質(zhì)球磨 混合、干燥，破碎過40目篩網(wǎng)，在500°C溫度般燒4小時合成化SiBzOe;
[0056] (5)稱取 95. 73g共烙化合物，4. 9gMgNb2〇6、〇. 2g化203、0. 24gMn〇2、3gCaSiBzOe， 進行配料。采用2mm錠安定錯球研磨化，烘干過80目標(biāo)準(zhǔn)篩，添加6~7%石蠟共炒造粒， 然后再次過80目標(biāo)準(zhǔn)篩。將造粒后的粉料在8~lOMPa下壓制成圓片生巧，在500°C排有 機物比，然后在空氣氣氛中用化升溫至1100~114(TC，燒結(jié)化，即制得陶瓷電容器介質(zhì)。 在燒制后的圓片上刷銀，在640°C燒20min，制得銀電極，測試各項電性能。
[0057] 實施例4
[0058] (1)稱取 52. 26gBi2〇3、ll. 89g胞2〇)3和 35. 85gTi〇2,混合球磨、過篩，于 800°C溫 度般燒4小時合成鐵酸祕鋼；
[0059] (2)稱取84. 25g鐵酸領(lǐng)和15. 75鐵酸祕鋼，球磨混合、干燥，破碎過40目篩網(wǎng)，于 118(TC溫度般燒2小時合成共烙化合物；
[0060] (3)稱取23. 44gZnO及76. 56g佩2〇5,球磨混合、干燥，破碎過40目篩網(wǎng)，在900°C 溫度般燒3小時合成化佩2〇6; 陽OW] (4)稱取35. 26gCaC〇3、43. 57gH3BO3和21. 17gSi〇2、W酒精為介質(zhì)球磨混合、干 燥，破碎過40目篩網(wǎng)，在500°C溫度般燒4小時合成化SiBzOe;
[0062] (5)稱取96. 24g共烙化合物，4. 221g化佩2〇6、〇. 421g炯2〇3、〇. 12g Mn〇2、3g 化SiBzOe，進行配料。采用2mm錠安定錯球研磨化，烘干過80目標(biāo)準(zhǔn)篩，添加6~7%石蠟 共炒造粒，然后再次過80目標(biāo)準(zhǔn)篩。將造粒后的粉料在8~lOMPa下壓制成圓片生巧，在 500°C排有機物比，然后在空氣氣氛中用化升溫至1100~114(TC，燒結(jié)2~化，即制得陶 瓷電容器介質(zhì)。在燒制后的圓片上刷銀，在640°C燒20min，制得銀電極，測試各項電性能。 陽〇6引實施例5
[0064] (1)稱取 52. 26gBi2〇3、ll. 89g胞2〇)3和 35. 85gTi〇2,混合球磨、過篩，于 800°C溫 度般燒4小時合成鐵酸祕鋼； 陽0化](2)稱取86. 25g鐵酸領(lǐng)和13. 75鐵酸祕鋼，球磨混合、干燥，破碎過40目篩網(wǎng)，于 118(TC溫度般燒2小時合成共烙化合物；
[0066] (3)對65. 92gBaC〇3,4. 49gMgO及29. 60g佩2〇5進行稱量，球磨混合、干燥，破碎 過40目篩網(wǎng)，在900°C溫度般燒3小時合成Ba(Mgi/3,佩2/3) 〇3;
[0067] (4)稱取 35. 26gCaC〇3、43. 57gH3BO3和 21. 17gSiO2、W酒精為介質(zhì)球磨混合、干 燥，破碎過40目篩網(wǎng)，在500°C溫度般燒4小時合成化SiBzOe
[0068] 妨稱取47. 6g共烙化合物、5. 145g Ba(Mgi/3，Nb2/3)〇3、〇. 119g Mn〇2、4. Og 化SiBzOe，進行配料。采用2mm錠安定錯球研磨化，烘干過80目標(biāo)準(zhǔn)篩，添加6~7%石蠟 共炒造粒，然后再次過80目標(biāo)準(zhǔn)篩。將造粒后的粉料在8~lOMPa下壓制成圓片生巧，在 500°C排有機物比，然后在空氣氣氛中用化升溫至1100~114(TC，燒結(jié)化，即制得陶瓷電 容器介質(zhì)。在燒制后的圓片上刷銀，在640°C燒20min，制得銀電極，測試各項電性能。
