比為50，其余步驟及參數(shù)與實(shí)施例1相同。
[0046]圖3為本實(shí)施例中獲得的全娃D(zhuǎn)D3R分子篩晶體的掃描電鏡照片，全娃D(zhuǎn)D3R分子篩晶體為約0.7微米的菱形晶體，晶體大小較均勻，收率>80%。
[0047]圖4為本實(shí)施例中獲得的全硅DD3R分子篩晶體的XRD圖譜，與標(biāo)準(zhǔn)圖譜一致。
[0048]實(shí)施例3
[0049]本實(shí)施例為添加0.046wt%晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為30，160°C微波加熱12小時(shí)合成全硅DD3R分子篩。
[0050]與實(shí)施例1的不同之處在于，水與所述硅源中硅的摩爾比為30，其余步驟及參數(shù)與實(shí)施例1相同。
[0051]圖5為全娃D(zhuǎn)D3R分子篩晶體的掃描電鏡照片，全娃D(zhuǎn)D3R分子篩晶體為約0.4微米的菱形晶體，晶體大小較均勻，收率>80%，同時(shí)，氮?dú)馕綔y(cè)得比表面積為256m2/g。
[0052]圖6為全硅DD3R分子篩晶體的XRD圖譜，與標(biāo)準(zhǔn)圖譜一致。
[0053]圖7為全硅DD3R分子篩晶體的氮?dú)馕降葴鼐€。
[0054]實(shí)施例4
[0055]本實(shí)施例為添加0.0lwt %晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為15，160°C微波加熱72小時(shí)合成全硅DD3R分子篩。
[0056]Si02、7K、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:15:0.02:2。
[0057]所述輔助模板劑為四甲基氫氧化銨。
[0058]所述硅源為正硅酸四甲酯。
[0059]將四甲基氫氧化銨與金剛烷胺混合后，加入H2O攪拌約2小時(shí)。加入硅源后攪拌老化0.01天。
[0060]實(shí)施例5
[0061]本實(shí)施例為添加2.5wt%晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為150，120°C微波加熱72小時(shí)合成全硅DD3R分子篩。
[0062]Si02、/K、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:150:1:1。
[0063]所述輔助模板劑為四丁基氫氧化銨。
[0064]所述硅源為正硅酸四乙酯。
[0065]將四丁基氫氧化銨與金剛烷胺混合后，加入H2O攪拌約3小時(shí)。加入硅源后攪拌老化6天。
[0066]實(shí)施例6
[0067]本實(shí)施例為添加5wt%晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為300，220°C微波加熱3小時(shí)合成全娃D(zhuǎn)D3R分子篩。
[0068]Si02、/K、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:300:2:0.02。
[0069]所述輔助模板劑為四乙基氟化銨。
[0070]所述硅源為硅酸鈉。
[0071]將四乙基氟化銨與金剛烷胺混合后，加入H2O攪拌約0.5小時(shí)。加入硅源后攪拌老化3天。
[0072]實(shí)施例7
[0073]本實(shí)施例為添加0.046wt%晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為50，160°C微波加熱48小時(shí)合成全硅DD3R分子篩。
[0074]Si02、/K、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:50:1:1。
[0075]所述輔助模板劑為四乙基溴化銨。
[0076]所述硅源為白炭黑。
[0077]將四乙基溴化銨與金剛烷胺混合后，加入H2O攪拌約0.5小時(shí)。加入硅源后攪拌老化3天。
[0078]實(shí)施例8
[0079]本實(shí)施例為添加0.046wt%晶種，水與所述硅源中硅的摩爾比為50，160°C微波加熱48小時(shí)合成全硅DD3R分子篩。
[0080]Si02、/K、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:50:1:1。
[0081 ] 所述輔助模板劑為四丁基溴化銨。
[0082]所述硅源為白炭黑。
[0083]將四丁基溴化銨與金剛烷胺混合后，加入H2O攪拌約0.5小時(shí)。加入硅源后攪拌老化3天。
[0084]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明任何形式上和實(shí)質(zhì)上的限制，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明方法的前提下，還將可以做出若干改進(jìn)和補(bǔ)充，這些改進(jìn)和補(bǔ)充也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，當(dāng)可利用以上所揭示的技術(shù)內(nèi)容而做出的些許更動(dòng)、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實(shí)施例；同時(shí)，凡依據(jù)本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)對(duì)上述實(shí)施例所作的任何等同變化的更動(dòng)、修飾與演變，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制備亞微米全硅DD3R分子篩的方法，包括以下步驟: 1)將硅源、金剛烷胺、水和輔助模板劑混合得到晶體合成母液，攪拌老化； 2)加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.0l?5%的晶種，在120?220°C的條件下加熱； 所述輔助模板劑選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四乙基氟化銨、四乙基溴化銨、四丁基氫氧化銨和四丁基溴化銨中的一種或多種。2.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟I)中所述硅源的S12、水、金剛烷胺和輔助模板劑的摩爾比為1:15?300:0.02?2:0.02?2。3.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟I)中所述硅源選自正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯、硅酸鈉、硅溶膠和白炭黑中的一種或多種。4.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟I)中所述攪拌老化時(shí)間為0.01?6天。5.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟I)中先將金剛烷胺、四乙基氫氧化胺和水混合攪拌0.5?3小時(shí)，再加入硅溶膠。6.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:以所述硅源中S12的質(zhì)量為基準(zhǔn)計(jì)，步驟2)中所述晶種的添加量0.01?0.5wt%。7.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟2)中所述加熱的時(shí)間為3?72小時(shí)。8.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于:步驟2)中所述加熱的方法為微波加熱。9.一種全硅DD3R分子篩，由如權(quán)利要求1?9任一所述方法制備獲得，所述全硅DD3R分子篩的粒徑為0.4?I微米。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種制備亞微米全硅DD3R分子篩的方法，包括以下步驟：1）將硅源、金剛烷胺、水和輔助模板劑混合得到晶體合成母液，攪拌老化；2）加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.01~5%的晶種，在120~220℃的條件下加熱；所述輔助模板劑選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四乙基氟化銨、四乙基溴化銨、四丁基氫氧化銨和四丁基溴化銨中的一種或多種。本發(fā)明采用混合模板劑和加入晶種的方法，極大的縮短了晶化過(guò)程中的誘導(dǎo)期，增加了晶化速率，縮短了DD3R分子篩的合成周期，使其合成周期由現(xiàn)有技術(shù)中的25天縮短到3小時(shí)，且制得的DD3R分子篩晶體尺度均一，粒徑小于1μm，產(chǎn)率接近100%，在吸附和分離領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。
【IPC分類(lèi)】C01B37/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105016354
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510390345
【發(fā)明人】張建明, 李猛, 張延風(fēng), 林艷君, 劉琛, 胡登, 白璐, 曾高峰, 孫予罕, 肖亞寧, 劉斌, 王東飛
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院, 山西潞安環(huán)保能源開(kāi)發(fā)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年7月3日