通過引用在先申請并入本申請要求于2014年10月31日提交的美國臨時專利申請第62/073,764號的優(yōu)先權的權益，該臨時專利申請據(jù)此通過引用以其整體明確地并入。領域總體上，本申請涉及化學領域、生物學領域和材料科學領域。更具體地，本申請涉及支持基底表面官能化以及下游應用例如dna測序和其他診斷應用的新穎的聚合物涂層和接枝的dna-共聚物(grafteddna-copolymer)。還公開了用于制備此類官能化的表面的方法及其用途。背景聚合物涂覆的基底或水凝膠涂覆的基底被用于許多技術應用。例如，可植入醫(yī)療裝置(implantablemedicaldevice)可以涂覆有生物學惰性聚合物(biologicallyinertpolymer)。在另一實例中，聚合物涂覆的基底或水凝膠涂覆的基底被用于生物分子的制備和/或分析。分子分析例如某些核酸測序方法依賴于將核酸鏈附接至基底的聚合物涂覆的表面或水凝膠涂覆的表面。然后，附接的核酸鏈的序列可以通過本領域熟知的許多不同的方法來確定。在某些合成測序(sequencing-by-synthesis)(“sbs”)工藝中，流動池(flowcell)的一個或更多個表面涂覆有聚合物或水凝膠，然后將引物(單鏈dna或ssdna)接枝至聚合物或水凝膠。然而，存在與進行涂覆步驟、接枝步驟和品質(zhì)控制步驟有關的固有成本。概述本申請公開了可用于sbs應用的聚合物涂層以及將引物聚合物偶聯(lián)步驟并入初始聚合物合成中的工藝。這可以消除制造測序流動池(sequencingflowcell)或用于sbs的其他基底所采用的接枝工藝(graftingprocess)中的某些或全部。這些工藝可以使引物對下游生物化學的可達性最大化，使副反應最小化并且產(chǎn)生更有效的表面化學。本文公開的涂層和工藝可用于其他的分析設備和工藝，包括但不限于用于合成或檢測核酸和其他生物學活性分子的分析設備和工藝。本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化(surfacefunctionalization)的聚合物，所述聚合物包含式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元：其中每個r1a、r2a、r1b和r2b獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；每個r3a和r3b獨立地選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；并且每個l1和l2獨立地選自任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元：其中每個r4a、r4b和r5b選自氫或c1-3烷基；并且每個r5a、r6a、r6b和r7b獨立地選自氫、任選地被取代的c1-6烷基或任選地被取代的苯基。本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當聚合物被共價地附接至基底的第一表面時，至少一個共價鍵在式(ii)的重復單元的氨基基團和基底的第一表面之間形成。因此，如本文描述的，具有第一表面(其包含具有共價地結(jié)合至其的式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物)的基底應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，這示出與基底表面的共價結(jié)合位置。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當官能化的寡核苷酸被共價地結(jié)合至聚合物時，由于式(i)的重復單元的疊氮基基團和官能化的寡核苷酸之間的反應，形成至少兩個共價鍵。因此，如本文描述的，包含共價地結(jié)合至式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸的接枝聚合物，應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，這示出與官能化的寡核苷酸的共價結(jié)合位置，其中是單鍵或雙鍵。本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化的聚合物，所述聚合物包含式(iv)的重復單元：其中每個r1c和r2c獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；r3c選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；ar選自任選地被取代的c6-10芳基或任選地被取代的五元或六元雜芳基；ra是任選地被取代的四嗪；并且l3選自單鍵、任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有式(iv)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當聚合物被共價地附接至基底的第一表面時，由于式(iv)的重復單元的四嗪基團和基底的第一表面之間的反應，形成至少兩個共價鍵。在某些其他實施方案中，至少兩個共價鍵在式(iv)的重復單元的四嗪基團之間形成。因此，如本文描述的，具有第一表面(其包含具有如本文描述的式(iv)的重復單元的聚合物)的基底應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，其中部分ar-raa選自這示出與基底表面的共價結(jié)合位置；并且其中是單鍵或雙鍵。raa可以是任選地被取代的。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(iv)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當官能化的寡核苷酸被共價地結(jié)合至聚合物時，由于式(iv)的重復單元的四嗪基團和官能化的寡核苷酸之間的反應，形成至少兩個共價鍵。因此，如本文描述的，包含共價地結(jié)合至式(iv)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸的接枝聚合物，應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，其中部分ar-rab選自這示出與寡核苷酸的共價結(jié)合位置；并且其中是單鍵或雙鍵。rab可以是任選地被取代的。本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化的聚合物，所述聚合物包含式(v)的重復單元：其中每個r1d和r2d獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；每個r3d選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；rb選自疊氮基、任選地被取代的氨基、boc-保護的氨基、羥基、硫醇基、炔基、烯基、鹵素、環(huán)氧基、四嗪基或醛；每個l4和l5獨立地選自任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元：其中每個r1e、r2e、r1f和r2f獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有式(v)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當聚合物被共價地附接至基底的第一表面時，由于式(v)的重復單元的疊氮基基團和基底的第一表面之間的反應，形成至少兩個共價鍵。因此，如本文描述的，具有第一表面(其包含具有共價地結(jié)合至其的式(v)的重復單元的聚合物)的基底應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，這示出與基底表面的共價結(jié)合位置。在某些其他實施方案中，當聚合物被共價地附接至基底的第一表面時，至少一個共價鍵在式(v)的重復單元的氨基基團和基底的第一表面之間形成。因此，如本文描述的，具有第一表面(其包含具有共價地結(jié)合至其的式(v)的重復單元的聚合物)的基底應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，這示出與基底表面的共價結(jié)合位置。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(v)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，當官能化的寡核苷酸被共價地結(jié)合至聚合物時，由于式(via)的重復單元的環(huán)氧基基團和官能化的寡核苷酸之間的反應，形成至少一個共價鍵。因此，如本文描述的，包含共價地結(jié)合至式(v)的重復單元和式(via)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸的接枝聚合物，應當被理解為還包含具有結(jié)構的改性的重復單元的聚合物，這示出與寡核苷酸的共價結(jié)合位置。本文描述的某些實施方案涉及用于將接枝聚合物固定至基底的第一表面的工藝，所述工藝包括：提供具有第一表面的基底，第一表面包含共價地附接至其的第一多個官能團；提供接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至聚合物的官能化的寡核苷酸，其中聚合物包含第二多個官能團；以及使第一表面的第一多個官能團與聚合物的第二多個官能團反應，使得聚合物被共價地結(jié)合至基底的第一表面。在本文描述的方法的某些實施方案中，當表面被包含不飽和部分(不飽和部分選自環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴)的官能化的硅烷處理，并且官能化的寡核苷酸包含雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔時；那么聚合物不是以下結(jié)構的聚(n-(5-疊氮基乙酰氨基戊基)丙烯酰胺-共-丙烯酰胺)(pazam)：其中n是在1-20,000的范圍內(nèi)的整數(shù)，并且m是在1-100,000的范圍內(nèi)的整數(shù)。在某些此類實施方案中，官能化的硅烷的不飽和部分包括降冰片烯。本文描述的某些實施方案涉及用于將本文描述的聚合物固定至基底的第一表面的工藝或方法，所述工藝或方法包括：提供具有第一表面的基底，第一表面包含共價地附接至其的第一多個官能團；提供本文描述的聚合物；以及使第一表面的第一多個官能團與聚合物反應，使得聚合物被共價地結(jié)合至基底的第一表面。附圖簡述圖1a至圖1d示出具有降冰片烯硅烷單層表面的聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像(typhoonflorescenceimage)和實施例1的聚合物的中位typhoon強度(mediantyphoonintensity)(表2)的有關的條形圖。圖2a至圖2d示出具有降冰片烯硅烷單層表面的聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像和實施例1的聚合物的中位typhoon強度(表3)的有關的條形圖。圖3a是圖示在用如在實施例1中列出的不同聚合物涂覆降冰片烯表面(表2)之后的tetqc強度數(shù)據(jù)(表4)和如在熱應力測試(thermalstresstest)之后測量的表面損失百分比的線形和條形圖。圖3b是圖示在用如在實施例1中列出的不同聚合物涂覆環(huán)氧基表面(表3)之后的tetqc強度數(shù)據(jù)(表5)和如在熱應力測試之后測量的表面損失百分比的線形和條形圖。圖4a至圖4d示出具有降冰片烯硅烷單層表面的聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像和實施例1的聚合物的中位typhoon強度(表6)的有關的條形圖。圖4e是圖示在用如在實施例1中列出的不同聚合物涂覆降冰片烯表面(表6)之后的tetqc強度數(shù)據(jù)(表7)和如在熱應力測試之后測量的表面損失百分比的線形和條形圖。圖5示出在不同時間點在降冰片烯和聯(lián)吡啶基四嗪之間的反應的一系列nmr圖像。圖6示出聯(lián)吡啶基四嗪和雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔-9-基甲醇之間的反應的uv-可見吸收圖案的線圖。圖7示出接枝樹狀聚合物(dendrimer)和具有表面附接基團的官能化樹狀聚合物之間的偶聯(lián)反應。詳述本申請涉及核酸-共聚物(例如，dna-共聚物)以及用于將此類核酸-共聚物接枝至基底的表面的工藝。用于與單鏈dna(“ssdna”)引物預綴合(pre-conjugate)的聚合物的某些實施方案包括丙烯酰胺/疊氮基-丙烯酰胺/氨基乙基-丙烯酰胺三元共聚物、四嗪改性的聚丙烯酰胺，以及聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)與氨基-peg-疊氮化物或氨基-peg-boc-酰胺的反應產(chǎn)物。然后，核酸-共聚物可以被共價地附接至基底的表面，在某些情況下，基底的硅烷官能化的表面，例如流動池的表面或分子陣列的表面。本公開內(nèi)容還涉及制備此類核酸-共聚物涂覆的表面的方法，以及在合成測序反應中使用包含此類核酸-共聚物涂覆的表面的基底的方法。某些實施方案涉及用于進行合成測序反應的流動池，所述流動池包括通過一個或更多個官能部分例如雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔、炔烴、酰氨基或疊氮基衍生的鍵合)預綴合至本文描述的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，引物是p5引物或p7引物。p5引物和p7引物在由illuminainc.銷售的商業(yè)流動池的表面上使用，以用于在平臺、平臺、平臺以及平臺上測序。另外的工藝和成本節(jié)約可以通過將品質(zhì)控制(qc)標志物連同引物附接并入聚合物內(nèi)來實現(xiàn)。分析測試可以被用于確定具有或不具有qc標志物的dna-共聚物的品質(zhì)和一致性(consistency)，并且分析測試在與開放晶圓格式(openwaferformat)一起操作時被再次用于確定沉積的效力。