根據(jù)美國法典第35篇第119(e)節(jié)的規(guī)定，本申請(qǐng)要求提交于2014年12月18日的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)62/093487的優(yōu)先權(quán)。美國臨時(shí)專利申請(qǐng)62/093487據(jù)此以引用方式并入。

制備鹵代硅烷的方法在本領(lǐng)域中是已知的。通常，鹵代硅烷通過mueller-rochow直接法進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，該直接法包括在銅催化劑和各種任選促進(jìn)劑的存在下將鹵化物化合物傳遞到零價(jià)硅(si⁰)上。通過直接法生產(chǎn)鹵代硅烷的混合物。當(dāng)使用不飽和烴基鹵化物時(shí)，通過直接法生產(chǎn)有機(jī)鹵代硅烷的混合物。當(dāng)使用鹵化氫時(shí)，通過直接法生產(chǎn)氫鹵硅烷的混合物。

用于制備用在直接法中的si⁰的典型工藝包括sio2在電弧爐中的碳熱還原。需要極高的溫度以還原sio2，因此該工藝較為耗能。因此，si⁰的生產(chǎn)增加了用于生產(chǎn)鹵代硅烷的直接法的成本。因此，存在對(duì)生產(chǎn)鹵代硅烷的更經(jīng)濟(jì)的方法的需要，該方法可避免或減少使用si⁰的需要。

各種鹵代硅烷可用于不同行業(yè)。二有機(jī)二鹵代硅烷，諸如二甲基二氯硅烷被水解以生產(chǎn)各種不同的聚有機(jī)硅氧烷，諸如聚二有機(jī)硅氧烷。有機(jī)氫鹵代硅烷可用于制備聚有機(jī)氫硅氧烷，其可用作防水劑；另選地，有機(jī)氫鹵代硅烷可用作用于制備其他有機(jī)鹵代硅烷的原料。因此，需要選擇性地生產(chǎn)所需鹵代硅烷的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種用于制備包含鹵代硅烷的反應(yīng)產(chǎn)物的方法，該方法包括：在300℃至700℃的溫度下，使不飽和烴基鹵化物與包含銅(cu)、硅(si)和過渡金屬的三元金屬間化合物接觸以形成反應(yīng)產(chǎn)物，所述過渡金屬選自銀(ag)、鈷(co)、鉻(cr)、鐵(fe)、鉬(mo)和銠(rh)，其中鹵代硅烷具有通式r¹mr²nhosix(4-m-n-o)，其中每個(gè)r¹獨(dú)立地為飽和一價(jià)烴基基團(tuán)，每個(gè)r²獨(dú)立地為不飽和一價(jià)烴基基團(tuán)；每個(gè)x獨(dú)立地為鹵素原子；下標(biāo)m為1、2或3；下標(biāo)n為0、1或2；下標(biāo)o為0、1或2；并且(m+n+o)的量為1、2或3。

具體實(shí)施方式

發(fā)明內(nèi)容和說明書摘要據(jù)此以引用方式并入。除非另外指明，否則所有比率、百分比和其他量均以重量計(jì)。除非本說明書的上下文另外指明，否則冠詞″一個(gè)″、″一種″和″所述″各指一個(gè)(一種)或多個(gè)(多種)。前綴″聚″意指不止一個(gè)。下表1中定義了本文所用的縮寫。

表1：縮寫

″烷基″意指無環(huán)、支鏈或非支鏈的飽和單價(jià)烴基基團(tuán)。烷基基團(tuán)的示例包括me、et、pr、1-甲基乙基、bu、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基和癸基。烷基基團(tuán)具有至少一個(gè)碳原子。另選地，烷基基團(tuán)可具有1至12個(gè)碳原子、或者1至10個(gè)碳原子、或者1至6個(gè)碳原子、或者1至4個(gè)碳原子、或者1至2個(gè)碳原子、或者1個(gè)碳原子。

