純度為電子級)，涂抹好后，在籽晶層上按照5X5方式迅速鋪設(shè)一層[100]單晶硅塊形成第二保護層，硅塊覆蓋在籽晶層的縫隙上，硅塊長寬尺寸大小156X156，硅塊的厚度8mm，籽晶層中籽晶的縫隙和第二保護層中硅塊的縫隙是錯開的。
[0099]實施例4:
[0100]—種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括以下步驟:
[0101]提供坩禍，在坩禍底部按照5 X 5方式鋪設(shè)一層長寬大小為156 X 156mm、厚度為5mm的柱狀多晶硅塊，柱狀多晶硅塊的晶界和坩禍底面平行，硅塊之間緊密接觸鋪滿坩禍底部形成第一保護層，然后在第一保護層的硅塊表面涂抹質(zhì)量濃度為30%的硅溶膠(純度為電子級)；涂抹好后，在第一保護層上迅速鋪墊一層[100]單晶籽晶，籽晶覆蓋在第一保護層的縫隙上，中間的籽晶按照4X4形式鋪設(shè)，籽晶的長寬大小為156X 156mm，邊上為4根籽晶邊條，長寬大小702 X 78_，籽晶的厚度10mm，鋪設(shè)完成后形成籽晶層，籽晶層中籽晶的縫隙和第一保護層硅塊的縫隙是錯開的；然后在籽晶層表面涂抹質(zhì)量濃度為30%的硅溶膠(純度為電子級)，涂抹好后，在籽晶層上按照5X5方式迅速鋪設(shè)一層柱狀多晶硅塊形成第二保護層，硅塊覆蓋在籽晶層的縫隙上，柱狀多晶硅塊的晶界和坩禍底面平行，硅塊長寬尺寸大小156X156，硅塊的厚度5mm，籽晶層中籽晶的縫隙和第二保護層中硅塊的縫隙是錯開的。
[0102]實施例5:
[0103]—種類單晶硅錠的制備方法，包括以下步驟:
[0104](I)按照實施例1的方法鋪設(shè)得到第一保護層、籽晶層和第二保護層；
[0105](2)在第二保護層上方填裝硅料，加熱使硅料熔化形成硅熔體，待硅料和第二保護層完全熔化后形成的固液界面剛好處在籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體在籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶；
[0106](3)待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。
[0107]圖6為本發(fā)明實施例制得的類單晶硅錠的少子壽命測試圖。從圖中可以看出，本發(fā)明提供的類單晶硅錠全單晶的面積比例達到90%以上，位錯少且基本集中在硅錠的邊角區(qū)域。類單晶娃錠的少子壽命不少于8ys，類單晶娃錠的位錯密度小于1.5 X 104/cm2。
[0108]按照上述的制備方法制得的類單晶硅錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到類單晶硅片。本發(fā)明提供的類單硅片一級片的比例達到70%以上(類單晶一級片是指單晶比例大于90%的硅片)，位錯少;利用本發(fā)明類單晶硅片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶硅片制得的電池效率提高0.2 %以上。
[0109]實施例6:
[0110]—種類單晶硅錠的制備方法，包括以下步驟:
[0111](I)按照實施例2方法鋪設(shè)得到第一保護層、籽晶層和第二保護層；
[0112](2)在第二保護層上方填裝硅料，加熱使硅料熔化形成硅熔體，待硅料和第二保護層完全熔化后形成的固液界面深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體在籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶；
[0113](3)待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。
[0114]類單晶娃錠的少子壽命不少于8ys，類單晶娃錠的位錯密度小于1.5X104/cm2。
[0115]按照上述的制備方法制得的類單晶硅錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到類單晶硅片。本發(fā)明提供的類單硅片一級片的比例達到70%以上(類單晶一級片是指單晶比例大于90%的硅片)，位錯少;利用本發(fā)明類單晶硅片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶硅片制得的電池效率提高0.2 %以上。
[0116]實施例7:
[0117]一種類單晶硅錠的制備方法，包括以下步驟:
[0118](I)按照實施例3的方法鋪設(shè)得到第一保護層、籽晶層和第二保護層；
[0119](2)在第二保護層上方填裝硅料，加熱使硅料熔化形成硅熔體，待硅料和第二保護層完全熔化后形成的固液界面剛好處在或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體在籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶；
[0120](3)待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。
[0121]類單晶硅錠的少子壽命不少于Sys，類單晶硅錠的位錯密度小于1.5X 104/cm2。
