本發(fā)明涉及OLED領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的材料。
背景技術(shù)：
：TFT-LCD作為一種顯示屏，是一種非自發(fā)光之顯示器，必須透過背光源投射光線，依序穿透TFT-LCD面板中之偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關(guān)零組件，最后進入人之眼睛成像，達到顯示之功能。在實際應(yīng)用中，TFT-LCD顯示屏具有反應(yīng)速率慢、耗電、視角窄等缺點，不足以成為完美的顯示屏。OLED，作為一種新型顯示技術(shù)，具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板制備得到。當有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。目前，OLED的基本結(jié)構(gòu)如三明治的結(jié)構(gòu)，整個結(jié)構(gòu)層中包括空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當電力供應(yīng)至適當電壓時，正極空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍三原色，構(gòu)成基本色彩。由于OLED的特性是自己發(fā)光，因此，可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡單，成本低等，被視為21世紀最具前途的產(chǎn)品之一。事實上，雖然OLED應(yīng)用范圍的不斷擴大，但仍然存在不足，而決定OLED性能優(yōu)劣的基本因素之一還是材料問題，因此，設(shè)計與合成一種新型OLED材料以克服其在實際應(yīng)用過程中出現(xiàn)的不足，是OLED研究工作中的重點。技術(shù)實現(xiàn)要素：基于上述背景，本申請?zhí)峁┝艘环N應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的材料，其包含一種芴的衍生化合物，可以應(yīng)用于OLED器件中的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層中，最終得到一種性能更佳的OLED器件。本發(fā)明的第一方面的主題是一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的材料，其特征在于，含有一種結(jié)構(gòu)如通式(I)所示的化合物：其中，R為芳香性化合物；—A為或X為O或S。在本發(fā)明的一個實施例中，R為含有3-25個碳或氮的化合物，如包含苯環(huán)、萘環(huán)。進一步地，R優(yōu)選為選自以下結(jié)構(gòu)：所述化合物優(yōu)選為選自以下結(jié)構(gòu)：所述化合物通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)制備得到。本發(fā)明的第二方面的主題是上述所述材料的應(yīng)用：一種含有上述所述材料的OLED空穴傳輸層；一種含有上述所述材料的OLED發(fā)光層；一種含有上述所述材料的OLED電子傳輸層；一種含有上述所述材料的OLED器件。優(yōu)選地，在上述所述材料的應(yīng)用中，所述材料優(yōu)選地作為紅光主體材料、綠 光主體材料以及空穴傳輸材料。具體實施方式本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的材料，其特征在于，含有一種結(jié)構(gòu)如通式(I)所示的化合物：其中，R為芳香性化合物；—A為或X為O或S。在本發(fā)明的一個實施例中，R為含有3-25個碳或氮的化合物，如包含苯環(huán)、萘環(huán)。進一步地，R優(yōu)選為選自以下結(jié)構(gòu)：所述化合物優(yōu)選為選自以下結(jié)構(gòu)：所述化合物通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)制備得到。本發(fā)明還提供了上述所述材料的應(yīng)用：一種含有上述所述材料的OLED空穴傳輸層；一種含有上述所述材料的OLED發(fā)光層；一種含有上述所述材料的OLED電子傳輸層；一種含有上述所述材料的OLED器件。優(yōu)選地，在上述所述材料的應(yīng)用中，所述材料優(yōu)選地作為紅光主體材料、綠 光主體材料以及空穴傳輸材料。實施例11、一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的化合物，其結(jié)構(gòu)如式(I-1)所示：2、所述化合物的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體A-1、0.1mol中間體B-1以及1000mL的甲苯，加入碳酸鉀200mmol和1mmol催化劑Pd[P(C6H5)3]4，氮氣保護下回流反應(yīng)24小時，反應(yīng)完成后加入蒸餾水500ml，冷卻過濾，用二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物(I-1)；其中，3、分子量表征MS639.2311H-NMR：7.53(2H),7.62(4H),7.71(4H),7.58(1H),7.67(1H),7.76(1H),7.34(2H),7.49(2H),7.64(2H),7.61(2H),7.64(2H),7.36(2H),7.48(2H),7.51(2H)。實施例21、一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的化合物，其結(jié)構(gòu)如式(I-2)所示：2、所述化合物的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體A-2、0.1mol中間體B-2以及1000mL的甲苯，加入碳酸鉀200mmol和1mmol催化劑Pd[P(C6H5)3]4，氮氣保護下回流反應(yīng)24小時，反應(yīng)完成后加入蒸餾水500ml，冷卻過濾，用二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物(I-2)；其中，3、分子量表征MS655.2082H-NMR：7.53(2H),7.62(4H),7.71(4H),7.58(1H),7.75(1H),7.78(1H),7.39(2H),7.49(2H),7.64(2H),7.61(2H),7.64(2H),7.36(2H),7.48(2H),7.53(2H)。