0的引流口低于所述鑄錠爐的坩禍30底部。
[0027]所述鑄錠氣流場裝置，通本改變氬氣流在爐腔內(nèi)不能通過整個(gè)鑄錠坩禍30便流出爐腔的現(xiàn)狀，在鑄錠爐側(cè)壁上加裝引流部件10，而所述引流部件10的引流口低于所述鑄錠爐的坩禍30底部，迫使氬氣流從進(jìn)氣孔40進(jìn)入爐腔后經(jīng)過整個(gè)鑄錠坩禍30后通過引流部件10從出氣孔20流出爐腔。這就將整個(gè)坩禍30散發(fā)出的雜質(zhì)氣體和氧氣帶出鑄錠爐腔，同時(shí)使得氬氣完全籠罩鑄錠坩禍30以充分發(fā)揮氬氣的保護(hù)作用，降低散發(fā)出的雜質(zhì)重新回到娃恪液的概率，減少多晶娃徒的雜質(zhì)，提尚多晶娃徒的成晶率和娃片的質(zhì)量，提尚生產(chǎn)率，降低生產(chǎn)成本；及時(shí)的將整個(gè)鑄錠爐中散發(fā)出的氧氣帶走，降低多晶硅錠中的氧含量，提高硅片質(zhì)量，提高成晶率；同時(shí)氬氣覆蓋整個(gè)坩禍30區(qū)域，有利于減少硅料、石英坩禍30、石墨件等之間的反應(yīng)，減少雜質(zhì)氣體的廣生，提尚企業(yè)生廣效益。
[0028]由于所述引流部件10是設(shè)置在所述鑄錠爐的內(nèi)壁上的，一般的設(shè)置放置是，所述引流部件10的輸出端直接與所述鑄錠爐的出氣孔20連接，可以是所述引流部件10的輸出端插入所述出氣孔20內(nèi)，也可以是所述引流部件10的輸出端將所述出氣孔20包裹住，但是對于后一種來說，需要將出氣孔20在所述鑄錠爐的內(nèi)側(cè)方向有凸出部，但是這樣會使得制造工藝變得復(fù)雜，這個(gè)突出部很容易損壞，因此，大多數(shù)選擇前者的安裝方式，即所述引流部件10的輸出端為插筒狀，所述引流部件10的輸出端的外徑與所述出氣孔20的內(nèi)徑一致，所述引流部件10的輸出端插入所述出氣孔20。
[0029]由于所述鑄錠爐上一般只有一個(gè)出氣孔20，用于排放雜質(zhì)，而進(jìn)氣孔40在所述鑄錠坩禍30的上方，而出氣孔20在側(cè)壁，在鑄錠過程中，容易引起所述鑄錠坩禍30的不同位置處的氣壓不同，即氣壓不均衡，造成所鑄的多晶硅的品質(zhì)不通，影響后期的制造單晶的過程，因此所述鑄錠坩禍30的周向各處的氣壓需要盡量保持均衡，因此所述引流部件10具有多個(gè)所述引流口。多個(gè)所述引流口能夠加快雜質(zhì)氣體的排出速度，提高工藝效率。
[0030]為進(jìn)一步提高鑄錠坩禍30的不同位置的氣壓均衡，多個(gè)所述引流口均勻周向分布設(shè)置于所述鑄錠爐的內(nèi)壁，最好是在同一水平面。所述引流部件10的多個(gè)所述引流口，可以是直接通過一個(gè)公共的接口連接到所述出氣孔20上，也可以是在一根管道上開多個(gè)孔，作為引流口。本實(shí)用新型對于所述引流部件10的引流口的數(shù)量、形狀以及所述引流口與所述出氣孔20的關(guān)系不做具體限定。
[0031]而對于所述引流部件10的引流口，一般所述引流口朝下，如果引流口的入口朝向水平方向，可能引起氣流的流動，使得所述鑄錠坩禍30各處的氣壓不穩(wěn)，不利于多晶硅的提純，而引流口的入口朝上就更沒必要，因?yàn)闀沟盟鲆鞑考?0的制作工藝復(fù)雜化，而且也沒有額外的有益效果，因此通常所述引流口朝下。
[0032]由于所述鑄錠爐是通過進(jìn)氣孔40通入氬氣，由出氣孔20將雜質(zhì)排出的，那么所述鑄錠爐內(nèi)的氣壓大于所述鑄錠爐外的氣壓，如果所述引流部件10是豎直設(shè)置，那么所述引流部件10的末段與所述出氣孔20的方向垂直，在所述引流部件10的出口處，由于氣流方向需要改變90度，會與所述引流部件10發(fā)生碰撞，對所述引流部件10的側(cè)壁造成損傷，減少使用壽命，因此，一般所述引流部件10的末段與所述出氣孔20成一個(gè)較小的角度，即所述引流部件10還包括設(shè)置于所述引流口與所述輸出端之間的引流管，所述引流管螺旋設(shè)置在所述鑄錠爐的內(nèi)壁。這樣，所述引流部件10的引流管內(nèi)的氣體就會被盤旋上升，對引流管的損壞是均勻的，不會出現(xiàn)有些地方破損，有些地方幾乎沒有損傷的情況的發(fā)生。需要說明的是，本實(shí)用新型對所述引流管的管徑尺寸、長度等不做限定。
[0033]除此之外，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種鑄錠爐，包括鑄錠爐體和如上述任一項(xiàng)所述的鑄錠氣流場裝置，所述鑄錠氣流場裝置的引流部件設(shè)置于所述鑄錠爐體的內(nèi)壁，所述引流部件的輸出端與所述鑄錠爐的出氣孔相連通，所述引流部件的引流口低于所述鑄錠爐體的坩禍底部。