這些另外的品質(zhì)控制檢查點應當減小流動池批與批之間的差別(batchtobatchvariation)以產(chǎn)生更一致的產(chǎn)品，并且還幫助縮減在制造期間出現(xiàn)故障時已經(jīng)發(fā)生的工藝偏差。定義除非另有定義，否則本文使用的所有技術術語和科學術語具有與本領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。術語“包括(including)”以及其他形式例如“包括(include)”、“包括(includes)”和“包括(included)”的使用不是限制性的。術語“具有(having)”以及其他形式例如“具有(have)”、“具有(has)”和“具有(had)”的使用不是限制性的。如在本說明書中所使用的，無論是在過渡短語中或在權利要求的主體中，術語“包括(comprise)”和“包括(comprising)”應被解釋為具有開放式含義。即，以上術語應與“具有至少”或“包括至少”同義地解釋。例如，當在工藝的上下文中使用時，術語“包括(comprising)”意指該工藝包括至少所敘述的步驟，但可以包括另外的步驟。當在化合物、組合物或裝置的上下文中使用時，術語“包括(comprising)”意指該化合物、組合物或裝置包括至少所敘述的特征或組分，但還可以包括另外的特征或組分。如本文所使用的，常見的有機縮寫定義如下：ac乙?；鵤c2o乙酸酐apts氨基丙基硅烷aptes(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷aptms(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷aq.含水的atrp原子-轉(zhuǎn)移自由基聚合azapan-(5-疊氮基乙酰氨基戊基)丙烯酰胺bcn雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔bn芐基brapa或brapan-(5-溴代乙酰氨基戊基)丙烯酰胺bz苯甲?；鵥oc或boc叔丁氧羰基bu正丁基cat.催化的cmp化學機械拋光crp受控自由基聚合cvd化學氣相沉積℃以攝氏度計的溫度datp脫氧腺苷三磷酸dctp脫氧胞苷三磷酸dgtp脫氧鳥苷三磷酸dttp脫氧胸苷三磷酸dca二氯乙酸dce1,2-二氯乙烷dcm二氯甲烷diea二異丙基乙胺dipea二異丙基乙胺dma二甲基乙酰胺dme二甲氧基乙烷dmfn,n’-二甲基甲酰胺dmso二甲基亞砜dppa二苯基磷?；B氮化物(diphenylphosphorylazide)et乙基etoac或ea乙酸乙酯g克h或hr小時ipr異丙基kpi在ph7.0下的10mm磷酸鉀緩沖液kps過硫酸鉀ipa異丙醇ipha.hcln-異丙基羥胺鹽酸鹽m或min分鐘meoh甲醇mecn乙腈ml毫升nan3疊氮化鈉nhsn-羥基琥珀酰亞胺nmp氮氧化物介導的自由基聚合(nitroxide-mediatedradicalpolymerisation)pazam具有任何的丙烯酰胺與azapa的比率的聚(n-(5-疊氮基乙酰氨基戊基)丙烯酰胺-共-丙烯酰胺)peg聚乙二醇pg保護基團pgma聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)ph苯基ppt沉淀物raft可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移聚合rt室溫sfa如在美國專利公布第2011/0059865號中定義的不含硅烷的丙烯酰胺磺基-hsab或shsabn-羥基磺基琥珀酰亞胺基-4-疊氮基苯甲酸酯tea三乙胺tert、t叔thf四氫呋喃temed四甲基乙二胺yes收率工程系統(tǒng)(yieldengineeringsystems)μl微升如本文所使用的，術語“陣列”指的是被附接至一個或更多個基底使得不同的探針分子可以根據(jù)相對位置彼此區(qū)分的不同探針分子的群體。陣列可以包括各自位于基底上的不同可尋址位置的不同探針分子?？蛇x擇地或另外地，陣列可以包括各自具有不同的探針分子的單獨的基底，其中不同的探針分子可以根據(jù)基底在基底所附接至的表面上的位置或根據(jù)基底在液體中的位置來確定。其中單獨的基底位于表面上的示例性陣列包括而不限于，如例如在美國專利第6,355,431b1號、us2002/0102578和pct公布第wo00/63437號中描述的包括孔中的珠的陣列?？梢员挥糜诒景l(fā)明以區(qū)分液體陣列中的珠(例如，使用微流體裝置(microfluidicdevice)例如熒光激活細胞分選儀(facs))的示例性格式在例如美國專利第6,524,793號中被描述。可以被用于本發(fā)明的陣列的另外的實例包括而不限于在美國專利第5,429,807號；第5,436,327號；第5,561,071號；第5,583,211號；第5,658,734號；第5,837,858號；第5,874,219號；第5,919,523號；第6,136,269號；第6,287,768號；第6,287,776號；第6,288,220號；第6,297,006號；第6,291,193號；第6,346,413號；第6,416,949號；第6,482,591號；第6,514,751號和第6,610,482號以及wo93/17126；wo95/11995；wo95/35505；ep742287和ep799897中描述的陣列。如本文所使用的，術語“共價地附接”或“共價地結(jié)合”指的是形成特征為在原子之間共享電子對的化學結(jié)合。例如，共價地附接的聚合物涂層指的是相比于經(jīng)由其他手段例如粘合或靜電相互作用附接至表面，與基底的官能化的表面形成化學鍵的聚合物涂層。將理解的是，共價地附接至表面的聚合物還可以經(jīng)由除了共價附接之外的手段結(jié)合。如本文所使用的，其中“a”和“b”是整數(shù)的“ca至cb”或“ca-b”指的是指定基團中的碳原子數(shù)。即，該基團可以包含從“a”個至“b”個(包括端值(inclusive))碳原子。因此，例如，“c1-c4烷基”或“c1-4烷基”基團指的是具有從1個至4個碳的所有烷基基團，即ch3-、ch3ch2-、ch3ch2ch2-、(ch3)2ch-、ch3ch2ch2ch2-、ch3ch2ch(ch3)-以及(ch3)3c-。如本文所使用的，術語“鹵素(halogen)”或“鹵素(halo)”意指元素周期表的第7列的放射穩(wěn)定性原子(radio-stableatom)中的任一個，例如氟、氯、溴或碘，其中氟和氯是優(yōu)選的。如本文所使用的，“烷基”指的是完全飽和(即，不包含雙鍵或三鍵)的直鏈或支鏈的烴鏈。烷基基團可以具有1個至20個碳原子(無論何時其在本文中出現(xiàn)，數(shù)值范圍例如“1至20”指的是在給定范圍內(nèi)的每個整數(shù)；例如，“1個至20個碳原子”意指該烷基基團可以由1個碳原子、2個碳原子、3個碳原子等、多達并且包括20個碳原子組成，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“烷基”)。烷基基團還可以是具有1個至9個碳原子的中等大小的烷基。烷基基團還可以是具有1個至4個碳原子的低級烷基。烷基基團可以被指定為“c1-4烷基”或類似的名稱。僅通過實例的方式，“c1-4烷基”指示，在該烷基鏈中存在一個至四個碳原子，即該烷基鏈選自由以下組成的組：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基以及叔丁基。典型的烷基基團包括但絕不限于甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基及類似基團。烷基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“烷氧基”指的是式-or，其中r是如上文定義的烷基，例如“c1-9烷氧基”，包括但不限于甲氧基、乙氧基、正丙氧基、1-甲基乙氧基(異丙氧基)、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基以及叔丁氧基及類似基團。烷氧基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“烯基”指的是包含一個或更多個雙鍵的直鏈或支鏈的烴鏈。烯基基團可以具有2個至20個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“烯基”。烯基基團還可以是具有2個至9個碳原子的中等大小的烯基。烯基基團還可以是具有2個至4個碳原子的低級烯基。烯基基團可以被指定為“c2-4烯基”或類似的名稱。僅通過實例的方式，“c2-4烯基”指示，在該烯基鏈中存在兩個至四個碳原子，即該烯基鏈選自由以下組成的組：乙烯基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、丁烯-3-基、丁烯-4-基、1-甲基-丙烯-1-基、2-甲基-丙烯-1-基、1-乙基-乙烯-1-基、2-甲基-丙烯-3-基、丁-1,3-二烯基、丁-1,2-二烯基以及丁-1,2-二烯-4-基。典型的烯基基團包括但絕不限于乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基和己烯基及類似基團。烯基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“炔基”指的是包含一個或更多個三鍵的直鏈或支鏈的烴鏈。炔基基團可以具有2個至20個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“炔基”。炔基基團還可以是具有2個至9個碳原子的中等大小的炔基。炔基基團還可以是具有2個至4個碳原子的低級炔基。炔基基團可以被指定為“c2-4炔基”或類似的名稱。僅通過實例的方式，“c2-4炔基”指示，在該炔基鏈中存在兩個至四個碳原子，即該炔基鏈選自由以下組成的組：乙炔基、丙炔-1-基、丙炔-2-基、丁炔-1-基、丁炔-3-基、丁炔-4-基以及2-丁炔基。典型的炔基基團包括但絕不限于乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基和己炔基及類似基團。炔基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“雜烷基”指的是在鏈骨架中包含一個或更多個雜原子(即，不同于碳的元素，包括但不限于氮、氧和硫)的直鏈或支鏈的烴鏈。雜烷基基團可以具有1個至20個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“雜烷基”。雜烷基基團還可以是具有1個至9個碳原子的中等大小的雜烷基。雜烷基基團還可以是具有1個至4個碳原子的低級雜烷基。雜烷基基團可以被指定為“c1-4雜烷基”或類似的名稱。雜烷基基團可以包含一個或更多個雜原子。僅通過實例的方式，“c1-4雜烷基”指示，在該雜烷基鏈中存在一個至四個碳原子并且在該鏈的骨架中另外存在一個或更多個雜原子。如本文所使用的，“亞烷基”意指經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的、僅包含碳和氫的支鏈或直鏈的完全飽和的雙基團化學基團(即，烷二基(alkanediyl))。亞烷基基團可以具有1個至20,000個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“亞烷基”。亞烷基基團還可以是具有1個至9個碳原子的中等大小的亞烷基。亞烷基基團還可以是具有1個至4個碳原子的低級亞烷基。亞烷基基團可以被指定為“c1-4亞烷基”或類似的名稱。僅通過實例的方式，“c1-4亞烷基”指示，在該亞烷基鏈中存在一個至四個碳原子，即該亞烷基鏈選自由以下組成的組：亞甲基、亞乙基、乙-1,1-二基、亞丙基、丙-1,1-二基、丙-2,2-二基、1-甲基-亞乙基、亞丁基、丁-1,1-二基、丁-2,2-二基、2-甲基-丙-1,1-二基、1-甲基-亞丙基、2-甲基-亞丙基、1,1-二甲基-亞乙基、1,2-二甲基-亞乙基以及1-乙基-亞乙基。如本文所使用的，術語“亞雜烷基”指的是其中亞烷基的一個或更多個骨架原子選自不同于碳的原子例如氧、氮、硫、磷或其組合的亞烷基鏈。亞雜烷基鏈可以具有2至20,000的長度。示例性亞雜烷基包括但不限于-och2-、-och(ch3)-、-oc(ch3)2-、-och2ch2-、-ch(ch3)o-、-ch2och2-、-ch2och2ch2-、-sch2-、-sch(ch3)-、-sc(ch3)2-、-sch2ch2-、-ch2sch2ch2-、-nhch2-、-nhch(ch3)-、-nhc(ch3)2-、-nhch2ch2-、-ch2nhch2-、-ch2nhch2ch2-及類似基團。如本文所使用的，“亞烯基”意指經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的、僅包含碳和氫并且包含至少一個碳-碳雙鍵的直鏈或支鏈的雙基團化學基團。亞烯基基團可以具有2個至20,000個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語亞烯基。亞烯基基團還可以是具有2個至9個碳原子的中等大小的亞烯基。亞烯基基團還可以是具有2個至4個碳原子的低級亞烯基。亞烯基基團可以被指定為“c2-4亞烯基”或類似的名稱。僅通過實例的方式，“c2-4亞烯基”指示在該亞烯基鏈中存在兩個至四個碳原子，即該亞烯基鏈選自由以下組成的組：亞乙烯基、乙烯-1,1-二基、亞丙烯基、丙烯-1,1-二基、丙-2-烯-1,1-二基、1-甲基-亞乙烯基、丁-1-烯亞基、丁-2-烯亞基、丁-1,3-二烯亞基、丁烯-1,1-二基、丁-1,3-二烯-1,1-二基、丁-2-烯-1,1-二基、丁-3-烯-1,1-二基、1-甲基-丙-2-烯-1,1-二基、2-甲基-丙-2-烯-1,1-二基、1-乙基-亞乙烯基、1,2-二甲基-亞乙烯基、1-甲基-亞丙烯基、2-甲基-亞丙烯基、3-甲基-亞丙烯基、2-甲基-丙烯-1,1-二基以及2,2-二甲基-乙烯-1,1-二基。如本文所使用的，“亞炔基”意指經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的、僅包含碳和氫并且包含至少一個碳-碳三鍵的直鏈或支鏈的雙基團化學基團。術語“芳香族的”指的是具有共軛π電子體系的環(huán)或環(huán)體系，并且包括碳環(huán)芳香族基團(例如，苯基)和雜環(huán)芳香族基團(例如，吡啶)兩者。