17] 親液化工序中，對(duì)于玻璃基板的表面，實(shí)施針對(duì)玻璃基板上的露出玻璃的部分的 提高堿金屬除去用的處理液的浸潤(rùn)性的親液化處理。作為堿金屬除去用的處理液，使用含 有酸或螯合劑的處理液。作為堿金屬除去用的處理液，從處理液的均勻性的方面考慮，優(yōu)選 酸或螯合劑的水溶液、酸或螯合劑的高極性有機(jī)溶劑的溶液、液狀的有機(jī)酸、及液狀的螯合 劑。這些處理液當(dāng)中，由于制備容易且廉價(jià)，因此優(yōu)選酸的水溶液、液狀的有機(jī)酸、螯合劑的 水溶液、及液狀的螯合劑。
[0218] 在堿金屬除去用的處理液為酸的水溶液、液狀的有機(jī)酸、螯合劑的水溶液、及液狀 的螯合劑之類的極性高的處理液的情況下，通過對(duì)于玻璃基板上的露出玻璃的部分實(shí)施 UV/臭氧清洗之類的UV清洗、O2等離子體處理之類的等離子體處理，可以提高堿金屬除去 用的處理液對(duì)于玻璃基板上的露出玻璃的部分的浸潤(rùn)性。
[0219] 堿金屬除去用的處理液對(duì)于玻璃基板上的露出玻璃的部分的浸潤(rùn)性是否得到提 高，可以通過比較親液化處理前后的、堿金屬除去用的處理液與玻璃基板上的露出玻璃的 部分的接觸角來確認(rèn)。如果親液化處理后的接觸角低于親液化處理前的接觸角，則判斷為 良好地進(jìn)行了親液化處理。
[0220] 在堿金屬除去用的處理液為極性高的處理液的情況下，不是比較親液化處理前后 的堿金屬除去液的接觸角，而是比較親液化處理前后的水的接觸角，由此也可以判斷是否 良好地進(jìn)行了親液化處理。
[0221] 在作為堿金屬除去用的處理液使用酸的水溶液、液狀的有機(jī)酸、螯合劑的水溶液、 或液狀的螯合劑的情況下，利用親液化處理，水與玻璃基板上的露出玻璃的部分的接觸角 優(yōu)選降低為30°以下，更優(yōu)選降低為20°以下，進(jìn)一步優(yōu)選降低為10°以下。
[0222] 作為處理液中所含的溶媒，也可以選擇低極性的有機(jī)溶劑。在使用以低極性的有 機(jī)溶劑為主體的低極性的處理液的情況下，通過使用作為各種材料的疏水化劑而使用的公 知的甲硅烷化劑來處理玻璃基板上的露出玻璃的部分，可以提高低極性的處理液對(duì)玻璃的 浸潤(rùn)性。
[0223] <堿金屬除去工序>
[0224] 繼親液化工序之后，通過使玻璃基板的表面與堿金屬除去用的處理液接觸，而對(duì) 玻璃基板實(shí)施使玻璃基板的表面的露出玻璃的部分的表層的堿金屬量減少的堿金屬除去 處理。
[0225] 如前所述，在堿金屬除去工序中，使用含有酸或螯合劑的堿金屬除去用的處理液。 在堿金屬除去用的處理液含有用于溶解酸或螯合劑的溶媒的情況下，該溶媒既可以是水， 也可以是不具有酸性基團(tuán)的有機(jī)溶劑，還可以是不具有酸性基團(tuán)的有機(jī)溶劑的水溶液。作 為堿金屬除去用的處理液，從處理液的均勻性的方面考慮，優(yōu)選酸或螯合劑的水溶液、酸或 螯合劑的高極性有機(jī)溶劑的溶液、或液狀的有機(jī)酸、及液狀的螯合劑。這些處理液當(dāng)中，由 于制備容易且廉價(jià)，因此優(yōu)選酸的水溶液、液狀的有機(jī)酸、螯合劑的水溶液、及液狀的螯合 劑。
[0226] 含有螯合劑的堿金屬除去用的處理液中的螯合劑沒有特別限定，可以從公知的螯 合劑中適當(dāng)?shù)剡x擇。螯合劑通常以水或有機(jī)溶劑的溶液形式使用，然而例如乙酰丙酮、二 丙酮醇、及乙酰乙酸乙酯之類的在室溫附近為液狀的螯合劑可以不用溶解于水或有機(jī)溶劑 中，而直接作為堿金屬除去用的處理液使用。由室溫附近為液狀的螯合劑構(gòu)成的堿金屬除 去用的處理液基本上不會(huì)使金屬配線腐蝕，從這一點(diǎn)考慮有用。
