本發(fā)明涉及有機(jī)二氧化硅材料、其制造和使用方法。
背景技術(shù)：
：已經(jīng)發(fā)現(xiàn)多孔無機(jī)固體作為用于工業(yè)應(yīng)用的催化劑和分離介質(zhì)的重大用途。特別地講，具有介孔的周期性布置的介孔材料如二氧化硅和氧化鋁由于其均勻且可調(diào)諧的孔、高的表面積和大的孔體積而是用于吸附、分離和催化過程的有吸引力的材料。這種介孔材料的孔結(jié)構(gòu)足夠大以吸收大分子，且孔壁結(jié)構(gòu)可以薄至約1nm。此外，已知這種介孔材料具有大的比表面積(例如，1000m2/g)和大的孔體積(例如，1cm3/g)。由于這些原因，這種介孔材料能夠使反應(yīng)性催化劑、由功能性有機(jī)化合物組成的吸附劑及其它分子快速擴(kuò)散到孔中，且因此可以優(yōu)于具有較小孔徑的沸石。因此，這種介孔材料不僅可用于催化高速催化反應(yīng)，而且可用作大容量吸附劑。進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，在介孔骨架中包含一些有機(jī)基團(tuán)可以提供可調(diào)節(jié)的反應(yīng)性表面，并且還有助于材料的孔徑均勻性、較高機(jī)械強(qiáng)度和水熱穩(wěn)定性。因此，與介孔二氧化硅相比，介孔有機(jī)二氧化硅材料可以展示出獨(dú)特的性質(zhì)，諸如增強(qiáng)的水熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械性質(zhì)?？梢允褂胹i-r-si形式的橋連倍半硅氧烷前體引入有機(jī)基團(tuán)以形成介孔有機(jī)二氧化硅。介孔有機(jī)二氧化硅常規(guī)地通過在結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑、致孔劑和/或骨架元素的存在下倍半硅氧烷前體的自組裝而形成。該前體是可水解的并在結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑周圍縮合(condense)。由于存在平行對(duì)準(zhǔn)的中等尺度通道的周期性陣列，這些材料被稱為周期性介孔有機(jī)硅酸鹽(pmo)。例如，landskron，k.等人[science(科學(xué)),302:266-269(2003)]報(bào)道了1,3,5-三[二乙氧基硅雜]環(huán)己烷[(eto)2sich2]3在堿和結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑十六烷基三甲基溴化銨存在下自組裝以形成pmo，pmo是具有周期性介孔骨架的橋連有機(jī)二氧化硅，其由sio3r或sio2r2結(jié)構(gòu)單元組成，其中r為橋連有機(jī)基團(tuán)。在pmo中，有機(jī)基團(tuán)可均勻地分布在孔壁中。美國(guó)專利公開號(hào)2012/0059181報(bào)道在naalo2和堿存在下由1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三甲硅烷基環(huán)己烷形成的結(jié)晶雜合有機(jī)-無機(jī)硅酸鹽的制備。美國(guó)專利申請(qǐng)公開號(hào)2007/003492報(bào)道了在丙二醇單甲醚存在下由1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三甲硅烷基環(huán)己烷形成的組合物的制備。然而，諸如表面活性劑的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑在制備有機(jī)二氧化硅材料如pmo中的使用需要復(fù)雜的能量密集過程以在制備過程結(jié)束時(shí)消除結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。這限制了為工業(yè)應(yīng)用擴(kuò)大該過程的能力。因此，需要提供具有所需孔徑、孔體積和表面積的另外的有機(jī)二氧化硅材料。此外，需要提供可通過可在不存在結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑、致孔劑或表面活性劑的情況下實(shí)施的方法制備的這種有機(jī)二氧化硅材料。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以得到具有所需孔徑、孔體積和表面積的有機(jī)二氧化硅材料。此外，可以成功地制備這種有機(jī)二氧化硅材料，而不需要結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑、致孔劑或表面活性劑。因此，一方面，本發(fā)明的實(shí)施方式提供有機(jī)二氧化硅材料，其為至少一種式[z1oz2osich2]3(i)的單體的聚合物，其中每個(gè)z1和z2獨(dú)立地表示氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子和至少一種其它三價(jià)金屬氧化物單體鍵合的鍵。將從下面的具體實(shí)施方式部分清楚地得出包括上文概述的實(shí)施方式的特定方面的其它實(shí)施方式。附圖說明圖1示出樣品1a和比較樣品2的x-射線衍射(xrd)光譜。圖2a示出樣品1a在n2中的熱重量分析(tga)數(shù)據(jù)。圖2b示出樣品1a在空氣中的tga數(shù)據(jù)。圖3示出樣品1a、比較樣品2和樣品5的betn2吸附。圖4示出樣品1a、比較樣品2和樣品5的bet孔徑分布。圖5示出樣品1a、樣品3、樣品5a和樣品6的bet表面積和微孔表面積的比較。圖6示出樣品1a、樣品5a、樣品6和樣品3的孔體積和孔徑的比較。圖7a示出樣品1a的29simasnmr光譜。圖7b示出比較樣品2的29simasnmr光譜。圖8a示出比較樣品2在n2中的tga數(shù)據(jù)。圖8b示出比較樣品2在空氣中的tga數(shù)據(jù)。圖9示出樣品1a和樣品3的xrd光譜。圖10示出樣品4a、樣品4b、樣品4c和樣品4d的29simasnmr光譜。圖11示出樣品5和樣品6的xrd光譜。圖12示出樣品5在空氣和n2中的tga數(shù)據(jù)。圖13示出樣品1a和樣品5的29simasnmr光譜。圖14示出樣品7a和樣品7b的29simasnmr光譜。圖15示出樣品9、樣品10、樣品11a和樣品12的xrd光譜。圖16示出樣品13和樣品21的xrd光譜。圖17示出樣品13、樣品14和樣品15的n2吸附等溫線。圖18示出樣品13、樣品14和樣品15的孔徑分布。圖19示出樣品22a和樣品22b的xrd光譜。圖20示出樣品22a和22b的29simasnmr光譜。圖21示出樣品22a和22b的29almasnmr光譜。圖22示出樣品1a、樣品5和比較樣品2的co2吸附等溫線。具體實(shí)施方式在本發(fā)明的各方面中，提供有機(jī)二氧化硅材料、制備有機(jī)二氧化硅材料的方法和使用所述有機(jī)二氧化硅材料的氣體和液體分離方法。i.定義為了本發(fā)明及其權(quán)利要求的目的，周期表族的編號(hào)方案根據(jù)iupac元素周期表。如在本文中諸如“a和/或b”的短語中使用的術(shù)語“和/或”旨在包括“a和b”、“a或b”、“a”和“b”。術(shù)語“取代基”、“基團(tuán)”、“基”和“部分”可以互換使用。如本文所用的，且除非另有說明，否則術(shù)語“cn”意指每分子具有n個(gè)碳原子的一種或多種烴，其中n為正整數(shù)。如本文所用的，且除非另有說明，否則術(shù)語“烴”意指含有與碳結(jié)合的氫的一類化合物，且涵蓋(i)飽和烴化合物、(ii)不飽和烴化合物和(iii)烴化合物(飽和和/或不飽和的)的混合物，包括具有不同n值的烴化合物的混合物。如本文所用的，且除非另有說明，否則術(shù)語“烷基”是指具有1至12個(gè)碳原子(即，c1-c12烷基)、特別是1至8個(gè)碳原子(即，c1-c8烷基)、特別是1至6個(gè)碳原子(即，c1-c6烷基)且特別是1至4個(gè)碳原子(即，c1-c4烷基)的飽和烴基團(tuán)。烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等等。所述烷基基團(tuán)可為直鏈、支鏈或環(huán)狀的?！巴榛敝荚诎ㄋ薪Y(jié)構(gòu)同分異構(gòu)形式的烷基基團(tuán)。例如，如本文使用的，丙基涵蓋正丙基和異丙基；丁基涵蓋正丁基、仲丁基、異丁基和叔丁基等等。如本文所用的，“c1烷基”是指甲基(-ch3)，“c2烷基”是指乙基(-ch2ch3)，“c3烷基”是指丙基(-ch2ch2ch3)，且“c4烷基”是指丁基(例如，-ch2ch2ch2ch3、-(ch3)chch2ch3、-ch2ch(ch3)2等)。此外，如本文所用的，“me”是指甲基，且“et”是指乙基，“i-pr”是指異丙基，“t-bu”是指叔丁基，且“np”是指新戊基。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“亞烷基”是指在長(zhǎng)度方面含有1至12個(gè)碳原子的二價(jià)烷基部分(即，c1-c12亞烷基)，并且意指亞烷基部分在烷基單元的兩端處連接到分子的其余部分。例如，亞烷基包括但不限于-ch2-、-ch2ch2-、-ch(ch3)ch2-、-ch2ch2ch2-等。所述亞烷基基團(tuán)可為直鏈或支鏈的。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“含氮烷基”是指如本文定義的烷基基團(tuán)，其中在烷基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)碳原子被氮原子或具有2至10個(gè)碳原子的含氮環(huán)狀烴(即，含氮環(huán)狀c2-c10烴)、特別是具有2至5個(gè)碳原子的含氮環(huán)狀烴(即，含氮環(huán)狀c2-c5烴)且特別是具有2至5個(gè)碳原子的含氮環(huán)狀烴(即，含氮環(huán)狀c2-c5烴)取代。