″芳烷基″和″烷芳基″各自指具有側(cè)鏈的和/或末端的芳基基團(tuán)的烷基基團(tuán)或者具有側(cè)鏈的烷基基團(tuán)的芳基基團(tuán)。示例性芳烷基基團(tuán)包括芐基、甲苯基、二甲苯基、苯乙基、苯基丙基和苯基丁基。芳烷基基團(tuán)具有至少4個(gè)碳原子。單環(huán)芳烷基基團(tuán)可具有4至12個(gè)碳原子、或者4至9個(gè)碳原子、或者4至7個(gè)碳原子。多環(huán)芳烷基基團(tuán)可具有7至17個(gè)碳原子、或者7至14個(gè)碳原子、或者9至10個(gè)碳原子。

″烯基″意指無環(huán)、支鏈或非支鏈的不飽和單價(jià)烴基基團(tuán)，其中單價(jià)烴基基團(tuán)具有雙鍵。烯基基團(tuán)包括vi、烯丙基、丙烯基和己烯基。烯基基團(tuán)具有至少2個(gè)碳原子。另選地，烯基基團(tuán)可具有2至12個(gè)碳原子、或者2至10個(gè)碳原子、或者2至6個(gè)碳原子、或者2至4個(gè)碳原子、或者2個(gè)碳原子。

″炔基″意指無環(huán)、支鏈或非支鏈的不飽和單價(jià)烴基基團(tuán)，其中單價(jià)烴基基團(tuán)具有三鍵。炔基基團(tuán)包括乙炔基和丙炔基。炔基基團(tuán)具有至少2個(gè)碳原子。另選地，炔基基團(tuán)可具有2至12個(gè)碳原子、或者2至10個(gè)碳原子、或者2至6個(gè)碳原子、或者2至4個(gè)碳原子、或者2個(gè)碳原子。

″芳基″意指環(huán)狀的完全不飽和烴基基團(tuán)。芳基的示例為但不限于ph和萘基。芳基基團(tuán)具有至少5個(gè)碳原子。單環(huán)芳基基團(tuán)可具有6至9個(gè)碳原子、或者6至7個(gè)碳原子、或者6個(gè)碳原子。多環(huán)芳基基團(tuán)可具有10至17個(gè)碳原子、或者10至14個(gè)碳原子、或者12至14個(gè)碳原子。

″碳環(huán)″和″碳環(huán)的″是指烴環(huán)。碳環(huán)可為單環(huán)，或者可為稠合的、橋聯(lián)的或螺合的多環(huán)。碳環(huán)具有至少3個(gè)碳原子。單環(huán)碳環(huán)可具有3至9個(gè)碳原子、或者4至7個(gè)碳原子、或者5至6個(gè)碳原子。多環(huán)碳環(huán)可具有7至17個(gè)碳原子、或者7至14個(gè)碳原子、或者9至10個(gè)碳原子。碳環(huán)可為飽和的或部分不飽和的。

″環(huán)烷基″是指包含飽和碳環(huán)的飽和烴基基團(tuán)。環(huán)烷基基團(tuán)的示例為環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和甲基環(huán)己基。環(huán)烷基基團(tuán)具有至少3個(gè)碳原子。單環(huán)環(huán)烷基基團(tuán)可具有3至9個(gè)碳原子、或者4至7個(gè)碳原子、或者5至6個(gè)碳原子。多環(huán)環(huán)烷基基團(tuán)可具有7至17個(gè)碳原子、或者7至14個(gè)碳原子、或者9至10個(gè)碳原子。

″金屬″意指該金屬具有的氧化值為零。

″吹掃″意指向裝有含三元金屬間化合物的反應(yīng)器引入氣流以移除不需要的氣體或液體物質(zhì)。

″停留時(shí)間″意指材料在連續(xù)方法中經(jīng)過反應(yīng)器系統(tǒng)所耗費(fèi)的時(shí)間，或者在分批方法中材料在反應(yīng)器中所花費(fèi)的時(shí)間。例如，停留時(shí)間可指三元金屬間化合物在連續(xù)方法中經(jīng)過反應(yīng)器系統(tǒng)時(shí)一個(gè)反應(yīng)器體積的三元金屬間化合物與不飽和烴基鹵化物接觸的時(shí)間，或者三元金屬間化合物在間歇方法中置于反應(yīng)器內(nèi)的時(shí)間。另選地，停留時(shí)間可指一個(gè)反應(yīng)器體積的反應(yīng)物氣體經(jīng)過裝有三元金屬間化合物的反應(yīng)器的時(shí)間，例如，一個(gè)反應(yīng)器體積的不飽和烴基鹵化物經(jīng)過裝有三元金屬間化合物的反應(yīng)器的時(shí)間。

