％氯化鈣溶液0.696立方/小時(shí)，反應(yīng)結(jié)晶形成硫酸鈣晶體，再經(jīng)沉降過(guò)濾后可得5.696立方/小時(shí)的鹽水，其中硫酸根濃度降至5g/L，鈣離子濃度0.95g/L ；
[0031]循環(huán)步驟:將此結(jié)晶后的鹽水和鈉濾膜產(chǎn)水混和后可得20.696立方/小時(shí)的低硫酸根鹽水，其硫酸根離子濃度降為1.74g/L，鈣離子濃度為0.26g/L ;最終和未濃縮處理的30立方/小時(shí)7g/L硫酸根的鹽水混合后即得50.696立方/小時(shí)的淡鹽水，其硫酸根離子濃度回到4.85g/L，即符合進(jìn)離子膜電解槽的硫酸根<5g/L的允許濃度，而鈣離子濃度只剩下0.106g/L,即106ppm，將鹽水回至化鹽系統(tǒng)重新配成300?310g/L的氯化鉀鹽水，經(jīng)過(guò)鹽水精制系統(tǒng)去除鈣離子后重新進(jìn)離子膜電解槽。
[0032]實(shí)施例2
[0033]某化工廠利用300?310g/L的氯化鉀鹽水經(jīng)過(guò)離子膜電解槽生產(chǎn)氫氧化鉀和氯氣，經(jīng)過(guò)離子膜電解槽后獲得50立方/小時(shí)、氯化鉀濃度降至180?220g/L的淡鹽水，同時(shí)進(jìn)電解槽的硫酸根離子也從5g/L升至10g/L ；
[0034]膜法濃縮步驟:將此淡鹽水中的32.5立方/小時(shí)的鹽水(占總淡鹽水的65% )經(jīng)過(guò)納濾膜濃縮，得10立方/小時(shí)的濃縮鹽水，其中硫酸根濃度為30g/L，同時(shí)得到22.5立方/小時(shí)的濾清液，其中硫酸根濃度為1.lg/L ；
[0035]鈣法脫硝步驟:將上述濃縮鹽水置于結(jié)晶反應(yīng)器中，投加1.653立方/小時(shí)的20wt%氯化鈣溶液，反應(yīng)結(jié)晶形成硫酸鈣晶體，再經(jīng)沉降過(guò)濾后可得11.653立方/小時(shí)的鹽水，其中硫酸根濃度降至5g/L，鈣離子濃度1.28g/L ；
[0036]循環(huán)步驟:將此結(jié)晶后的鹽水和鈉濾膜產(chǎn)水混和后可得34.153立方/小時(shí)的低硫酸根鹽水，其硫酸根離子濃度降為2.43g/L，鈣離子濃度為0.436g/L ;最終和未濃縮處理的17.5立方/小時(shí)10g/L硫酸根的鹽水混合后即得51.653立方/小時(shí)的淡鹽水，其硫酸根離子濃度回到5.0g/L,即進(jìn)離子膜電解槽的允許濃度，而鈣離子濃度只剩下0.288g/L，即288ppm，將鹽水回至化鹽系統(tǒng)重新配成300?310g/L的氯化鉀鹽水，經(jīng)過(guò)鹽水精制系統(tǒng)去除鈣離子后重新進(jìn)離子膜電解槽。
[0037]實(shí)施例3
[0038]某化工廠利用300?310g/L的氯化鉀鹽水經(jīng)過(guò)離子膜電解槽生產(chǎn)氫氧化鉀和氯氣，經(jīng)過(guò)離子膜電解槽后獲得50立方/小時(shí)、氯化鉀濃度降至180?220g/L的淡鹽水，同時(shí)進(jìn)電解槽的硫酸根離子也從5g/L升至6g/L ；
[0039]膜法濃縮步驟:將此淡鹽水中的12立方/小時(shí)的鹽水(占總淡鹽水的24% )經(jīng)過(guò)納濾膜濃縮，得2.5立方/小時(shí)的濃縮鹽水，其中硫酸根濃度為25g/L，同時(shí)得到9.5立方/小時(shí)的濾清液，其中硫酸根濃度為1.0g/L ；
[0040]鈣法脫硝步驟:將上述濃縮鹽水置于結(jié)晶反應(yīng)器中，投加濃度為10被％氯化鈣溶液0.657立方/小時(shí)，反應(yīng)結(jié)晶形成硫酸鈣晶體，再經(jīng)沉降過(guò)濾后可得3.157立方/小時(shí)的鹽水，其中硫酸根濃度降至Sg/L,^離子濃度0.90g/L ；