該術語包括單環(huán)基團或稠環(huán)多環(huán)(即，共享相鄰原子對的環(huán))基團，條件是整個環(huán)體系是芳香族的。如本文所使用的，“芳基”指的是在環(huán)骨架中僅包含碳的芳香族環(huán)或芳香族環(huán)體系(即，共享兩個相鄰的碳原子的兩個或更多個稠環(huán))。當芳基是環(huán)體系時，在該體系中的每一個環(huán)是芳香族的。芳基基團可以具有6個至18個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“芳基”。在某些實施方案中，芳基基團具有6個至10個碳原子。芳基基團可以被指定為“c6-10芳基”、“c6芳基或c10芳基”或類似的名稱。芳基基團的實例包括但不限于苯基、萘基、薁基以及蒽基。芳基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“亞芳基”指的是經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的僅包含碳和氫的芳香族環(huán)或芳香族環(huán)體系?！胺纪榛被颉胺蓟榛笔亲鳛槿〈?jīng)由亞烷基基團連接的芳基基團，例如“c7-14芳烷基”及類似基團，包括但不限于芐基、2-苯基乙基、3-苯基丙基以及萘基烷基。在某些情況下，亞烷基基團是低級亞烷基基團(即，c1-4亞烷基基團)。如本文所使用的，“雜芳基”指的是在環(huán)骨架中包含一個或更多個雜原子(即，不同于碳的元素，包括但不限于氮、氧以及硫)的芳香族環(huán)或芳香族環(huán)體系(即，共享兩個相鄰原子的兩個或更多個稠環(huán))。當雜芳基是環(huán)體系時，在該體系中的每一個環(huán)是芳香族的。雜芳基基團可以具有5-18個環(huán)成員(即，組成環(huán)骨架的原子數(shù)，包括碳原子和雜原子)，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“雜芳基”。在某些實施方案中，雜芳基基團具有5個至10個環(huán)成員或5個至7個環(huán)成員。雜芳基基團可以被指定為“5-7元雜芳基”、“5-10元雜芳基”或類似的名稱。雜芳基環(huán)的實例包括但不限于呋喃基、噻吩基、酞嗪基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、咪唑基、吡唑基、異噁唑基、異噻唑基、三唑基、噻二唑基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吲哚基、異吲哚基以及苯并噻吩基。雜芳基基團可以是任選地被取代的。如本文所使用的，“亞雜芳基”指的是經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的、在環(huán)骨架中包含一個或更多個雜原子的芳香族環(huán)或芳香族環(huán)體系?！半s芳烷基”或“雜芳基烷基”是作為取代基經(jīng)由亞烷基基團連接的雜芳基基團。實例包括但不限于2-噻吩基甲基、3-噻吩基甲基、呋喃基甲基、噻吩基乙基、吡咯基烷基、吡啶基烷基、異噁唑基烷基以及咪唑基烷基。在某些情況下，亞烷基基團是低級亞烷基基團(即，c1-4亞烷基基團)。如本文所使用的，“碳環(huán)基”意指在環(huán)體系骨架中僅包含碳原子的非芳香族環(huán)或非芳香族環(huán)體系。當碳環(huán)基是環(huán)體系時，兩個或更多個環(huán)可以以稠合的、橋接的或螺連接的方式連接在一起。碳環(huán)基可以具有任何飽和度，條件是在環(huán)體系中的至少一個環(huán)不是芳香族的。因此，碳環(huán)基包括環(huán)烷基、環(huán)烯基以及環(huán)炔基。碳環(huán)基基團可以具有3個至20個碳原子，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“碳環(huán)基”。碳環(huán)基基團還可以是具有3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個或10個碳原子的中等大小的碳環(huán)基。碳環(huán)基基團還可以是具有3個至6個碳原子的碳環(huán)基。碳環(huán)基基團可以被指定為“c3-6碳環(huán)基”或類似的名稱。碳環(huán)基環(huán)的實例包括但不限于環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)己烯基、2,3-二氫-茚、雙環(huán)[2.2.2]辛基、金剛烷基以及螺[4.4]壬基。如本文所使用的，“環(huán)烷基”意指完全飽和的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系。實例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基以及環(huán)己基。如本文所使用的，“亞環(huán)烷基”意指經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的完全飽和的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系。如本文所使用的，“環(huán)烯基”或“環(huán)烯烴”意指具有至少一個雙鍵的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系，其中在環(huán)體系中沒有環(huán)是芳香族的。實例是環(huán)己烯基或環(huán)己烯。另一個實例是降冰片烯或降冰片烯基。如本文所使用的，“雜環(huán)烯基”或“雜環(huán)烯烴”意指具有至少一個雙鍵的、在環(huán)骨架中具有至少一個雜原子的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系，其中在環(huán)體系中沒有環(huán)是芳香族的。在某些實施方案中，雜環(huán)烯基或雜環(huán)烯烴環(huán)或環(huán)體系是3元的、4元的、5元的、6元的、7元的、8元的、9元的或10元的。如本文所使用的，“環(huán)炔基”或“環(huán)炔烴”意指具有至少一個三鍵的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系，其中在環(huán)體系中沒有環(huán)是芳香族的。實例是環(huán)辛炔。另一個實例是雙環(huán)壬炔。如本文所使用的，“雜環(huán)炔基”或“雜環(huán)炔烴”意指具有至少一個三鍵的、在環(huán)骨架中具有至少一個雜原子的碳環(huán)基環(huán)或碳環(huán)基環(huán)體系，其中在環(huán)體系中沒有環(huán)是芳香族的。在某些實施方案中，雜環(huán)炔基或雜環(huán)炔烴環(huán)或環(huán)體系是3元的、4元的、5元的、6元的、7元的、8元的、9元的或10元的。如本文所使用的，“雜環(huán)基”意指在環(huán)骨架中包含至少一個雜原子的非芳香族環(huán)或非芳香族環(huán)體系。雜環(huán)基可以以稠合的、橋接的或螺連接的方式連接在一起。雜環(huán)基可以具有任何飽和度，條件是在環(huán)體系中的至少一個環(huán)不是芳香族的。雜原子可以存在于環(huán)體系中的非芳香族環(huán)或芳香族環(huán)中。雜環(huán)基基團可以具有3個至20個環(huán)成員(即，組成環(huán)骨架的原子數(shù)，包括碳原子和雜原子)，盡管本定義還覆蓋在沒有指定數(shù)值范圍的情況下出現(xiàn)的術語“雜環(huán)基”。雜環(huán)基基團還可以是具有3個至10個環(huán)成員的中等大小的雜環(huán)基。雜環(huán)基基團還可以是具有3個至6個環(huán)成員的雜環(huán)基。雜環(huán)基基團可以被指定為“3-6元雜環(huán)基”或類似的名稱。在優(yōu)選的六元單環(huán)雜環(huán)基中，雜原子選自o、n或s中的一個至多達三個，并且在優(yōu)選的五元單環(huán)雜環(huán)基中，雜原子選自一個或兩個選自o、n或s的雜原子。雜環(huán)基環(huán)的實例包括但不限于吖庚因基、吖啶基、咔唑基、噌啉基、二氧戊環(huán)基、咪唑啉基、咪唑烷基、嗎啉基、環(huán)氧乙烷基、氧雜環(huán)庚烷基(oxepanyl)、硫雜環(huán)庚烷基(thiepanyl)、哌啶基、哌嗪基、二氧代哌嗪基、吡咯烷基、吡咯烷酮基(pyrrolidonyl)、吡咯烷二酮基(pyrrolidionyl)、4-哌啶酮基、吡唑啉基、吡唑烷基、1,3-二噁英基、1,3-二噁烷基、1,4-二噁英基、1,4-二噁烷基、1,3-氧硫雜環(huán)己烷基、1,4-氧硫雜環(huán)己二烯基、1,4-氧硫雜環(huán)己烷基、2h-1,2-噁嗪基、三噁烷基、六氫-1,3,5-三嗪基、1,3-間二氧雜環(huán)戊烯基、1,3-二氧戊環(huán)基、1,3-二硫雜環(huán)戊二烯基、1,3-二硫戊環(huán)基、異噁唑啉基、異噁唑烷基、噁唑啉基、噁唑烷基、噁唑烷酮基、噻唑啉基、噻唑烷基、1,3-氧硫雜環(huán)戊烷基、吲哚啉基、異吲哚啉基、四氫呋喃基、四氫吡喃基、四氫噻吩基、四氫噻喃基、四氫-1,4-噻嗪基、硫代嗎啉基(thiamorpholinyl)、二氫苯并呋喃基、苯并咪唑烷基以及四氫喹啉。如本文所使用的，“亞雜環(huán)基”意指經(jīng)由兩個附接點附接至分子的剩余部分的包含至少一個雜原子的非芳香族環(huán)或非芳香族環(huán)體系。如本文所使用的，“酰基”指的是-c(＝o)r，其中r是氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基、以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。非限制性實例包括甲酰基、乙?；⒈；⒈郊柞；约氨；??！皁-羧基(o-carboxy)”基團指的是“-oc(＝o)r”基團，其中r選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。“c-羧基(c-carboxy)”基團指的是“-c(＝o)or”基團，其中r選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。非限制性實例包括羧基(carboxyl)(即，-c(＝o)oh)?！翱s醛”基團指的是rc(h)(or’)2，其中r和r’獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。“氰基”基團指的是“-cn”基團?！皝喕酋；被鶊F指的是“-s(＝o)r”基團，其中r選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！盎酋；被鶊F指的是“-so2r”基團，其中r選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！皊-磺酰氨基”基團指的是“-so2nrarb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。“n-磺酰氨基”基團指的是“-n(ra)so2rb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！皁-氨基甲酰基”基團指的是“-oc(＝o)nrarb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！皀-氨基甲酰基”基團指的是“-n(ra)oc(＝o)rb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！癱-酰氨基”基團指的是“-c(＝o)nrarb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。“n-酰氨基”基團指的是“-n(ra)c(＝o)rb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的?！鞍被被鶊F指的是“-nrarb”基團，其中ra和rb各自獨立地選自氫、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-7碳環(huán)基、c6-10芳基、5-10元雜芳基以及5-10元雜環(huán)基，如本文定義的。非限制性實例包括游離的氨基(即，-nh2)。如本文所使用的，術語“肼”或“肼基”指的是–nhnh2基團。如本文所使用的，術語“腙”或“腙基”指的是基團。如本文所使用的，術語“甲?；敝傅氖迁Cc(o)h基團。如本文所使用的，術語“羥基”指的是-oh基團。如本文所使用的，術語“疊氮基”指的是–n3基團。如本文所使用的，術語“硫醇基”指的是-sh基團。如本文所使用的，術語“縮水甘油醚”指的是如本文所使用的，術語“環(huán)氧基”指的是如本文所使用的，術語“酯”指的是r-c(＝o)o-r’，其中r和r’可以獨立地是烷基、烯基、炔基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、環(huán)炔基、芳基、雜芳基、雜脂環(huán)基、芳烷基、(雜脂環(huán)基)烷基、或其任選地被取代的變體。如本文所使用的，術語“羧酸”或“羧基”指的是-c(o)oh。如本文所使用的，術語“四嗪”或“四嗪基”指的是包含四個氮原子的六元雜芳基基團。四嗪可以是任選地被取代的。如本文所使用的，被取代的基團衍生自未被取代的母體基團(parentgroup)，其中已經(jīng)存在將一個或更多個氫原子交換為另外的原子或基團。