″處理″意指向含有三元金屬間化合物的反應(yīng)器中引入氣流以在與不飽和烴基鹵化物接觸之前預(yù)處理三元金屬間化合物。

一種制備包含鹵代硅烷的反應(yīng)產(chǎn)物的方法，該方法包括：在300℃至700℃的溫度下，使不飽和烴基鹵化物與三元金屬間化合物接觸以形成反應(yīng)產(chǎn)物。不飽和烴基鹵化物可具有式r²x，其中每個(gè)r²獨(dú)立地為不飽和一價(jià)烴基基團(tuán)，并且每個(gè)x獨(dú)立地為鹵素原子。三元金屬間化合物包括銅(cu)、硅(si)和過渡金屬，所述過渡金屬選自銀(ag)、鈷(co)、鉻(cr)、鐵(fe)、鉬(mo)和銠(rh)。反應(yīng)產(chǎn)物包括通式r¹mr²nhosix(4-m-n-o)的鹵代硅烷，其中每個(gè)r¹獨(dú)立地為飽和一價(jià)烴基基團(tuán)，每個(gè)r²獨(dú)立地為不飽和一價(jià)烴基基團(tuán)；每個(gè)x獨(dú)立地為鹵素原子；下標(biāo)m為1、2或3；下標(biāo)n為0、1或2；下標(biāo)o為0、1或2；并且(m+n+o)的量為1、2或3。

在式r²x的不飽和烴基鹵化物中，r²可選自如上所定義的烯基和炔基。另選地，r²可為烯基基團(tuán)。r²的烯基基團(tuán)可具有2至10個(gè)碳原子，或者2至6個(gè)碳原子，或者2至4個(gè)碳原子，或者2個(gè)碳原子。含有至少三個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)可具有支鏈或非支鏈的結(jié)構(gòu)。另選地，r²可為乙烯基或烯丙基。另選地，r可為乙烯基。x的每個(gè)鹵素原子可獨(dú)立地選自br、cl或i；或者br或cl；或者cl。不飽和烴基鹵化物的示例包括但不限于氯乙烯、溴乙烯、碘乙烯、烯丙基氯、烯丙基溴和烯丙基碘。

三元金屬間化合物包括cu、si和過渡金屬，所述過渡金屬選自ag、co、cr、fe、mo和rh。三元金屬間化合物可具有經(jīng)驗(yàn)式coacubsicagdcrefefmogrhh，其中下標(biāo)b、c、d、e、f、g和h表示每種元素存在的摩爾量，并且a≥0、b＞0、c＞0、d≥0、e≥0、f≥0、g≥0且≥0；前提條件是a、d、e、f、g和h中的至少一者不為0。在三元金屬間化合物中，b＞c。另選地，2.5≤b≤8、c＝1，并且a、d、e、f和g中的一者大于0。另選地，過渡金屬可選自ag、cr、fe和mo。另選地，過渡金屬可選自cr和fe。另選地，過渡金屬可選自cr、fe和rh。另選地，過渡金屬可為cr。另選地，三元金屬間化合物可具有式(m)i(cuksi)j，其中m為選自ag、co、cr、fe、mo和rh的過渡金屬。下標(biāo)i表示過渡金屬的摩爾量，并且0＜i≤1。下標(biāo)k表示銅相對(duì)于硅的摩爾量，并且2.5≤b≤8。另選地，3≤k≤5。下標(biāo)j表示銅和硅共同相對(duì)于過渡金屬含量的摩爾量，并且j具有足以使得量(i+j)＝100的值。示例性三元金屬間化合物包括cu、si和ag；cu、si和co；cu、si和cr；cu、si和fe；cu、si和mo、以及cu、si和rh的三元金屬間化合物。另選地，三元金屬間化合物可具有式(mm：cu(1-m))nsi，其中m如上所述。下標(biāo)0＜m≤0.01；另選地0.001≤m≤0.01且2.5≤n≤8。另選地，m選自ag、cr、fe和mo。另選地，m選自ag、cr和mo。另選地，m為cr。示例性三元金屬間化合物包括(ag0.01cu0.99)5si、(cr0.01cu0.99)5si、(fe0.01cu0.99)5si、(mo0.01cu0.99)5si、(rh0.01cu0.99)5si、(co0.01cu0.99)5si、(ag0.01cu0.99)4si、(co0.01cu0.99)4si、(rh0.01cu0.99)4si、(cr0.01cu0.99)4si、(fe0.01cu0.99)4si、(mo0.01cu0.99)5si、(ag0.01cu0.99)3si、(cr0.01cu0.99)3si、(fe0.01cu0.99)3si、(mo0.01cu0.99)3si、(co0.01cu0.99)3si和(rh0.01cu0.99)3si。三元金屬間化合物是可商購獲得的。另選地，三元金屬間化合物可通過常規(guī)方法來制備，諸如使用諸如電弧熔化器等加熱設(shè)備以預(yù)定化學(xué)計(jì)量由各種元素的熔體來制備。另選地，三元金屬間化合物可通過以下方法來制備，該方法包括在硅顆粒上真空浸漬兩種金屬鹵化物，從而產(chǎn)生混合物，并在惰性氣氛下機(jī)械化學(xué)處理該混合物，從而產(chǎn)生包含三元金屬間化合物的反應(yīng)產(chǎn)物?？梢赃@種方式制備上述三元金屬間化合物。

