間所述配料暴露于10_30MPa范圍的壓力。
[0022] -旦所述配料相應(yīng)地已經(jīng)暴露于溫度和壓力，則冷卻所述燒制的配料。冷卻之后， 由所述配料制備所述耐火材料。
[0023] 由本領(lǐng)域已知不同的技術(shù)，通過所述技術(shù)在陶瓷燒制期間配料可暴露于溫度。這 些技術(shù)也可以在實施本發(fā)明的方法期間實施，以便使所述配料在陶瓷燒制期間暴露于壓 力。相應(yīng)的技術(shù)是，例如等壓或單軸熱壓。此類熱壓可以，例如在石墨模具中進(jìn)行，如本領(lǐng) 域已知。
[0024] 所述配料就組分來說包含至少第一組分以及第二組分。所述第一組分優(yōu)選采取粗 糙級分的形式和具有下面的組分中的至少一種，優(yōu)選為顆粒形式：鎂氧或鎂氧尖晶石。所述 第二組分優(yōu)選為細(xì)級分形式和以該類物質(zhì)的形式存在使得當(dāng)施加溫度時由這些物質(zhì)可以 形成包含A1N-類多型體的結(jié)合相。
[0025] 所述第二組分包含多種物質(zhì)。在此情況下來自這些物質(zhì)的所述第二組分的組成使 得當(dāng)對所述配料施加溫度時通過所述第二組分可以形成包含A1N-類多型體的結(jié)合相。在 所述配料的陶瓷燒制期間，所述第二組分因此形成包含A1N-類多型體的結(jié)合相。
[0026] 在此方面包含所述第二組分的物質(zhì)的具體選擇可以在廣泛范圍內(nèi)且對于本領(lǐng)域 技術(shù)人員而言是容易實現(xiàn)的。對于本發(fā)明成功關(guān)鍵的是所述第二組分包含在陶瓷燒制期間 形成包含A1N-類多型體的結(jié)合相的物質(zhì)。
[0027] 如通常已知的，以MgAlON-類多型體形式的A1N-類多型體包含元素鎂（Mg)、鋁 (A1)、氧（0)和氮（N)。根據(jù)一個實施方案提供的是所述第二組分包含各自包含上述元素中 的至少一種的物質(zhì)。
[0028] 當(dāng)實施根據(jù)本發(fā)明的方法時，為了在陶瓷燒制期間在結(jié)合相中形成MgAlON-類 多型體形式的A1N-類多型體，第二組分因此可以包含下列物質(zhì)中的至少一種，例如：MgO、 MgAl204、A1203、Al、A1N或A10N。第二組分優(yōu)選地總是包括A1N物質(zhì)，因為根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn) 該物質(zhì)對于在結(jié)合相中形成MgAlON-類多型體非常有利。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，所述 第二組分包含MgO(例如25 - 98質(zhì)量％)、A1N(例如1 - 45質(zhì)量％)和A1203 (例如2 - 40質(zhì) 量％)。根據(jù)另一個優(yōu)選的實施方案，所述第二組分包含物質(zhì)MgAl204(例如4 - 95質(zhì)量％)、 A1N(例如1 - 45質(zhì)量％)和MgO(例如1-95質(zhì)量％)。上述以質(zhì)量％表示的數(shù)值分別涉及所 述物質(zhì)相對于結(jié)合相總質(zhì)量的分?jǐn)?shù)。
[0029]如通常已知的，以MgSiAlON-類多型體形式的A1N-類多型體包含元素鎂（Mg)、硅 (Si)、鋁（A1)、氧（0)和氮（N)。根據(jù)一個實施方案，提供的是所述第二組分包含各自包含 上述元素中的至少一種的物質(zhì)。
[0030] 當(dāng)實施根據(jù)本發(fā)明的方法時，為了在陶瓷燒制期間在結(jié)合相中形成MgSiAlON-類 多型體，第二組分因此可以包括下列物質(zhì)中的至少一種，例如：Mg0、MgAl204、A1203、Al、A1N、 A10N、Si、Si3N4或SiO2。第二組分優(yōu)選地總是包括A1N物質(zhì)，因為根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn)該物質(zhì)對 于在結(jié)合相中形成MgSiAlON-類多型體非常有利。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，第二組分包 括下列物質(zhì)：MgO(例如20 - 45質(zhì)量％)、Si3N4 (例如10 - 35質(zhì)量％)、A1203 (例如10 - 40 質(zhì)量％)和A1N(例如10 - 40質(zhì)量％)。根據(jù)另一優(yōu)選的實施方案，第二組分包括下列物質(zhì)： MgO(例如 20 - 45 質(zhì)量 ％)、Si3N4 (例如 3 - 7 質(zhì)量 ％)、A1203 (例如 10 - 40 質(zhì)量 ％)、A1N(例 如10 - 40質(zhì)量％)和Si(例如8-20質(zhì)量％)。上述以質(zhì)量％表示的分?jǐn)?shù)分別涉及各物質(zhì)相 對于第二組分總質(zhì)量的分?jǐn)?shù)。
[0031] 總的來說，上述示例性實施方案中提到的組合物對于所述第二組分可以包含 MgAl204 (例如相對于所述第二組分的總質(zhì)量1 - 50質(zhì)量％的分?jǐn)?shù)）。包括MgAl204的第二組 分的優(yōu)點尤其在于在第二組分中MgAl204的存在意味著在溫度施加期間可以抑制結(jié)合相中 不希望的鎂橄欖石的形成。上述以質(zhì)量％表示的分?jǐn)?shù)分別涉及各物質(zhì)相對于第二組分總質(zhì) 量的分?jǐn)?shù)。
