一種激光退火設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及激光熱處理領(lǐng)域，尤其涉及一種可實現(xiàn)激光退火環(huán)境氧濃度均勻分布的激光退火設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active-matrix organic lightemitting d1de，AM0LED)面板得到了廣泛應(yīng)用，基于AMOLED面板，一種稱為低溫多晶硅(Low Temperature Poly-siIicon，LTPS)的技術(shù)使得AMOLED面板的重量更輕、功耗更低、且可提供更清晰的顯示效果。
[0003]目前，LTPS技術(shù)主要采用激光退火設(shè)備在玻璃基板上實現(xiàn)非晶硅向多晶硅的轉(zhuǎn)變。在退火過程中，硅容易與周圍退火環(huán)境中的氧發(fā)生作用形成硅的氧化物，這嚴(yán)重影響了多晶硅表面的粗糙度，進(jìn)而影響AMOLED面板的顯示特性。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決在激光退火過程中硅和氧氣作用形成硅的氧化物的現(xiàn)象，通常采用一種可以輸出惰性氣體的激光熱處理設(shè)備進(jìn)行激光退火操作，如圖1a所示，為現(xiàn)有的激光熱處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，非晶硅面板置于反應(yīng)腔室的載臺上，在激光發(fā)射單元發(fā)出線狀的激光光束進(jìn)行激光退火時，氣體注入單元向非晶硅面板上方注入惰性氣體，以便排除非晶硅面板上方的氧氣。其中，在氣體注入單元中包含一種惰性氣體注射管，如圖1b所示，為惰性氣體注射管的剖面圖，惰性氣體注射管由內(nèi)管和外管構(gòu)成，內(nèi)、外管之間形成空間，內(nèi)管兩端注入惰性氣體，形成惰性氣流并從內(nèi)管的夾縫中流入內(nèi)、外管之間的空間進(jìn)行混合，再通過外管的夾縫注射至非晶硅面板上方，形成與線狀的激光光束相匹配的氣簾。
[0005]但是，對于上述惰性氣流注射管而言，從內(nèi)管兩端注入的惰性氣體并不能在內(nèi)、夕卜管之間的空間內(nèi)均勻混合，這就造成從惰性氣體注射管所注射出的氣簾中，惰性氣體濃度分布不均勻，換言之，在氣簾注入至非晶硅面板上方后，惰性氣體濃度較低的位置氧含量相對較大，而惰性氣體濃度較高的位置氧含量相對較小，從而導(dǎo)致線狀的激光光束在退火的過程中非晶硅面板表面的晶化程度不一致。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型實施例提供一種激光退火設(shè)備，用以解決傳統(tǒng)的激光熱處理設(shè)備中惰性氣體在惰性氣體注射管中混合不均勻的問題。
[0007]本實用新型提供一種激光退火設(shè)備，包括:退火腔室，所述退火腔室中包含與惰性氣管相連的惰性氣體注射管，所述惰性氣體注射管包含內(nèi)管和外管，且所述內(nèi)管與外管之間不貼合；
[0008]所述外管的管壁上沿長度方向設(shè)有對稱的夾縫狀開口；
[0009]所述內(nèi)管中包含至少兩個子管道，每個所述子管道的管壁上沿長度方向設(shè)有夾縫狀開口，且各子管道的管壁上開口的朝向與所述外管管壁上開口的朝向不一致。
[0010]進(jìn)一步地，每個所述子管道的一端封閉，另一端與惰性氣管相連。[0011 ] 進(jìn)一步地，相鄰兩個子管道的封閉的一端處于不同側(cè)。
[0012]進(jìn)一步地，所述內(nèi)管中包含的子管道的數(shù)量為偶數(shù)。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實用新型中的注射管的內(nèi)管包含多個子管道，且各子管道的一端封閉，相鄰兩個子管道的封閉一端不同側(cè)，那么，當(dāng)惰性氣體注入各子管道后，會填充至每個子管道的管道空間，惰性氣體會從每個子管道的夾縫狀開口中流出，當(dāng)注入至每個子管道中的惰性氣體流量相同時，由子管道的狹縫狀開口流出的惰性氣體在開口的不同位置流量不同，通常距離注入端越近的位置惰性氣體流量越大，那么，采用上述子管道的方式，正是由于相鄰的兩個子管道的封閉一端位于不同側(cè)，也即，相鄰兩個子管道的注入口也位于不同側(cè)，所以，惰性氣體在內(nèi)、外管之間的空間內(nèi)混合后，惰性氣體的濃度可以實現(xiàn)互補(bǔ)，從而，從外管的夾縫狀開口導(dǎo)出的惰性氣體濃度分布均勻，換言之，最終形成的氣簾中惰性氣體的濃度也均勻分布，這就保證了在進(jìn)行激光退火的過程中，非晶硅面板的晶化均勻。
【附圖說明】
[0014]此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0015]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中的激光退火設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖1b為圖1a所示的激光退火設(shè)備中惰性氣體注射管的剖視圖；
[0017]圖2為本實用新型實施例提供的一種激光退火設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為圖2中的激光退火設(shè)備進(jìn)行激光退火時的原理示意圖；
[0019]圖4為圖2中的激光退火設(shè)備中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5a為本實用新型實施例提供的惰性氣體注射管的剖視圖；
[0021]圖5b為圖5a中的惰性氣體注射管的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型具體實施例及相應(yīng)的附圖對本實用新型技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0023]如圖2所示，本實用新型實施例提供了一種激光退火設(shè)備Dl的主要結(jié)構(gòu)，其中，激光退火設(shè)備Dl主要包括:激光光源10、光路結(jié)構(gòu)20、退火腔室30 ο激光光源1發(fā)射出的激光光束101經(jīng)過光路結(jié)構(gòu)20，作用于退火腔室30內(nèi)載臺301上放置的非晶硅面板(并未在圖1中示出)，以對非晶硅面板進(jìn)行激光退火。
[0024]具體地，激光退火設(shè)備Dl進(jìn)行激光退火的過程如圖3所示，激光退火設(shè)備Dl發(fā)出的激光光束101為線狀激光束，作用于非晶硅面板表面，使得該非晶硅面板表面的非晶硅經(jīng)過激光退火后轉(zhuǎn)換成規(guī)則排列的多晶硅結(jié)構(gòu)。圖3中黑色箭頭表示非晶硅面板的移動方向，這里并不構(gòu)成對本實用新型的限定。
[0025]為了減少或避免在進(jìn)行激光退火過程中氧氣與硅作用形成硅的氧化物，故通過退火腔室30中的結(jié)構(gòu)，使用惰性氣體將退火環(huán)境下的氧氣排除，具體而言，如圖4所示，是本實用新型實施例中激光退火設(shè)備Dl中的退火腔室30的主要結(jié)構(gòu)，從圖3中可見，