在上述方法中，可在使不飽和烴基鹵化物和三元金屬間化合物接觸期間加入另外的反應(yīng)物。另外的反應(yīng)物可為氫氣(h2)、飽和烴基鹵化物、或兩者。飽和烴基鹵化物可具有式r¹x，其中r¹和x如上所述。另選地，r¹可為1至10個(gè)碳原子、或者1至6個(gè)碳原子、或者1至4個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)。r¹可為me、et、pr或bu；另選地r¹可為me或et。飽和烴基鹵化物的示例包括氯甲烷和氯乙烷。

該方法可在適用于氣體和固體的組合的任何反應(yīng)器中進(jìn)行，或者可在適用于液體和固體的組合的任何反應(yīng)器中進(jìn)行。例如，反應(yīng)器構(gòu)造可為分批式容器、填充床、攪拌床、振動(dòng)床、移動(dòng)床、再循環(huán)床或流化床。另選地，反應(yīng)器可為填充床、攪拌床或流化床。為促進(jìn)反應(yīng)，反應(yīng)器應(yīng)具有用于控制反應(yīng)區(qū)的溫度的裝置。

三元金屬間化合物和不飽和烴基鹵化物接觸的溫度為至少300℃、或者300℃至700℃；或者300℃至600℃；或者300℃至500℃；或者500℃至700℃；或者600℃至700℃；或者500℃至600℃；或者300℃至320℃；或者350℃至400℃；或者370℃至400℃；或者300℃至400℃。不希望受理論束縛，認(rèn)為如果溫度低于300℃，則反應(yīng)可能無法以足夠的速率進(jìn)行以產(chǎn)生所需產(chǎn)物；如果溫度大于700℃，則反應(yīng)產(chǎn)物中的不飽和烴基鹵化物和/或鹵代硅烷可分解。

不飽和烴基鹵化物(以及，當(dāng)存在時(shí)，h2)與三元金屬間化合物接觸的壓力可為亞大氣壓、大氣壓或超大氣壓。例如，壓力可在0千帕(kpag)至2000kpag；或者100kpag至1000kpag；或者100kpag至800kpag的范圍內(nèi)。

當(dāng)加入氫氣(h2)時(shí)，h2與接觸三元金屬間化合物的不飽和烴基鹵化物的摩爾比可在10,000∶1至0.01∶1，或者100∶1至1∶1，或者20∶1至5∶1，或者20∶1至4∶1，或者20∶1至2∶1，或者20∶1至1∶1，或者4∶1至1∶1的范圍內(nèi)。

