層SiC層220，即碳化硅層，使用SiC作頂膜進(jìn)一步提高鍍膜層的抗機(jī)械劃傷能力及耐熱性能，與SiNx膜組合使用使膜層的硬度進(jìn)一步提高，降低了加工的難度，更方便加工，SiC與SiNx光學(xué)性能接近。所述最外層SiC層220的厚度為30?60nm。
[0042]一種制備可鋼化三銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟:
[0043](I)磁控濺射SiNjl，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料，使用純度為99.9%的Si靶作濺射；
[0044](2)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti革巴；
[0045](3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶；
[0046](4)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0047](5)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0048](6)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0049](7)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti革巴；
[0050](8)磁控濺射ZnOjl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射；
[0051](9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0052](10)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0053](11)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0054](12)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti靶；
[0055](13)磁控濺射ZnOJl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射；
[0056](14)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0057](15)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0058](16)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0059](17)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射；
[0060](18)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射；
[0061](19)磁控濺射SiNjl，用中頻交流電源、氮?dú)庾髦鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料，使用純度為99.9%的Si靶作濺射；
[0062](20)磁控濺射SiC層，用中頻交流電源，氬氣作主反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體陶瓷SiC靶。
[0063]可鋼化三銀LOW-E玻璃在陽(yáng)光性能上有很大提高，三層銀膜可以使發(fā)射率降到很低值，即傳熱系數(shù)降到低值；而且它在降低太陽(yáng)能的同時(shí)，仍然能保持很高的可見光透過(guò)率，所以三銀LOW-E鍍層在陽(yáng)光性能方面具有良好的選擇性。
[0064]LOff-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
[0065]本玻璃鋼化后顏色偏差較小，a* = -3.5?-4，b* = -4.5?-5.5。
[0066]透過(guò)率彡65%，輻射率< 0.03，反射率為< 15%，遮陽(yáng)系數(shù)SC < 0.40。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，在所述的玻璃基片(I)的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有二十個(gè)膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內(nèi)層為SiNJl(21)，第二膜層為T1Jl (22)，第三膜層為ZnO層(23)，第四膜層為NiCr層(24)，第五膜層為Ag層(25)，第六層膜為NiCr層(26)，第七膜層為T1jl (27)，第八膜層為ZnOjl (28)，第九膜層為NiCr層(29)，第十膜層為Ag層(210)，第十一膜層為NiCr層(211)，第十二膜層為T1jl (212)，第十三膜層為ZnOjl (213)，第十四膜層為NiCr層(214)，第十五層為Ag層(215)，第十六層為NiCr層(216)，第十七層為T1Jl (217)，第十八層為ZnO層(218)，第十九層為SiNJl (219)，第二十層即最外層為SiC層(220)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的SiNJl(21)的厚度為15?25nm，第十九膜層SiNjl(219)的厚度為20?35nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的T12層(22)的厚度為20?35nm，第七層膜層T1jl(27)的厚度為15?35nm，第十二膜層T12層(212)的厚度為15?30nm，第十七膜層T1jl (217)的厚度為25?35nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜層的ZnO層(23)的厚度為5?15nm，第十八層ZnO層(218)的厚度為10?20nmo5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于第八膜層ZnO2層(28)、第十三膜層ZnO^ (213)的厚度均為5?15nm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜層NiCr層(24)、第六膜層NiCr層(26)、第九膜層NiCr層(29)、第十一膜層NiCr層(211)、第十四膜層NiCr層(214)、第十六層NiCr層(216)的厚度均為2?5nm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜層Ag層(25)、第十膜層Ag層(210)、第十五膜層Ag層(215)的厚度均為5?10nm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二十層即最外層SiC層(220)的厚度為30?60nm。9.一種制備權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟: (1)磁控濺射SiNjl，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料，使用純度為.99.9%的Si靶作濺射； (2)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti靶； (3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶； (4)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (5)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (6)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (7)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti靶； (8)磁控濺射ZnOJl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射； (9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (10)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (11)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (12)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射半導(dǎo)體材料陶瓷Ti靶； (13)磁控濺射ZnOJl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射； (14)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (15)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (16)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (17)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的濺射； (18)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應(yīng)氣體的氬氣作輔助反應(yīng)濺射； (19)磁控濺射SiNjl，用中頻交流電源、氮?dú)庾髦鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料，使用純度為99.9%的Si靶作濺射； (20)磁控濺射SiC層，用中頻交流電源，氬氣作主反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體陶瓷SiC靶。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，在所述的玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有二十個(gè)膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內(nèi)層為SiNx層，第二膜層為TiO2層，第三膜層為ZnO層，第四膜層為NiCr層，第五膜層為Ag層，第六層膜為NiCr層，第七膜層為TiO2層，第八膜層為ZnO2層，第九膜層為NiCr層，第十膜層為Ag層，第十一膜層為NiCr層，第十二膜層為TiO2層，第十三膜層為ZnO2層，第十四膜層為NiCr層，第十五層為Ag層，第十六層為NiCr層，第十七層為TiO2層，第十八層為ZnO層，第十九層為SiNx層，第二十層即最外層為SiC層。
【IPC分類】C03C17/36
【公開號(hào)】CN104944798
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510321177
【發(fā)明人】孫疊文, 馬滿江
【申請(qǐng)人】中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月12日