[0227] 如前所述，在螯合劑在室溫附近為固體的情況下，將螯合劑以水或有機(jī)溶劑的溶 液的形式使用。作為在室溫附近為固體的螯合劑，例如可以舉出連苯三酚、鄰苯二酚。作為 使螯合劑溶解的有機(jī)溶劑，例如可以使用醇系溶劑或二醇系溶劑。作為使螯合劑溶解的有 機(jī)溶劑的具體例，可以舉出甲醇、及乙醇等。
[0228] 在上述的堿金屬除去用的處理液當(dāng)中，從鈉及鉀的減少效果的方面、和處理玻璃 基板的表面后的、處理液的廢棄或提純的容易性的方面考慮，優(yōu)選由選自無(wú)機(jī)酸及有機(jī)酸 中的酸性化合物、和水構(gòu)成的處理液。
[0229] 作為無(wú)機(jī)酸及有機(jī)酸，通常使用布朗斯特酸。作為無(wú)機(jī)酸的例子，可以舉出：鹽酸、 氫溴酸、硫酸、硝酸、磷酸、次氯酸、高氯酸、亞硫酸、過硫酸、亞硝酸、亞磷酸、次磷酸、及次膦 酸。它們當(dāng)中，優(yōu)選鹽酸、硫酸、硝酸、及磷酸。作為有機(jī)酸，可以舉出：乙酸、甲酸、丙酸、丁 酸、乳酸、草酸、富馬酸、馬來酸、檸檬酸、琥珀酸、酒石酸、苯甲酸、甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、 及對(duì)甲苯磺酸。
[0230] 對(duì)于由酸性化合物和水構(gòu)成的堿金屬除去用的處理液，處理液中的酸性化合物的 濃度沒有特別限定，然而優(yōu)選為50質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為5質(zhì) 量％以下，最優(yōu)選為3質(zhì)量％以下。
[0231] 對(duì)于含有選自無(wú)機(jī)酸及有機(jī)酸中的酸性化合物、和水的堿金屬除去用的處理液， 以緩沖化為目的，處理液還可以含有處理液中所含的酸性化合物的鹽。作為酸性化合物的 鹽，優(yōu)選堿金屬鹽，優(yōu)選鈉鹽或鉀鹽。對(duì)于被緩沖化了的堿金屬除去用的處理液，其PH優(yōu)選 為3以上且小于7,更優(yōu)選為4以上且6以下。
[0232] 使用堿金屬除去用的處理液的玻璃基板的處理多為對(duì)從表面到深度10 μ m的表 層的鈉及鉀的元素成分比率的合計(jì)量大于13質(zhì)量％的玻璃基板進(jìn)行。這是因?yàn)?，在作為?yōu) 選的玻璃基板的化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板中，從表面到深度10 μ m的表層的鈉及鉀的元素成分比 率的合計(jì)量一般大于13質(zhì)量％。
[0233] 而且，使用堿金屬除去用的處理液的玻璃基板的處理是在玻璃基板上的露出玻璃 的部分中，以使從表面到深度10 ym的表層的鈉及鉀的元素成分比率的合計(jì)量達(dá)到13質(zhì) 量％以下的方式進(jìn)行。通過如此操作，在玻璃基板上的露出玻璃的部分中，可以幾乎不殘留 殘?jiān)厥沟檬褂每刮g劑組合物形成的蝕刻掩?？焖俚貏冸x。
[0234] 需要說明的是，在不進(jìn)行前述的親液化處理、對(duì)玻璃基板實(shí)施堿金屬除去處理的 情況下，很難將玻璃基板上的露出玻璃的部分的表層中存在的堿金屬以所需的程度除去。
[0235] 對(duì)于堿金屬除去處理后的、玻璃基板上的露出玻璃的部分中的、從表面到深度 IOym的表層的鈉及鉀的元素成分比率的合計(jì)而言，從可以在更短時(shí)間內(nèi)使蝕刻掩模從基 板表面剝離的方面考慮，優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為8質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為3質(zhì) 量％以下。
[0236] 堿金屬除去處理后的、玻璃基板上的露出玻璃的部分中的、從表面到深度10 ym 的表層的鉀的元素成分比率優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為8. 5質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為 3質(zhì)量％以下。