不飽和烴基鹵化物(以及，當(dāng)存在時(shí)，h2)的停留時(shí)間足以使得不飽和烴基鹵化物(以及，當(dāng)存在時(shí)，h2)與三元金屬間化合物接觸并形成反應(yīng)產(chǎn)物。例如，足夠的停留時(shí)間可為至少0.01秒，或者至少0.1秒，或者0.1秒至10分鐘，或者0.1秒至1分鐘，或者0.5秒至10秒。所需停留時(shí)間可通過調(diào)節(jié)不飽和烴基鹵化物的流速(以及，當(dāng)存在時(shí)，h2)或通過調(diào)節(jié)總反應(yīng)器體積或其任何組合來實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)使用h2時(shí)，可將不飽和烴基鹵化物和h2同時(shí)進(jìn)料到反應(yīng)器中；但是，還設(shè)想到其他進(jìn)行合并的方法，如通過分開的脈沖或分開的流輸送進(jìn)行合并。

三元金屬間化合物以足夠的量存在。當(dāng)不飽和烴基鹵化物(以及，當(dāng)存在時(shí)，h2)與三元金屬間化合物接觸時(shí)，足夠量的三元金屬間化合物足以形成鹵代硅烷。例如，足夠量的三元金屬間化合物可為至少0.01mg三元金屬間化合物/cm³反應(yīng)器體積；或者至少0.5mg三元金屬間化合物/cm³反應(yīng)器體積，或者1mg至10,000mg三元金屬間化合物/cm³反應(yīng)器體積。

進(jìn)行該方法的時(shí)間沒有上限。例如，該方法可進(jìn)行至少0.1秒，或者1秒至30小時(shí)，或者1分鐘至8小時(shí)，或者1小時(shí)至5小時(shí)，或者3小時(shí)至30小時(shí)。

如果不飽和烴基鹵化物在等于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力(或針對(duì)該方法選擇的溫度和壓力)下為液體，則該方法可進(jìn)一步包括在使不飽和烴基鹵化物與三元金屬間化合物接觸之前通過已知方法(諸如預(yù)熱)使不飽和烴基鹵化物氣化。另選地，該方法可進(jìn)一步包括在使氫氣和不飽和烴基鹵化物與三元金屬間化合物接觸之前，通過液體不飽和烴基鹵化物鼓入氫氣以使不飽和烴基鹵化物氣化。

如果不飽和烴基鹵化物在等于或低于標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力下為固體，則該方法還可包括在與三元金屬間化合物接觸之前，在熔點(diǎn)以上預(yù)加熱并使不飽和烴基鹵化物液化或氣化。

本文所述的方法還可包括在使不飽和烴基鹵化物與三元金屬間化合物接觸之前進(jìn)行吹掃和/或處理?！宕祾摺搴汀逄幚怼迦缟纤?。該步驟包括將惰性氣流引入含有三元金屬間化合物的反應(yīng)器中。吹掃和/或處理可在環(huán)境溫度或高溫下進(jìn)行，例如至少25℃，或者至少300℃，或者25℃至500℃，或者300℃至500℃?？蛇M(jìn)行吹掃以除去不期望物質(zhì)，諸如h2、o2、h2o和/或hx，其中x如上所定義。吹掃和/或處理可用惰性氣體(諸如n2或ar)或者用反應(yīng)性氣體(諸如h2或不飽和烴基鹵化物)來完成。

另選地，該方法可任選地進(jìn)一步包括：在與不飽和烴基鹵化物接觸之前和/或期間使三元金屬間化合物與h2接觸。可將h2加入到不飽和烴基鹵化物流中。另選地，可通過不同的流將h2和不飽和烴基鹵化物同時(shí)加入到反應(yīng)器中。

該方法還可包括從反應(yīng)產(chǎn)物中回收鹵代硅烷。鹵代硅烷可通過例如以下方式回收：從反應(yīng)器中除去氣態(tài)產(chǎn)物，然后通過蒸餾分離。通過本文描述和例示的方法生產(chǎn)的反應(yīng)產(chǎn)物包括通式r¹mr²nhosix(4-m-n-o)的鹵代硅烷，其中每個(gè)r¹獨(dú)立地為飽和一價(jià)烴基基團(tuán)，每個(gè)r²獨(dú)立地為不飽和一價(jià)烴基基團(tuán)；每個(gè)x獨(dú)立地為鹵素原子；下標(biāo)m為1、2或3；下標(biāo)n為0、1或2；下標(biāo)o為0、1或2；并且(m+n+o)的量為1、2或3。

