復(fù)合基板和功能元件的制作方法_4

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導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專(zhuān)利>無(wú)機(jī)化學(xué)及其化合物制造及其合成,應(yīng)用技術(shù)>復(fù)合基板和功能元件的制作方法

化鎵結(jié)晶的研磨后的厚度為15ym。在被設(shè)置為藍(lán)寶石在下方時(shí)，研磨后的晶片的翹曲為凸形狀，被定義為置于平坦面時(shí)的最大高度-最小高度的、 2英寸晶片的翹曲，在室溫下為+120 ym。
[0125] 接下來(lái)，利用保護(hù)膜保護(hù)該研磨后的氮化鎵，將氮化鎵朝下貼在研磨平臺(tái)上，用以下工序?qū)λ{(lán)寶石基板進(jìn)行研磨加工，導(dǎo)入加工應(yīng)變。
[0126] 在用固定磨粒的磨石磨削（grinding)從而露出表面之后，使用平均粒徑為1~ 10ym的金剛石漿料等游離磨粒研磨（lapping)，然后，使用含有膠體二氧化硅磨粒的酸性或堿性CMP漿料使之成為半鏡面（拋光）。
[0127] 對(duì)該半鏡面刷（scrub)洗（使用刷子的刷洗），用超純水超聲波清洗之后干燥，成為L(zhǎng)ED結(jié)構(gòu)成膜用基板。
[0128] 從本發(fā)明的觀點(diǎn)出發(fā)，這樣得到的復(fù)合基板的研磨后的厚度為450ym。藍(lán)寶石研磨后的晶片的翹曲，與上述同樣地在室溫下為+80 y m，與藍(lán)寶石研磨前相比，小40 y m。
[0129] 利用陰極發(fā)光裝置，測(cè)定該復(fù)合基板的表面的液相法氮化鎵膜的暗斑密度約為 lX107/cm 2〇
[0130] (LED結(jié)構(gòu)的成膜）
[0131] 利用MOCVD法，通過(guò)以下工序使LED結(jié)構(gòu)成膜。約用15分鐘從室溫升溫至1050°C，在氮、氫和氨的混合氛圍中保持15分鐘，進(jìn)行熱清洗之后，在1050°C下使厚度為2 ym的 n-GaN層沉積，接著，降溫至750°C，使基于InGaN/GaN的多重量子阱（活性層）沉積10對(duì)。進(jìn)一步，使基于AlGaN的電子嵌段層生長(zhǎng)0. 02 y m，然后，升溫至1000°C后，沉積p-GaN (p包覆層；厚度為80nm)、p+GaN(p接觸層；厚度為20nm)，之后放置冷卻至室溫。
[0132] 從MOCVD爐中取出后目視觀察，未觀察到裂紋。另外，在用微分干涉顯微鏡觀察后，確認(rèn)表面是平坦的。
[0133] 使用該晶片，用通常的光刻工序制作0. 3_見(jiàn)方的LED元件，在電極上施加約3. 5V 的電壓之后，可以確認(rèn)發(fā)出波長(zhǎng)約為460nm的藍(lán)光。測(cè)定發(fā)光波長(zhǎng)的面內(nèi)分布，結(jié)果為 460±5nm的范圍。另外，晶片的約7成的面積在460±2. 5nm的范圍內(nèi)。
[0134] (實(shí)施例2)
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