熔化-凝固的過程，當氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻全部熔化時，斷電，待熔體完全凝固并冷卻至室溫，停止通冷卻水，即得到預熔化的坯料，待用；
(2)抽真空:將步驟(I)所得坯料放入生長腔內的坩禍中，將籽晶固定在籽晶桿上，通冷卻水，控制冷卻水入水溫度為25 ± I °C，待生長腔內的真空度達到5X 10_3Pa時，停止抽真空；
(3)通保護氣:向生長腔內通入氬氣，待生長腔內的壓力達到15Pa時，停止通氬氣；
(4)升溫化料:啟動加熱裝置，設定程序24h內將坯料熔化，所需溫度為2100°C；
(5)引晶:根據(jù)熔體流動狀態(tài)，調節(jié)不同部位冷卻水進水量和出水溫度，使得各個方向的熔體均向中心方向流動，以lmm/min的速度將籽晶桿降到熔體液面，直到籽晶與熔液接觸，開啟籽晶旋轉，其旋轉速度為lr/min，采用提拉法的拉晶工藝進行引晶操作，引晶30次；
(6)放肩:設定降電壓速率為15mV/h和籽晶桿提拉速度2mm/h進行放肩；
(7)等徑生長:控制籽晶旋轉速度為0.5r/min，提拉籽晶桿速度為lmm/h，降電壓速率為3mV/h，使得單晶生長；
(8)降溫:待稱重計顯示單晶質量不再增加后，設定降電壓速率為3mV/h，當降溫程序運行24h后，調節(jié)降電壓速率為250 mV/h，至電壓降為零后自然冷卻64h，再通氬氣冷卻晶體，待生長腔內壓力達到15Pa時，停止通氬氣；
(9)出爐:開啟進氣閥，使得生長腔內壓力與外界相同，停止通冷卻水，得到顏色均勻的紅色氧化銷寶石單晶；
所述氧化鉻與碳酸鉻的重量比為2。
[0024]實施例4
一種紅色氧化鋁寶石單晶的生長方法，具體步驟如下:
(1)預熔化:采用通冷卻水的銅排密集排布組成的冷坩禍，冷坩禍的外部設置有可移動的感應線圈，將氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻放置在冷坩禍中，元素鉻占氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻的重量百分比為2%，然后對感應線圈通電，通電電壓為10kV，控制溫度為2250°C，采用導電的石墨電極棒打火，打火完成后使感應線圈在打火位置停留20min，使熔區(qū)充分擴大，取出石墨電極棒，開啟電機，不斷實現(xiàn)熔化-凝固-熔化-凝固的過程，當氧化鋁與氧化鉻、碳酸鉻全部熔化時，斷電，待熔體完全凝固并冷卻至室溫，停止通冷卻水，即得到預熔化的坯料，待用；
(2)抽真空:將步驟(I)所得坯料放入生長腔內的坩禍中，將籽晶固定在籽晶桿上，通冷卻水，控制冷卻水入水溫度為25± I°C，待生長腔內的真空度達到3.5 X 10?時，停止抽真空；
(3)通保護氣:向生長腔內通入氬氣，待生長腔內的壓力達到14Pa時，停止通氬氣；