所述含氮環(huán)狀烴可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子。所述一個(gè)或多個(gè)氮原子可任選地被一個(gè)或兩個(gè)c1-c6烷基基團(tuán)取代。所述含氮烷基可具有1至12個(gè)碳原子(即，c1-c12含氮烷基)，特別是1至10個(gè)碳原子(即，c1-c10含氮烷基)，特別是2至10個(gè)碳原子(即，c2-c10含氮烷基)、特別是3至10個(gè)碳原子(即，c3-c10含氮烷基)，且特別是3至8個(gè)碳原子(即，c1-c10含氮烷基)。含氮烷基的實(shí)例包括但不限于如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“含氮亞烷基”是指如本文定義的亞烷基基團(tuán)，其中在烷基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)碳原子被氮原子取代。所述一個(gè)或多個(gè)氮原子可任選地被一個(gè)或兩個(gè)c1-c6烷基基團(tuán)取代。所述含氮亞烷基可具有1至12個(gè)碳原子(即，c1-c12含氮亞烷基)，特別是2至10個(gè)碳原子(即，c2-c10含氮亞烷基)，特別是3至10個(gè)碳原子(即，c3-c10含氮亞烷基)、特別是4至10個(gè)碳原子(即，c4-c10含氮亞烷基)，且特別是3至8個(gè)碳原子(即，c3-c8含氮烷基)。含氮亞烷基的實(shí)例包括但不限于如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“烯基”是指具有2至12個(gè)碳原子(即，c2-c12烯基)、特別是2至8個(gè)碳原子(即，c2-c8烯基)、特別是2至6個(gè)碳原子(即，c2-c6烯基)且具有一個(gè)或多個(gè)(例如，2個(gè)、3個(gè)等)碳-碳雙鍵的不飽和烴基。所述烯基基團(tuán)可為直鏈、支鏈或環(huán)狀的。烯基的實(shí)例包括但不限于乙烯基(ethenyl)(乙烯基(vinyl))、2-丙烯基、3-丙烯基、1,4-戊二烯基、1,4-丁二烯基、1-丁烯基、2-丁烯基和3-丁烯基。“烯基”旨在包括所有結(jié)構(gòu)同分異構(gòu)形式的烯基。例如，丁烯基涵蓋1,4-丁二烯基、1-丁烯基、2-丁烯基和3-丁烯基等。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“亞烯基”是指在長(zhǎng)度方面含有2至約12個(gè)碳原子的二價(jià)烯基部分(即，c2-c12亞烯基)且意指亞烷基部分在烷基單元的兩端處連接到分子的其余部分。例如，亞烯基包括但不限于-ch＝ch-、-ch＝chch2-、-ch＝ch＝ch-、-ch2ch2ch＝chch2-等，-ch2ch2-、-ch(ch3)ch2-、-ch2ch2ch2-等。所述亞烯基基團(tuán)可為直鏈或支鏈的。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“炔基”是指具有2至12個(gè)碳原子(即，c2-c12炔基)、特別是2至8個(gè)碳原子(即，c2-c8炔基)、特別是2至6個(gè)碳原子(即，c2-c6炔基)且具有一個(gè)或多個(gè)(例如，2個(gè)、3個(gè)等)碳-碳三鍵的不飽和烴基團(tuán)。所述炔基基團(tuán)可為直鏈、支鏈或環(huán)狀的。炔基的實(shí)例包括但不限于乙炔基、1-丙炔基、2-丁炔基和1,3-丁二炔基。“炔基”旨在包括所有結(jié)構(gòu)同分異構(gòu)形式的炔基。例如，丁炔基涵蓋2-丁炔基和1,3-丁二炔基，且丙炔基涵蓋1-丙炔基和2-丙炔基(炔丙基)。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“亞炔基”是指在長(zhǎng)度方面含有2至約12個(gè)碳原子的二價(jià)炔基部分(即，c2-c12亞炔基)且意指亞烷基部分在烷基單元的兩端處連接到分子的其余部分。例如，亞炔基包括但不限于-c≡c-、-c≡cch2-、-c≡cch2c≡c-、-ch2ch2c≡cch2-等，-ch2ch2-、-ch(ch3)ch2-、-ch2ch2ch2-等。所述亞炔基基團(tuán)可為直鏈或支鏈的。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“烷氧基”是指含有1至約10個(gè)碳原子的-o-烷基。所述烷氧基可為直鏈或支鏈的。非限制性實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基和己氧基?！癱1烷氧基”是指甲氧基，“c2烷氧基”是指乙氧基，“c3烷氧基”是指丙氧基且“c4烷氧基”是指丁氧基。此外，如本文所用的，“ome”是指甲氧基且“oet”是指乙氧基。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“芳族化合物”是指具有離域共軛π體系且具有5至20個(gè)碳原子(芳族c5-c20烴)，特別是5至12個(gè)碳原子(芳族c5-c12烴)且特別是5至10個(gè)碳原子(芳族c5-c12烴)的不飽和環(huán)烴。例示性芳族化合物包括但不限于苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、異丙苯、萘、甲基萘、二甲基萘、乙基萘、苊烯、蒽、菲、苯并蒽、并四苯、苯并蒽、熒蒽、芘、三亞苯等及其組合。另外，所述芳族化合物可包含一個(gè)或多個(gè)雜原子。雜原子的實(shí)例包括但不限于氮、氧和/或硫。具有一個(gè)或多個(gè)雜原子的芳族化合物包括但不限于呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、唑、噻唑等及其組合。所述芳族化合物可包含單環(huán)、二環(huán)、三環(huán)和/或多環(huán)的環(huán)(在一些實(shí)施方式中，至少單環(huán)的環(huán)，僅單環(huán)和雙環(huán)的環(huán)，或僅單環(huán)的環(huán))且可為稠環(huán)。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“芳基”是指含有6至14個(gè)碳環(huán)原子的任何單環(huán)或多環(huán)的環(huán)化碳基團(tuán)，其中至少一個(gè)環(huán)為芳族烴。芳基的實(shí)例包括但不限于苯基、萘基、吡啶基和吲哚基。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“芳烷基”是指被芳基基團(tuán)取代的烷基基團(tuán)。烷基基團(tuán)可為c1-c10烷基基團(tuán)，特別是c1-c6，特別是c1-c4烷基基團(tuán)，且特別是c1-c3烷基基團(tuán)。芳烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于苯基甲基、苯基乙基和萘基甲基。芳烷基可包含一個(gè)或多個(gè)雜原子且稱為“雜芳烷基”。雜原子的實(shí)例包括但不限于氮(即，含氮的雜芳烷基)、氧(即，含氧的雜芳烷基)和/或硫(即，含硫的雜芳烷基)。雜芳烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于吡啶基乙基、吲哚基甲基、呋喃基乙基和喹啉基丙基。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“雜環(huán)基”是指含有4至20個(gè)碳環(huán)原子且含有一個(gè)或多個(gè)雜原子的完全飽和、部分飽和或不飽和或多環(huán)的環(huán)化碳基團(tuán)。雜原子的實(shí)例包括但不限于氮(即，含氮的雜環(huán)基)、氧(即，含氧的雜環(huán)基)和/或硫(即，含硫的雜環(huán)基)。雜環(huán)基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于噻吩基、呋喃基、吡咯基、哌嗪基、吡啶基、苯并唑基、喹啉基、咪唑基、吡咯烷基和哌啶基。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“雜環(huán)基烷基”(heterocycloalkyl)是指被雜環(huán)基基團(tuán)取代的烷基基團(tuán)。烷基基團(tuán)可為c1-c10烷基基團(tuán)，特別是c1-c6烷基，特別是c1-c4烷基基團(tuán)，且特別是c1-c3烷基基團(tuán)。雜環(huán)基烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于噻吩基甲基、呋喃基乙基、吡咯基甲基、哌嗪基乙基、吡啶基甲基、苯并唑基乙基、喹啉基丙基和咪唑基丙基。如本文所用的，術(shù)語“羥基”是指-oh基團(tuán)。如本文所用的，術(shù)語“介孔”(mesoporous)是指具有直徑在約2nm至約50nm范圍內(nèi)的孔的固體材料。如本文所用的，術(shù)語“有機(jī)二氧化硅”(organosilica)是指包含一個(gè)或多個(gè)與兩個(gè)或更多個(gè)si原子結(jié)合的有機(jī)基團(tuán)的有機(jī)硅氧烷化合物。如本文所用的，術(shù)語“硅醇”是指si-oh基團(tuán)。如本文所用的，術(shù)語“硅醇含量”是指在化合物中si-oh基團(tuán)的百分比且可通過諸如nmr的標(biāo)準(zhǔn)方法計(jì)算。如本文所用的，術(shù)語“結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑”、“sda”和/或“致孔劑”是指如下的一種或多種化合物，其被加到合成介質(zhì)中以幫助和/或引導(dǎo)形成有機(jī)二氧化硅材料骨架的結(jié)構(gòu)單元的聚合和/或縮聚和/或組織化。此外，“致孔劑”被理解為能夠在所得有機(jī)二氧化硅材料骨架中形成空隙或孔隙的化合物。