[0034]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的鑄錠氣流場裝置以及所述鑄錠爐，通本改變氬氣流在爐腔內(nèi)不能通過整個(gè)鑄錠坩禍便流出爐腔的現(xiàn)狀，在鑄錠爐側(cè)壁上加裝引流部件，迫使氬氣流從進(jìn)氣孔進(jìn)入爐腔后經(jīng)過整個(gè)鑄錠坩禍后通過引流部件從出氣孔流出爐腔。這就將整個(gè)坩禍散發(fā)出的雜質(zhì)氣體和氧氣帶出鑄錠爐腔，同時(shí)使得氬氣完全籠罩鑄錠坩禍以充分發(fā)揮氬氣的保護(hù)作用，降低散發(fā)出的雜質(zhì)重新回到硅熔液的概率，減少多晶硅徒的雜質(zhì)，提尚多晶娃徒的成晶率和娃片的質(zhì)量，提尚生廣率，降低生廣成本；及時(shí)的將整個(gè)鑄錠爐中散發(fā)出的氧氣帶走，降低多晶硅錠中氧含量，提高硅片質(zhì)量，提高成晶率；同時(shí)氬氣覆蓋整個(gè)坩禍區(qū)域，有利于減少硅料、石英坩禍、石墨件等之間的反應(yīng)，減少雜質(zhì)氣體的產(chǎn)生，提高企業(yè)生產(chǎn)效益。
[0035]以上對本實(shí)用新型所提供的鑄錠氣流場裝置以及所述鑄錠爐進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鑄錠氣流場裝置，其特征在于，包括設(shè)置于鑄錠爐內(nèi)側(cè)壁上的引流部件，所述引流部件的輸出端與所述鑄錠爐的出氣孔相連通，所述引流部件的引流口低于所述鑄錠爐的坩禍底部。2.如權(quán)利要求1所述的鑄錠氣流場裝置，其特征在于，所述引流部件的輸出端為插筒狀，所述引流部件的輸出端的外徑與所述出氣孔的內(nèi)徑一致，所述引流部件的輸出端插入所述出氣孔。3.如權(quán)利要求2所述的鑄錠氣流場裝置，其特征在于，所述引流部件具有多個(gè)所述引流口。4.如權(quán)利要求3所述的鑄錠氣流場裝置，其特征在于，多個(gè)所述引流口均勻周向分布設(shè)置于所述鑄錠爐的內(nèi)壁。5.如權(quán)利要求4所述的鑄錠氣流場裝置，其特征在于，所述引流口朝下。6.如權(quán)利要求1所述的鑄錠氣流場裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述引流口與所述輸出端之間的引流管，所述引流管螺旋設(shè)置在所述鑄錠爐的內(nèi)壁。7.—種鑄錠爐，其特征在于，包括鑄錠爐體和如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的鑄錠氣流場裝置，所述鑄錠氣流場裝置的引流部件設(shè)置于所述鑄錠爐體的內(nèi)壁，所述引流部件的輸出端與所述鑄錠爐的出氣孔相連通，所述引流部件的引流口低于所述鑄錠爐體的坩禍底部。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種鑄錠氣流場裝置，包括設(shè)置于鑄錠爐內(nèi)側(cè)壁上的引流部件，所述引流部件的輸出端與所述鑄錠爐的出氣孔相連通，所述引流部件的引流口低于所述鑄錠爐的坩堝底部。除此之外，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的鑄錠爐，包括鑄錠爐體和如上述所述的鑄錠氣流場裝置，所述鑄錠氣流場裝置的引流部件設(shè)置于所述鑄錠爐體的內(nèi)壁，所述引流部件的輸出端與所述鑄錠爐的出氣孔相連通。所述鑄錠氣流場裝置以及所述鑄錠爐，通過在鑄錠爐內(nèi)側(cè)壁上加裝引流部件，迫使氬氣流從進(jìn)氣孔進(jìn)入爐腔后經(jīng)過整個(gè)鑄錠坩堝后，通過引流部件從出氣孔流出爐腔，將整個(gè)坩堝散發(fā)出的雜質(zhì)氣體和氧氣帶出鑄錠爐腔，減少多晶硅錠的雜質(zhì)，提高硅片質(zhì)量，提高多晶硅錠的成晶率。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號】CN204982135
【申請?zhí)枴緾N201520769727
【發(fā)明人】閆燈周, 張朝昆, 李林東, 陳偉, 肖貴云, 李亮, 金浩
【申請人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月30日