本文所述的方法選擇性地生產(chǎn)鹵代硅烷。使用本文的描述，可選擇工藝條件(例如，三元金屬間化合物中過渡金屬的選擇、三元金屬間化合物中每種金屬的相對(duì)量、工藝溫度和所選擇的不飽和烴基鹵化物，以及在使三元金屬間化合物和不飽和烴基鹵化物接觸期間是否加入h2)以生產(chǎn)所需的鹵代硅烷物質(zhì)。例如，當(dāng)過渡金屬為ag，每個(gè)x為氯原子，r¹為乙基，并且r²為乙烯基時(shí)，那么反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vi3sicl、visicl2、vietsicl2、visicl3、etsicl3和vihsicl2的鹵代硅烷的混合物。

另選地，當(dāng)過渡金屬為cr，每個(gè)x為氯原子，r¹為乙基，并且r²為乙烯基時(shí)，那么反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vietsicl2、etsicl3、et2sicl2和visicl3的鹵代硅烷的混合物。另選地，當(dāng)在接觸過程中不加入氫氣時(shí)，反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vi3sicl、vi2sicl2、vietsicl2、vihsicl2、et2sicl2、visicl3和etsicl3的鹵代硅烷。另選地，當(dāng)過渡金屬為cr，每個(gè)x為氯原子，r¹為乙基，并且r²為乙烯基并且在接觸過程中加入氫氣時(shí)，那么反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vietsicl2、et2sicl2、visicl3、etsicl3和ethsicl3的鹵代硅烷的混合物。

另選地，當(dāng)過渡金屬為fe時(shí)，每個(gè)x為氯原子，r¹為乙基，并且r²為乙烯基時(shí)，那么反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vi2sicl2、vietsicl2、et2sicl2、visicl3、etsicl3和vihsicl2的鹵代硅烷的混合物。

另選地，當(dāng)過渡金屬為mo時(shí)，每個(gè)x為氯原子，r¹為乙基，并且r²為乙烯基時(shí)，那么反應(yīng)產(chǎn)物可包括式vi2sicl2、vietsicl2、et2sicl2、visicl3、etsicl3、vihsicl2和ethsicl2的鹵代硅烷的混合物。

本文描述的方法提供了意想不到的好處，將不飽和烴基鹵化物中的不飽和烴基基團(tuán)的至少一部分(r²)轉(zhuǎn)化為鹵化硅烷中的飽和烴基基團(tuán)(r¹)，并且即使當(dāng)在使不飽和烴基鹵化物和三元金屬間化合物接觸期間不加入另外的反應(yīng)物(即氫氣和/或不飽和烴基鹵化物)時(shí)同樣觀察到這種有益的技術(shù)效果。

實(shí)施例

這些實(shí)施例旨在說明本發(fā)明的一些實(shí)施方案，并且不應(yīng)理解為限制權(quán)利要求書中所述的本發(fā)明的范圍。

所有反應(yīng)都在用于加熱的3/8”不銹鋼管內(nèi)的1/4”石英管反應(yīng)器中進(jìn)行。用gc分析反應(yīng)器流出物，并且未定量單個(gè)有機(jī)組分和其他副產(chǎn)物。表1中報(bào)告了氯乙烯(vcm)轉(zhuǎn)化為硅烷。制備組合物(m：cu)5si的三元金屬間化合物樣品，其中m表示過渡金屬，并且過渡金屬：銅的摩爾比為1∶99。將每種三元金屬間化合物置于反應(yīng)器中，并在300℃的溫度下與氯乙烯接觸。將氯乙烯以5sccm的速率加入反應(yīng)器中。反應(yīng)器中的壓力為1psi(6.89kpag)。在每個(gè)實(shí)施例中，三元金屬間化合物的存在量足以在反應(yīng)器中提供0.25gsi。當(dāng)金屬顯示星號(hào)″*″時(shí)，這表明用氯乙烯將10sccmh2共同進(jìn)料到反應(yīng)器中。所使用的過渡金屬和結(jié)果示于下表1中。