如本文所用的，術(shù)語“結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑”涵蓋術(shù)語“模板劑”和“模板”并且與術(shù)語“模板劑”和“模板”同義且可互換。如本文所用的，且除非另作說明，否則術(shù)語“吸附”包括物理吸附、化學(xué)吸附和在固體材料上的縮合及其組合。ii.有機(jī)二氧化硅材料本發(fā)明涉及有機(jī)二氧化硅材料。在第一實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料可為至少一種式[z1oz2osich2]3(i)的獨(dú)立單體的聚合物，其中每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地可為氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子和至少一種其它獨(dú)立的三價(jià)金屬氧化物單體鍵合的鍵。如本文所用的，除非另有說明，否則“與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵”意指該鍵可有利地置換(如果存在的話)在另一單體上的硅原子上的部分(特別是含氧部分，諸如羥基、烷氧基等)，因此可以存在直接與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵，由此例如經(jīng)由si-o-si鍵連接兩個(gè)單體。為了清楚起見，在該鍵合情況下，“另一單體”可為相同類型的單體或不同類型的單體。ii.a.式(i)的單體在各種實(shí)施方式中，每個(gè)z1和/或z2可為氫原子。另外地或可選地，每個(gè)z1和/或z2可為c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z1和/或z2可為與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。ii.b.三價(jià)金屬氧化物單體在各種實(shí)施方式中，所述至少一種其它三價(jià)金屬氧化物單體可為式m1(oz3)3(ii)的獨(dú)立單元，其中m1可為13族金屬且每個(gè)z3獨(dú)立地可為氫原子、c1-c6烷基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m1可為b、al、ga、in、tl或uut。特別地，m1可為al或b。另外地或可選地，每個(gè)z3可為氫原子。另外地或可選地，m1可為al或b且每個(gè)z3可為氫原子。另外地或可選地，每個(gè)z3可為c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。特別地，每個(gè)z3可為甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，m1可為al或b且每個(gè)z3可為氫原子、甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，每個(gè)z3可為與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m1可為al或b且每個(gè)z3可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m1可為al或b且每個(gè)z3可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m1可為al且每個(gè)z3可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m1可為al且每個(gè)z3可為氫原子、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m1可為al且每個(gè)z3可為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m1可為al且每個(gè)z3可為氫原子、丙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m1可為al且每個(gè)z3可為氫原子、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m1可為al或b；且每個(gè)z3可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m1可為al或b；且每個(gè)z3可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m1可為al或b；且每個(gè)z3可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在多種實(shí)施方式中，所述至少一種其它三價(jià)金屬氧化物單體可為式(z4o)2m2-o-si(oz5)3(iii)的獨(dú)立單元，其中m2可為13族金屬且各個(gè)z4和各個(gè)z5可獨(dú)立地為氫原子、c1-c6烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m2可為b、al、ga、in、tl或uut。特別地，m2可為al或b。另外地或可選地，各個(gè)z4和/或各個(gè)z5可為氫原子。另外地或可選地，m2可為al或b且各個(gè)z4和/或各個(gè)z5可為氫原子。另外地或可選地，各個(gè)z4和/或各個(gè)z5可為c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。特別地，z4和/或z5可為甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，各個(gè)z4和/或各個(gè)z5可為與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，m2可為al；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m2可為al；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m2可為al；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m2可為al；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、丙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。在另一特定的實(shí)施方式中，m2可為al；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，當(dāng)在式(i)的情況下存在時(shí)，每個(gè)z1和z2可獨(dú)立地為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；m2可為al或b；且各個(gè)z4和各個(gè)z5獨(dú)立地可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。ii.c.另外的任選單體1.式(iv)在多種實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含具有至少一種式[z6oz7sich2]3(iv)的獨(dú)立單元的單體，其中每個(gè)z6可為氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵且每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、c1-c6烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。如本文所用的，且除非另有說明，否則“與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子”意指氧原子可有利地置換(如果存在的話)在另一單體上的硅原子上的部分(特別是含氧部分，諸如羥基)，因此氧原子可以與另一單體的硅原子直接結(jié)合，由此例如經(jīng)由si-o-si鍵連接這兩個(gè)單體。為了清楚起見，在該鍵合情況下，“另一單體”可為相同類型的單體或不同類型的單體。在各種實(shí)施方式中，每個(gè)z6可為氫原子。另外地或可選地，每個(gè)z6可為c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z6可為與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z7可為c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)或c1-c4烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z7可為與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵，且每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵，且每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z6可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵，且每個(gè)z7可為羥基基團(tuán)、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。2.式(v)在多種實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含具有至少一種式z8oz9z10z11si(v)的獨(dú)立單元的單體，其中每個(gè)z8可為氫原子或c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、含氮的c1-c10烷基基團(tuán)、含氮的雜芳烷基基團(tuán)和含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)及與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。