[0032] 根據(jù)一個實施方案，在施加溫度期間，特別是在陶瓷燒制期間，提供了硝化所述配 料。此硝化特別可以如此進(jìn)行，即在施加溫度期間所述配料額外暴露于包含氮氣（N2)的 氣體。由于所述第二組分的鋁（A1)或包含鋁的物質(zhì)的明顯硝化由950°C(形成A1N)和 特別由1200°C(形成A1N-類多型體）出現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明特別可以提供的是所述配料通過 950°C以上和特別是1200°C以上的溫度施加進(jìn)行硝化。使配料硝化用于制備耐火材料的 方法由本領(lǐng)域已知，這意味著可以參考這些方法（在此方面也可參見[1]WangX.，Wang H. ,ZhangB. ,HongY. ,SunJ. :"SynthesismechanismofMgAlONinnitridation reactionprocess".RareMetalMaterialsandEngineering,第34[1]卷，第42-45頁 (2005)WangX.T. ; [2]WangH.Z.，ZhangW.J.，SunJ.，HongY.R. :"Synthesis ofMgAlONfromAl_A1203_Mg0byReactionSintering".KeyEngineeringMaterials， 第 224-226 卷，第 373-378 頁（2002); [3]WangX.，ZhangW.，WangH.:''Nitridation reactionsinteringbehaviourofAl_A1203_Mg0system".NaihuoCailiao,第 35 [6] 卷，第 317-319 頁（2001))。
[0033] 當(dāng)所述第二組分的物質(zhì)不含含氮物質(zhì)或所述第二配料的物質(zhì)不提供用于以需要 的量在結(jié)合相中形成MgSiAlON-類多型體或MgAlON-類多型體的氮時，特別可以提供此類 配料硝化。
[0034] 第二組分優(yōu)選地單獨包括上述物質(zhì)或至少主要地包括上述物質(zhì)。根據(jù)一個實施方 案，提供的是除了上面提及的物質(zhì)，所述第二組分具有10質(zhì)量％以下分?jǐn)?shù)的另外的物質(zhì)，例 如在5以下或在2以下或在1質(zhì)量％以下的分?jǐn)?shù)，相對于所述第二組分的總質(zhì)量。
[0035] 根據(jù)一個特別優(yōu)選的實施方案，所供應(yīng)的配料中的第二組分，在溫度施加之前 和特別是在陶瓷燒制之前，不包含A1N-類多型體，換言之不含MgAlON-類多型體和不含 MgSiAlON-類多型體。但是，根據(jù)本發(fā)明可以提供的是僅在溫度施加期間通過在結(jié)合相 中的第二組分原位形成MgAlON-類多型體或MgSiAlON-類多型體。根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn)在陶 瓷燒制期間通過此類原位形成MgAlON-類多型體或MgSiAlON-類多型體，可以形成與其 中所述配料在進(jìn)行陶瓷燒制之前已經(jīng)包含MgAlON-類多型體或MgSiAlON-類多型體的耐 火材料相比具有提高的耐火性能的耐火材料。在陶瓷燒制期間原位形成MgAlON-類多型 體或MgSiAlON-類多型體的另一優(yōu)點在于這樣可以節(jié)約能量，因為MgAlON-類多型體或 MgSiAlON-類多型體不必在單獨的燒制過程中預(yù)先制備。
[0036] 根據(jù)一個替代的實施方案，所供應(yīng)的配料的第二組分，在溫度施加之前，和特別是 在陶瓷燒制之前，已經(jīng)包含MgAlON-類多型體或MgSiAlON-類多型體。
[0037] 本發(fā)明的成功重要的是所述第一組分和第二組分在所述配料中以不同的粒度存 在，其中所述第一組分形成粗級分和所述第二組分形成細(xì)級分。在此方面，所述第一組分以 比所述第二組分更粗的粒度存在或者所述第一組分的平均粒度大于所述第二組分的平均 粒度。
[0038] 根據(jù)一個示例性實施方案，可以提供的是至少90質(zhì)量％，還例如至少95、98或99 質(zhì)量％或100質(zhì)量％的第二組分具有63ym以下的粒度，分別相對于所述第二組分的總質(zhì) 量?？梢蕴峁┑氖撬龅诙M分的D5(l值位于0.1-15ym的范圍內(nèi)。在所述第二組分包 含用于在結(jié)合相中形成MgSiAlON-類多型體的硅（硅粉末）形式的物質(zhì)的情況下，可以提 供的是對于所述第二組分的物質(zhì)除了硅之外，所述D5(l值落在0.1-4ym的范圍內(nèi)；對于 硅所述D5Q值例如可以落在5-20ym范圍內(nèi)。
[0039] 例如，可以提供的是至少90質(zhì)量％，例如至少95、98或99質(zhì)量％或100質(zhì)量％的 所述第一組分具有不小于63ym的粒度。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可以提供的是至少30質(zhì) 量％，例如至少35、40、50、60、70、80、90質(zhì)量％或100質(zhì)量％的所述第一組分以不小于1臟 的粒度存在。上面提及的以質(zhì)量％表示的說明分別相對于所述第一組分的總質(zhì)量。
[0040] 在所述第二組分包含通過施加溫度由