；待晶體生長結(jié)束后，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1600°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以80°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)18h，從而得到晶體；
步驟二、晶體掏棒；對晶體進行定向，然后使用掏棒機進行掏棒，從而得到晶棒；
步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對晶棒進行切割，從而得到晶片；
步驟四、研磨；采用研磨機對晶片進行研磨；研磨時，加入研磨液，研磨盤對晶片加壓至0.02Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1100rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:1%的顆粒大小為15 μπι的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟五、倒角；采用數(shù)控機床的金剛石砂輪對晶片的邊角進行倒角處理；
步驟六、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以200°C /h的速度進行升溫將溫度升至1600°C，升溫時在300 °C、800 °C、1600 °C分別保溫4h，然后以200 °C的溫度進行降溫，降溫時在1000°C、500°C分別保溫3h冷卻至室溫取出；
步驟七、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對晶片進行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機中固定；拋光時，加入拋光液，拋光盤對晶片加壓至0.13 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1200rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進行自然冷卻；所述拋光液組分包括:1%的顆粒大小為3 μπι的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，1%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為12.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補充堿性溶液以保持拋光液的PH值；
步驟八、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機中并通入保護氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大小。
[0024]本發(fā)明的藍寶石LED燈絲基板的制備方法不局限于上述實施例所述的具體技術(shù)方案，凡采用等同替換形成的技術(shù)方案均為本發(fā)明要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于，包括以下具體步驟:步驟一、晶體生長；在晶體生長爐的坩禍內(nèi)裝入純凈的Al2O3原料，所述坩禍上方設(shè)有可旋轉(zhuǎn)和升降的提拉桿，提拉桿的下端夾設(shè)有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶；將晶體生長爐內(nèi)抽真空并通入保護氣體，升溫至2100?2200°C，使得Al2O3熔融，控制熔體的液面溫度為2055°C，將籽晶置于Al2O3熔體的上表面使其與熔體接觸，持續(xù)0.5?Ih ;待籽晶與熔體充分沾潤后，提拉并轉(zhuǎn)動籽晶，從而實現(xiàn)縮頸一擴肩一等徑生長；縮頸階段，控制熔體的液面溫度為2050°C，以3?5mm/h的速度向上提拉籽晶，以45?48r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；擴肩階段，控制熔體的液面溫度為2048°C，以8?10mm/h的速度向上提拉籽晶，以50?55r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；等徑階段，控制熔體的液面溫度為2052°C，以5?8mm/h的速度向上提拉籽晶，以48?50r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；待晶體生長結(jié)束后，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1580?1680°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以80?100°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)18?22h，從而得到晶體； 步驟二、晶體掏棒；對晶體進行定向，然后使用掏棒機進行掏棒，從而得到晶棒； 步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對晶棒進行切割，從而得到晶片； 步驟四、研磨；采用研磨機對晶片進行研磨；研磨時，加入研磨液，研磨盤對晶片加壓至0.02?0.022Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1000?1200rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為10?20 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，其余為去離子水； 步驟五、倒角；采用數(shù)控機床的金剛石砂輪對晶片的邊角進行倒角處理，； 步驟六、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以180?220°C /h的速度進行升溫將溫度升至1600°C，升溫時在300°C、800°C、1600°C分別保溫2?6h，然后以200°C的溫度進行降溫，降溫時在1000°C、500°C分別保溫2?3h冷卻至室溫取出； 步驟七、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對晶片進行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機中固定；拋光時，加入拋光液，拋光盤對晶片加壓至0.12?0.15 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1000?1500rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進行自然冷卻；所述拋光液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為I?6 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，0.5?2%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為11.0?13.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補充堿性溶液以保持拋光液的PH值； 步驟八、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機中并通入保護氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟一中，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1600°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以100°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)22h。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟三中，金剛砂線的直徑為0.14?0.16mm，金剛砂線上金剛石的粒徑為30?40 μ m，金剛砂線在切割時以12?15m/s的速度運動，晶體相對于金剛砂線的移動速度為0.2?0.3mm/min,切割時不斷向金剛砂線噴灑切割液，所述切割液中含有粒徑為20?30 μπι的金剛石顆粒和粒徑為50?60 μ m的剛玉顆粒。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟四中，所述研磨液中含有粒徑為3?6 μπι的氧化鋁顆粒。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟六中，升溫時，在300°C保溫2h，在800°C保溫3h，在1600°C保溫4h。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟七中，所述堿性溶液為KOH。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟七中，所述拋光液PH值為12.0。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟七中，拋光盤對晶片加壓至0.135Mpa。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:所述步驟八中，激光束的直徑為0.015?0.02mm，切割速度為3?5mm/So10.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石LED燈絲基板的制備方法，其特征在于:步驟八中所述保護氣體為氮氣。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種藍寶石LED燈絲基板的制備方法，具體步驟包括晶體生長、晶體掏棒、晶體切割、研磨、倒角、退火、雙面拋光、激光取片、刷銀等工序；本發(fā)明制成的LED燈絲基板有效地去除藍寶石應(yīng)力，不易開裂，而且采用激光切割，不會影響到材料的表面，且藍寶石耐劃傷，且具有良好的透光性，使得LED燈絲發(fā)光效率高使用壽命長。
【IPC分類】B28D5/00, C30B29/20, C30B33/10, C30B33/02, B24B29/02, B28D5/04, C30B15/00, B24B37/00
【公開號】CN105154968
【申請?zhí)枴緾N201510339683
【發(fā)明人】蘇鳳堅, 劉俊, 郝正平
【申請人】江蘇蘇創(chuàng)光學(xué)器材有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年6月18日