在各種方面中，每個(gè)z8可為氫原子。另外地或可選地，每個(gè)z8可為c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、乙基、甲基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)和c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)和c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為含氮的c1-c10烷基基團(tuán)、含氮的c1-c9烷基基團(tuán)、含氮的c1-c8烷基基團(tuán)、含氮的c1-c7烷基基團(tuán)、含氮的c1-c6烷基基團(tuán)、含氮的c1-c5烷基基團(tuán)、含氮的c1-c4烷基基團(tuán)、含氮的c1-c3烷基基團(tuán)、含氮的c1-c2烷基基團(tuán)或甲基胺。特別地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為含氮的c2-c10烷基基團(tuán)、含氮的c3-c10烷基基團(tuán)、含氮的c3-c9烷基基團(tuán)或含氮的c3-c8烷基基團(tuán)。上述含氮烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。含氮的c1-c10烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)和含氮的c3-c10烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)和含氮的c3-c10烷基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為含氮的雜芳烷基基團(tuán)。所述含氮雜芳烷基基團(tuán)可為含氮c4-c12雜芳烷基基團(tuán)、含氮c4-c10雜芳烷基基團(tuán)或含氮c4-c8雜芳烷基基團(tuán)。含氮雜芳烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于吡啶基乙基、吡啶基丙基、吡啶基甲基、吲哚基甲基、吡嗪基乙基和吡嗪基丙基。上述含氮雜芳烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)和含氮雜芳烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)和含氮雜芳烷基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為含氮的雜環(huán)基烷基基團(tuán)，其中所述雜環(huán)基烷基基團(tuán)可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。所述含氮的雜環(huán)基烷基基團(tuán)可為含氮的c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)、含氮的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)或含氮的c4-c8雜環(huán)基烷基基團(tuán)。含氮的雜環(huán)基烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于哌嗪基乙基、哌嗪基丙基、哌啶基乙基、哌啶基丙基。上述含氮雜環(huán)基烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)、含氮雜芳烷基基團(tuán)和含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)、含氮雜芳烷基基團(tuán)和含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，z9、z10和z11各自獨(dú)立地可為與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)、含氮雜芳烷基基團(tuán)、含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c8烷基基團(tuán)、c4-c10雜芳烷基基團(tuán)、含氮的任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z8可為氫原子或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)、含氮c3-c8烷基基團(tuán)、c4-c10雜芳烷基基團(tuán)、含氮的任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子。在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子結(jié)合的鍵；且z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子；且z11可為甲基。在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、甲基或與另一共聚單體的硅原子結(jié)合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、甲氧基和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子；且每個(gè)z11可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子結(jié)合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子；且每個(gè)z11可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子結(jié)合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子結(jié)合的氧原子；且每個(gè)z11可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)z11可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且z11可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z8可為氫原子、乙基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的鍵；z9和z10各自獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)z11可為3.式(vi)在多種實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含具有至少一種式z12z13z14si-r-siz12z13z14(vi)的單元的單體，其中每個(gè)z12獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r選自c1-c8亞烷基基團(tuán)、c2-c8亞烯基基團(tuán)、c2-c8亞炔基基團(tuán)、含氮的c2-c10亞烷基基團(tuán)、任選取代的c6-c20芳烷基和任選取代的c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)。在各種方面中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z12可為c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)或c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z12可為與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)或c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基、甲氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、乙氧基、甲基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、甲基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子。另外地或可選地，每個(gè)r可為c1-c8亞烷基基團(tuán)、c1-c7亞烷基基團(tuán)、c1-c6亞烷基基團(tuán)、c1-c5亞烷基基團(tuán)、c1-c4亞烷基基團(tuán)、c1-c3亞烷基基團(tuán)、c1-c2亞烷基基團(tuán)或-ch2-。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可為c1-c4亞烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r可為c2-c8亞烯基基團(tuán)、c2-c7亞烯基基團(tuán)、c2-c6亞烯基基團(tuán)、c2-c5亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c3亞烯基基團(tuán)或-hc＝ch-。