氣管300的上端連接有噴嘴50 ο
[0056]具體地，如圖5所示，噴嘴50包括基座51、導(dǎo)向桿52、引流轉(zhuǎn)子55和止擋螺母57。
[0057]基座51包括內(nèi)直徑恒定的順流部和位于所述順流部上方且內(nèi)直徑由下至上逐漸增大的引流部，基座51的下部設(shè)有外螺紋，用于與底盤本體100的上底板150連接，保證噴嘴50在爐內(nèi)高溫下長期運(yùn)行的穩(wěn)定性。導(dǎo)向桿52上設(shè)有外螺紋且設(shè)在基座51內(nèi)，導(dǎo)向桿52的底部設(shè)有止擋臺53，止擋臺53上連接有焊接在基座51上的支腿54。引流轉(zhuǎn)子55為中心開孔的倒錐臺結(jié)構(gòu)，引流轉(zhuǎn)子55沿導(dǎo)向桿52的軸向可移動地套設(shè)在導(dǎo)向桿52上且位于基座51內(nèi)，引流轉(zhuǎn)子55的外周面上設(shè)有多個(gè)側(cè)旋流道56，側(cè)旋流道56的橫截面可以為矩形或圓形，側(cè)旋流道56的數(shù)量為3-8個(gè)，以預(yù)定的仰角從引流轉(zhuǎn)子55的底部旋轉(zhuǎn)至引流轉(zhuǎn)子55的頂部。引流轉(zhuǎn)子55的內(nèi)表面的母線可以為雙曲線、拋物線、橢圓弧線或漸開線，引流轉(zhuǎn)子55的側(cè)面底部進(jìn)行倒角處理，以利于氣體流道。止擋螺母57配合在導(dǎo)向桿52的外螺紋上且位于引流轉(zhuǎn)子55上方，用于調(diào)節(jié)引流轉(zhuǎn)子55的上升高度，而止擋臺53可以保證引流轉(zhuǎn)子55在無氣流下不會落出導(dǎo)向桿52。
[0058]在多晶硅還原爐I運(yùn)行初期，工藝氣體進(jìn)氣量較小，從進(jìn)氣管300首先進(jìn)入噴嘴50的順流部，由于順流部直徑小于進(jìn)氣管300的內(nèi)直徑，氣體在順流部的氣速有一定地增大。氣體隨后進(jìn)入上部的引流部后，氣體的速度進(jìn)一步增大。在氣體的帶動下，引流轉(zhuǎn)子55以一定速率轉(zhuǎn)動，使得噴嘴50出氣以外旋方式進(jìn)入爐體20內(nèi)，側(cè)旋氣流可以有效地向外側(cè)擴(kuò)張，擴(kuò)大了進(jìn)氣氣流的影響區(qū)域，并使得爐體20內(nèi)部整體流場趨向均勻。同時(shí)，由于在引流轉(zhuǎn)子55內(nèi)側(cè)和導(dǎo)向桿52外側(cè)留有一定間隙，有部分氣流從此處經(jīng)過形成中央氣流。中央氣流可以較好的到達(dá)爐體20頂部，維持爐體20中上部氣體供應(yīng)。此時(shí)，由于氣量較小，引流轉(zhuǎn)子55的運(yùn)行高度在導(dǎo)向桿52下部，此時(shí)引流轉(zhuǎn)子55與基座51內(nèi)側(cè)的間隙小，氣體流通截面積最小，從而保證出氣速度。
[0059]多晶硅還原爐I運(yùn)行中期，進(jìn)氣量逐漸增大，引流轉(zhuǎn)子55上升，引流轉(zhuǎn)子55的運(yùn)行高度在導(dǎo)向桿52的中部，氣體流通截面積增大，從而維持一定的出氣速度。
[0060]多晶硅還原爐I運(yùn)行后期，引流轉(zhuǎn)子55上升至導(dǎo)向桿52的頂部，氣體流通截面積最大，氣體速度增加較小，下部的噴射氣流集中，有利于多晶硅硅棒的均勻生長。通過試驗(yàn)證明，噴嘴50可以有效地改善多晶硅棒表面質(zhì)量，并控制硅棒主體的粗細(xì)變化在10%以內(nèi)。
[0061]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0062]此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
[0063]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0064]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0065]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例進(jìn)行接合和組合。
[0066]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅還原爐，其特征在于，包括: 底盤組件，所述底盤組件包括: 底盤本體，所述底盤本體內(nèi)限定有從所述底盤本體的中心處旋向所述底盤本體的外周緣處的多個(gè)螺旋流道，所述底盤本體上設(shè)有與多個(gè)所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和多個(gè)冷卻液出口； 多個(gè)電極座，多個(gè)所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上； 多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)排氣管，多個(gè)所述進(jìn)氣管和多個(gè)所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上; 爐體，所述爐體連接在所述底盤組件上且與所述底盤組件限定出反應(yīng)腔； 多個(gè)電極，多個(gè)所述電極分別設(shè)置在多個(gè)所述電極座上且位于所述反應(yīng)腔內(nèi)； 進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)與多個(gè)所述進(jìn)氣管相連； 排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)與多個(gè)所述排氣管相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體的頂部為向上凸出的半球形封頭。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體的壁內(nèi)具有冷卻水夾套。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體的側(cè)壁的下部連接有與所述冷卻水夾套連通的進(jìn)水管且所述半球形封頭的頂部連接有與所述冷卻水夾套連通的出水管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體的上部設(shè)有上觀察試鏡、中部設(shè)有中觀察試鏡且下部設(shè)有下觀察試鏡。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多晶硅還原爐，包括：底盤組件，底盤組件包括：底盤本體，底盤本體內(nèi)限定有從底盤本體的中心處旋向底盤本體的外周緣處的多個(gè)螺旋流道，底盤本體上設(shè)有與多個(gè)螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和多個(gè)冷卻液出口；多個(gè)電極座，多個(gè)電極座設(shè)置在底盤本體上；多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)排氣管，多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)排氣管設(shè)置在底盤本體上；爐體，爐體連接在底盤組件上；多個(gè)電極，多個(gè)電極分別設(shè)置在多個(gè)電極座上；進(jìn)氣系統(tǒng)，進(jìn)氣系統(tǒng)與多個(gè)進(jìn)氣管相連；排氣系統(tǒng)，排氣系統(tǒng)與多個(gè)排氣管相連。根據(jù)本實(shí)用新型的多晶硅還原爐具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、底盤徑向溫度分布均勻、底盤不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】C01B33-03
【公開號】CN204529326
【申請?zhí)枴緾N201520179808
【發(fā)明人】姚心, 汪紹芬, 石濤
【申請人】中國恩菲工程技術(shù)有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年3月27日