[0237] 堿金屬除去處理后的、玻璃基板上的露出玻璃的部分中的、從表面到深度10 ym 的表層的鈉的元素成分比率優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為2質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0. 5 質(zhì)量％以下。
[0238] 玻璃基板上的露出玻璃的部分中的、從表面到深度10 μm的表層的鈉及鉀的元素 成分比率可以使用XPS法（X射線光電子分光分析法）測(cè)定。
[0239] 也可以對(duì)從表面到深度10 μm的表層的鈉及鉀的元素成分比率的合計(jì)為13質(zhì) 量％以下的玻璃基板實(shí)施使用堿金屬除去用的處理液的玻璃基板的處理。該情況下，即使 不進(jìn)行堿金屬除去處理，也可以在玻璃基板表面的露出玻璃的部分中良好地剝離蝕刻掩 模，然而通過進(jìn)行堿金屬除去處理，可以更加快速地使蝕刻掩模剝離。
[0240] 堿金屬除去處理的方法只要是可以將玻璃基板的表層的鉀及鈉的元素含有比率 減少到所需的程度，就沒有特別限定。該處理中，使玻璃基板的表面與處理液接觸，使鉀及 鈉向堿金屬除去用的處理液中溶出。作為使堿金屬除去用的處理液與玻璃基板的表面接觸 的方法，可以舉出：將玻璃基板浸漬在處理液中后對(duì)基板的表面進(jìn)行水洗的方法、在玻璃基 板的表面堆積上述的處理液后對(duì)基板的表面進(jìn)行水洗的方法、向玻璃基板的表面噴射處理 液后對(duì)基板的表面進(jìn)行水洗的方法、或向玻璃基板的表面流下處理液后對(duì)基板的表面進(jìn)行 水洗的方法等。
[0241] 使玻璃基板的表面與處理液接觸的時(shí)間優(yōu)選為45秒以上，更優(yōu)選為1分鐘以上， 特別優(yōu)選為2分鐘以上。另外，接觸時(shí)間優(yōu)選為10分鐘以下。雖然即使使玻璃基板的表面 與處理液接觸超過10分鐘，也不會(huì)產(chǎn)生明顯的不佳狀況，然而對(duì)于蝕刻掩模的剝離性的改 善并不會(huì)獲得特別優(yōu)異的效果。需要說明的是，根據(jù)處理液的種類、PH，在使處理液與玻璃 基板接觸超過10分鐘的長(zhǎng)時(shí)間的情況下，金屬配線有可能腐蝕。
[0242] <疏水化工序>
[0243] 在堿金屬除去工序后，對(duì)玻璃基板的表面實(shí)施使玻璃基板的表面疏水化的疏水化 處理。通過對(duì)玻璃基板的表面實(shí)施疏水化處理，可以在維持蝕刻掩模與玻璃基板的密合性 的同時(shí)，提高玻璃基板表面的露出永久膜的部分和露出金屬配線的部分的、蝕刻掩模的剝 離性。
[0244] 疏水化處理通常是使疏水化劑與玻璃基板的表面接觸而進(jìn)行。疏水化劑可以沒有 特別限制地從以往被用于各種材料的疏水化的疏水化劑中選擇。作為優(yōu)選的疏水化劑，可 以舉出在疏水化的用途中所用的各種硅烷偶聯(lián)劑、N，N-二烷基氨基硅烷化合物、非環(huán)狀二 硅氮烷化合物、及環(huán)狀硅氮烷化合物等。
[0245] 作為N，N-二烷基氨基硅烷化合物的例子，可以舉出：N，N -二甲基氨基三甲基硅 烷、N，N -二甲基氨基二甲基硅烷、N，N -二甲基氨基單甲基硅烷、N，N -二乙基氨基三甲 基硅烷、叔丁基氨基三甲基硅烷、烯丙基氨基三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙酰胺、N，N-二 甲基氨基二甲基乙烯基硅烷、N，N -二甲基氨基二甲基丙基硅烷、N，N -二甲基氨基二甲基 辛基硅烷、N，N -二甲基氨基二甲基苯基乙基硅烷、N，N -二甲基氨基二甲基苯基硅烷、N， N -二甲基氨基二甲基叔丁基硅烷、N，N -二甲基氨基三乙基硅烷、及三甲基硅烷胺等。