除非另有指示，否則當基團被認為是“被取代的”時，意指該基團被獨立地選自以下的一個或更多個取代基取代：c1-c6烷基、c1-c6烯基、c1-c6炔基、c1-c6雜烷基、c3-c7碳環(huán)基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、c3-c7-碳環(huán)基-c1-c6烷基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、5-10元雜環(huán)基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、5-10元雜環(huán)基-c1-c6烷基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、芳基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、芳基(c1-c6)烷基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、5-10元雜芳基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、5-10元雜芳基(c1-c6)烷基(任選地被鹵素、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、c1-c6鹵代烷基以及c1-c6鹵代烷氧基取代)、鹵素、氰基、羥基、c1-c6烷氧基、c1-c6烷氧基(c1-c6)烷基(即，醚)、芳氧基、硫氫基(巰基)、鹵代(c1-c6)烷基(例如，-cf3)、鹵代(c1-c6)烷氧基(例如，–ocf3)、c1-c6烷基硫代(c1-c6alkylthio)、芳基硫代(arylthio)、氨基、氨基(c1-c6)烷基、硝基、o-氨基甲?；?、n-氨基甲?；?、o-硫代氨基甲?；-硫代氨基甲?；-酰氨基、n-酰氨基、s-磺酰氨基、n-磺酰氨基、c-羧基、o-羧基、?；?、氰?；惽桴；?、硫代氰酰基、異硫代氰酰基、亞磺?；⒒酋；约把醮?＝o)。在基團被描述為“任選地被取代的”任何情況下，該基團可以被以上取代基取代。應當理解的是，取決于上下文，某些基團命名約定(namingconventions)可以包括單基團或雙基團。例如，在取代基需要兩個附接至分子的剩余部分的點時，應理解的是，該取代基是雙基團。例如，需要兩個附接點的被確定為烷基的取代基包括雙基團，例如–ch2–、–ch2ch2–、–ch2ch(ch3)ch2–及類似基團。其他基團命名約定清楚地指示，該基團是雙基團，例如“亞烷基”或“亞烯基”。在取代基被描繪為雙基團(即，具有兩個附接至分子的剩余部分的點)的任何情況下，應理解的是，除非另有指示，否則該取代基可以以任何方向構型附接。因此，例如，描繪為-ae-或的取代基包括取代基被定向，使得a被附接在分子的最左附接點處，以及其中a被附接在分子的最右附接點處的情況。在本文公開的化合物具有至少一個立構中心的情況下，所述化合物可以作為單獨的對映異構體和非對映異構體或此類異構體的混合物(包括外消旋體)存在。單獨的異構體的分離或單獨的異構體的選擇性合成通過應用本領域?qū)嵺`者所熟知的各種方法來完成。除非另有指示，否則所有此類異構體及其混合物被包括在本文公開的化合物的范圍內(nèi)。此外，本文公開的化合物可以以一種或更多種結(jié)晶形式或無定形形式存在。除非另有指示，否則所有這樣的形式被包括在本文公開的化合物的范圍內(nèi)，包括任何多晶形形式。此外，本文公開的化合物中的某些可以與水形成溶劑化物(即，水合物)或與常見有機溶劑形成溶劑化物。除非另有指示，否則此類溶劑化物被包括在本文公開的化合物的范圍內(nèi)。如本文所使用的，“核苷酸”包括含氮雜環(huán)堿基、糖以及一個或更多個磷酸酯基團。它們可以是核酸序列的單體單元(無論是前體或是連接的單體)。在rna中，糖是核糖，并且在dna中糖是脫氧核糖，即缺少存在于核糖中的2’位處的羥基基團的糖。含氮雜環(huán)堿基可以是嘌呤堿基或嘧啶堿基。嘌呤堿基包括腺嘌呤(a)和鳥嘌呤(g)及其修飾的衍生物或類似物。嘧啶堿基包括胞嘧啶(c)、胸腺嘧啶(t)和尿嘧啶(u)及其修飾的衍生物或類似物。脫氧核糖的c-1原子結(jié)合至嘧啶的n-1或嘌呤的n-9。如本文所使用的，“核苷”在結(jié)構上類似于核苷酸，但在5’位缺少任何磷酸酯部分。術語“核苷”在本文中以如本領域技術人員所理解的其普通意義使用。實例包括但不限于包含核糖部分的核糖核苷和包含脫氧核糖部分的脫氧核糖核苷。修飾的戊糖部分是其中氧原子已經(jīng)被碳替換和/或碳已經(jīng)被硫原子或氧原子替換的戊糖部分?！昂塑铡笔强梢跃哂斜蝗〈膲A基和/或糖部分的單體。另外，核苷可以被并入到較大的dna和/或rna聚合物和寡聚物中。如本文所使用的，術語“多核苷酸”指的是通常包括dna(例如，基因組dnacdna)、rna(例如，mrna)、合成寡核苷酸以及合成核酸類似物的核酸。多核苷酸可以包括天然的或非天然的堿基或其組合以及天然的或非天然的骨架鍵合，例如硫代磷酸酯(phosphorothioate)、pna或2’-o-甲基-rna、或其組合。如本文所使用的，術語“引物”被定義為具有單鏈的核酸，所述單鏈具有游離3’oh基團。引物還可以在5’末端具有修飾以允許偶聯(lián)反應或以使引物偶聯(lián)至另一部分。引物長度可以是任何數(shù)目的堿基長的并且可以包括多種非天然的核苷酸。如本文所使用的，“bcn引物”或“bcn修飾的引物”指的是在5’末端包含共價地附接的雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔的引物。如本文所使用的，術語“硅烷”指的是包含一個或更多個硅原子的有機或無機的化合物。無機硅烷化合物的非限制性實例是sih4或鹵化的sih4，其中氫被一個或更多個鹵素原子替換。有機硅烷化合物的非限制性實例是x-rc-si(ord)3，其中x是不可水解的有機基團，例如氨基、乙烯基、環(huán)氧基、甲基丙烯酸酯、硫、烷基、烯基、炔基；rc是間隔基，例如-(ch2)n-，其中n是0至1000；rd選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的烯基、任選地被取代的炔基、任選地被取代的碳環(huán)基、任選地被取代的芳基、任選地被取代的5-10元雜芳基以及任選地被取代的5-10元雜環(huán)基，如本文所定義的。如本文所使用的，術語“硅烷”可以包括不同硅烷化合物的混合物。如本文所使用的，術語“聚合物”指的是包括許多重復的亞單元(repeatedsubunit)或重復單元(recurringunit)的分子。聚合物結(jié)構的非限制性實例包括線型聚合物、支化聚合物或超支化聚合物(hyper-branchedpolymer)。線型聚合物的非限制性實例包括嵌段共聚物或無規(guī)共聚物。支化聚合物的非限制性實例包括星形聚合物、包含疏水節(jié)段和親水節(jié)段兩者的星形聚合物或星形嵌段聚合物、包含疏水節(jié)段和親水節(jié)段兩者的h形聚合物、啞鈴形聚合物(dumbbellshapedpolymer)、梳形聚合物、刷形聚合物(brushpolymer)、樹枝狀聚合物(dendronizedpolymer)、梯形物(ladder)以及樹狀聚合物。本文所描述的聚合物還可以呈聚合物納米顆粒的形式。聚合物構造的其他實例包括但不限于環(huán)形嵌段聚合物(ringblockpolymer)、卷繞型聚合物(coil-cycle-coilpolymer)等。如本文所使用的，前綴“光”或“光-”意指涉及光或電磁輻射。該術語可以涵蓋電磁波譜的全部或部分，包括但不限于以下范圍的一種或更多種：波譜的俗稱無線電的部分(radiopart)、微波部分、紅外部分、可見部分、紫外部分、x射線部分或γ射線部分。波譜的該部分可以是被表面的金屬區(qū)域(例如本文陳述的那些金屬)阻擋的部分?？蛇x擇地或另外地，波譜的該部分可以是穿過表面的間隙區(qū)域(例如，由玻璃、塑料、二氧化硅或本文陳述的其他材料制成的區(qū)域)的部分。在特定的實施方案中，可以使用能夠穿過金屬的輻射?？蛇x擇地或另外地，可以使用被玻璃、塑料、二氧化硅或本文陳述的其他材料掩蔽的輻射。如本文所使用的，術語“yes法”指的是由illumina,inc.開發(fā)的采用化學氣相沉積工藝的收率工程系統(tǒng)(“yes”)提供的化學氣相沉積工具。yes法包括三種不同的氣相沉積系統(tǒng)。自動化yes-vertacoat硅烷氣相系統(tǒng)被設計用于批量生產(chǎn)(volumeproduction)，具有可以容納200mm或300mm晶圓的柔性晶圓操作模塊(flexiblewaferhandlingmodule)。手動加載yes-1224p硅烷氣相系統(tǒng)被設計用于多樣化批量生產(chǎn)，具有其可配置的大容量室。yes-labkote是對于可行性研究和r&d理想的低成本的桌面版本(tabletopversion)。如本文所使用的，術語“表面剩余百分比(percentsurfaceremaining)”可以指的是使用tetqc以使p5/p7表面引物染色來測量的強度。p5引物和p7引物被使用在由illuminainc.銷售的商業(yè)流動池的表面上，以用于在平臺、平臺、平臺以及平臺上測序。引物序列在通過引用并入本文的美國專利公布第2011/0059865a1號中被描述。p5引物和p7引物的序列包括以下：雙端設定(pairedendset)：p5：雙端5’→3’aatgatacggcgaccaccgagauctacacp7：雙端5’→3’caagcagaagacggcatacgag*at單讀段設定(singleredset)：p5：單讀段：5’→3’aatgatacggcgaccaccgap7：單段5’→3’caagcagaagacggcatacga在某些實施方案中，p5引物和p7引物可以在5’端包含連接基或間隔基。可以包括此類連接基或間隔基以便允許裂解或以賦予某些其他合意的性質(zhì)，例如以能夠共價附接至聚合物或固體載體或充當間隔基，以將裂解部位定位在距固體載體最佳的距離處。在某些情況下，10個間隔基核苷酸可以被定位在p5引物或p7引物附接至聚合物或固體載體的點之間。在某些實施方案中，使用多聚t間隔基，盡管還可以使用其他核苷酸和其組合。在一個實施方案中，間隔基是10t間隔基。tet是具有與p5/p7引物互補的序列的染料標記的寡核苷酸。tet可以與表面上的p5/p7引物雜交；過量的tet可以被洗去，并且所附接的染料濃度可以使用掃描儀器例如typhoon掃描儀(generalelectric)通過熒光檢測來測量。聚合物和dna-共聚物具有式(i)和式(ii)的重復單元的聚合物和核酸-共聚物本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化的聚合物，所述聚合物包含如上文描述的式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元。其中每個r1a、r2a、r1b和r2b獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；每個r3a和r3b獨立地選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；并且每個l1和l2獨立地選自任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，r1a是氫。在某些實施方案中，r2a是氫。在某些實施方案中，r3a是氫。在某些實施方案中，r1a選自氫或任選地被取代的烷基、優(yōu)選地c1-6烷基，并且r2a和r3a中的每個是氫。在某些實施方案中，r1a、r2a和r3a中的每個是氫。在某些實施方案中，r1b是氫。在某些實施方案中，r2b是氫。在某些實施方案中，r3b是氫。在某些實施方案中，r1b選自氫或任選地被取代的烷基、優(yōu)選地c1-6烷基，并且r2b和r3b中的每個是氫。在某些實施方案中，r1b、r2b和r3b中的每個是氫。在某些實施方案中，l1是任選地被取代的亞烷基。在某些此類實施方案中，l1是任選地被取代的亞甲基。在某些其他實施方案中，l1是任選地被取代的亞乙基。在某些另外的實施方案中，l1是任選地被取代的亞丙基。在某些實施方案中，l1是任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些此類實施方案中，l1是任選地被一個或更多個氧代基團取代的-(ch2)m-nh-(ch2)n-，并且其中每個m和n是獨立地選自1至10的整數(shù)。在某些實施方案中，l2是任選地被取代的亞烷基。在某些此類實施方案中，l2是任選地被取代的亞甲基。在某些其他實施方案中，l2是任選地被取代的亞乙基。在某些另外的實施方案中，l2是任選地被取代的亞丙基。在某些實施方案中，式(i)的重復單元還由式(ia)或式(ib)來表示，并且式(ii)還由式(iia)來表示：其中每個r1a和r1b選自氫或甲基。在某些實施方案中，聚合物包含式(ia)和式(iia)的重復單元。在某些其他實施方案中，聚合物包含式(ib)和式(iia)的重復單元。在式(ii)或式(iia)的重復單元的某些實施方案中，氨基官能團呈無機鹽的形式，例如鹽酸鹽。在某些實施方案中，式(i)和式(ii)的重復單元的摩爾比是約1:1。在某些此類實施方案中，式(ia)和式(iia)的重復單元的摩爾比是約1:1。在某些此類實施方案中，式(ib)和式(iia)的重復單元的摩爾比是約1:1。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元：其中每個r4a、r4b和r5b選自氫或c1-3烷基；并且每個r5a、r6a、r6b和r7b獨立地選自氫、任選地被取代的c1-6烷基或任選地被取代的苯基。在某些實施方案中，每個r4a、r4b和r5b選自氫或甲基。在某些實施方案中，r6b和r7b兩者均是氫。在某些實施方案中，r5a或r6a中的至少一個是氫。在某些此類實施方案中，r5a和r6a兩者均是氫。在某些其他實施方案中，r5a或r6a中的至少一個是甲基。在某些此類實施方案中，r5a和r6a兩者均是甲基。在某些此類實施方案中，式(iiia)的重復單元還由(iiia1)、(iiia2)或(iiia3)來表示：在某些此類實施方案中，式(iiib)的重復單元還由(iiib1)來表示：在某些特定的實施方案中，聚合物包含式(ib)、式(iia)和式(iiia)的重復單元。在某些另外的實施方案中，聚合物包含式(ib)、式(iia)、式(iiia)和式(iiib)的重復單元。在某些此類實施方案中，式(iiia)的摩爾百分比是從約85％至約90％。在某些此類實施方案中，式(ib)和式(iia)的摩爾百分比各自是約5％。在一個實施方案中，聚合物以約90％比約5％比約5％的摩爾百分比包含式(iiia1)、式(ib)和式(iia)的重復單元。在另一個實施方案中，聚合物以約85％比約5％比約10％的摩爾百分比包含式(iiia1)、式(ib)和式(iia)的重復單元。在又另一個實施方案中，聚合物以約90％比約5％比約5％的摩爾百分比包含式(iiia2)、式(ib)和式(iia)的重復單元。在某些另外的實施方案中，聚合物還可以包含約0.5mol％至約2mol％的式(iiib1)的重復單元。