[0069] 上述5個實施例在燒成步驟中，可各取不同配方的干壓生巧3片，按9片為一組， 分別于1100°C、1120°C、1140°CS個溫度點同時燒成并分別保溫化，最后制得的5組不同配 方和燒成溫度的45片式樣，從中煉選15片燒結(jié)良好的式樣測其介電性能，其結(jié)果列于下 表：
[0070] 其中MaxiΔc/c25.cI(% )值的溫度范圍：-55°C~巧50°C
[0071]
[0073] 由上述數(shù)據(jù)可W得出：本發(fā)明提供的高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料，具有介電常數(shù) > 800,介電損耗低，良好的溫度穩(wěn)定性AC/C《15% )等特點。利用本發(fā)明可使 多層陶瓷電容器、調(diào)諧器、雙工器、等元器件適合高溫（-55Γ~250°C)的應(yīng)用，有極高的產(chǎn) 業(yè)化前景及工業(yè)應(yīng)用價值。
[0074] 上述僅為本發(fā)明的幾個【具體實施方式】，但本發(fā)明的設(shè)計構(gòu)思并不局限于此，凡利 用此構(gòu)思對本發(fā)明進行非實質(zhì)性的改動，均應(yīng)屬于侵犯本發(fā)明保護范圍的行為。
【主權(quán)項】
1. 一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料，其原料組分為： 100 重量份的[(l-x)BaTi03-xBiyNazTi03]; 4-6重量份的NbO; 0· 1-0. 5 重量份的RE203; 0· 05-0. 15 重量份的Μη02; 2-4重量份的CaSiB206; 其中：x= 0· 08 ~0· 20，y= 0· 4 ~0· 6，z= 0· 4 ~0· 6,在[(l-x)BaTi03_xBiyNazTi03] 中BaTiOjPBiyNazTi03的摩爾比為（1-x):x NbO含為鈮的氧化物，包括MgNb206、ZnNb206、Ca(Mg1/3,Nb2/3) 03和Ba(Mg1/3,Nb2/3) 03中的 一種或多種； RE為Y、Nd和Er中的一種或多種。2. 如權(quán)利要求1所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料，其特征在于：所述BiyNazTi03S 鈦酸鉍鈉，主要成分為Bia5Naa5Ti03，包含少量Bia6Naa4Ti0jPBia4Naa6Ti03。3. 如權(quán)利要求1所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料，其特征在于：所述含鈮的氧化 物中 MgNb206由MgO和Nb205煅燒而成； ZnNb206由ZnO和Nb205煅燒而成； Ca(Mg1/3,Nb2/3) 03 由CaCO3、MgO和Nb205煅燒而成； Ba(Mg1/3,Nb2/3) 03 由BaCO3、MgO和Nb205煅燒而成。4. 一種如權(quán)利要求1或2或3所述的高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，包括如下 步驟： ⑴按化學(xué)式BiyNazTi03的要求對TiO 2、Na2C03和Bi 203進行配料，煅燒制得BiyNazTi03； ⑵按化學(xué)式[(l-x)BaTi03-xBiyNazTi03]進行配料、球磨、干燥，粉碎過40目篩網(wǎng)，在 1100~1200°C溫度煅燒2-8小時合成共熔化合物[(l-X)BaTi03-xBiyNazTi03]; ⑶制備NbO和CaSiB206; (4) 以100重量份的共熔化合物為基材，添加4-6重量份的Nb0、0. 1-0. 5重量份的 RE203、0. 05-0. 15重量份的Mn02、2-4重量份的CaSiB206，用去離子水作為分散介質(zhì)，球磨、烘 干并造粒； (5) 將造粒后的粉料壓制成圓片生坯，然后在空氣氣氛中升溫至1080~1160°C，保溫 燒結(jié)2-6h，即制得高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料。