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      結(jié)晶取向壓電陶瓷、壓電體元件和結(jié)晶取向壓電陶瓷的制造方法_3

      文檔序號:9509625閱讀:來源:國知局
      1] 氧分壓為10VaW下時,陶瓷的電阻變低,容易導(dǎo)通。因此,難W得到具有壓電特 性的陶瓷。
      [0102] 作為疊層型壓電元件而實現(xiàn)本實施方式的結(jié)晶取向壓電陶瓷時,為了抑制壓電元 件所含有的內(nèi)部電極的氧化,優(yōu)選氧分壓大于10 4kPa、且為102kPaW下。在使用Ag-Pd合 金等的貴金屬系的電極時,通過在大氣中進(jìn)行熱處理,能夠得到更進(jìn)一步提高了壓電常數(shù) d33和居里點(diǎn)Tc的壓電陶瓷。
      [0103] 熱處理的氣氛的壓力優(yōu)選為大氣壓。
      [0104] 另外,如果為上述的氧分壓,再氧化時的氣氛除了氮、氣等,還可W包含其它的不 活性氣體。
      [0105] 熱處理溫度優(yōu)選為500°CW上、1200°CW下。溫度低于500°C時,氧對氧缺陷的補(bǔ) 充不充分。因此,即使實施分極處理,也不能進(jìn)行分極化,只能得到壓電常數(shù)d33小的壓電 陶瓷。另一方面,熱處理溫度比1200°C高時,陶瓷有可能烙融。更優(yōu)選的范圍為600°CW上、 liocrcW下。處理時間優(yōu)選為0. 5小時W上、24小時W下。在處理時間比0. 5小時短時,上 述的氧的補(bǔ)充不充分,有可能不能得到充分高的壓電常數(shù)d33。另外,處理時間比24小時長 時,有時構(gòu)成陶瓷的元素的一部分揮發(fā)。更優(yōu)選的范圍為1小時W上、10小時W下。
      [0106] (7)對經(jīng)過熱處理的燒結(jié)體實施分極處理的工序
      [0107] 對通過上述工序得到的陶瓷,形成電極,實施分極處理。通過分極處理,陶瓷中的 自發(fā)分極的方向一致,表現(xiàn)壓電特性。分極處理能夠使用壓電陶瓷的制造中通常使用的公 知的分極處理。例如,將形成有電極的燒制體通過有機(jī)娃浴等保持在室溫W上、200°CW下 的溫度,施加0. 5kV/mmW上、6kV/mm左右的電壓。由此,能夠得到具有壓電特性的結(jié)晶取向 壓電陶瓷。
      [010引本發(fā)明的結(jié)晶取向壓電陶瓷能夠W各種方式實施。例如,可W利用結(jié)晶取向壓電 陶瓷,形成塊狀的燒結(jié)體。另外,本發(fā)明可W是具備本發(fā)明的結(jié)晶取向壓電陶瓷和與結(jié)晶取 向壓電陶瓷連接的多個電極的壓電體元件。該情況下,也可W是包含本發(fā)明的結(jié)晶取向壓 電陶瓷的多個陶瓷層和配置在多個陶瓷層間、由Ag等構(gòu)成的多個內(nèi)部電極的疊層壓電體 元件。
      [0109]其中,在為疊層壓電體元件時,內(nèi)部電極等的其它材料存在于各陶瓷層間,因此難 W測定結(jié)晶取向壓電陶瓷的相對密度。該情況下,通過測定空隙率,能夠求出相對密度。 空隙率φ能夠如下進(jìn)行計算:將陶瓷的截面積設(shè)為S,將在截面積上存在的空隙的面積設(shè)為 Sp,由取=Sp/S的式算出空隙率φ:。從100(% )減去該空隙率φ的值而得到的值是與相對密 度相同的值。因此,根據(jù)疊層壓電體元件中的陶瓷層中的空隙率是否為φ5%Κ下,能夠判 斷是否為本發(fā)明的結(jié)晶取向壓電陶瓷。
      [0110](實施例)
      [0ιυ] 作為本發(fā)明的一個實施方式,制作各種結(jié)晶取向壓電陶瓷,對特性進(jìn)行評價,對結(jié) 果進(jìn)行說明。
      [0112] 首先,W下對本實施例中進(jìn)行測定的取向度、壓電常數(shù)d33的評價方法進(jìn)行說明。
      [011引[組成]
      [0114]組成通過沈M-EDX巧nergyDispersiveX-rayspectroscopy)進(jìn)行測定。測定條 件如下。