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些其他此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物反應來制備接枝聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自炔烴、環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括炔烴或選自炔烴。在某些其他實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括或選自降冰片烯、環(huán)辛炔、或雙環(huán)壬炔、或其任選地被取代的變體或其組合。在一個實施方案中，雙環(huán)壬炔是雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔。在某些此類實施方案中，通過使聚合物的疊氮基基團與官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個官能部分例如雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔反應來制備接枝聚合物。具有式(iv)的重復單元的聚合物和核酸-共聚物本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化的聚合物，所述聚合物包含如上文描述的式(iv)的重復單元：其中每個r1c和r2c獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；r3c選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；ar選自任選地被取代的c6-10芳基或任選地被取代的5元或6元雜芳基；ra是任選地被取代的四嗪；并且l3選自單鍵、任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，r1c是氫。在某些實施方案中，r2c是氫。在某些實施方案中，r3c是氫。在某些實施方案中，r1c選自氫或任選地被取代的烷基、優(yōu)選地c1-6烷基，并且每個r2c和r3c是氫。在某些實施方案中，每個r1c、r2c和r3c是氫。在某些實施方案中，ar是任選地被取代的苯基。在某些實施方案中，l3是單鍵。在某些實施方案中，式(iv)的重復單元還由式(iva)來表示：其中r1c選自氫或甲基。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(iv)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如上文描述的各種不同聚合物骨架的一個或更多個重復單元，例如式(iiia)或式(iiib)或兩者的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，并且其中*指示聚合物與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些其他此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物反應來制備接枝聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自炔烴、環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，一個或更多個官能部分可以包括或選自降冰片烯、環(huán)辛炔、或雙環(huán)壬炔、或其任選地被取代的變體或其組合。在一個實施方案中，雙環(huán)壬炔是雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔。在某些此類實施方案中，通過使聚合物的四嗪基團與官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個官能部分例如雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔反應來制備接枝聚合物。具有式(v)的重復單元的聚合物和核酸-共聚物本文描述的某些實施方案涉及用于表面官能化的聚合物，所述聚合物包含如上文描述的式(v)的重復單元：其中每個r1d和r2d各自獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基；每個r3d選自氫、任選地被取代的烷基、任選地被取代的苯基或任選地被取代的c7-14芳烷基；rb選自疊氮基、任選地被取代的氨基、boc-保護的氨基、羥基、硫醇基、炔基、烯基、鹵素、環(huán)氧基、四嗪或醛；每個l4和l5獨立地選自任選地被取代的亞烷基連接基或任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些實施方案中，r1d是烷基基團、優(yōu)選地c1-6烷基。在某些此類實施方案中，r1d是甲基。在某些其他實施方案中，r1d是氫。在某些實施方案中，r2d是氫。在某些實施方案中，r3d是氫。在某些實施方案中，每個r2d和r3d是氫。在某些實施方案中，rb選自疊氮基、氨基或boc-保護的氨基、或其組合。在某些實施方案中，l4是任選地被取代的亞烷基連接基。在某些此類實施方案中，l4是亞甲基連接基。在某些實施方案中，l5是任選地被取代的亞雜烷基連接基。在某些此類實施方案中，l5是并且其中n是1至50的整數(shù)。在某些實施方案中，式(v)的重復單元還由式(va)或式(vb)來表示：其中每個r1d獨立地選自氫或甲基。在某些此類實施方案中，n是1至20的整數(shù)。在某些此類實施方案中，n是1至10的整數(shù)。在某些此類實施方案中，n是1至5的整數(shù)。在一個實施方案中，n是3。在某些實施方案中，聚合物包含式(va)和式(vb)兩者。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。其中每個r1e、r2e、r1f和r2f獨立地選自氫、任選地被取代的烷基或任選地被取代的苯基。在某些此類實施方案中，r1e是烷基，優(yōu)選地c1-6烷基，例如甲基。在某些其他實施方案中，r1e是氫。在某些實施方案中，r2e是氫。在某些此類實施方案中，r1f是烷基，優(yōu)選地c1-6烷基，例如甲基。在某些其他實施方案中，r1f是氫。在某些實施方案中，r2f是氫。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。本文描述的某些實施方案涉及接枝聚合物，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(v)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物反應來制備接枝聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自任選地被取代的氨基、羥基、硫醇基、羧基、酸酐或其組合。在一個實施方案中，官能化的寡核苷酸包括一個或更多個任選地被取代的氨基基團。在某些此類實施方案中，氨基基團是未被取代的。在某些此類實施方案中，通過使聚合物的縮水甘油醚或環(huán)氧基基團與官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個氨基基團反應來制備接枝聚合物。在某些此類實施方案中，聚合物的環(huán)氧基基團衍生自式(via)的重復單元。基底本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有共價地結(jié)合至其的式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，聚合物和基底之間的共價鍵通過胺環(huán)氧基開環(huán)反應(amineepoxyringopeningreaction)形成。在某些實施方案中，聚合物和基底的第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中被取代的氨基衍生自式(ii)的重復單元，并且*指示聚合物與基底的第一表面的連接點。在某些此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使聚合物與共價地附接至第一表面的第一多個官能團反應來制備基底，其中第一多個官能團包括或選自乙烯基、丙烯?；?、烯基、環(huán)烯基、雜環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、雜環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、卡賓、異氰酸酯或馬來酰亞胺、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第一多個官能團包括或選自環(huán)氧基基團。在一個實施方案中，所述環(huán)氧基基團具有結(jié)構在某些實施方案中，通過使聚合物的氨基基團與第一表面的環(huán)氧基基團反應來制備基底。在某些實施方案中，表面用官能化的硅烷來預處理，所述官能化的硅烷包含上文描述的所述第一多個官能團，并且聚合物通過與官能化的硅烷的第一多個官能團反應共價地結(jié)合至第一表面。在某些實施方案中，基底還包含共價地結(jié)合至聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，寡核苷酸與聚合物之間的共價鍵通過疊氮化物點擊環(huán)加成反應(azideclickcycloadditionreaction)形成。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物的疊氮基基團反應來共價地結(jié)合至聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自炔烴、環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括炔烴。在某些其他實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括或選自降冰片烯、環(huán)辛炔、或雙環(huán)壬炔、或其任選地被取代的變體或其組合。在一個實施方案中，雙環(huán)壬炔是雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使聚合物的疊氮基基團與官能化的寡核苷酸的一個或更多個炔烴部分反應來共價地結(jié)合至聚合物。在某些其他實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使聚合物的疊氮基基團與官能化的寡核苷酸的一個或更多個雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔部分反應來共價地結(jié)合至聚合物。本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有共價地結(jié)合至其的式(iv)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在某些實施方案中，聚合物和基底之間的共價鍵通過四嗪狄爾斯-阿爾德反應(tetrazinediels-alderreaction)形成，這導致氮氣的消除。在某些實施方案中，其中聚合物和基底的第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與第一表面的連接點。在某些此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些其他此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使聚合物與共價地附接至第一表面的第一多個官能團反應來制備基底，其中第一多個官能團包括或選自乙烯基、丙烯?；?、烯基、環(huán)烯基、雜環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、雜環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、卡賓、異氰酸酯或馬來酰亞胺、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第一多個官能團包括或選自任選地被取代的環(huán)烯基基團。在一個實施方案中，所述環(huán)烯基是降冰片烯。在某些實施方案中，通過使聚合物的四嗪基團與第一表面的降冰片烯基團反應來制備基底。在某些實施方案中，表面用官能化的硅烷來預處理，所述官能化的硅烷包含上文描述的所述第一多個官能團，并且聚合物通過與官能化的硅烷的第一多個官能團反應來共價地結(jié)合至第一表面。在某些實施方案中，基底還包含共價地結(jié)合至聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合通過四嗪狄爾斯-阿爾德反應形成，這導致氮氣的消除。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，并且其中*指示聚合物與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物的四嗪基團反應來共價地結(jié)合至聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自炔烴、環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括或選自降冰片烯、環(huán)辛炔、或雙環(huán)壬炔、或其任選地被取代的變體或其組合。在一個實施方案中，雙環(huán)壬炔是雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使聚合物的四嗪基團與官能化的寡核苷酸的一個或更多個雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔部分反應來共價地結(jié)合至聚合物。本文描述的某些實施方案涉及具有第一表面的基底，所述第一表面包含如本文描述的具有共價地結(jié)合至其的式(v)的重復單元的聚合物。在某些實施方案中，聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些實施方案中，聚合物還可以包含式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。