中的電感，由于可以使用高磁導(dǎo)率的材料，集成到芯片內(nèi)的電感占用的面積，比現(xiàn)有技術(shù)中電容儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器的電容占用的面積更小，更具備成本優(yōu)勢(shì)；
[0040](3)非易失存儲(chǔ)芯片中電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)存儲(chǔ)模塊的讀寫(xiě)控制信號(hào)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓，分別用于向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，因而僅使用一個(gè)電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，就可以向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，進(jìn)一步降低了非易失存儲(chǔ)芯片的成本。
[0041]以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明，以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。
【附圖說(shuō)明】
[0042]圖1是磁性隧道結(jié)的低電阻態(tài)示意圖；
[0043]圖2是磁性隧道結(jié)的高電阻態(tài)示意圖；
[0044]圖3是MRAM存儲(chǔ)單元；
[0045]圖4是MRAM芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖5是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]如圖5所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，包括集成在芯片中的電感，電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠集成于芯片中。
[0048]本發(fā)明提供的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，采用集成在芯片中的電感，使得電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠集成于芯片中，無(wú)需外接電感，應(yīng)用方便。
[0049]集成在芯片中的電感包括線圈以及鐵磁部分，線圈設(shè)置于集成電路芯片的頂層和/或底層，鐵磁部分覆蓋線圈，或者線圈設(shè)置于集成電路芯片的阱中，鐵磁部分填充阱。通過(guò)增加鐵磁部分，能夠在很小的面積上制作出很大的電感。
[0050]電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠集成于存儲(chǔ)芯片，也可以集成于其他使用電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器的芯片。
[0051]非易失存儲(chǔ)芯片包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)模塊，以及一個(gè)或多個(gè)上述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器用于向存儲(chǔ)模塊供電。
[0052]電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)存儲(chǔ)模塊的讀寫(xiě)控制信號(hào)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓，分別用于向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，因而使用一個(gè)電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器就可以向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，而現(xiàn)有技術(shù)中的線性直流電壓轉(zhuǎn)換或電容儲(chǔ)能式模式，必須使用兩個(gè)轉(zhuǎn)換器分別向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，因此本發(fā)明提供的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠降低了非易失存儲(chǔ)芯片的成本。
[0053]電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓。
[0054]電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器包括開(kāi)關(guān)控制模塊，只需將存儲(chǔ)模塊的讀寫(xiě)控制信號(hào)引到開(kāi)關(guān)控制模塊，開(kāi)關(guān)控制模塊相應(yīng)調(diào)節(jié)占空比，為讀電路與寫(xiě)電路提供各自需要的電壓輸出。
[0055]圖5中的開(kāi)關(guān)有兩個(gè)狀態(tài):
[0056]狀態(tài)1:電感L與輸入端連通，與GND斷開(kāi)；
[0057]狀態(tài)2:電感L與GND連通，與輸入端斷開(kāi)。
[0058]開(kāi)關(guān)控制模塊控制開(kāi)關(guān)在兩個(gè)狀態(tài)之間高速切換，在狀態(tài)I由輸入電壓對(duì)電感L和負(fù)載供電，在狀態(tài)2由電感儲(chǔ)存的能量對(duì)負(fù)載供電。負(fù)載接受的就是平均電壓，電感L就是儲(chǔ)能和濾波裝置。通過(guò)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)的占空比，就可以實(shí)現(xiàn)不同的輸出電壓。
[0059]本實(shí)施例中，將輸出電壓的反饋給開(kāi)關(guān)控制模塊，以提供更準(zhǔn)確的輸出電壓。
[0060]電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器還可以包括電容，電容的一端與電感的輸出端連接，另一端接地。
[0061 ] 存儲(chǔ)模塊為MRAM模塊。
[0062]多個(gè)MRAM模塊不需要同時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，使用一個(gè)電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器提供不同的電壓。
[0063]本發(fā)明提供的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器及非易失存儲(chǔ)芯片，將電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器集成到芯片中，提高了芯片中直流電壓的轉(zhuǎn)換效率，降低了芯片功耗，適用于對(duì)待機(jī)功耗要求很?chē)?yán)格的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴電子設(shè)備等領(lǐng)域；電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器包括集成在芯片中的電感，由于可以使用高磁導(dǎo)率的材料，集成到芯片內(nèi)的電感占用的面積，比現(xiàn)有技術(shù)中電容儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器的電容占用的面積更小，更具備成本優(yōu)勢(shì)；非易失存儲(chǔ)芯片中電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)存儲(chǔ)模塊的讀寫(xiě)控制信號(hào)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓，分別用于向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，因而僅使用一個(gè)電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，就可以向存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電，進(jìn)一步降低了非易失存儲(chǔ)芯片的成本。
[0064]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書(shū)所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器包括具有集成在芯片中的電感，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠集成于芯片中。2.如權(quán)利要求1所述的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓。3.如權(quán)利要求1所述的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器還包括電容，所述電容的一端與所述電感的輸出端連接，另一端接地。4.如權(quán)利要求1所述的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述芯片為存儲(chǔ)芯片。5.一種非易失存儲(chǔ)芯片，其特征在于，所述非易失存儲(chǔ)芯片包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)模塊，以及一個(gè)或多個(gè)權(quán)利要求1-4所述的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器用于向所述存儲(chǔ)模塊供電。6.如權(quán)利要求5所述的非易失存儲(chǔ)芯片，其特征在于，所述電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)所述存儲(chǔ)模塊的讀寫(xiě)控制信號(hào)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)占空比，輸出不同的電壓，分別用于向所述存儲(chǔ)模塊的讀電路與寫(xiě)電路供電。7.如權(quán)利要求5所述的非易失存儲(chǔ)芯片，其特征在于，所述存儲(chǔ)模塊為MRAM模塊或閃存。8.如權(quán)利要求7所述的非易失存儲(chǔ)芯片，其特征在于，多個(gè)MRAM模塊不需要同時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，使用一個(gè)電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器提供不同的電壓。9.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括一個(gè)或多個(gè)權(quán)利要求1-4所述的電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，采用集成在芯片中的電感，使得電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器能夠集成于芯片中，無(wú)需外接電感，應(yīng)用方便。本發(fā)明還提供一種非易失存儲(chǔ)芯片，集成電感儲(chǔ)能式直流電壓轉(zhuǎn)換器，提高了芯片中直流電壓的轉(zhuǎn)換效率，降低非易失存儲(chǔ)芯片的功耗，且降低非易失存儲(chǔ)芯片的成本，更適用于對(duì)待機(jī)功耗要求很?chē)?yán)格的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴電子設(shè)備等領(lǐng)域。
【IPC分類(lèi)】G11C11/16, G11C5/14
【公開(kāi)號(hào)】CN105632530
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510881817
【發(fā)明人】戴瑾
【申請(qǐng)人】上海磁宇信息科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年12月3日