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可選自c1-c4亞烷基基團(tuán)和c2-c4亞烯基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r可為c2-c8亞炔基基團(tuán)、c2-c7亞炔基基團(tuán)、c2-c6亞炔基基團(tuán)、c2-c5亞炔基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)、c2-c3亞炔基基團(tuán)或-c≡c-。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可選自c1-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)和c2-c4亞炔基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r可為含氮c2-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c3-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c9亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c8亞烷基基團(tuán)或含氮c3-c8亞烷基基團(tuán)。上述含氮亞烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。含氮亞烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可選自c1-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)和含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r可為任選取代的c6-c20芳烷基、任選取代的c6-c14芳烷基或任選取代的c6-c10芳烷基。c6-c20芳烷基的實(shí)例包括但不限于苯基甲基、苯基乙基和萘基甲基。所述芳烷基可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且r可選自c1-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)、含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)和任選取代的c6-c10芳烷基。另外地或可選地，每個(gè)r可為任選取代的c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)、任選取代的c4-c16雜環(huán)基烷基基團(tuán)、任選取代的c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)或任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)。c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于噻吩基甲基、呋喃基乙基、吡咯基甲基、哌嗪基乙基、吡啶基甲基、苯并唑基乙基、喹啉基丙基和咪唑基丙基。所述雜環(huán)基烷基基團(tuán)可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且r可選自c1-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)、含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)、任選取代的c6-c10芳烷基和任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基、甲氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、乙氧基、甲氧基、甲基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且r可選自-ch2-、-ch2ch2-、-hc＝ch-、另外地或可選地，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可為羥基基團(tuán)、甲基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可選自-ch2-、-ch2ch2-、-hc＝ch-、在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13可為羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z14可為甲基；且每個(gè)r可為-ch2ch2-。在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且r可為-ch2-。在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且r可為-hc＝ch-。在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、甲氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地可選自羥基基團(tuán)、甲氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；且每個(gè)r可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、乙氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13可為羥基基團(tuán)、乙氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z14可為甲基；且每個(gè)r可為在另一特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z12可為羥基基團(tuán)、甲氧基或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13可為羥基基團(tuán)、甲氧基和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z14可為甲基；且每個(gè)r可為通過本文所述的方法制造的有機(jī)二氧化硅材料可如在以下部分中所述的來表征。ii.a.x-射線衍射峰本文所述的有機(jī)二氧化硅材料可展示出如下的粉末x-射線衍射圖，其具有約1至約4度2θ的一個(gè)峰、特別是約1至約3度2θ或約1至約2度2θ的一個(gè)峰。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可基本未展示在以下范圍內(nèi)的峰：約0.5至約10度2θ、約0.5至約12度2θ、約0.5至約15度2θ、約0.5至約20度2θ、約0.5至約30度2θ、約0.5至約40度2θ、約0.5至約50度2θ、約0.5至約60度2θ、約0.5至約70度2θ、約2至約10度2θ、約2至約12度2θ、約2至約15度2θ、約2至約20度2θ、約2至約30度2θ、約2至約40度2θ、約2至約50度2θ、約2至約60度2θ、約2至約70度2θ、約3至約10度2θ、約3至約12度2θ的范圍、約3至約15度2θ、約3至約20度2θ、約3至約30度2θ、約3至約40度2θ、約3至約50度2θ、約3至約60度2θ或約3至約70度2θ。ii.b.硅醇含量所述有機(jī)二氧化硅材料可具有根據(jù)合成溶液的組成而在寬界限內(nèi)變化的硅醇含量。所述硅醇含量可通過固態(tài)硅nmr方便地測(cè)定。在多個(gè)方面中，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下硅醇含量：大于約5％、大于約10％、大于約15％、大于約20％、大于約25％、大于約30％、大于約33％、大于35％、大于約40％、大于約41％、大于約44％、大于約45％、大于約50％、大于約55％、大于約60％、大于約65％、大于約70％、大于約75％或約80％。在特定實(shí)施方式中，所述硅醇含量可大于約30％或大于約41％。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下硅醇含量：約5％至約80％、約5％至約75％、約5％至約70％、約5％至約65％、約5％至約60％、約5％至約55％、約5％至約50％、約5％至約45％、約5％至約44％、約5％to至約41％、約5％至約40％、約5％至約35％、約5％至約33％、約5％至約30％、約5％至約25％、約5％至約20％、約5％至約15％、約5％至約10％、約10％至約80％、約10％至約75％、約10％至約70％、約10％至約65％、約10％至約60％、約10％至約55％、約10％至約50％、約10％至約45％、約10％至約44％、約10％至約41％、約10％至約40％、約10％至約35％、約10％至約33％、約10％至約30％、約10％至約25％、約10％至約20％、約20％至約80％、約20％至約75％、約20％至約70％、約20％至約65％、約20％至約60％、約20％至約55％、約20％至約50％、約20％至約45％、約20％至約44％、約20％至約41％、約20％至約40％、約20％至約35％、約20％至約33％、約20％至約30％、約20％至約25％、約30％至約80％、約30％至約75％、約30％至約70％、約30％至約65％、約30％至約60％、約30％至約55％、約30％至約50％、約30％至約45％、約30％至約44％、約30％至約41％、約30％至約40％、約30％至約35％、約30％至約33％、約40％至約80％、約40％至約75％、約40％至約70％、約40％至約65％、約40％至約60％、約40％至約55％、約40％至約50％、約40％至約45％、約40％至約44％或約40％至約41％。ii.c.孔隙大小本文所述的有機(jī)二氧化硅材料有利地呈介孔形式。如先前指示，術(shù)語介孔是指具有直徑在約2nm至約50nm范圍內(nèi)的孔的固體材料。