在某些實施方案中，聚合物和基底之間的共價鍵通過胺環(huán)氧基開環(huán)反應形成。在某些其他實施方案中，聚合物和基底之間的共價鍵通過疊氮化物點擊環(huán)加成反應形成。在某些實施方案中，聚合物和基底的第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與第一表面的連接點。在某些此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些其他實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與第一表面的連接點。在某些此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些其他此類實施方案中，聚合物和第一表面之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些實施方案中，通過使聚合物與共價地附接至第一表面的第一多個官能團反應來制備基底，其中第一多個官能團包括或選自乙烯基、丙烯?；?、烯基、環(huán)烯基、雜環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、雜環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、卡賓、異氰酸酯或馬來酰亞胺、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第一多個官能團包括或選自任選地被取代的環(huán)烯基基團。在一個實施方案中，所述環(huán)烯基是降冰片烯。在某些實施方案中，通過使聚合物的疊氮基基團與第一表面的降冰片烯基團反應來制備基底。在某些其他實施方案中，第一多個官能團包括或選自縮水甘油醚基團或環(huán)氧基基團。在某些實施方案中，通過將聚合物的boc-保護的氨基脫保護并且然后使聚合物的氨基基團與第一表面的縮水甘油醚基團或環(huán)氧基基團反應來制備基底。在某些實施方案中，表面用官能化的硅烷來預處理，所述官能化的硅烷包含上文描述的所述第一多個官能團，并且聚合物通過與官能化的硅烷的第一多個官能團反應來共價地結(jié)合至第一表面。在某些實施方案中，基底還包含共價地結(jié)合至聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合通過胺環(huán)氧基開環(huán)反應形成。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分或其組合，其中*指示聚合物與官能化的寡核苷酸的連接點。在某些實施方案中，官能化的寡核苷酸和聚合物之間的共價結(jié)合包括結(jié)構部分在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分與聚合物的環(huán)氧基基團反應來共價地結(jié)合至聚合物，所述一個或更多個官能部分包括或選自任選地被取代的氨基、羥基、硫醇基、羧基、酸酐、或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括或選自任選地被取代的氨基基團。在某些此類實施方案中，官能化的寡核苷酸通過使聚合物的環(huán)氧基基團與官能化的寡核苷酸的氨基基團反應來共價地結(jié)合至聚合物。在本文描述的實施方案中，基底材料可以包括玻璃、二氧化硅、塑料、石英、金屬、金屬氧化物或其組合。在某些實施方案中，基底包括玻璃。在某些實施方案中，基底的第一表面包括聚合物涂覆的區(qū)域和惰性區(qū)域兩者?；妆砻嬷苽浔疚拿枋龅哪承嵤┓桨干婕坝糜谕ㄟ^以下將接枝聚合物固定至基底的第一表面的工藝或方法：提供具有第一表面的基底，第一表面具有共價地附接至其的第一多個官能團；提供接枝聚合物，接枝聚合物具有共價地結(jié)合至聚合物的官能化的寡核苷酸，其中聚合物包含第二多個官能團；以及使第一表面的第一多個官能團與聚合物的第二多個官能團反應，使得聚合物被共價地結(jié)合至基底的第一表面。在本文描述的方法的某些實施方案中，基底的第一表面用官能化的硅烷預處理，其中所述官能化的硅烷包含第一多個官能團。在某些實施方案中，官能化的硅烷通過化學氣相沉積(cvd)法沉積到表面上。在某些此類實施方案中，官能化的硅烷可以通過cvd法使用收率工程系統(tǒng)(yes)烘箱應用到第一表面上。在本文描述的方法的某些實施方案中，接枝聚合物通過使聚合物的第三多個官能團與官能化的寡核苷酸的一個或更多個官能部分反應來形成。在某些其他實施方案中，接枝聚合物通過以下來形成：使官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個官能部分與單體反應，所述單體包含第三多個官能團；使反應的單體聚合以形成聚合物，使得官能化的寡核苷酸被共價地結(jié)合至聚合物。在本文描述的方法的某些實施方案中，聚合物的第二多個官能團與聚合物的第三多個官能團相同。例如，聚合物的第二多個官能團和第三多個官能團兩者均可以是四嗪。在某些其他實施方案中，在聚合物的第二多個官能團中的官能團不同于在聚合物的第三多個官能團中的官能團。在本文描述的方法中使用的聚合物骨架可以是線型的、支化的、超支化的或樹枝狀的。最終的聚合物結(jié)構可以呈不同的構造，包括例如無規(guī)共聚物構造、嵌段共聚物構造、梳形聚合物構造或星形聚合物構造。不同類別的聚合物骨架可以用于本文描述的方法，包括但不限于聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、多糖類等等。在某些實施方案中，聚合物包含聚丙烯酰胺骨架。在某些其他實施方案中，聚合物包含聚丙烯酸酯骨架。在還某些其他實施方案中，聚合物包含聚氨酯骨架。在還某些其他實施方案中，聚合物包含聚磷腈骨架。在還某些其他實施方案中，聚合物包含樹狀聚合物骨架。在本文描述的方法的某些實施方案中，第一表面的第一多個官能團包括或選自乙烯基、丙烯?；?、烯基、環(huán)烯基、雜環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、雜環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、卡賓、異氰酸酯或馬來酰亞胺、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第一多個官能團包括或選自環(huán)烯基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些另外的實施方案中，第一多個官能團包括或選自降冰片烯。在某些其他實施方案中，第一多個官能團包括環(huán)氧基。在還某些其他實施方案中，第一多個官能團包括縮水甘油醚。在本文描述的方法的某些實施方案中，聚合物的官能團可以包括或選自氨基、四嗪基、疊氮基、羧基、羥基、硫醇基、醛、鹵素、烯基、炔基、環(huán)氧基、縮水甘油醚等等。在本文描述的方法的某些實施方案中，聚合物的第二多個官能團包括或選自氨基、四嗪基、疊氮基、羧基、羥基、硫醇基、醛、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第二多個官能團包括或選自氨基或被保護的氨基，例如boc-保護的氨基。在某些其他實施方案中，第二多個官能團包括任選地被取代的四嗪基。在還某些其他實施方案中，第二多個官能團包括疊氮基。在本文描述的方法的某些實施方案中，聚合物的第三多個官能團包括或選自疊氮基、四嗪基、縮水甘油基、環(huán)氧基、炔基、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，第三多個官能團包括疊氮基。在某些其他實施方案中，第三多個官能團包括任選地被取代的四嗪基。在還某些其他實施方案中，第三多個官能團包括炔基。在還某些其他實施方案中，第三多個官能團包括任選地被取代的縮水甘油醚。在本文描述的方法的某些實施方案中，官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個官能部分包括或選自氨基、疊氮基、羧基、酸酐、四嗪、環(huán)氧基、縮水甘油醚、乙烯基、丙烯?；?、烯基、環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、或馬來酰亞胺或其任選地被取代的變體或其組合。在某些另外的實施方案中，官能化的寡核苷酸的所述一個或更多個官能部分包括或選自炔基、環(huán)烯基、環(huán)炔基、氨基、疊氮基、羥基、硫醇基、羧基、酸酐、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括環(huán)炔基，例如雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔(bcn)。在某些其他實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括炔基。在還某些其他實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括疊氮基。在還某些其他實施方案中，所述一個或更多個官能部分包括任選地被取代的氨基。在本文描述的方法的某些實施方案中，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(i)的重復單元和式(ii)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些此類實施方案中，第一表面的第一多個官能團包括環(huán)氧基基團。在一個實施方案中，所述環(huán)氧基基團是在某些此類實施方案中，接枝聚合物通過使聚合物的氨基基團與第一表面的環(huán)氧基基團反應來共價地結(jié)合至第一表面。在本文描述的方法的某些實施方案中，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(iv)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些此類實施方案中，第一表面的第一多個官能團包括任選地被取代的環(huán)烯基基團，例如任選地被取代的降冰片烯。在某些此類實施方案中，接枝聚合物通過使聚合物的四嗪基團與第一表面的降冰片烯基團反應來共價地結(jié)合至第一表面。在本文描述的方法的某些實施方案中，接枝聚合物包含共價地結(jié)合至如本文描述的具有式(v)的重復單元的聚合物的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，聚合物還可以包含如本文描述的式(via)或式(vib)或兩者的重復單元。在某些此類實施方案中，第一多個官能團包括任選地被取代的環(huán)烯基基團，例如任選地被取代的降冰片烯。在某些此類實施方案中，接枝聚合物通過使聚合物的疊氮基基團與第一表面的降冰片烯基團反應來共價地結(jié)合至第一表面。在某些其他實施方案中，第一多個官能團包括縮水甘油醚基團或環(huán)氧基基團。在某些其他實施方案中，接枝聚合物通過以下共價地結(jié)合至第一表面：將聚合物的boc-保護的氨基基團脫保護；以及使聚合物的氨基基團與第一表面的縮水甘油醚基團或環(huán)氧基基團反應。本文描述的某些實施方案涉及用于將本文描述的聚合物固定至基底的第一表面的工藝或方法，所述工藝或方法包括：提供具有第一表面的基底，第一表面包含共價地附接至其的第一多個官能團；提供如本文描述的具有式(i)和式(ii)、式(iv)或式(v)的重復單元的聚合物；以及使第一表面的第一多個官能團與聚合物反應，使得聚合物被共價地結(jié)合至基底的第一表面。在某些此類實施方案中，該工藝或方法還包括提供包含一個或更多個官能化部分的官能化的寡核苷酸；以及使所述一個或更多個官能化部分與聚合物反應，使得官能化的寡核苷酸被共價地結(jié)合至聚合物。在某些此類實施方案中，第一表面的第一多個官能團包括或選自乙烯基、丙烯?；⑾┗?、環(huán)烯基、雜環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、雜環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、縮水甘油醚、環(huán)氧基、卡賓、異氰酸酯或馬來酰亞胺、或其任選地被取代的變體或其組合。在某些此類實施方案中，所述一個或更多個官能化部分包括或選自：氨基、疊氮基、羧基、酸酐、四嗪、環(huán)氧基、縮水甘油醚、乙烯基、丙烯酰基、烯基、環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、氮賓、醛、肼基、或馬來酰亞胺或其任選地被取代的變體或其組合。在本文描述的方法的任何實施方案中，具有式(i)和式(ii)、式(iv)或式(v)的重復單元的聚合物或接枝聚合物還可以包含選自由以下組成的組的一個或更多個重復單元：聚丙烯酰胺類、聚丙烯酸酯類、聚氨酯類、聚硅氧烷類、有機硅類、聚丙烯醛類、聚磷腈類、聚異氰酸酯類、多元醇類、以及多糖類、或其組合。在某些此類實施方案中，聚合物還可以包含具有上文示出的結(jié)構的式(iiia)或式(iiib)的聚丙烯酰胺的一個或更多個重復單元。在本文描述的方法的任何實施方案中，該方法還包括洗滌步驟以除去過量的未結(jié)合的官能化的寡核苷酸。在某些實施方案中，該方法還包括干燥步驟。在本文描述的任何實施方案中，基底可以包含選自以下的材料：玻璃、二氧化硅、石英、塑料、金屬、金屬氧化物、圖案化的材料或未圖案化的材料或其組合。在一個實施方案中，基底的表面包含玻璃。在某些實施方案中，基底的表面可以包括官能化的硅烷涂覆的區(qū)域和惰性區(qū)域兩者。在某些實施方案中，惰性區(qū)域選自玻璃區(qū)域、金屬區(qū)域、掩蔽區(qū)域以及間隙區(qū)域、或其組合。在一個實施方案中，惰性區(qū)域包含玻璃。在本文描述的任何實施方案中，qc標志物可以被包含在聚合物和/或引物結(jié)構中。在本文描述的任何實施方案中，聚合物或接枝聚合物可以經(jīng)由對本領域技術人員已知的各種表面應用技術例如旋轉(zhuǎn)涂覆、噴霧涂覆、浸漬涂覆、噴墨涂覆等等應用于基底的表面?；撞牧虾驮O計在某些實施方案中，在本申請中使用的基底包括基于二氧化硅的基底，例如玻璃、熔融的二氧化硅以及其他含二氧化硅的材料。在某些實施方案中，基于二氧化硅的基底還可以是硅、二氧化硅、氮化硅、硅烷。在某些實施方案中，在本申請中使用的基底包括塑料材料，例如聚乙烯、聚苯乙烯、聚(氯乙烯)、聚丙烯、尼龍、聚酯、聚碳酸酯以及聚(甲基丙烯酸甲酯)。