實施例31、一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的化合物，其結(jié)構(gòu)如式(I-3)所示：2、所述化合物的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體A-3、0.1mol中間體B-3以及1000mL的甲苯，加入碳酸鉀200mmol和1mmol催化劑Pd[P(C6H5)3]4，氮氣保護下回流反應(yīng)24小時，反應(yīng)完成后加入蒸餾水500ml，冷卻過濾，用二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物(I-3)；其中，3、分子量表征MS655.2082H-NMR：7.53(2H),7.62(4H),7.71(4H),7.58(1H),7.67(1H),7.76(1H),7.34(2H),7.49(2H),7.62(2H),7.67(2H),7.56(2H),7.36(2H),7.48(2H),7.51(2H)。實施例41、一種應(yīng)用于OLED領(lǐng)域的化合物，其結(jié)構(gòu)如式(I-4)所示：2、所述化合物的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體A-4、0.1mol中間體B-4以及1000mL的甲苯，加入碳酸鉀200mmol和1mmol催化劑Pd[P(C6H5)3]4，氮氣保護下回流反應(yīng)24小時，反應(yīng)完成后加入蒸餾水500ml，冷卻過濾，用二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物(I-4)；其中，3、分子量表征MS639.2311H-NMR：7.53(2H),7.62(4H),7.71(4H),7.58(1H),7.67(1H),7.76(1H),7.34(2H),7.49(2H),7.64(2H),7.61(2H),7.64(2H),7.36(2H),7.48(2H),7.51(2H)。應(yīng)用實施例——器件對比應(yīng)用實施例：將透明陽極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍設(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，混合蒸鍍，CBP，以及5--10％的Ir(ppy)3，隨后蒸鍍20-40nm的Alq3作為電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。應(yīng)用實施例1將透明陽極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍設(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，混合蒸鍍化合物1，以及5--10％的Ir(ppy)3，隨后蒸鍍20-40nm的Alq3，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。應(yīng)用實施例2將對比實施例中的CBP換成化合物2，作為發(fā)光層。應(yīng)用實施例3將對比實施例中的CBP換成化合物3，作為發(fā)光層。應(yīng)用實施例4將對比實施例中的CBP換成化合物4，作為發(fā)光層。應(yīng)用實施例5將對比實施例中的Alq3換成化合物1，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例6將對比實施例中的Alq3換成化合物2，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例7將對比實施例中的Alq3換成化合物3，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例8將對比實施例中的Alq3換成化合物4，作為電子傳輸層。其中：OLED器件制作如下：對比應(yīng)用實施例：ITO/NPB/CBP：Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al；應(yīng)用實施例1：ITO/NPB/化合物1：Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al；應(yīng)用實施例2：ITO/NPB/化合物2：Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al；應(yīng)用實施例3：ITO/NPB/化合物3：Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al；應(yīng)用實施例4：ITO/NPB/化合物4：Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al；應(yīng)用實施例5：ITO/NPB/CBP：Ir(ppy)3/化合物1/LiF/Al；應(yīng)用實施例6：ITO/NPB/CBP：Ir(ppy)3/化合物2/LiF/Al；應(yīng)用實施例7：ITO/NPB/CBP：Ir(ppy)3/化合物3/LiF/Al；應(yīng)用實施例8：ITO/NPB/CBP：Ir(ppy)3/化合物4/LiF/Al。在1000nits下，OLED器件結(jié)果如下：器件Cd/ADriverVoltageCIExCIEy對比應(yīng)用實施例10cd/A4.6V0.330.64應(yīng)用實施例118cd/A4.2V0.330.64應(yīng)用實施例218cd/A3.9V0.330.64應(yīng)用實施例320cd/A3.6V0.330.64應(yīng)用實施例416cd/A4.0V0.330.64應(yīng)用實施例519cd/A4.1V0.330.64應(yīng)用實施例617cd/A3.9V0.330.64應(yīng)用實施例716cd/A4.0V0.330.64應(yīng)用實施例816cd/A3.7V0.330.64以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當前第1頁1 2 3