[0122]按照上述的制備方法制得的類單晶硅錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到類單晶硅片。本發(fā)明提供的類單硅片一級片的比例達到70%以上(類單晶一級片是指單晶比例大于90%的硅片)，位錯少;利用本發(fā)明類單晶硅片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶硅片制得的電池效率提高0.2 %以上。
[0123]實施例8:
[0124]—種類單晶硅錠的制備方法，包括以下步驟:
[0125](I)按照實施例4的方法鋪設(shè)得到第一保護層、籽晶層和第二保護層；
[0126](2)在第二保護層上方填裝硅料，加熱使硅料熔化形成硅熔體，待硅料和第二保護層完全熔化后形成的固液界面剛好處在或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使硅熔體在籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶；
[0127](3)待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。
[0128]類單晶娃錠的少子壽命不少于8ys，類單晶娃錠的位錯密度小于1.5X104/cm2。
[0129]本發(fā)明提供的類單晶硅錠全單晶的面積比例達到90%以上，位錯少且基本集中在硅錠的邊角區(qū)域;利用本發(fā)明類單晶硅錠制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶硅錠制得的電池效率提高0.2 %以上。
[0130]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，其特征在于，包括以下步驟: 提供坩禍，在坩禍底部鋪設(shè)第一硅材料，所述第一硅材料鋪滿所述坩禍底部形成第一保護層;然后在所述第一保護層上鋪設(shè)籽晶，形成籽晶層;再在所述籽晶層上鋪設(shè)第二硅材料，形成第二保護層。2.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述第一保護層、所述籽晶層和所述第二保護層構(gòu)成一復(fù)合層，所述復(fù)合層沿垂直于所述坩禍底部的方向上沒有貫通的縫隙。3.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述第一保護層與所述籽晶層之間涂覆有硅溶膠。4.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述籽晶層與所述第二保護層之間涂覆有硅溶膠。5.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述坩禍內(nèi)壁與所述籽晶之間的縫隙設(shè)有硅片，所述硅片表面涂覆有硅溶膠。6.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述第一硅材料和所述第二硅材料均為硅塊。7.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述第一保護層的厚度為5-1Omm08.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述第二保護層的厚度為5-1Omm09.一種類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)提供坩禍，在坩禍底部鋪設(shè)第一硅材料，所述第一硅材料鋪滿所述坩禍底部形成第一保護層;然后在所述第一保護層上鋪設(shè)籽晶，形成籽晶層;再在所述籽晶層上鋪設(shè)第二硅材料，形成第二保護層； (2)在所述第二保護層上方填裝硅料，加熱使所述硅料熔化形成硅熔體，待所述硅料和所述第二保護層完全熔化后形成的固液界面剛好處在或深入所述籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使所述硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶； (3)待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。10.—種類單晶硅片，其特征在于，所述類單晶硅片是以權(quán)利要求9所述制備方法制得的類單晶硅錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括以下步驟：提供坩堝，在坩堝底部鋪設(shè)第一硅材料，所述第一硅材料鋪滿所述坩堝底部形成第一保護層；然后在所述第一保護層上鋪設(shè)籽晶，形成籽晶層；再在所述籽晶層上鋪設(shè)第二硅材料，形成第二保護層。通過鋪設(shè)第一保護層和第二保護層來保護籽晶，第一保護層阻隔坩堝底部雜質(zhì)擴散，第二保護層阻隔硅料及坩堝中雜質(zhì)氣氛的雜質(zhì)擴散，這二層保護層保護所述籽晶避免受到雜質(zhì)的污染。本發(fā)明還提供了一種類單晶硅片及其制備方法。本發(fā)明提供的類單晶硅片位錯較少、少子壽命較高，適用于制備太陽能電池，制得的太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率高。
【IPC分類】C30B11/14, C30B29/06
【公開號】CN105603507
【申請?zhí)枴緾N201610077283
【發(fā)明人】何亮, 周成, 胡動力, 雷琦, 陳紅榮
【申請人】江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2016年2月3日