5. 如權(quán)利要求4所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于：所述 步驟（3)中NbO包括MgNb206、ZnNb206、Ca(Mg1/3,Nb2/3) 03和Ba(Mg1/3,Nb2/3) 03 中的一種或多 種，其中 MgNb206的制備方法：將Nb205與MgO以去離子水為介質(zhì)球磨混合，干燥，破碎過40目篩 網(wǎng)，在700~900°C溫度煅燒2-6小時合成MgNb206; ZnNb206的制備方法：將Nb205與ZnO以去離子水為介質(zhì)球磨混合，干燥，破碎過40目篩 網(wǎng)，在700~900°C溫度煅燒2-6小時合成ZnNb206; Ca(Mg1/3,他2/3)03的制備方法：將CaC03、Mg0與Nb205以去離子水為介質(zhì)球磨混合、干燥、 破碎過40目篩網(wǎng)，在1150~1200°C溫度煅燒2-6小時合成Ca(Mg1/3,Nb2/3) 03; Ba(Mg1/3,他2/3)03的制備方法：將BaC03、Mg0與Nb205以去離子水為介質(zhì)球磨混合、干燥、 破碎過40目篩網(wǎng)，在1150~1200 °C溫度煅燒2-6小時合成Ba(Mg1/3,Nb2/3) 03。6. 如權(quán)利要求5所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于：所述 步驟（4)中采用2-5mm的氧化鋯球作磨介，研磨6-15h，烘干后過80目篩，加入3~7%石 蠟做粘結(jié)劑共同烘焙造粒，再次過80目篩。7. 如權(quán)利要求4所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于： CaSiB206的制備方法：將碳酸鈣、硼酸及二氧化硅以酒精為介質(zhì)球磨混合、干燥，破碎過40 目篩網(wǎng)，在500~70(TC溫度煅燒2-6小時合成鈣硼硅氧化物。8. 如權(quán)利要求4所述的一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于：所述 步驟（5)中造粒后的粉料在5~lOMPa下壓制成圓片生坯，然后在空氣氣氛中用3-6h升溫 至1080~1160°C，保溫?zé)Y(jié)2~6h，即制得高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法，由該材料制備的陶瓷電容器工作溫度在-55～250℃。該介質(zhì)材料的原料組成為：100重量份的[(1-x)BaTiO3-xBiyNazTiO3]；4-6重量份的NbO；0.1-0.5重量份的RE2O3；0.05-0.15重量份的MnO2；2-4重量份的CaSiB2O6；其中：x＝0.08～0.20，y＝0.4～0.6，z＝0.4～0.6，在[(1-x)BaTiO3-xBiyNazTiO3]中BaTiO3和BiyNazTiO3的摩爾比為(1-x):x；NbO含為鈮的氧化物，包括MgNb2O6、ZnNb2O6、Ca(Mg1/3,Nb2/3)O3和Ba(Mg1/3,Nb2/3)O3中的一種或多種；RE為Y、Nd和Er中的一種或多種。本發(fā)明提供的高溫陶瓷電容器介質(zhì)材料，具有介電常數(shù)≥800，介電損耗低，良好的溫度穩(wěn)定性(-15％≤ΔC/C≤15％)等特點。
【IPC分類】C04B35/468, C04B35/622
【公開號】CN105367052
【申請?zhí)枴緾N201510621378
【發(fā)明人】陳永虹, 林志盛, 宋運雄, 黃祥賢, 謝顯斌, 吳金劍, 許金飄
【申請人】福建火炬電子科技股份有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年9月25日