晶種Gp的放置；
[0049] -里立以橫截面示意地和部分地示出，在根據(jù)本發(fā)明形成的錠中多晶區(qū)4和孿晶5 從具有對稱晶格的晶種Gp和Ge開始的發(fā)展；
[0050] -圖6以3-D視圖示意地示出，相鄰晶種通過圍繞軸線（y)或軸線（X)旋轉(zhuǎn)180° 角度（或翻轉(zhuǎn)）的形成；
[0051] -胤I以3-D視圖示出，磚形物從單晶硅7的中心錠沿平面P。^2上3、…）的 制備；
[0052] 示出，在結(jié)晶分析的幫助下，在實施例中進(jìn)行的定向凝固過程中角度Θ_的 測定；
[0053] -里！是具有388X180mm橫截面的錠的切片的攝影圖像。獲得它的條件是在實施 例中詳細(xì)描述的那些；晶種的結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)致光學(xué)對比（對于每個結(jié)晶取向都不同）的切割 和清洗操作揭示；
[0054] -圖10以橫截面示意地和部分地示出，在由在晶種上的再牛長形成的綻中多晶R 4和李晶5從不具有對稱晶格的晶種Gp和Ge開始的發(fā)展。
[0055] 應(yīng)當(dāng)注意的是，為清楚起見，圖中的各元件不是按比例繪制的，各個部件的實際尺 寸不是觀察到的。
[0056] 在本文的剩余部分，表述和...之間"，"從...至...范圍"和 "從...到...變化"是等價的，并且旨在表示包括極限，除非另有說明。
[0057] 除非另有提及，表述"含有/包括"應(yīng)被理解為"至少含有/包括一個"。
[0058] 坩堝底部中的鋪而（步驟（i))
[0059] 如上所說明的，本發(fā)明的方法通過直棱柱形狀的單晶硅晶種2在坩堝的底部使用 鋪面。
[0060] 晶種2的鋪面可在常規(guī)坩堝的底部中形成。也可以設(shè)想坩堝，其底部本身由晶種 的鋪面形成。
[0061] 根據(jù)一個特別優(yōu)選的實施方案，晶種2具有正方形或長方形底部的直塊形狀。
[0062] 根據(jù)本發(fā)明的一個基本特征，晶種2的鋪面由以下形成：
[0063] - 一個或多個中心晶種，表不為Gc;和
[0064] --個或多個與晶種G。相鄰的周邊晶種，表不為Gp。
[0065] 調(diào)節(jié)周邊晶種的尺寸
[0066] 如圖2a中示出的，調(diào)節(jié)根據(jù)本發(fā)明的晶種Gp使得在垂直切割面中周邊晶種的寬 度（lp)的尺寸滿足：
[0067] lp=d-b
[0068] 其中：
[0069] -d為使得：d多H.tanθ_，其中θ_是所用爐的凝固前端的角度Θ的最大值，且 Η是錠的期望的高度；和
[0070] -對于具有直角的坩堝b= 0,和b= ，其中是具有圓角接邊的坩堝的 斜邊的尺寸。
[0071]d更特別地表示在垂直切割面中，相鄰的周邊晶種Gp和中心晶種G。之間的界面3 與最近的坩堝側(cè)壁之間的間隔。
[0072]為了限定周邊晶種Gp的寬度1p，有必要首先確定距離d。選擇它使得d多Η. tan Θnax〇
[0073] 照慣例，沿著錠的生長軸線Z測量的高度Η可被選擇為大于或等于100mm，特別是 180 至 800mm。
[0074] 值Θ_可例如在定向凝固試驗結(jié)束時測定，在硅錠的同一坩堝1中進(jìn)行，所述硅 錠具有與期望的錠的高度相似的高度，通過在晶種上的再生長獲得。
[0075] 目的在于測定角度θ_的定向凝固試驗可例如通過用Cz晶種，換言之用來自于 根據(jù)柴氏提拉技術(shù)制備的硅錠（也被稱為"Cz"錠）的晶種鋪在坩堝底部進(jìn)行，或通過用 "Fz"晶種，換言之用來自于根據(jù)浮區(qū)法（也被稱為"Fz"法）制備的硅錠的晶種鋪在坩堝底 部進(jìn)行。
[0076] 由本領(lǐng)域技術(shù)人員通過常規(guī)方法從所進(jìn)行的凝固實驗確定值θ_。
[0077] 如圖3a中所示，值Θ_可使用結(jié)晶法通過觀察在形成高度Hw驗的錠的頂部的單 晶區(qū)8和多晶區(qū)4之間的結(jié)構(gòu)變化測定，其給出關(guān)于多晶區(qū)從錠的底部至頂部的偏離的信 息。
[0078] 由此可在定向凝固試驗結(jié)束時通過下式tanΘ_=d /??計算值Θ_，其中d 為離坩堝邊緣最遠(yuǎn)的距離，其中對于試驗過程中所得的具有高度HiiM的錠，多晶區(qū)位于 該坩堝邊緣處，如圖3a中示意地示出的。
[0079] 可使用其他方法測定角度θ_。舉例來說，在具有硼摻雜的硅錠的定向凝固試驗 過程中可使用電阻率成像測定它。
[0080] 事實上，具有分配系數(shù)k= 0. 8的硼在凝固過程中在錠的體積中均勻分開。這導(dǎo) 致錠的電阻率的局部變化，它遵循硅的結(jié)晶過程中固-液界面的發(fā)展。因此電阻率成像上 觀察到的等值電阻率（isoresistivity)線9對應(yīng)于在給定時刻的凝固前端。因此在凝固 前端θ_的角度可在在電阻率成像上限定的等值電阻率曲線上直接測量，如圖3b中示意 地示出的。