優(yōu)選的塑料材料是聚(甲基丙烯酸甲酯)基底、聚苯乙烯基底以及環(huán)狀烯烴聚合物基底。在某些實施方案中，基底是基于二氧化硅的材料或塑料材料。在特定的實施方案中，基底具有至少一個包含玻璃的表面。在某些實施方案中，基底可以是金屬或可以包含金屬。在某些此類實施方案中，金屬是金。在某些實施方案中，基底具有至少一個包含金屬氧化物的表面。在一個實施方案中，表面包含氧化鉭或氧化錫。丙烯酰胺、烯酮或丙烯酸酯也可以被用作基底材料。其他基底材料可以包括但不限于砷化鎵、磷化銦、鋁、陶瓷、聚酰亞胺、石英、樹脂、聚合物以及共聚物。前述清單意圖說明本申請但不限于本申請。在某些實施方案中，基底和/或基底表面可以是石英。在某些其他實施方案中，基底和/或基底表面可以是半導體，即gaas或ito。基底可以包括單一材料或多種不同的材料?；卓梢允菑秃喜牧匣?qū)訅翰牧稀；卓梢允瞧教沟?、圓的、有紋理的以及圖案化的。圖案可以例如通過在非金屬表面上形成特征(feature)的金屬墊(metalpad)形成，例如如在美國專利第8,778,849號中描述的，該美國專利通過引用并入本文。另一種有用的圖案化的表面是具有在表面上形成的孔特征(wellfeature)的表面，例如如在美國專利申請公布第2014/0243224a1號、美國專利申請公布第2011/0172118a1號或美國專利第7,622,294號中描述的；其中的每個通過引用以其整體并入本文。對于使用圖案化的基底的實施方案，凝膠可以選擇性地附接至圖案特征(例如，凝膠可以被附接至金屬墊或凝膠可以被附接至孔的內(nèi)部)，或可選擇地凝膠可以被均勻地附接橫跨圖案特征和間隙區(qū)域兩者。在分子陣列的制備和使用中使用基于塑料的基底的優(yōu)點包括成本：通過例如注射-模制(injection-molding)制備合適的基于塑料的基底通常比例如通過蝕刻和結(jié)合制備基于二氧化硅的基底更便宜。另一個優(yōu)點是幾乎無限多種塑料，這允許精細調(diào)整載體的光學性質(zhì)以適合其被意圖的應用或其可以被放入的應用。在金屬用作基底或用作基底上的墊的情況下，這可能是由于期望的應用：金屬的導電性可以允許調(diào)節(jié)基于dna的傳感器中的電場。以此方式，可以提高dna錯配識別，固定的寡核苷酸分子的定向可以被影響，或dna雜交動力學可以被加速。在某些實施方案中，基底是基于二氧化硅的，但所采用的基底的形狀可以根據(jù)本申請實踐的應用而變化。然而，通常，載體材料的載玻片例如二氧化硅例如熔融的二氧化硅在分子的制備和隨后的整合(integration)中具有特定的效用。在本申請的實踐中特別有用的是以商品名spectrasiltm銷售的熔融的二氧化硅載玻片。盡管如此，將對技術人員明顯的是，本申請同樣適用于其他的基底(包括基于二氧化硅的載體)呈現(xiàn)物，例如珠、棒及類似物。在某些實施方案中，基底的表面包含官能分子涂覆的區(qū)域和不具有涂層的惰性區(qū)域兩者。在某些此類實施方案中，官能化的分子涂層是水凝膠涂層或聚合物涂層。官能分子涂覆的區(qū)域可以包含反應部位，并且因此可以被用于通過化學結(jié)合或其他的分子相互作用使分子附接。在某些實施方案中，官能分子涂覆的區(qū)域(例如，反應特征、墊、珠、柱(post)或孔)和惰性區(qū)域(被稱為間隙區(qū)域)可以交替以形成圖案或網(wǎng)格。此類圖案可以呈一維或二維。在某些實施方案中，惰性區(qū)域可以選自玻璃區(qū)域、金屬區(qū)域、掩蔽區(qū)域、或其組合?？蛇x擇地，這些材料可以形成反應區(qū)域。惰性或反應性將取決于在基底上使用的化學性質(zhì)和工藝。在一個實施方案中，表面包含玻璃區(qū)域。在另一個實施方案中，表面包含金屬區(qū)域。在還另一個實施方案中，表面包含掩蔽區(qū)域。在本文描述的組合物的某些實施方案中，基底可以是珠。可以涂覆有本公開內(nèi)容的聚合物或可以另外在本文陳述的組合物或方法中使用的非限制性示例性基底材料在美國專利第8,778,848號和第8,778,849號中描述，所述美國專利中的每個通過引用并入本文。在某些實施方案中，本文描述的基底形成流動池的至少一部分或位于流動池中。在某些此類實施方案中，流動池還包含經(jīng)由官能分子涂層例如聚合物涂層附接至基底的表面的多核苷酸。在某些實施方案中，多核苷酸存在于呈多核苷酸簇的流動池中，其中多核苷酸簇的多核苷酸經(jīng)由聚合物涂層附接至流動池的表面。在此類實施方案中，多核苷酸所附接至的流動池主體的表面被認為是基底。在其他實施方案中，具有聚合物涂覆的表面的單獨的基底被插入到流動池的主體中。在優(yōu)選的實施方案中，流動池是被分成多個小道(lane)或多個區(qū)段的流動室，其中多個小道或多個區(qū)段中的一個或更多個包括表面，所述表面涂覆有本文描述的共價地附接的聚合物涂層。在本文描述的流動池的某些實施方案中，在單一的多核苷酸簇內(nèi)的所附接的多核苷酸具有相同或相似的核苷酸序列。在本文描述的流動池的某些實施方案中，不同的多核苷酸簇的所附接的多核苷酸具有不同或非相似的核苷酸序列?？梢杂糜诒疚年愂龅姆椒ɑ蚪M合物的示例性流動池和用于制造流動池的基底，包括但不限于可商購自illumina,inc.(圣地亞哥,ca)或在us2010/0111768a1或us2012/0270305(其中的每個通過引用并入本文)中描述的那些。測序應用本文陳述的組合物、設備或方法可以與多種擴增技術中的任一種一起使用。可以使用的示例性技術包括但不限于聚合酶鏈式反應(pcr)、滾環(huán)擴增(rca)、多重置換擴增(mda)或隨機引物擴增(rpa)。在特定的實施方案中，被用于擴增的一種或更多種引物可以被附接至聚合物涂層。在pcr實施方案中，被用于擴增的引物的一種或兩種可以被附接至聚合物涂層。由于雙鏈擴增子在兩種附接的引物之間形成橋樣結(jié)構，所述兩種附接的引物在已被拷貝的模板序列的側(cè)面，利用兩種附接的引物的格式常常被稱為橋式擴增?？梢员挥糜跇蚴綌U增的示例性試劑和條件在美國專利第5,641,658號；美國專利公布第2002/0055100號；美國專利第7,115,400號；美國專利公布第2004/0096853號；美國專利公布第2004/0002090號；美國專利公布第2007/0128624號；以及美國專利公布第2008/0009420號中被描述；其中的每個通過引用以其整體并入本文。還可以進行其中擴增引物中的一種被附接至聚合物涂層，且第二引物在溶液中的pcr擴增。使用一種附接的引物和可溶性引物的組合的示例性格式是乳液pcr，如例如在dressman等人，proc.natl.acad.sci.usa100：8817-8822(2003)、wo05/010145或美國專利公布第2005/0130173號或第2005/0064460號中描述的，其中的每個通過引用并入本文。乳液pcr是該格式的例示，并且將理解的是為了本文陳述的方法的目的，使用乳液是任選的，并且事實上對于若干實施方案，不使用乳液。此外，如在epcr參考文獻中陳述的，引物不需要被直接附接至基底或固體載體，而是如本文陳述的，可以被附接至聚合物涂層。rca技術可以被修改，用于與本公開內(nèi)容的方法、組合物或裝置一起使用?？梢员挥糜趓ca反應的示例性組分和rca產(chǎn)生擴增子的原理在例如lizardi等人，nat.genet19:25-232(1998)和us2007/0099208a1中被描述，其中的每個通過引用并入本文。用于rca的引物可以在溶液中或被附接至聚合物涂層。mda技術可以被修改，用于與本公開內(nèi)容的方法、組合物或裝置一起使用。mda的某些基本原理和有用的條件在例如dean等人，proc.natl.acad.sci.usa99:5261-66(2002)；lage等人，genomeresearch13:294-307(2003)；walker等人，molecularmethodsforvirusdetection,academicpress,inc.,1995；walker等人，nucl.acidsres.20:1691-96(1992)；us5,455,166；us5,130,238；以及us6,214,587中被描述，其中的每個通過引用并入本文。用于mda的引物可以在溶液中或被附接至聚合物涂層。在特定的實施方案中，可以使用上文例示的擴增技術的組合。例如，rca和mda可以組合地使用，其中rca被用于在溶液中產(chǎn)生連體擴增子(concatamericamplicon)(例如，使用溶液相引物)。然后，該擴增子可以被用作使用附接至聚合物涂層的引物的mda的模板。在該實例中，在組合的rca和mda步驟之后產(chǎn)生的擴增子將被附接至聚合物涂層。在某些實施方案中，本文描述的官能化的水凝膠或聚合物涂覆的底物可以在用于確定多核苷酸的核苷酸序列的方法中使用。在此類實施方案中，該方法可以包括以下步驟：(a)使多核苷酸聚合酶與經(jīng)由本文描述的聚合物涂層或水凝膠涂層的任一種被附接至基底的表面的多核苷酸簇接觸；(b)向基底的聚合物涂覆的表面提供核苷酸，使得當一個或更多個核苷酸被多核苷酸聚合酶利用時，產(chǎn)生可檢測的信號；(c)檢測在一個或更多個多核苷酸簇處的信號；以及(d)重復步驟(b)和步驟(c)，從而確定一個或更多個多核苷酸簇處存在的多核苷酸的核苷酸序列。可以通過本領域已知的各種工藝使用核酸測序來確定多核苷酸的核苷酸序列。在優(yōu)選的方法中，合成測序(sbs)被用于確定經(jīng)由本文描述的聚合物涂層的任一附接至基底的表面的多核苷酸的核苷酸序列。在此類工藝中，一個或更多個核苷酸被提供給與多核苷酸聚合酶締合的模板多核苷酸。多核苷酸聚合酶將一個或更多個核苷酸并入到與多核苷酸模板互補的新合成的核酸鏈中。合成從與模板多核苷酸的一部分互補或與在模板多核苷酸的一個末端處共價地結(jié)合的通用核酸或非可變核酸的一部分互補的寡核苷酸引物開始。由于核苷酸針對模板多核苷酸并入，所以產(chǎn)生允許確定在測序工藝的每個步驟期間哪個核苷酸已經(jīng)被并入的可檢測的信號。以此方式，可以產(chǎn)生與模板多核苷酸的至少一部分互補的核酸序列，從而允許確定模板多核苷酸的至少一部分的核苷酸序列。流動池提供由本公開內(nèi)容的方法產(chǎn)生的并且經(jīng)歷合成測序(sbs)或其他檢測技術(包括試劑在循環(huán)中的重復遞送)的用于容納陣列的方便的格式。例如，為了開始第一個sbs循環(huán)，一個或更多個標記的核苷酸、dna聚合酶等等可以流入流動池/流過流動池，所述流動池容納通過本文陳述的方法制備的核酸陣列。可以檢測引物延伸引起標記的核苷酸被并入的那些陣列位點。任選地，在核苷酸已經(jīng)被添加至引物之后，核苷酸還可以包括使進一步的引物延伸終止的可逆終止性質(zhì)。例如，具有可逆終止子部分的核苷酸類似物可以被添加至引物，使得隨后的延伸不能發(fā)生直到解阻斷劑被遞送以除去該部分。因此，對于使用可逆終止的實施方案，解阻斷劑可以被遞送至流動池(在檢測發(fā)生之前或之后)。可以在多個遞送步驟之間進行洗滌。然后，循環(huán)可以被重復n次以將引物延伸n個核苷酸，從而檢測長度n的序列?？梢匀菀椎剡m用于與本公開內(nèi)容的方法產(chǎn)生的陣列一起使用的示例性sbs程序、流體系統(tǒng)(fluidicsystem)和檢測平臺例如在bentley等人，nature456:53-59(2008)、wo04/018497；us7,057,026；wo91/06678；wo07/123744；us7,329,492；us7,211,414；us7,315,019；us7,405,281以及us2008/0108082中被描述，其中的每個通過引用以其整體并入本文?？梢允褂玫钠渌麥y序程序，包括例如使用循環(huán)反應的測序程序，例如焦磷酸測序法。焦磷酸測序檢測在特定的核苷酸并入到新生核酸鏈中時無機焦磷酸鹽(ppi)的釋放(ronaghi等人，analyticalbiochemistry242(1),84-9(1996)；ronaghi,genomeres.11(1),3-11(2001)；ronaghi等人science281(5375),363(1998)；us6,210,891；us6,258,568以及us6,274,320，其中的每個通過引用以其整體并入本文)。在焦磷酸測序中，釋放的ppi可以通過被atp硫酸化酶立即轉(zhuǎn)化成三磷酸腺苷(atp)被檢測到，并且產(chǎn)生的atp的水平可以經(jīng)由熒光素酶產(chǎn)生的光子被檢測到。因此，測序反應可以經(jīng)由發(fā)光檢測系統(tǒng)來監(jiān)測。用于基于熒光的檢測系統(tǒng)的激發(fā)輻射源對于焦磷酸測序程序不是必要的。可以被用于將本公開內(nèi)容的陣列應用于焦磷酸測序的有用的流體系統(tǒng)、檢測器和程序在例如wo12/058096a1、us2005/0191698a1、us7,595,883以及us7,244,559中被描述，其中的每個通過引用以其整體并入本文。連接測序反應也是有用的，包括例如在shendure等人science309:1728-1732(2005)；us5,599,675；以及us5,750,341中描述的那些，其中的每個通過引用以其整體并入本文。某些實施方案可以包括雜交測序程序，如例如在bains等人，journaloftheoreticalbiology135(3),303-7(1988)；drmanac等人，naturebiotechnology16,54-58(1998)；fodor等人，science251(4995),767-773(1995)；以及wo1989/10977中描述的，其中的每個通過引用以其整體并入本文。在連接測序程序和雜交測序程序兩者中，在陣列的位點處存在的核酸經(jīng)歷寡核苷酸遞送和檢測的重復循環(huán)。如本文陳述的或本文引用的參考文獻中的用于sbs方法的流體系統(tǒng)可以容易地適于遞送用于連接測序程序或雜交測序程序的試劑。通常，寡核苷酸是熒光標記的并且可以使用類似于關于本文或本文引用的參考文獻中的sbs程序描述的那些的熒光檢測器來檢測。某些實施方案可以利用包括dna聚合酶活性的實時監(jiān)測的方法。例如，核苷酸并入可以通過在具有熒光團的聚合酶和γ-磷酸標記的核苷酸之間的熒光共振能量轉(zhuǎn)移(fret)相互作用，或用零模波導(zeromodewaveguide)(zmw)被檢測。用于基于fret的測序的技術和試劑描述在例如levene等人science299,682–686(2003)；lundquist等人opt.lett.33,1026–1028(2008)；korlach等人proc.natl.acad.sci.usa105,1176–1181(2008)中，其公開內(nèi)容通過引用以其整體并入本文。