[0041]循環(huán)步驟:將此結(jié)晶后的鹽水和鈉濾膜產(chǎn)水混和后可得12.657立方/小時(shí)的低硫酸根鹽水，其硫酸根離子濃度降為2.0g/L，鈣離子濃度為0.22g/L ;最終和未濃縮處理的38立方/小時(shí)6g/L硫酸根的鹽水混合后即得50.657立方/小時(shí)的淡鹽水，其硫酸根離子濃度回到5.0g/L,即進(jìn)離子膜電解槽的允許濃度，而鈣離子濃度只剩下0.056g/L,即56ppm，將鹽水回至化鹽系統(tǒng)重新配成300?310g/L的氯化鉀鹽水，經(jīng)過(guò)鹽水精制系統(tǒng)去除鈣離子后重新進(jìn)離子膜電解槽。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種氯化鉀鹽水中硫酸根離子的去除工藝，為采用納濾膜對(duì)氯化鉀鹽水進(jìn)行濃縮，然后向濃縮鹽水中投加氯化鈣形成硫酸鈣結(jié)晶，再經(jīng)沉降和過(guò)濾，即脫除氯化鉀鹽水中的硫酸根離子。2.如權(quán)利要求1所述的一種氯化鉀鹽水中硫酸根離子的去除工藝，其特征在于，所述氯化鉀鹽水中氯化鉀的濃度為180?220g/L、硫酸根離子的濃度為6?10g/L。3.如權(quán)利要求1所述的一種氯化鉀鹽水中硫酸根離子的去除工藝，其特征在于，經(jīng)納濾膜處理后，獲得濃縮鹽水中氯化鉀的濃度為180?220g/L、硫酸根離子的濃度為20?30g/L ;獲得的濾清液中硫酸根離子的濃度為不大于1.5g/L。4.一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水中硫酸根脫除工藝，包括以下步驟: (1)將來(lái)自離子膜電解槽的氯化鉀鹽水的一部分采用納濾膜進(jìn)行濃縮，獲得濃縮鹽水和濾液A ； (2)向濃縮鹽水中投加氯化鈣溶液形成硫酸鈣結(jié)晶，沉降、過(guò)濾，獲得固體硫酸鈣以及濾液B ； (3)將來(lái)自離子膜電解槽的鹽水的剩余部分與濾液A和濾液B進(jìn)行混合后重新用于配制離子膜電解槽進(jìn)料。5.如權(quán)利要求4所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，所述來(lái)自離子膜電解槽的氯化鉀鹽水中氯化鉀的濃度為180?220g/L、硫酸根離子的濃度為 6 ?10g/Lo6.如權(quán)利要求4所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，所述來(lái)自離子膜電解槽的氯化鉀鹽水經(jīng)納濾膜處理后，獲得的濃縮鹽水中氯化鉀的濃度為180?220g/L、硫酸根離子的濃度為20-30g/L ;獲得的濾液A中硫酸根離子濃度不大于1.5g/L。7.如權(quán)利要求4所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，所述氯化鈣溶液的濃度為10?20wt%。8.如權(quán)利要求4所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，所述氯化鈣溶液的投加量以沉降、過(guò)濾后獲得的濾液B中的硫酸根不大于5g/L為原則進(jìn)行投加。9.如權(quán)利要求8所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，獲得的濾液B中硫酸根離子的濃度為3-5g/L ;其中鈣離子的濃度為l_2g/L。10.如權(quán)利要求4所述的一種離子膜電解槽氯化鉀鹽水硫酸根脫除工藝，其特征在于，步驟(I)中的一部分來(lái)自離子膜電解槽的氯化鉀鹽水與占鹽水總量的比例為24%?65%。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種氯化鉀鹽水中硫酸根離子的去除工藝，為采用納濾膜對(duì)氯化鉀鹽水進(jìn)行濃縮，然后向濃縮鹽水中投加氯化鈣形成硫酸鈣結(jié)晶，再經(jīng)沉降和過(guò)濾，即可脫除鹽水中硫酸根離子；將該工藝應(yīng)用于離子膜電解氯化鉀鹽水生產(chǎn)氫氧化鉀工藝中鹽水中硫酸根離子的去除，具有投資費(fèi)用低以及安全環(huán)保的特點(diǎn)。
【IPC分類】C01D3/14
【公開(kāi)號(hào)】CN105585033
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410568274
【發(fā)明人】傅立德
【申請(qǐng)人】上海力脈環(huán)保設(shè)備有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2014年10月22日