反應(yīng)產(chǎn)物中每種鹵代硅烷的選擇性和表1中vcm轉(zhuǎn)化的所有值都以摩爾％計(jì)。

這些實(shí)施例表明，即使利用未優(yōu)化反應(yīng)條件，使用本發(fā)明的方法觀察到顯著的氯乙烯轉(zhuǎn)化(5％或更高)，并且在每次運(yùn)行中都觀察到由氯乙烯提供的乙烯基基團(tuán)轉(zhuǎn)化為反應(yīng)產(chǎn)物中鹵代硅烷的乙基基團(tuán)。在a1作為過渡金屬的比較例中，在本實(shí)施例中測(cè)試的條件下不形成反應(yīng)產(chǎn)物。在mn作為過渡金屬的比較例中，未觀察到來自氯乙烯的乙烯基基團(tuán)轉(zhuǎn)化為反應(yīng)產(chǎn)物中鹵代硅烷的乙基基團(tuán)。在zn作為過渡金屬的比較例中，氯乙烯與三元金屬間化合物的反應(yīng)發(fā)生量僅為0.4％，因此在所測(cè)試的條件下，對(duì)于該三元金屬間化合物，在商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)過程中反應(yīng)性不足。這些實(shí)施例表明，氯乙烯與某些三元金屬間化合物在所評(píng)估的條件下發(fā)生反應(yīng)。對(duì)于三元金屬間化合物中存在的某些過渡金屬，通過本文所述的方法實(shí)現(xiàn)將由氯乙烯提供的乙烯基基團(tuán)的至少一部分轉(zhuǎn)化為反應(yīng)產(chǎn)物中鹵代硅烷的乙基基團(tuán)的有益效果。

就本文為描述各種實(shí)施方案的特定特征或方面而依賴的任何馬庫什群組而言，應(yīng)當(dāng)理解，可以從獨(dú)立于所有其他馬庫什成員的相應(yīng)的馬庫什群組的每個(gè)成員獲得不同、特殊和/或意料之外的結(jié)果。馬庫什組的每個(gè)成員可以被單獨(dú)地和/或組合地依賴，并且為所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的具體實(shí)施方案提供足夠的支持。

還應(yīng)當(dāng)理解，在描述本發(fā)明的各種實(shí)施方案時(shí)依賴的任何范圍和子范圍獨(dú)立地且共同地落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，并且應(yīng)理解為描述和設(shè)想包括其中的整數(shù)值和/或分?jǐn)?shù)值在內(nèi)的所有范圍，即使本文未明確寫出這樣的值。列舉的范圍和子范圍充分地描述了本發(fā)明的各種實(shí)施方案并使它們成為可能，并且這樣的范圍和子范圍可以進(jìn)一步描繪成相關(guān)的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一等。僅作為一個(gè)示例，″300至700″的范圍可被進(jìn)一步描繪為下三分之一(即300至433)、中三分之一(即434至566)和上三分之一(即567至700)，其單獨(dú)地且共同地在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，并且可以被單獨(dú)地和/或共同地依賴并為所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的具體實(shí)施例提供足夠的支持。此外，就諸如″至少″、″大于″、″小于″、″不超過″等限定或修飾范圍的語言而言，應(yīng)當(dāng)理解，此類語言包括子范圍和/或上限或下限。作為另一個(gè)示例，″至少0.1％″的范圍本質(zhì)上包括0.1％至35％的子范圍、10％至25％的子范圍、23％至30％的子范圍等，并且每個(gè)子范圍可以被單獨(dú)地和/或共同地依賴并為所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的具體實(shí)施例提供足夠的支持。最后，在所公開的范圍內(nèi)的獨(dú)立數(shù)值可以被依賴并為所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的具體實(shí)施方案提供足夠的支持。例如，″1至9″的范圍包括諸如3之類的各個(gè)獨(dú)立整數(shù)，以及諸如4.1之類的包括小數(shù)點(diǎn)(或分?jǐn)?shù))的獨(dú)立數(shù)值，其可以被依賴并為所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的具體實(shí)施例提供足夠的支持。

明確地設(shè)想了獨(dú)立權(quán)利要求和從屬權(quán)利要求(單獨(dú)從屬和多重從屬兩者兼有)的所有組合的主題，但為簡潔起見，未進(jìn)行詳細(xì)描述。已通過示例性方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，應(yīng)當(dāng)理解所用術(shù)語旨在成為本質(zhì)上具有描述性的詞語，而不是限制性的詞語。根據(jù)以上教導(dǎo)，可以得出本發(fā)明的許多修改形式和變型形式，并且本發(fā)明可按與所具體描述的方式不同的方式進(jìn)行實(shí)施。