[0081] 根據(jù)一個優(yōu)選的實施方案，d被選擇為等于H. tan Θ _，以便優(yōu)化所得的中心錠的 總寬度（lu)。
[0082]所述晶種Gp在垂直切割面中可具有小于或等于157mm的寬度1p，尤其是5至40mm。
[0083] 在第一實施方案變型中，所用的坩堝可為直角的坩堝（換言之，b= 0)。如圖4a 中示出的，在該情況下，晶種Gp可緊挨著坩堝的側(cè)壁1放置。
[0084] 在該變型的情況中，晶種Gp具有寬度lp=d，d為如上定義的，優(yōu)選地d= Η· tan Θnax〇
[0085] 在第二個實施方案變型中，所用坩堝可為具有圓角接邊的坩堝，也被稱為斜邊坩 堝。如在圖4b中示出的，在該情況下，晶種Gp可離坩堝的側(cè)壁1以等于坩堝的斜邊尺寸R 內(nèi)柑禍（通常為2至40mm)的距離被隔開。
[0086] 在該變型的情況中，晶種Gp具有寬度1 p=d-b，且d為如上定義的，優(yōu)選地d= Η· tan Θnax〇
[0087] 如圖5中示出的，由此調(diào)節(jié)的周邊晶種Gp有利地使多晶區(qū)4(其從坩堝的壁擴(kuò)展） 不干擾從Gp和G。之間的界面3創(chuàng)建的晶界6。
[0088]因此，由于使用根據(jù)本發(fā)明的周邊晶種，在坩堝壁上的成核現(xiàn)象不導(dǎo)致在錠的高 度上來源于晶種G。的單晶區(qū)的比例降低。
[0089] 可獨立于爐的熱力學(xué)選擇周邊晶種的尺寸，除了寬度lp。
[0090] 根據(jù)一個具體的實施方案，晶種Gp可具有沿著軸線Z大于或等于5mm的厚度。舉 例來說，它可為約20mm。
[0091] 優(yōu)選地，周邊晶種具有與中心晶種相似，或者甚至是相同的的厚度。
[0092] 根據(jù)一個特別優(yōu)選的實施方案，晶種Gp具有直塊形狀，具有所選的寬度1 p和長度 Lp，使得單一類型的晶種Gp對于沿著坩堝側(cè)面平鋪是必要的，例如在圖2b中示出的。
[0093] 中心鋪面可從一個或多個中心晶種G。形成。
[0094] 術(shù)語"lu"（為"有效寬度"[法語"largeurutile"])將表示中心晶種在垂直切 割面中的總寬度。lu更特別地滿足lu=l#±g - 2d，其中l(wèi)#±g是坩堝在切割面中的寬度，并 且d為如上所定義的。
[0095] 所述晶種G?？梢虼司哂性诖怪鼻懈蠲嬷行∮诨虻扔趌u的寬度1。，特別是110mm至 lu/n的寬度，其中η是并行放置的中心晶種的數(shù)量，對于η特別是可為1至10。
[0096] 中心晶種優(yōu)選地為正方形或長方形底部的直塊形狀。這樣的晶種有利地使在坩堝 底部的中心鋪面處于規(guī)則網(wǎng)格的形式。如在本文的剩余部分詳細(xì)說明的，這樣的鋪面在中 心錠中形成對稱晶界的情況下證明是有利的，特別是對于從在本發(fā)明方法結(jié)束時形成的錠 制備磚形物的情況下是有利的。
[0097] 根據(jù)第一個實施方案變型，使用正方形底部的直塊形狀的晶種G。制備中心鋪面， 如圖2b中示出的，例如具有110mm至lu/n的正方形的邊（1。），其中1。和η如上所定義的， 特別是具有大于或等于95mm的正方形的邊1。。
[0098] 舉例來說，圖2b示出正方形形狀的鋪面，簡稱為"G2"，從4個正方形底部的直塊形 狀的中心晶種形成。
[0099] 根據(jù)第二個實施方案變型，使用長方形底部的直塊形狀的晶種G。制備中心鋪面， 例如具有11〇_至lu/n的長方形的寬度，特別是具有大于或等于95mm的寬度和具有大于 或等于兩倍寬度的長度。
[0100] 晶種G。可具有沿著軸線Z大于或等于5_的厚度。優(yōu)選地，形成坩堝底部的鋪面 的所有的晶種G。沿著軸線Z具有相同的厚度。
[0101] 如前面提到的，在一個特別優(yōu)選的實施方案中，中心和周邊晶種具有相似的，或甚 至是相同的厚度。
[0102] 根據(jù)本發(fā)明，用于鋪面的單晶硅的晶種G。和Gp可來自于根據(jù)柴氏提拉技術(shù)制備的 硅錠（也被稱為"Cz"錠），在該技術(shù)中將硅晶體放置與熔融硅浴接觸，以便生長出單晶錠。
[0103] 該方法通常提供圓柱形的Cz錠?？梢砸猿Ｒ?guī)方式加工它們，并切割成垂直于或平 行于圓柱的軸線的薄片，以獲得直塊形狀的晶種。
[0104] 根據(jù)另一個實施方案變型，單晶硅的晶種G。和Gp來源于根據(jù)本發(fā)明的方法的在先 定向凝固方法制備的錠的回收。例如，通過提取所形成的硅錠的水平切片。
[0105] 如上所示，晶種G。有利地具有相對于由所述晶種G。和Gp之間的晶界3限定的平 面P與與之相鄰的晶