有機(jī)二氧化硅材料的平均孔徑可例如使用在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的專業(yè)知識(shí)內(nèi)的氮吸附-解吸等溫線技術(shù)如bet(brunaueremmetteller)方法測(cè)定。所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下平均孔徑：約0.2nm、約0.4nm、約0.5nm、約0.6nm、約0.8nm、約1.0nm、約1.5nm、約1.8nm或小于約2.0nm。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可有利地具有在如下介孔范圍內(nèi)的平均孔徑：約2.0nm、約2.5nm、約3.0nm、約3.1nm、約3.2nm、約3.3nm、約3.4nm、約3.5nm、約3.6nm、約3.7nm、約3.8nm、約3.9nm、約4.0nm、約4.1nm、約4.5nm、約5.0nm、約6.0nm、約7.0nm、約7.3nm、約8nm、約8.4nm、約9nm、約10nm、約11nm、約13nm、約15nm、約18nm、約20nm、約23nm、約25nm、約30nm、約40nm、約45nm或約50nm。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下平均孔徑：0.2nm至約50nm、約0.2nm至約40nm、約0.2nm至約30nm、約0.2nm至約25nm、約0.2nm至約23nm、約0.2nm至約20nm、約0.2nm至約18nm、約0.2nm至約15nm、約0.2nm至約13nm、約0.2nm至約11nm、約0.2nm至約10nm、約0.2nm至約9nm、約0.2nm至約8.4nm、約0.2nm至約8nm、約0.2nm至約7.3nm、約0.2nm至約7.0nm、約0.2nm至約6.0nm、約0.2nm至約5.0nm、約0.2nm至約4.5nm、約0.2nm至約4.1nm、約0.2nm至約4.0nm、約0.2nm至約3.9nm、約0.2nm至約3.8nm、約0.2nm至約3.7nm、約0.2nm至約3.6nm、約0.2nm至約3.5nm、約0.2nm至約3.4nm、約0.2nm至約3.3nm、約0.2nm至約3.2nm、約0.2nm至約3.1nm、約0.2nm至約3.0nm、約0.2nm至約2.5nm、約0.2nm至約2.0nm、約0.2nm至約1.0nm、約1.0nm至約50nm、約1.0nm至約40nm、約1.0nm至約30nm、約1.0nm至約25nm、約1.0nm至約23nm、約1.0nm至約20nm、約1.0nm至約18nm、約1.0nm至約15nm、約1.0nm至約13nm、約1.0nm至約11nm、約1.0nm至約10nm、約1.0nm至約9nm、約1.0nm至約8.4nm、約1.0nm至約8nm、約1.0nm至約7.3nm、約1.0nm至約7.0nm、約1.0nm至約6.0nm、約1.0nm至約5.0nm、約1.0nm至約4.5nm、約1.0nm至約4.1nm、約1.0nm至約4.0nm、約1.0nm至約3.9nm、約1.0nm至約3.8nm、約1.0nm至約3.7nm、約1.0nm至約3.6nm、約1.0nm至約3.5nm、約1.0nm至約3.4nm、約1.0nm至約3.3nm、約1.0nm至約3.2nm、約1.0nm至約3.1nm、約1.0nm至約3.0nm或約1.0nm至約2.5nm。特別地，所述有機(jī)二氧化硅材料可有利地具有在如下介孔范圍內(nèi)的平均孔徑：約2.0nm至約50nm、約2.0nm至約40nm、約2.0nm至約30nm、約2.0nm至約25nm、約2.0nm至約23nm、約2.0nm至約20nm、約2.0nm至約18nm、約2.0nm至約15nm、約2.0nm至約13nm、約2.0nm至約11nm、約2.0nm至約10nm、約2.0nm至約9nm、約2.0nm至約8.4nm、約2.0nm至約8nm、約2.0nm至約7.3nm、約2.0nm至約7.0nm、約2.0nm至約6.0nm、約2.0nm至約5.0nm、約2.0nm至約4.5nm、約2.0nm至約4.1nm、約2.0nm至約4.0nm、約2.0nm至約3.9nm、約2.0nm至約3.8nm、約2.0nm至約3.7nm、約2.0nm至約3.6nm、約2.0nm至約3.5nm、約2.0nm至約3.4nm、約2.0nm至約3.3nm、約2.0nm至約3.2nm、約2.0nm至約3.1nm、約2.0nm至約3.0nm、約2.0nm至約2.5nm、約2.5nm至約50nm、約2.5nm至約40nm、約2.5nm至約30nm、約2.5nm至約25nm、約2.5nm至約23nm、約2.5nm至約20nm、約2.5nm至約18nm、約2.5nm至約15nm、約2.5nm至約13nm、約2.5nm至約11nm、約2.5nm至約10nm、約2.5nm至約9nm、約2.5nm至約8.4nm、約2.5nm至約8nm、約2.5nm至約7.3nm、約2.5nm至約7.0nm、約2.5nm至約6.0nm、約2.5nm至約5.0nm、約2.5nm至約4.5nm、約2.5nm至約4.1nm、約2.5nm至約4.0nm、約2.5nm至約3.9nm、約2.5nm至約3.8nm、約2.5nm至約3.7nm、約2.5nm至約3.6nm、約2.5nm至約3.5nm、約2.5nm至約3.4nm、約2.5nm至約3.3nm、約2.5nm至約3.2nm、約2.5nm至約3.1nm、約2.5nm至約3.0nm、約3.0nm至約50nm、約3.0nm至約40nm、約3.0nm至約30nm、約3.0nm至約25nm、約3.0nm至約23nm、約3.0nm至約20nm、約3.0nm至約18nm、約3.0nm至約15nm、約3.0nm至約13nm、約3.0nm至約11nm、約3.0nm至約10nm、約3.0nm至約9nm、約3.0nm至約8.4nm、約3.0nm至約8nm、約3.0nm至約7.3nm、約3.0nm至約7.0nm、約3.0nm至約6.0nm、約3.0nm至約5.0nm、約3.0nm至約4.5nm、約3.0nm至約4.1nm或約3.0nm至約4.0nm。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，本文所述的有機(jī)二氧化硅材料可具有如下平均孔徑：約1.0nm至約30.0nm，特別是約1.0nm至約25.0nm，特別是約1.5nm至約25.0nm，特別是約2.0nm至約25.0nm，特別是約2.0nm至約20.0nm，特別是約2.0nm至約15.0nm，或特別是約2.0nm至約10.0nm。使用表面活性劑作為合成介孔材料的模板可產(chǎn)生高度有序的結(jié)構(gòu)，例如邊界分明的圓柱樣孔隙通道。在一些情況下，根據(jù)n2吸附等溫線可能觀察不到滯后回線。在其它情況下，例如在介孔材料可具有不太有序的孔隙結(jié)構(gòu)的情況下，根據(jù)n2吸附等溫線實(shí)驗(yàn)可觀察到滯后回線。在所述情況下，在不受理論限制的情況下，滯后可由缺乏孔隙形狀/孔徑的規(guī)律性和/或由所述不規(guī)則孔隙的瓶頸收縮引起。ii.d.表面積有機(jī)二氧化硅材料的表面積可例如使用在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的專業(yè)知識(shí)內(nèi)的氮吸附-解吸等溫線技術(shù)如bet(brunaueremmetteller)方法測(cè)定。該方法可測(cè)定總表面積、外部表面積和微孔表面積。如本文所用的，且除非另外說明，否則“總表面積”是指如通過bet方法測(cè)定的總表面積。如本文所用的，且除非另作說明，否則“微孔表面積”是指如通過bet方法測(cè)定的微孔表面。在多種實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料可如下總表面積：大于或等于約100m2/g、大于或等于約200m2/g、大于或等于約300m2/g、大于或等于約400m2/g、大于或等于約450m2/g、大于或等于約500m2/g、大于或等于約550m2/g、大于或等于約600m2/g、大于或等于約700m2/g、大于或等于約800m2/g、大于或等于約850m2/g、大于或等于約900m2/g、大于或等于約1,000m2/g、大于或等于約1,050m2/g、大于或等于約1,100m2/g、大于或等于約1,150m2/g、大于或等于約1,200m2/g、大于或等于約1,250m2/g、大于或等于約1,300m2/g、大于或等于約1,400m2/g、大于或等于約1,450m2/g、大于或等于約1,500m2/g、大于或等于約1,550m2/g、大于或等于約1,600m2/g、大于或等于約1,700m2/g、大于或等于約1,800m2/g、大于或等于約1,900m2/g、大于或等于約2,000m2/g、大于或等于約2,100m2/g、大于或等于約2,200m2/g、大于或等于約2,300m2/g或約2,500m2/g。