      [0115] 加速電壓:15kV
      [0116]電流:100nA
      [0117] 射束直徑:1 μ m [om][真密度]
      [0119] 從加料組成算出巧鐵礦型結(jié)構(gòu)的單位晶胞的質(zhì)量。另外,由燒結(jié)體的X畑狂-Ray DifTraction)的測定結(jié)果,算出單位晶胞的體積。將算出的單位晶胞的質(zhì)量除W單位晶胞 的體積而得到的值作為真密度。
      [0120] [相對密度]
      [0121] 就相對密度而言,將真密度作為100%,表示將實測的密度(利用阿基米德法 測定)相對于該真密度的比例。
      [0122] [取向度]
      [0123] 取向度通過Lotgering法求得。
      [0124] 詳細(xì)而言,使用化-Κα射線,由XRD的結(jié)果求出。XRD在研磨了燒結(jié)體的表面而 成的面、W2 0 :5°~80°的范圍進(jìn)行測定。從XRD的測定結(jié)果求出下述式的Ρ,算出取向 度f。其中,Ρ為壓電陶瓷的殘留分極值,ΣΙ化00}表示來自化00}的衍射峰的總積分強(qiáng)度 和,ΣΙ化kl}表示將能夠觀測到的全部衍射峰的積分強(qiáng)度求和而得的值。另外,P。為無取 向的壓電陶瓷的取向度,不使用板狀結(jié)晶粉末而制作燒結(jié)體進(jìn)行實測。
      [0127][壓電常數(shù)d33]
      [012引對各試樣實施分極處理后,測定壓電常數(shù)d33。分極處理通過如下方式而進(jìn)行:通 過瓣射在陶瓷上形成Ag電極,W413K(14(rC)施加4.OkV/mm的直流電場10分鐘。
      [0129] 壓電常數(shù)d33利用d33測量儀(中國科學(xué)院聲學(xué)研究所制)進(jìn)行測定。
      [0130](實施例1)
      [0131]首先,按照圖1所示的順序(S1~S5),準(zhǔn)備由度i2〇2)2+層和擬巧鐵礦層構(gòu)成的祕 層狀結(jié)構(gòu)化合物的第一結(jié)晶粉末。
      [0132] 分別稱量Bi2〇3、Na2C〇3、Nb2〇5的原料,使其成為通式:度i2〇2廣度iasASmi.5Nbm〇3mj2 中A3為化、m= 5的Bi2.5化3.5佩5〇18。(步驟SI)
      [0133] 利用球磨機(jī)將運(yùn)些原料混合。作為溶劑,使用乙醇,作為介質(zhì),使用氧化錯珠,W轉(zhuǎn) 速94巧m混合24小時。從球磨機(jī)的容器取出介質(zhì)和原料,在130°C的大氣中干燥。之后,利 用篩分離介質(zhì)和原料。(步驟S2)
      [0134]稱量相對分離后的原料為lOOmass%的比例的化Cl,利用粗粉碎機(jī),將原料和作 為助烙劑的化C1進(jìn)行10分鐘干燥混合。(步驟S3)
      [0135] 對添加助烙劑后的原料,實施在大氣中、850°CXI小時保持后、Wliocrc保持2小 時的2段預(yù)燒。升溫和降溫約200°CA。(步驟S4)
      [0136] 從得到的預(yù)燒體降低助烙劑成分,將預(yù)燒體浸潰在95°C~100°C的溫水中,放 置3小時。之后,重復(fù)3次在溫水中攬拌60分鐘進(jìn)行脫水的工序。由此,得到由通式: Biz.sNas.sNbsOis構(gòu)成的第一結(jié)晶粉末。(步驟S5)
      [0137] 圖5為第一結(jié)晶粉末的沈Μ觀察照片??蒞確認(rèn)結(jié)晶為板狀。
      [013引圖6表示第一結(jié)晶粉末的X射線衍射結(jié)果,圖7表示使用其X射線衍射結(jié)果進(jìn)行 化合物的鑒定的結(jié)果。其中,本發(fā)明的X射線衍射全部使用化的Κα射線源。
      [013引可W確認(rèn):得到的結(jié)晶大部分是由通式郵2.5化3.5佩5018所示的物質(zhì),除了通式: 612.5化3.5佩5018從外,還含有在通式:度i202 廣(Bi0.sA3mi.sNbmOsmW)2 中m= 2 的^2.5化。.5佩209 和m= 4的812.5化2.5佩4015的化合物。