[0246] 作為非環(huán)狀二硅氮烷化合物的例子，可以舉出：六甲基二硅氮烷、N -甲基六甲基 二硅氮烷、1，1，3,3 -四甲基二硅氮烷、1，3 -二甲基二硅氮烷、1，3 -二正辛基一 1，1，3， 3-四甲基二硅氮烷、1，3-二乙烯基一 1，1，3,3-四甲基二硅氮烷、三（二甲基甲硅烷基） 胺、二（二甲基甲娃烷基）胺、1 一乙基一 1，1，3, 3, 3 -五甲基二娃氮燒、1 一乙烯基一 1，1， 3, 3, 3 -五甲基二娃氮燒、1 一丙基一 1，1，3, 3, 3 -五甲基二娃氮燒、1 一苯基乙基一 1，1， 3, 3, 3 -五甲基二娃氮燒、1 一叔丁基一 1，1，3, 3, 3 -五甲基二娃氮燒、1 一苯基一 1，1，3， 3,3 -五甲基二硅氮烷、及1，1，1 一三甲基一 3,3,3 -三乙基二硅氮烷等。
[0247] 作為環(huán)狀娃氮燒化合物的例子，可以舉出：2, 2, 5, 5 -四甲基一 2, 5 -二娃基一 1 一雜氮環(huán)戊烷、2,2,6,6 -四甲基一 2,6 -二硅基一 1 一雜氮環(huán)己烷等環(huán)狀二硅氮烷化 合物；2,2,4,4,6,6-六甲基環(huán)三硅氮烷、2,4,6-三甲基一2,4,6-三乙烯基環(huán)三硅氮烷 等的環(huán)狀三硅氮烷化合物；2, 2,4,4,6,6,8,8 -八甲基環(huán)四硅氮烷等的環(huán)狀四硅氮烷化合 物。
[0248] 在疏水化劑為固體或粘度高的液體的情況下，也可以將疏水化劑用不具有與疏水 化劑的反應(yīng)性的有機(jī)溶劑稀釋后使用。
[0249] 作為使疏水化劑與玻璃基板接觸的方法，例如可以舉出：將玻璃基板浸漬在液狀 的疏水化劑中的方法、在玻璃基板的表面堆積液狀的疏水化劑的方法、向玻璃基板的表面 噴霧液狀的疏水化劑的方法、使疏水化劑的蒸氣與玻璃基板的表面接觸的方法、向玻璃基 板的表面流下液狀的疏水化劑的方法等。
[0250] 在使疏水化劑與玻璃基板接觸時(shí)，也可以出于促進(jìn)疏水化劑與玻璃基板的表面的 反應(yīng)的目的，將疏水化劑、或玻璃基板加熱。該情況下的加熱溫度典型地為30~150°C左 右。使玻璃基板與疏水化劑接觸的時(shí)間沒有特別限定，然而典型地為1~30分鐘，優(yōu)選為 1~10分鐘。
[0251] 疏水化處理優(yōu)選以使水與玻璃基板上的永久膜的表面的接觸角為30°以上的方 式進(jìn)行。在像這樣進(jìn)行了疏水化處理的玻璃基板上設(shè)置蝕刻掩模的情況下，容易在玻璃基 板上的露出永久膜的部分、和露出金屬配線的部分中不殘留殘?jiān)匮杆俚厥刮g刻掩模剝 離。
[0252] 在進(jìn)行疏水化處理后，將玻璃基板的表面根據(jù)需要進(jìn)行沖洗、干燥，得到進(jìn)行了前 處理的基板。
[0253] 《蝕刻掩模的形成方法》
[0254] 在利用前述的方法進(jìn)行了前處理的玻璃基板上，使用抗蝕劑組合物形成蝕刻掩 模。
[0255] 具體而言，利用如下方法形成蝕刻掩模，該方法包括：
[0256] 涂布膜形成工序，在利用前述的方法進(jìn)行了前處理的玻璃基板的表面，涂布抗蝕 劑組合物而形成涂布膜；
[0257] 曝光工序，將涂布膜位置選擇性地曝光；以及
[0258] 顯影工序，將曝光了的涂布膜顯影而形成蝕刻掩模。
[0259] 以下，對(duì)涂布膜形成工序、曝光工序、及顯影工序依次進(jìn)行說明。
[0260] <涂布膜形成工序>
[0261] 涂布膜形成工序中，例如使用輥涂機(jī)、反向涂料器、棒涂機(jī)等接觸轉(zhuǎn)印型涂布裝置 或旋涂機(jī)、幕簾式涂布機(jī)、狹縫涂布機(jī)等非接觸型涂布裝置，在玻璃基板上涂布上述的抗蝕 劑組合物，形成涂布膜。也可以根據(jù)需要將所形成的涂布膜加熱（預(yù)烘烤）。