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下總表面積：約50m2/g至約2,500m2/g、約50m2/g至約2,000m2/g、約50m2/g至約1,500m2/g、約50m2/g至約1,000m2/g、約100m2/g至約2,500m2/g、約100m2/g至約2,300m2/g、約100m2/g至約2,200m2/g、約100m2/g至約2,100m2/g、約100m2/g至約2,000m2/g、約100m2/g至約1,900m2/g、約100m2/g至約1,800m2/g、約100m2/g至約1,700m2/g、約100m2/g至約1,600m2/g、約100m2/g至約1,550m2/g、約100m2/g至約1,500m2/g、約100m2/g至約1,450m2/g、約100m2/g至約1,400m2/g、約100m2/g至約1,300m2/g、約100m2/g至約1,250m2/g、約100m2/g至約1,200m2/g、約100m2/g至約1,150m2/g、約100m2/g至約1,100m2/g、約100m2/g至約1,050m2/g、約100m2/g至約1,000m2/g、約100m2/g至約900m2/g、約100m2/g至約850m2/g、約100m2/g至約800m2/g、約100m2/g至約700m2/g、約100m2/g至約600m2/g、約100m2/g至約550m2/g、約100m2/g至約500m2/g、約100m2/g至約450m2/g、約100m2/g至約400m2/g、約100m2/g至約300m2/g、約100m2/g至約200m2/g、約200m2/g至約2,500m2/g、約200m2/g至約2,300m2/g、約200m2/g至約2,200m2/g、約200m2/g至約2,100m2/g、約200m2/g至約2,000m2/g、約200m2/g至約1,900m2/g、約200m2/g至約1,800m2/g、約200m2/g至約1,700m2/g、約200m2/g至約1,600m2/g、約200m2/g至約1,550m2/g、約200m2/g至約1,500m2/g、約200m2/g至約1,450m2/g、約200m2/g至約1,400m2/g、約200m2/g至約1,300m2/g、約200m2/g至約1,250m2/g、約200m2/g至約1,200m2/g、約200m2/g至約1,150m2/g、約200m2/g至約1,100m2/g、約200m2/g至約1,050m2/g、約200m2/g至約1,000m2/g、約200m2/g至約900m2/g、約200m2/g至約850m2/g、約200m2/g至約800m2/g、約200m2/g至約700m2/g、約200m2/g至約600m2/g、約200m2/g至約550m2/g、約200m2/g至約500m2/g、約200m2/g至約450m2/g、約200m2/g至約400m2/g、約200m2/g至約300m2/g、約500m2/g至約2,500m2/g、約500m2/g至約2,300m2/g、約500m2/g至約2,200m2/g、約500m2/g至約2,100m2/g、約500m2/g至約2,000m2/g、約500m2/g至約1,900m2/g、約500m2/g至約1,800m2/g、約500m2/g至約1,700m2/g、約500m2/g至約1,600m2/g、約500m2/g至約1,550m2/g、約500m2/g至約1,500m2/g、約500m2/g至約1,450m2/g、約500m2/g至約1,400m2/g、約500m2/g至約1,300m2/g、約500m2/g至約1,250m2/g、約500m2/g至約1,200m2/g、約500m2/g至約1,150m2/g、約500m2/g至約1,100m2/g、約500m2/g至約1,050m2/g、約500m2/g至約1,000m2/g、約500m2/g至約900m2/g、約500m2/g至約850m2/g、約500m2/g至約800m2/g、約500m2/g至約700m2/g、約500m2/g至約600m2/g、約500m2/g至約550m2/g、約1,000m2/g至約2,500m2/g、約1,000m2/g至約2,300m2/g、約1,000m2/g至約2,200m2/g、約1,000m2/g至約2,100m2/g、約1,000m2/g至約2,000m2/g、約1,000m2/g至約1,900m2/g、約1,000m2/g至約1,800m2/g、約1,000m2/g至約1,700m2/g、約1,000m2/g至約1,600m2/g、約1,000m2/g至約1,550m2/g、約1,000m2/g至約1,500m2/g、約1,000m2/g至約1,450m2/g、約1,000m2/g至約1,400m2/g、約1,000m2/g至約1,300m2/g、約1,000m2/g至約1,250m2/g、約1,000m2/g至約1,200m2/g、約1,000m2/g至約1,150m2/g、約1,000m2/g至約1,100m2/g或約1,000m2/g至約1,050m2/g。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，本文所述的有機(jī)二氧化硅材料可具有約200m2/g至約2,500m2g，特別是約400m2/g至約2,500m2g，特別是約400m2/g至約2,000m2/g或特別是約400m2/g至約1,500m2/g的總表面積。iii.e.孔體積通過本文所述的方法制造的有機(jī)二氧化硅材料的孔體積可例如使用在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的專業(yè)知識(shí)內(nèi)的氮吸附-解吸等溫線技術(shù)如bet(brunaueremmetteller)方法測(cè)定。在多種實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下孔體積：大于或等于約0.1cm3/g、大于或等于約0.2cm3/g、大于或等于約0.3cm3/g、大于或等于約0.4cm3/g、大于或等于約0.5cm3/g、大于或等于約0.6cm3/g、大于或等于約0.7cm3/g、大于或等于約0.8cm3/g、大于或等于約0.9cm3/g、大于或等于約1.0cm3/g、大于或等于約1.1cm3/g、大于或等于約1.2cm3/g、大于或等于約1.3cm3/g、大于或等于約1.4cm3/g、大于或等于約1.5cm3/g、大于或等于約1.6cm3/g、大于或等于約1.7cm3/g、大于或等于約1.8cm3/g、大于或等于約1.9cm3/g、大于或等于約2.0cm3/g、大于或等于約2.5cm3/g、大于或等于約3.0cm3/g、大于或等于約3.5cm3/g、大于或等于約4.0cm3/g、大于或等于約5.0cm3/g、大于或等于約6.0cm3/g、大于或等于約7.0cm3/g或約10.0cm3/g。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下孔體積：約0.1cm3/g至約10.0cm3/g、約0.1cm3/g至約7.0cm3/g、約0.1cm3/g至約6.0cm3/g、約0.1cm3/g至約5.0cm3/g、約0.1cm3/g至約4.0cm3/g、約0.1cm3/g至約3.5cm3/g、約0.1cm3/g至約3.0cm3/g、約0.1cm3/g至約2.5cm3/g、約0.1cm3/g至約2.0cm3/g、約0.1cm3/g至約1.9cm3/g、約0.1cm3/g至約1.8cm3/g、約0.1cm3/g至約1.7cm3/g、約0.1cm3/g至約1.6cm3/g、約0.1cm3/g至約1.5cm3/g、約0.1cm3/g至約1.4cm3/g、約0.1cm3/g至約1.3cm3/g、約0.1cm3/g至約1.2cm3/g、約0.1cm3/g至約1.1cm3/g、約0.1cm3/g至約1.0cm3/g、約0.1cm3/g至約0.9cm3/g、約0.1cm3/g至約0.8cm3/g、約0.1cm3/g至約0.7cm3/g、約0.1cm3/g至約0.6cm3/g、約0.1cm3/g至約0.5cm3/g、約0.1cm3/g至約0.4cm3/g、約0.1cm3/g至約0.3cm3/g、約0.1cm3/g至約0.2cm3/g、0.2cm3/g至約10.0cm3/g、約0.2cm3/g至約7.0cm3/g、約0.2cm3/g至約6.0cm3/g、約0.2cm3/g至約5.0cm3/g、約0.2cm3/g至約4.0cm3/g、約0.2cm3/g至約3.5cm3/g、約0.2cm3/g至約3.0cm3/g、約0.2cm3/g至約2.5cm3/g、約0.2cm3/g至約2.0cm3/g、約0.2cm3/g至約1.9cm3/g、約0.2cm3/g至約1.8cm3/g、約0.2cm3/g至約1.7cm3/g、約0.2cm3/g至約1.6cm3/g、約0.2cm3/g至約1.5cm3/g、約0.2cm3/g至約1.4cm3/g、約0.2cm3/g至約1.3cm3/g、約0.2cm3/g至約1.2cm3/g、約0.2cm3/g至約1.1cm3/g、約0.5cm3/g至約1.0cm3/g、約0.5cm3/g至約0.9cm3/g、約0.5cm3/g至約0.8cm3/g、約0.5cm3/g至約0.7cm3/g、約0.5cm3/g至約0.6cm3/g、約0.5cm3/g至約0.5cm3/g、約0.5cm3/g至約0.4cm3/g、約0.5cm3/g至約0.3cm3/g、0.5cm3/g至約10.0cm3/g、約0.5cm3/g至約7.0cm3/g、約0.5cm3/g至約6.0cm3/g、約0.5cm3/g至約5.0cm3/g、約0.5cm3/g至約4.0cm3/g、約0.5cm3/g至約3.5cm3/g、約0.5cm3/g至約3.0cm3/g、約0.5cm3/g至約2.5cm3/g、約0.5cm3/g至約2.0cm3/g、約0.5cm3/g至約1.9cm3/g、約0.5cm3/g至約1.8cm3/g、約0.5cm3/g至約1.7cm3/g、約0.5cm3/g至約1.6cm3/g、約0.5cm3/g至約1.5cm3/g、約0.5cm3/g至約1.4cm3/g、約0.5cm3/g至約1.3cm3/g、約0.5cm3/g至約1.2cm3/g、約0.5cm3/g至約1.1cm3/g、約0.5cm3/g至約1.0cm3/g、約0.5cm3/g至約0.9cm3/g、約0.5cm3/g至約0.8cm3/g、約0.5cm3/g至約0.7cm3/g或約0.5cm3/g至約0.6cm3/g。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有如下孔體積：約0.1cm3/g至約5.0cm3/g，特別是約0.1cm3/g至約3.0cm3/g，特別是約0.2cm3/g至約2.5cm3/g或特別是約0.2cm3/g至約1.5cm3/g。iii.f.另外的金屬在一些實(shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含至少一種引入至有機(jī)二氧化硅材料的孔隙內(nèi)的催化劑金屬。例示性催化劑金屬可包括但不限于6族元素、8族元素、9族元素、10族元素或其組合。例示性6族元素可包括但不限于鉻、鉬和/或鎢，特別包括鉬和/或鎢。例示性8族元素可包括但不限于鐵、釕和/或鋨。例示性9族元素可包括但不限于鈷、銠和/或銥，特別包括鈷。