晶的生長面的晶向為[001]、『00?1正反面交替。
[0079] 本實施例中，生長晶向為[001]的籽晶經(jīng)過圖5所示的180°翻轉(zhuǎn)后，變?yōu)閇00了], 即相鄰兩個籽晶的生長面的晶向相反，而翻轉(zhuǎn)前后相鄰兩個籽晶接觸的側(cè)面晶向?qū)儆谕?晶向族，籽晶側(cè)面法向的原子堆積密度相同，在引晶過程中，由于硅晶體的彈性模量各相同 性，生長應(yīng)力對拼接縫兩側(cè)的籽晶的側(cè)面法向產(chǎn)生的應(yīng)變是相同的，不會在特殊晶界處產(chǎn) 生位錯源，顯著提高了硅晶體的質(zhì)量。
[0080] 實施例2
[0081] 一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于準單晶的鑄造，包括以下步驟：
[0082] 選擇生長面晶向為〈100>、側(cè)面晶向為〈110>的正方形籽晶作為目標生長籽晶，編 號方式如圖1所示，其中，所述籽晶來源于同一根單晶棒，籽晶的厚度為20mm，將25塊截面 尺寸為156mm*156mm的該籽晶按5X5的方式平鋪在坩堝底部，籽晶的生長面晶向同為正面 的[001]，然后將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn)90°，此時相鄰兩個籽晶的接觸側(cè)面的晶向 屬于同一晶向族的其他晶向，且相鄰兩個籽晶的接觸側(cè)面構(gòu)成重合位置點陣的晶界；所述 籽晶緊密接觸鋪滿坩堝底部形成籽晶層。
[0083] 本發(fā)明實施例中，所述旋轉(zhuǎn)方式不限，可為順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)90°，只要保證相 鄰籽晶的生長面同為正面[001]即可。
[0084] 具體的鋪設(shè)過程如下：
[0085] 圖7是本發(fā)明實施例2相鄰籽晶的鋪設(shè)示意圖，圖4中所述正面是指籽晶的生長 面晶向為[001]。選取一所述籽晶的側(cè)面3作為參考，然后將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn) 90°，此種鋪設(shè)方式下，當一籽晶的側(cè)面編號為正面的1時，與之拼接的相鄰籽晶的側(cè)面編 號須為正面的2或4,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的2時，與之拼接的相鄰籽晶的側(cè)面編號 須為正面的1或3,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的3時，相鄰籽晶的側(cè)面編號須為正面的2 或4,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的4時，相鄰籽晶的側(cè)面編號須為正面的1或3 ;圖8為本 發(fā)明實施例2籽晶的鋪設(shè)結(jié)果圖，相鄰籽晶的生長面的晶向均為正面[001]，相鄰籽晶是同 為正面鋪設(shè)。
[0086] 本實施例選擇生長面晶向為[001]、側(cè)面晶向為〈110>的正方形籽晶平鋪在坩堝 底部，并將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn)90°，此時相鄰兩個籽晶的生長面晶向仍相同，同為 正面[001]，接觸側(cè)面的晶向?qū)儆谕痪孀宓牟煌蛑笖?shù)，相鄰籽晶在拼接縫處生長出 來的晶體原子在空間結(jié)構(gòu)上都無法一致，從而將相鄰籽晶鋪設(shè)能夠形成特殊晶界。
[0087] 實施例3
[0088] 一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于準單晶的鑄造，包括以下步驟：
[0089] 選擇生長面晶向為丨00丨]、側(cè)面晶向為〈110>的正方形籽晶作為目標生長籽晶，編 號方式如圖1所示，其中，所述籽晶來源于同一根單晶棒，籽晶的厚度為20mm，將25塊截面 尺寸為156mm*156mm的該籽晶按5X5的方式平鋪在坩堝底部，籽晶的生長面晶向均為反面 的[OOiL然后將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn)90° (此時相鄰籽晶同為反面鋪設(shè)），此時相 鄰兩個籽晶的接觸側(cè)面的晶向?qū)儆谕痪孀宓牟煌蛑笖?shù)，且相鄰兩個籽晶的接觸側(cè) 面構(gòu)成重合位置點陣的晶界（即特殊晶界）；所述籽晶緊密接觸鋪滿坩堝底部形成籽晶層。
[0090] 本發(fā)明實施例中，所述旋轉(zhuǎn)方式不限，可為順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)90°，只要保證相 鄰籽晶的生長面同為反面，即fooT]。
[0091] 具體的鋪設(shè)過程如下：
[0092] 圖9是本發(fā)明實施例3相鄰籽晶的鋪設(shè)示意圖，圖9中所述反面是指籽晶的生長 面晶向為[00?]。選取一所述籽晶的側(cè)面3作為參考，籽晶的生長面晶向均為反面的f〇〇l], 然后將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn)90°，此種鋪設(shè)方式下，當一籽晶的側(cè)面編號為正面的 1時，與之拼接的相鄰籽晶的側(cè)面編號須為正面的2或4,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的2 時，與之拼接的相鄰籽晶的側(cè)面編號須為正面的1或3,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的3時， 相鄰籽晶的側(cè)面編號須為正面的2或4,當一籽晶的側(cè)面編號為正面的4時，相鄰籽晶的側(cè) 面編號須為正面的1或3 ;圖10為本發(fā)明實施例3籽晶的鋪設(shè)結(jié)果圖，相鄰籽晶的生長面 的晶向均為反面[00?]，相鄰籽晶是同為反面鋪設(shè)。