某些sbs實施方案包括在將核苷酸摻入延伸產(chǎn)物中之后，檢測釋放的質(zhì)子。例如，基于檢測釋放的質(zhì)子的測序可以使用可商購自iontorrent(guilford,ct,lifetechnologies的子公司)的電檢測器和有關技術或在us2009/0026082a1；us2009/0127589a1；us2010/0137143a1；或us2010/0282617a1中描述的測序方法和系統(tǒng)，其中的每個通過引用以其整體并入本文。通過本文陳述的方法已經(jīng)產(chǎn)生的用于本公開內(nèi)容的陣列的另一種有用的應用是基因表達分析?；虮磉_可以使用rna測序技術(例如，被稱為數(shù)字rna測序的那些)來檢測或定量。rna測序技術可以使用本領域已知的測序方法(例如，上文陳述的那些)進行?；虮磉_還可以使用通過陣列的直接雜交進行的雜交技術或使用測定的產(chǎn)物在陣列上被檢測的多重測定來檢測或定量。例如已經(jīng)通過本文陳述的方法產(chǎn)生的本公開內(nèi)容的陣列還可以被用于確定來自一個或更多個個體的基因組dna樣品的基因型。可以在本公開內(nèi)容的陣列上進行的基于陣列的表達和基因分型分析的示例性方法在美國專利第7,582,420號；第6,890,741號；第6,913,884號或第6,355,431號或美國專利公布第2005/0053980a1號；第2009/0186349a1號或第us2005/0181440a1號中被描述，其中的每個通過引用以其整體并入本文。在采用流動池的上文描述的方法的某些實施方案中，在單個流動步驟期間，僅單一類型的核苷酸存在于流動池中。在此類實施方案中，核苷酸可以選自由以下組成的組：datp、dctp、dgtp、dttp及其類似物。在采用流動池的上文描述的方法的其他實施方案中，在單個流動步驟期間，多種不同類型的核苷酸存在于流動池中。在此類方法中，核苷酸可以選自datp、dctp、dgtp、dttp及其類似物。對于被附接至存在于流動池中的基底的表面上的聚合物涂層的多核苷酸的一個或更多個，在每個流動步驟期間并入的一個或更多個核苷酸的測定通過檢測在多核苷酸模板處或多核苷酸模板附近產(chǎn)生的信號來實現(xiàn)。在上文描述的方法的某些實施方案中，可檢測的信號包括光學信號。在其他實施方案中，可檢測信號包括非光學信號。在此類實施方案中，非光學信號包括在多核苷酸模板的一個或更多個處或多核苷酸模板的一個或更多個附近的ph的變化。實施例在以下實施例中進一步詳細地公開了另外的實施方案，這些實施方案不以任何方式意圖限制權利要求的范圍。實施例1方案1.正交雙官能化聚丙烯酰胺的合成方案1圖示了用于制備聚丙烯酰胺-共-azapa-共-氨基乙基丙烯酰胺(l-pamaza)的合成方案。在第一步中，n-(5-疊氮基乙酰氨基戊基)丙烯酰胺(azapa)從使n-(5-溴乙酰氨基戊基)丙烯酰胺(brapa)與疊氮化鈉在dmf中在35℃下反應持續(xù)2小時來合成。然后，使用aibn-型聚合物引發(fā)體系(initiationsystem)(vazo56)、通過使azapa與丙烯酰胺和n-(2-氨基乙基)甲基丙烯酰胺hcl反應來合成l-pamaza。所得到的l-pamaza具有約90％比約5％比約5％的摩爾比x:y:z的三個重復單元。此外，通過將n,n’-亞甲基雙丙烯酰胺單體引入聚合反應中來實現(xiàn)l-pamaza的交聯(lián)，這產(chǎn)生具有如下示出的示例性結(jié)構的交聯(lián)聚合物(xl-pamaza)：使用熱引發(fā)劑vazo56，遵循上文描述的類似程序制備具有正交官能度的一系列線型聚丙烯酰胺。反應時間是約1.5小時至約3小時，然后通過沉淀到mecn中進行純化步驟。下表1概述了用于聚合反應的單體的量。為了證明雙官能聚丙烯酰胺的正交反應性，在環(huán)氧基單層表面上包含5mol％氨基乙基官能度的表1中的三種新的聚丙烯酰胺(聚合物1，“p1”；聚合物4，“p4”；聚合物6，“p6”)的涂層性能針對標準降冰片烯單層表面來評估。聚合物1和聚合物6是具有上文圖示的結(jié)構的l-pamaza和xl-pamaza。聚合物4的簡化結(jié)構在下文被示出。標準pazam聚合物被用作對照。用于降冰片烯單層表面和環(huán)氧基單層表面的流動池布置分別在表2和表3中概述。hiseq基底(由illumina,圣地亞哥,ca提供)被用于此初始篩選，并且使用干燥器進行cvd工藝。雙官能聚丙烯酰胺聚合物經(jīng)由應變促進的疊氮化物點擊反應(strain-promotedazideclickreaction)與降冰片烯反應，以在60℃下共價地結(jié)合至降冰片烯單層表面。類似地，雙官能聚丙烯酰胺聚合物經(jīng)由與胺官能團的環(huán)氧基開環(huán)反應涂覆到環(huán)氧基單層上，這導致聚合物與表面的共價結(jié)合。兩種qc衡量標準被用于測量該方法的成功。qc1和qc3兩者利用綠色激光，其中pmt在450v處并且過濾器發(fā)射在555bp下。tetqc寡核苷酸混合物(oligomix)對于qc1是1.6mm：以16μm+0.9mlht1的100ml寡核苷酸。tetqc寡核苷酸混合物對于qc3是0.6mm(每種)：以16μm+0.9mlht1的35ml寡核苷酸。對于tetqc1和tetqc3的聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像和降冰片烯硅烷單層表面上的聚合物的中位typhoon強度的有關的圖表分別在圖1a、圖1b、圖1c和圖1d中圖示。對于tetqc1和tetqc3的聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像和環(huán)氧基硅烷單層表面上的聚合物的中位typhoon強度的有關的圖表分別在圖2a、圖2b、圖2c和圖2d中圖示。降冰片烯表面和環(huán)氧基表面的tetqc測量分別在表4和表5中概述。來自上文提到的流動池對的結(jié)果提供了支持使用聚丙烯酰胺材料的正交反應性以支持合成測序的證據(jù)。首先，測試的所有疊氮基官能化的材料能夠牢固地粘附至降冰片烯表面。這意味著，疊氮化物并入到聚合物結(jié)構中為使得可以獲得穩(wěn)定的表面，如通過熱應力測試測量的。其次，所有的胺官能化的聚合物能夠涂覆通過使用干燥劑產(chǎn)生的環(huán)氧基表面。表面引物密度是約20-30k。在這些實驗中，不包含胺官能度的對照聚合物(即，標準pazam)示出在熱應力測試之后的最大的表面損失。這是預計的結(jié)果。各自具有5％胺官能度的雙官能化的聚丙烯酰胺聚合物p1、p4和p6，示出合理的表面穩(wěn)定性。結(jié)果指示，這些聚丙烯酰胺涂覆的表面是穩(wěn)健的(在使聚合物涂覆的表面經(jīng)受標準應力測試之后，表面損失在從約20％至30％的范圍內(nèi))。降冰片烯單層表面和環(huán)氧基單層表面的tetqc信號變化的結(jié)果分別在圖3a和圖3b中示出。在測試的三種雙官能化的聚丙烯酰胺中，聚合物4呈現(xiàn)最好的表面穩(wěn)健性。通過上文描述的程序制備的正交聚丙烯酰胺通常是無規(guī)共聚物?？赡苁呛弦獾氖欠蛛x聚合物構造的不同的官能部分，例如將所有疊氮化物官能團從所有胺官能團分離成聚合物鏈的不同節(jié)段。使用受控自由基聚合(controlledradicalpolymerization)(crp)方法(例如，raft、atrp)，此可選擇的合成是可容易實現(xiàn)的。方案2.1和方案2.2呈現(xiàn)用于制備嵌段共聚物aema-b-azapa(聚合物7)的兩種合成路線。方案2.1.方案2.2.將根據(jù)方案2.2通過raft技術制備的嵌段共聚物aema-b-azapa的涂層性能與在環(huán)氧基硅烷單層表面上的無規(guī)共聚物聚合物4的涂層性能比較。使用干燥器在60℃下的烘箱中在流動池上進行cvd工藝并且將流動池溫育過夜。流動池布置在表6中概述。聚合物7和聚合物4的氨基官能團與環(huán)氧基表面之間的偶聯(lián)反應在60℃下進行持續(xù)一小時。兩種qc衡量標準(qc1和qc3)被用于測量該方法的成功。對于tetqc1和tetqc3，聚合物涂覆的流動池的typhoon熒光圖像和在環(huán)氧基硅烷單層表面上的聚合物的中位typhoon強度的有關的圖表分別在圖4a、圖4b、圖4c和圖4d中圖示。tetqc信號變化的結(jié)果在圖4e中示出。環(huán)氧基表面的tetqc測量結(jié)果在下表7中概述。兩種材料均產(chǎn)生穩(wěn)定的表面，如通過在熱應力測試之后進行的tetqc測量的。在每種情況下，涂層是非常均勻的。實施例2方案3.方案3圖示通過將dna共聚物固定至硅烷化的基底表面的基底制備的流程圖。首先，通過使炔烴官能化的引物與丙烯酰胺單體、疊氮基-丙烯酰胺單體和氨基-丙烯酰胺單體反應以形成預接枝的三元共聚物(dna共聚物)來形成dna共聚物。基底表面首先用包含環(huán)氧基基團的硅烷來處理。然后，通過使聚合物的伯氨基基團與硅烷的環(huán)氧基基團反應將dna共聚物固定至基底表面。通過此工藝制備的dna共聚物的構造可以通過添加其他單體來改性，例如可以添加n,n-亞甲基雙丙烯酰胺以按定義的方式引入交聯(lián)，或可以添加引發(fā)單體(inimer)(或單體引發(fā)劑(monomer-initiator))以按定義的方式引入支化點。如有必要，受控聚合技術例如raft、atrp或nmp還可以被用于產(chǎn)生嵌段共聚物結(jié)構，將聚合物的官能部分分離出以便是更有效的。實施例3方案4.與四嗪官能化的聚合物的低聚反應方案4圖示用于形成接枝聚合物的在雙環(huán)[6.1.0]壬-4-炔(“bcn”)官能化的p5引物或p7引物與四嗪改性的丙烯酰胺聚合物(“tz-am”)之間的反應。此無催化劑、應變促進的點擊反應可以在室溫下進行并且其與含水環(huán)境是相容的。所得到的接枝聚合物可以使用許多方法來純化，例如沉淀或切向流過濾(tangentialflowfiltration)(“tff”)等等?？梢杂糜诖斯に嚨钠渌窍拗菩缘目赡艿木酆衔锕羌馨ň郾┧狨セ蚓哿纂?。方案5.將預接枝的四嗪聚合物附接至表面方案5圖示將預接枝的四嗪丙烯酰胺聚合物附接至基底的降冰片烯官能化的表面。降冰片烯硅烷化的表面是illumina的平臺的標準部分?？蛇x擇地，四嗪官能化的聚合物和bcn引物可以被原位附接至基底表面，而不是形成接枝聚合物。為了評估此方法的可行性，使用模型系統(tǒng)以小規(guī)模溶液反應進行初始實驗(方案6)。方案6.方案6呈現(xiàn)降冰片烯(nb)和可商購的聯(lián)吡啶基四嗪(bipy)之間以1:1摩爾比的反應。反應在室溫下在nmr管中進行，使用cdcl3作為溶劑，伴隨溫和的攪動。在三個不同的時間點，獲取反應混合物的nmr光譜，一個時間點在反應開始時(t＝0)，一個時間點在15分鐘時，以及一個時間點在60分鐘時。nmr光譜示出，降冰片烯的兩個烯烴氫的峰(其中化學位移在約5.8ppm處)消失并且在一小時之后變得幾乎不可見(見圖5)。這指示四嗪和降冰片烯之間的反應的快速的動力學。方案7.在單獨的實驗中，方案7呈現(xiàn)環(huán)辛炔(10mm)與雙苯基取代的1,2,4,5-四嗪(1mm)的簡易的應變促進的[4+2]環(huán)加成。反應在室溫下在干燥的meoh中進行。圖6示出環(huán)辛炔的uv-可見吸收減少的圖，這指示反應僅在9分鐘之后幾乎完成。見w.chen,d.wang,c.dai,d.hamelbergb.wang,chem.commun.,2012,48,1736-1738。實施例4方案8.預接枝的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)的制備方案8圖示通過使聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)的縮水甘油醚基團與官能化的引物和氨基-peg-疊氮化物的氨基基團反應來制備預接枝的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)梳形聚合物。此接枝聚合物可以經(jīng)由聚合物的側(cè)鏈疊氮基基團和降冰片烯之間的無催化劑、應變促進的點擊反應附接至標準降冰片烯表面?？梢允褂迷S多可商購的氨基疊氮化物，并且疊氮基基團還可以被其他正交官能團替換。實施例5方案9.預接枝的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)的制備方案9圖示通過使聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)的縮水甘油基基團與官能化的引物和氨基-peg-boc-酰胺的氨基基團反應來制備預接枝的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)梳形聚合物。然后，使此接枝聚合物經(jīng)受boc-脫保護，以產(chǎn)生被附接至縮水甘油基官能化的表面或環(huán)氧基官能化的表面的伯氨基官能化的側(cè)鏈。實施例6圖7圖示具有寡核苷酸結(jié)合的外表面的預接枝的樹狀聚合物的可能的表面化學。樹狀聚合物的起始點可以被用于直接表面附接的疊氮基基團官能化。可選擇地，疊氮基基團可以與炔烴基團在第二樹狀聚合物的中心點中反應，其中第二樹狀聚合物具有基底附接基團“a”覆蓋的外表面，以產(chǎn)生用于自組裝的janus型顆粒。實施例7具有聚磷腈骨架的正交聚合物也可以被用于本申請。聚磷腈可以用作線型支架，以用于聚合物構造的可能支化、構建樹枝狀的聚合物或以用于隨后的聚合物附接。方案10.1圖示利用環(huán)狀六氯磷腈芯用于構建改性的丙烯酰胺單體的的合成路線。方案10.1.方案10.2和方案10.3呈現(xiàn)用于隨后的聚合物附接的兩種聚磷腈支架的合成。若干的聚磷腈合成已經(jīng)被qiu等人，nanotechnology,18(2007)475-602和cheng等人，journalofpolymerscience,parta:polymerchemistry,2013,51,1205-1214報道。方案10.2.方案10.3.方案10.4圖示制備線型聚二氯磷腈(pdcp)骨架的兩種可能的路線。路線1是負離子受控聚合。路線2是六氯磷腈的開環(huán)反應。在可能獲取線型聚合物構造、環(huán)狀-線型聚合物構造(cyclo-linearpolymerarchitecture)和交聯(lián)聚合物構造以及可能引入交聯(lián)的情況下，路線1是優(yōu)選的。方案10.4.當前第1頁12當前第1頁12