技術(shù)特征：

1.一種有機(jī)電致發(fā)光化合物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)為通式(Ⅰ)所示的化合物：

其中，X為N，S，O，Si元素，R₁、R₂為芳香性基團(tuán)，R₁、R₂可以為相同或不同基團(tuán)；其中，當(dāng)X為N時(shí)，其結(jié)構(gòu)為通式(Ⅱ)所示的化合物：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述化合物，其特征在于，所述R₁、R₂為至少含有C或至少含有C、N的芳香性基團(tuán)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述化合物，其特征在于，所述R₁、R₂為至少含有3-20個(gè)C或至少含有3-20個(gè)C且含有N的芳香性基團(tuán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述化合物，其特征在于，所述R₁、R₂選自C6-C20的芳香基、C6-C20的芳香乙烯基、C6-C20的稠環(huán)芳香基、C6-C20的稠環(huán)芳香乙烯基、C6-C20的芳胺基、C6-C20的含N的稠環(huán)基、C6-C20的含N的雜環(huán)基、C6-C20的含O的稠環(huán)基、C6-C20的含O的雜環(huán)基中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述化合物，其特征在于，所述R₁、R₂選自如下基團(tuán)中的任一種：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述化合物，其特征在于，所述通式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的化合物為如下化合物中的任意一種：

7.一種含有權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述化合物的OLED電子傳輸層材料。

8.一種含有權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述化合物的OLED發(fā)光層材料。

9.一種含有權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述化合物的OLED空穴傳輸層材料。

10.一種含有權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述化合物的OLED器件。

11.一種如權(quán)利要求10所述OLED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

1)將透明陽極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；

2)將處理后的ITO基板放入蒸鍍設(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸層；

3)然后蒸鍍發(fā)光層，混合蒸鍍發(fā)光層材料，以及5--10％的Ir(ppy)3；

4)隨后采用電子傳輸層材料，蒸鍍一層電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al；

其中，所述空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料其中之一為通式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，

所述空穴傳輸層材料可選為NPB；

所述發(fā)光層材料可選為CBP；

所述電子傳輸層材料可選為Alq₃；

其中，CBP、NPB分別為如下結(jié)構(gòu)：

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，

所述空穴傳輸層的厚度為30-50nm；

所述發(fā)光層的厚度為10-120nm；

所述電子傳輸層的厚度為20-40nm。