[0093] 本實施例選擇生長面晶向為[00丨]、側(cè)面晶向為〈110>的正方形籽晶平鋪在坩堝底 部，然后將相鄰籽晶中的一個籽晶旋轉(zhuǎn)90°，此時相鄰兩個籽晶的生長面晶向仍然相同，同 為?〇〇η，相鄰籽晶在拼接縫處生長出來的晶體原子在空間結(jié)構(gòu)上都無法一致，從而將相鄰 籽晶鋪設(shè)能夠形成特殊晶界。
[0094] 實施例4
[0095] 一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于準單晶的鑄造，包括以下步驟：
[0096] 選擇生長面晶向為〈100>、側(cè)面晶向為〈100>的正方形籽晶作為目標生長籽晶，其 中，所述籽晶來源于同一根單晶棒，籽晶的厚度為20mm，將25塊截面尺寸為156mm*156mm的 該籽晶按5X5的方式平鋪在坩堝底部，籽晶的生長面晶向均為正面[001]，然后將相鄰籽 晶的生長面的晶向按正反面交替拼接，此時相鄰兩個籽晶的接觸側(cè)面晶向一致，且使相鄰 兩個籽晶的接觸側(cè)面構(gòu)成特殊晶界；籽晶緊密接觸鋪滿坩堝底部形成籽晶層。
[0097] 對生長面晶向仍為〈100>、側(cè)面晶向為〈100>晶面族的的籽晶，其制備流程圖基 本同圖1所述，只是開方的側(cè)面晶向不同，所述正方形籽晶的四個側(cè)面晶向分別為[100]、
[010]、[?00]和[0?0],且分別對應(yīng)于編號為1、2、3和4的側(cè)面。
[0098] 本實施例中，相鄰籽晶的生長面的晶向按正反面交替拼接的方式不限。選取一 所述籽晶的側(cè)面3作為參考，將相鄰籽晶中的一個籽晶繞所述籽晶接觸側(cè)面的法向翻轉(zhuǎn) 180° (前后翻轉(zhuǎn)，可參見附圖5a)或繞將相鄰籽晶中的一個籽晶繞與所述籽晶接觸側(cè)面的 法向垂直的方向翻轉(zhuǎn)180° (左右翻轉(zhuǎn)，可參見附圖5b)，或者在所述前后翻轉(zhuǎn)或左右翻轉(zhuǎn) 180°后，再旋轉(zhuǎn)90°，所述旋轉(zhuǎn)方式不限，可為順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)90°，只要最終保證 相鄰籽晶按正反面交替拼接即可。當一籽晶的側(cè)面編號為正面的1時，與之拼接的相鄰籽 晶的側(cè)面編號可以為反面的1、2、3或4。
[0099] 本實施例4的籽晶的鋪設(shè)結(jié)果圖和本發(fā)明實施例1 (圖6)的一樣，即相鄰籽晶的 生長面的晶向為正反面交替，只是在進行正反面拼接時，生長面為正面的籽晶的側(cè)面1可 與生長面為反面的籽晶的側(cè)面1、2、3、4自由搭配。這是由于側(cè)面晶向為非〈110>晶向族時， 只要將相鄰籽晶進行正反面交替的鋪設(shè)（不論是翻轉(zhuǎn)后旋轉(zhuǎn)90°還是翻轉(zhuǎn)后旋轉(zhuǎn)0° )，相 鄰籽晶在拼接縫處生長出來的晶體原子在空間結(jié)構(gòu)上都無法一致，從而將相鄰籽晶鋪設(shè)能 夠形成特殊晶界。
[0100] 本實施例選擇生長面晶向為〈100>、側(cè)面晶向為〈100>的正方形籽晶平鋪在坩堝 底部，相鄰籽晶經(jīng)方式不限的正反面交替拼接，拼接后，相鄰兩個籽晶的生長面的方向相 反，但接觸側(cè)面的晶向?qū)儆谕痪孀宓牟煌蛑笖?shù)，相鄰籽晶在拼接縫處生長出來的 晶體原子在空間結(jié)構(gòu)上都無法一致，從而將相鄰籽晶鋪設(shè)能夠形成特殊晶界。
[0101] 值得注意的是，對本實施例4所用的籽晶，但采用如圖8或圖10所示的同為正面 鋪設(shè)或同為反面鋪設(shè)時，相鄰籽晶在拼接縫處的原子的空間排列一致，所以相鄰籽晶形成 不了特殊晶界，而是形成隨機的大角度晶界或小角度晶界，在引晶過程中容易在籽晶的拼 接縫處產(chǎn)生位錯等缺陷。
[0102] 實施例5
[0103] 一種準單晶硅片的制備方法，包括以下操作步驟：
[0104] (1)按照實施例1的籽晶鋪設(shè)方法在坩堝底部鋪設(shè)籽晶得到籽晶層，籽晶層的厚 度為20mm ;
[0105] (2)在籽晶層上填裝硅料和摻雜劑硼，加熱使坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，并控制 坩堝底部溫度在1300-1420 °C之間，低于籽晶的熔點，使得硅料從上往下進行熔化硅料，利 用石英棒進行探測是否到達籽晶的位置，使得籽晶層不被完全熔化；當硅熔體與未熔化的 籽晶層所形成的固液界面剛好處在籽晶層或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得 硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅 錠；
[0106] (3)將準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到準單晶硅片。
[0107] 對所得