      [0140]接著,按照圖1所示的順序(S6~S10),準(zhǔn)備從第一結(jié)晶粉末減少Bi而得到的、由 第一巧鐵礦型化合物構(gòu)成的板狀結(jié)晶粉末。
      [014。 作為第一添加材料使用化20)3,稱量與第一結(jié)晶粉末反應(yīng)后成為化與Nb為1 : 1 的量的NazCOs,添加到第一結(jié)晶粉末中。將它們利用球磨機(jī)進(jìn)行混合。作為溶劑使用乙醇, 作為介質(zhì)使用氧化錯珠,W轉(zhuǎn)速94rpm混合4小時。從球磨機(jī)的容器取出混合物,在130°C 的大氣中進(jìn)行干燥。之后,利用篩,分離介質(zhì)。(步驟S6)
      [0142] 量取相對第一結(jié)晶粉末為lOOmass%的比例的化C1,利用粗粉碎機(jī),將混合物和 作為助烙劑的化C1干燥混合10分鐘。(步驟S7)
      [0143] 將由第一結(jié)晶粉末、第一添加材料和助烙劑構(gòu)成的混合材料在大氣中W950°C保 持8小時,得到第二中間燒制體。升溫和降溫為約200°CA。(步驟S8)
      [0144] 從第二中間燒制體降低助烙劑成分,因此在95°C~100°C的溫水中浸潰第二中間 燒制體,放置3小時。之后,重復(fù)3次在溫水中攬拌60分鐘進(jìn)行脫水的工序。(步驟S9)
      [0145] 之后,使用熱方法或化學(xué)方法,進(jìn)行Bi成分的降低。在本實施例中,作為化學(xué)方 法,采用酸洗,通過對第二中間燒制體進(jìn)行酸洗,從第二中間燒制體減少Bi成分。詳細(xì)而 言,在W3~10 : 1左右的比率混合純水和硝酸而得到的酸洗液中,加入在步驟S9中得到 的被處理物,進(jìn)行攬拌。之后,進(jìn)行放置,直至Bi成分殘存在上清液中,廢棄上清液。進(jìn)一 步重復(fù)進(jìn)行酸洗液的添加、攬拌、上清液的廢棄。之后,干燥殘存物,得到由NaNb化構(gòu)成的 板狀結(jié)晶粉末。(步驟S10)
      [0146] 圖8為板狀結(jié)晶粉末的沈Μ觀察照片。該板狀結(jié)晶粉末的長徑比(板厚與最大直 徑的比)為約10。
      [0147]接著,按照圖2所示的順序(S11~S14),制作結(jié)晶取向壓電陶瓷。
      [0148] 混合板狀結(jié)晶粉末與能夠形成第二巧鐵礦型化合物的添加原料材料,得到作為整 體滿足通式:(l-s)AlBl〇3-sBaM〇3(其中,Α1為選自堿金屬中的至少一種元素,Β1為過渡金 屬元素中的至少一種元素,包含佩,0. 05 <S《0. 15)所示的組成的混合物。
      [0149] 在本實施例中,對由胞佩〇3構(gòu)成的板狀結(jié)晶粉末Xmol混合由K、化、Li、Ba、Nb、Zr 原料構(gòu)成的添加原料材料,使得成為化。.414化0.46 xLio.MeBa。.J(佩〇.92 xZr〇.J〇3(S= 0. 08)所 示的組成。作為添加原料材料,使用BET比表面積為2. 0m7gw上、3. 0m7gw下的材料。
      [0150] 上述X的值為0. 01。(步驟S11)
      [0151] 接著,將該混合物成型,得到取向性成型體。
      [0152]首先,為了將混合物制成漿料狀,將得到的混合物設(shè)為lOOmass%,量取乙醇 200~300mass%、下醇50~lOOmass%,將其添加到混合物中。并且,添加增塑劑。在本實 施例中,作為增塑劑,W相對于混合物lOOmass%為5~15mass%的比例添加鄰苯二甲酸二 辛醋。并且,添加粘合劑。在本實施例中,作為粘合劑,W相對于混合物lOOmass%為5~ 15mass%的比例添加聚乙締醇縮下醒。將運(yùn)樣得到的漿料成型為片狀。(步驟S12)
      [0153] 接著,在還原氣氛中Wmere~ii9(Tc的溫度對已成型為片狀的取向性成型體 進(jìn)行燒結(jié)。
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