[0262] 所形成的涂布膜的膜厚沒有特別限定，然而例如為20~200 μ m左右。預(yù)烘烤時(shí)的 加熱條件沒有特別限定，然而例如為在70~150°C下2~60分鐘左右。需要說明的是，為 了可以形成所需的膜厚的涂布膜，也可以將抗蝕劑組合物的涂布及預(yù)烘烤反復(fù)進(jìn)行多次。
[0263] 在抗蝕劑組合物可以作為干式膜使用的情況下，也可以將抗蝕劑組合物的干式膜 粘貼在玻璃基板的表面而形成涂布膜。抗蝕劑組合物的干式膜可以通過在脫模薄膜上涂布 抗蝕劑組合物后，根據(jù)需要使抗蝕劑組合物干燥而形成。
[0264] <曝光工序>
[0265] 曝光工序中，通過隔著遮光圖案照射紫外線等活性能量射線，而將涂布膜位置選 擇性地曝光。在曝光中，可以使用高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙燈、碳弧燈等發(fā)出紫外線的 光源。照射的能量線量雖然也會(huì)根據(jù)抗蝕劑組合物的組成而不同，然而例如優(yōu)選為30~ 3000mJ/cm 2左右。在曝光中，根據(jù)需要也可以對(duì)涂布膜實(shí)施加熱（PEB)。該情況下的加熱 條件沒有特別限定，然而例如為在80~150°C下3~20分鐘左右。
[0266] <顯影工序>
[0267] 顯影工序中，通過使用顯影液將在曝光工序中被位置選擇性地曝光了的涂布膜顯 影而得到蝕刻掩模。顯影方法沒有特別限定，可以使用浸漬法、噴霧法、噴淋法、浸軋法等。 顯影液可以根據(jù)抗蝕劑組合物的種類適當(dāng)?shù)剡x擇。作為顯影液，例如可以舉出〇. 25~3質(zhì) 量％的氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、有機(jī)胺、氫氧化四甲銨、三乙醇胺、N-甲基吡咯 烷酮、二甲亞砜等。顯影時(shí)間沒有特別限定，然而例如為1~120分鐘左右。需要說明的是， 顯影液也可以被加溫到25~40°C左右。在顯影后，可以對(duì)蝕刻掩模實(shí)施加熱（后烘烤）。 加熱條件沒有特別限定，然而例如為在70~300°C下2~120分鐘左右。
[0268] 另外，在抗蝕劑組合物為正型的情況下，可以在顯影后，對(duì)蝕刻掩模在照射紫外線 等活性能量射線的同時(shí)實(shí)施加熱的后固化（after-cure)。后固化中，利用活性能量射線，抗 蝕劑組合物中所含的含有醌二疊氮基的化合物形成中間體（indene ketene)，它與具有酚 性羥基的堿可溶性樹脂或含有醌二疊氮基的化合物鍵合而高分子化。
[0269] 需要說明的是，在對(duì)玻璃基板的表背兩面實(shí)施后述的蝕刻加工的情況下，在對(duì)玻 璃基板的表背兩面實(shí)施前述的前處理后，在玻璃基板的表背兩面形成蝕刻掩模。該情況下， 玻璃基板只要至少在一面具備金屬配線和永久膜即可。
[0270] 《玻璃基板的加工方法》
[0271 ] 對(duì)具備利用前述的方法形成的蝕刻掩模的玻璃基板進(jìn)行借助蝕刻的加工。
[0272] 具體而言，利用如下的方法加工玻璃基板，該方法包括：
[0273] 蝕刻工序，對(duì)具備蝕刻掩模的玻璃基板的、具備蝕刻掩模的面上的露出玻璃的部 分實(shí)施蝕刻；和
[0274] 剝離工序，在蝕刻工序后，使蝕刻掩模從玻璃基板的表面剝離。
[0275] 以下，對(duì)蝕刻工序、及剝離工序依次進(jìn)行說明。
[0276] <蝕刻工序>
[0277] 作為借助蝕刻的玻璃基板的加工的例子，可以舉出：在基板表面上的點(diǎn)狀或線狀 的凹部的形成、在厚度方向上貫穿基板的貫穿孔的形成、基板的切斷等。作為蝕刻方法，可 以舉出一般采用的浸漬到蝕刻液中的濕式蝕刻。作為蝕刻液，可以舉出單獨(dú)氫氟酸、氫氟酸 與氟化銨、氫氟酸與其他的酸（鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸等）的混酸等。蝕刻處理時(shí)間沒有特 別限定，然而例如為10~60