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      用于多晶硅還原爐的底盤組件的制作方法_2

      文檔序號:8819972閱讀:來源:國知局
      ,如圖1所示,每個導(dǎo)流板190的鄰近進(jìn)氣管300、排氣管400和電極座200處分別設(shè)有弧形段191,由此一方面可以保持螺旋流道110的橫截面積基本不變以保證冷卻液的流速穩(wěn)定,另一方面可以避免出現(xiàn)冷卻死角而影響冷卻效果。
      [0032]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解地是,每個導(dǎo)流板190上的弧形段191的數(shù)量和位置可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用和要求設(shè)置。
      [0033]有利地,每個導(dǎo)流板190上設(shè)有沿導(dǎo)流板190的長度方向間隔設(shè)置的多個連通孔(圖中未示出),具體地,每個導(dǎo)流板190上可以設(shè)有3-10個所述連通孔,這些所述連通孔可以連通導(dǎo)流板190兩側(cè)的螺旋流道110,使相鄰的兩個螺旋流道110內(nèi)的冷卻液能夠相互流通,從而避免產(chǎn)生冷卻液流動死區(qū)。
      [0034]在本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例中,如圖2所示,用于多晶硅還原爐的底盤組件10還包括一個冷卻液進(jìn)管500和至少六個冷卻液出管600,冷卻液進(jìn)管500和冷卻液出管600均設(shè)在底盤本體100上且貫穿下底板160和中隔板170。其中,冷卻液進(jìn)管500設(shè)置在底盤本體100的中心處且與冷卻液進(jìn)口 120連通,冷卻液出管600沿底盤本體100的周向等間距地設(shè)置在底盤本體100的外周緣處且分別與對應(yīng)的冷卻液出口 130連通。通過設(shè)置冷卻液進(jìn)管500和冷卻液出管600,可以方便冷卻液的輸入和輸出。
      [0035]可選地,如圖1和圖2所示,多個進(jìn)氣管300中位于底盤本體100中心處的進(jìn)氣管300嵌套在冷卻液進(jìn)管500內(nèi),排氣管400為至少六個且分別嵌套在對應(yīng)的冷卻液出管600內(nèi)。這樣可以簡化底盤組件10的結(jié)構(gòu),且可以減少底盤組件10外表管路的數(shù)量,從而減小管路在底盤本體100上占用的空間。
      [0036]有利地,如圖2所示,任一個冷卻液出管600的最高點(diǎn)高于冷卻液進(jìn)管500的最高點(diǎn),由此可以使冷卻腔180內(nèi)隨時保證有一定量的冷卻液。
      [0037]在本實(shí)用新型的描述中,需要理解的是,術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
      [0038]此外,術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實(shí)用新型的描述中,“多個”的含義是至少兩個,例如兩個,三個等,除非另有明確具體的限定。
      [0039]在本實(shí)用新型中,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或成一體;可以是機(jī)械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
      [0040]在本實(shí)用新型中,除非另有明確的規(guī)定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸,也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
      [0041]在本說明書的描述中,參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中,對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例進(jìn)行接合和組合。
      [0042]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,可以理解的是,上述實(shí)施例是示例性的,不能理解為對本實(shí)用新型的限制,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,包括: 底盤本體,所述底盤本體內(nèi)限定有從所述底盤本體的中心處旋向所述底盤本體的外周緣處的六個螺旋流道,所述底盤本體上設(shè)有與六個所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和至少六個冷卻液出口,所述冷卻液進(jìn)口位于所述底盤本體的中心處; 多個電極座,多個所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上; 多個進(jìn)氣管和多個排氣管,多個所述進(jìn)氣管和多個所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,六個所述螺旋流道的長度相等。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,六個所述螺旋流道沿所述底盤本體的徑向盤繞成七層。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,所述底盤本體包括: 底盤法蘭; 上底板,所述上底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi); 下底板,所述下底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板下方; 中隔板,所述中隔板設(shè)在底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板和所述下底板之間,所述中隔板與所述上底板和所述底盤法蘭限定出冷卻腔; 六個導(dǎo)流板,六個所述導(dǎo)流板設(shè)在所述冷卻腔內(nèi)且在所述冷卻腔內(nèi)限定出六個所述螺旋流道。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,六個所述導(dǎo)流板焊接在所述中隔板上。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,所述導(dǎo)流板的鄰近所述進(jìn)氣管、所述排氣管和所述電極座處分別設(shè)有弧形段。
      7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,每個所述導(dǎo)流板上設(shè)有若干連通孔。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,還包括設(shè)在所述底盤本體上的冷卻液進(jìn)管和至少六個冷卻液出管,所述冷卻液進(jìn)管設(shè)置在所述底盤本體的中心處且與所述冷卻液進(jìn)口連通,所述冷卻液出管設(shè)置在所述底盤本體的外周緣處且分別與對應(yīng)的所述冷卻液出口連通。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,任一個所述冷卻液出管的最高點(diǎn)高于所述冷卻液進(jìn)管的最高點(diǎn)。
      10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件,其特征在于,多個所述進(jìn)氣管中位于所述底盤本體中心處的所述進(jìn)氣管嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi),所述排氣管為至少六個且分別嵌套在對應(yīng)的所述冷卻液出管內(nèi)。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于多晶硅還原爐的底盤組件,所述用于多晶硅還原爐的底盤組件包括:底盤本體,所述底盤本體內(nèi)限定有從所述底盤本體的中心處旋向所述底盤本體的外周緣處的六個螺旋流道,所述底盤本體上設(shè)有與六個所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和至少六個冷卻液出口,所述冷卻液進(jìn)口位于所述底盤本體的中心處;多個電極座,多個所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上;多個進(jìn)氣管和多個排氣管,多個所述進(jìn)氣管和多個所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
      【IPC分類】C01B33-021
      【公開號】CN204529321
      【申請?zhí)枴緾N201520179809
      【發(fā)明人】姚心, 汪紹芬
      【申請人】中國恩菲工程技術(shù)有限公司
      【公開日】2015年8月5日
      【申請日】2015年3月27日
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