例示性10族元素可包括但不限于鎳、鈀和/或鉑。所述催化劑金屬可通過任何便利的方法，諸如通過浸漬、離子交換或絡(luò)合到表面位點(diǎn)而引入到有機(jī)二氧化硅材料中。如此引入的催化劑金屬可用以促進(jìn)通常在石油煉制或石油化學(xué)品制造中進(jìn)行的許多催化轉(zhuǎn)化中的任一種。這種催化方法的實(shí)例可包括但不限于加氫、脫氫、芳構(gòu)化、芳族化合物飽和、加氫脫硫、烯烴低聚、聚合、加氫脫氮、加氫裂化、石腦油重整、鏈烷烴異構(gòu)化、芳族化合物烷基轉(zhuǎn)移、雙鍵/三鍵飽和等，以及它們的組合。因此，在另一實(shí)施方式中，提供包含本文所述的有機(jī)二氧化硅材料的催化劑材料。所述催化劑材料可任選包含粘結(jié)劑或?yàn)樽哉辰Y(jié)的。合適的粘結(jié)劑包括但不限于活性和非活性材料、合成或天然存在的沸石以及無機(jī)材料如粘土和/或氧化物如二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、二氧化鈦、二氧化硅-氧化鋁、鈰氧化物、鎂氧化物或其組合。特別地，所述粘結(jié)劑可為二氧化硅-氧化鋁、氧化鋁和/或沸石，特別是氧化鋁。二氧化硅-氧化鋁可為天然存在的或呈包含二氧化硅和金屬氧化物的混合物的凝膠狀沉淀或凝膠形式。應(yīng)當(dāng)注意，本文認(rèn)識(shí)到，與沸石粘結(jié)劑材料結(jié)合使用，即與其組合或在其合成期間存在的本身具有催化活性的材料可改變最終催化劑的轉(zhuǎn)化率和/或選擇性。本文還認(rèn)識(shí)到，如果本發(fā)明用于烷基化方法中，非活性材料可適當(dāng)?shù)赜米飨♂寗┮钥刂妻D(zhuǎn)化量，使得可以經(jīng)濟(jì)地且有序地獲得烷基化產(chǎn)物，而不需要采用其它手段來控制反應(yīng)速率。這些非活性材料可引入到天然存在的粘土如膨潤(rùn)土和高嶺土中，以改善在商業(yè)操作條件下催化劑的壓碎強(qiáng)度，并且充當(dāng)催化劑的粘結(jié)劑或基質(zhì)。本文所述的催化劑通?？砂蕪?fù)合形式的約100份載體材料與約0份粘結(jié)劑材料、約99份載體材料與約1份粘結(jié)劑材料、約95份載體材料與約5份粘結(jié)劑材料的載體材料與粘結(jié)劑材料的比率。另外地或可選地，本文所述的催化劑通?？砂瑥?fù)合形式的在如下范圍內(nèi)的載體材料與粘結(jié)劑材料的比率：約90份載體材料與約10份粘結(jié)劑材料至約10份載體材料與約90份粘結(jié)劑材料、約85份載體材料與約15份粘結(jié)劑材料至約15份載體材料與約85份粘結(jié)劑材料、約80份載體材料與20份粘結(jié)劑材料至20份載體材料與80份粘結(jié)劑材料，所有比率都是重量比，通常為80:20至50:50載體材料:粘結(jié)劑材料，優(yōu)選為65:35至35:65。復(fù)合可通過常規(guī)方法進(jìn)行，包括將材料一起研磨，然后通過擠出?；伤璧某善反呋瘎┝Ｗ印Ｔ谝恍?shí)施方式中，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含引入到網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的陽離子金屬位點(diǎn)。所述陽離子金屬位點(diǎn)可通過任何便利方法、諸如浸漬或經(jīng)由有機(jī)前體絡(luò)合到表面或通過某種其它方法引入。該有機(jī)金屬材料可用于在石油煉制或石油化學(xué)品制造中進(jìn)行的許多烴分離中。待從石油化學(xué)品/燃料中理想地分離的這種化合物的實(shí)例可包括烯烴、鏈烷烴、芳族化合物等。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料還可包含引入到有機(jī)二氧化硅材料的孔隙內(nèi)的表面金屬。所述表面金屬可選自1族元素、2族元素、13族元素及其組合。當(dāng)存在1族元素時(shí)，其優(yōu)選可包含鈉和/或鉀或者是鈉和/或鉀。當(dāng)存在2族元素時(shí)，其可包括但可能不限于鎂和/或鈣。當(dāng)存在13族元素時(shí)，其可包括但可能不限于硼和/或鋁。1、2、6、8至10和/或13族元素中的一種或多種可存在于有機(jī)二氧化硅材料的外表面和/或內(nèi)表面上。例如，1、2和/或13族元素中的一種或多種可存在于有機(jī)二氧化硅材料上的第一層中，且6、8、9和/或10族元素中的一種或多種可存在于例如至少部分地在1、2和/或13族元素頂上的第二層中。另外地或可選地，6、8、9和/或10族元素中的僅一種或多種可存在于有機(jī)二氧化硅材料的外表面和/或內(nèi)表面上。一種或多種表面金屬可通過任何便利方法，諸如通過浸漬、沉積、接枝、共縮、離子交換和/或類似方法引入到有機(jī)二氧化硅材料中或引入到有機(jī)二氧化硅材料上。iii.制造有機(jī)二氧化硅材料的方法在另一實(shí)施方式中，提供制造本文所述的有機(jī)二氧化硅材料的方法。所述方法包括：(a)提供基本不含結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑和/或致孔劑的水性混合物；(b)將至少一種式[r1r2sich2]3(ia)的化合物加到所述水性混合物中以形成溶液，其中每個(gè)r1可為c1-c4烷氧基基團(tuán)且每個(gè)r2可為c1-c4烷氧基基團(tuán)或c1-c4烷基基團(tuán)；(c)將至少一種三價(jià)金屬氧化物源加到所述溶液中；(d)使所述溶液老化以制造預(yù)產(chǎn)物；和(e)干燥所述預(yù)產(chǎn)物以獲得有機(jī)二氧化硅材料，所述有機(jī)二氧化硅材料為如本文所述的包含至少一種式(i)的獨(dú)立單體的聚合物。iii.a.水性混合物本文所述的有機(jī)二氧化硅材料可在基本不用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑的情況下制造。另外地或可選地，所述至少一種式[r1r2sich2]3(ia)的化合物可在步驟(b)中以至少部分地羥基化和/或至少部分地聚合/低聚的形式加入，使得每個(gè)r1可更廣泛地代表羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)或與另一硅氧烷的硅原子鍵合的氧原子，且每個(gè)r2可更廣泛地代表羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一硅氧烷的硅原子鍵合的氧原子。換句話說，除了式[r1r2sich2]3(ia)的單體(至少一種)化合物之外或作為式[r1r2sich2]3(ia)的單體(至少一種)化合物的替代，在步驟(b)中可加入未老化的預(yù)產(chǎn)物。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。因此，所述水性混合物基本不含加入的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑和/或加入的致孔劑。如本文所用的，“不加入結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑”和“不加入致孔劑”意指(i)在有機(jī)二氧化硅材料的合成中不存在如下的組分，其幫助和/或引導(dǎo)形成有機(jī)二氧化硅材料的骨架的結(jié)構(gòu)單元的聚合和/或縮聚和/或組織化；或(ii)這種組分以微量或不顯著或可忽略的量存在于有機(jī)二氧化硅材料的合成中，因此該組分不能被說成是幫助和/或引導(dǎo)形成有機(jī)二氧化硅材料的骨架的結(jié)構(gòu)單元的聚合和/或縮聚和/或織構(gòu)化。此外，“不加入結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑”與“不加入模板”和“不加入模板劑”的意義是一樣的。1.結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑的實(shí)例可包括但不限于非離子表面活性劑、離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、硅表面活性劑、兩性表面活性劑、聚環(huán)氧烷表面活性劑、含氟表面活性劑、膠體晶體、聚合物、高分支分子、星形分子、大分子、樹枝狀大分子及其組合。另外地或可選地，所述表面導(dǎo)向劑可包含或者是泊洛沙姆(poloxamer)、三嵌段聚合物、四烷基銨鹽、非離子聚氧乙烯烷基醚、gemini表面活性劑或其混合物。四烷基銨鹽的實(shí)例可包括但不限于十六烷基三甲基鹵化銨，諸如十六烷基三甲基氯化銨(ctac)、十六烷基三甲基溴化銨(ctab)和十八烷基三甲基氯化銨。其它例示性表面導(dǎo)向劑可另外地或可選地包括十六烷基三甲基氯化銨和/或十六烷基溴化吡啶泊洛沙姆為環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷的嵌段共聚物，更特別地講，由側(cè)接兩個(gè)聚氧乙烯(聚(環(huán)氧乙烷))的親水鏈的聚氧丙烯(聚(環(huán)氧丙烷))的中心疏水鏈構(gòu)成的非離子三嵌段共聚物。具體地講，術(shù)語“泊洛沙姆”是指具有式ho(c2h4))a(c3h6o)b(c2h4o)ah的聚合物，其中“a”和“b”分別指示聚氧乙烯和聚氧丙烯單元的數(shù)目。泊洛沙姆還以商品名稱例如123和f127為人們所知。另外的三嵌段聚合物為b50-6600。非離子聚氧乙烯烷基醚以商品名稱例如56、58、76、78為人們所知。gemini表面活性劑為每個(gè)分子具有已經(jīng)引入的至少兩個(gè)疏水基團(tuán)和至少一個(gè)或任選兩個(gè)親水基團(tuán)的化合物。2.致孔劑致孔劑材料能夠在有機(jī)二氧化硅材料中形成結(jié)構(gòu)域、離散區(qū)域、空隙和/或孔隙。致孔劑的實(shí)例為嵌段共聚物(例如，二嵌段聚合物)。如本文所用的，致孔劑不包括水。聚合物致孔劑的實(shí)例可包括但不限于聚乙烯基芳族化合物，諸如聚苯乙烯、聚乙烯基吡啶，氫化聚乙烯基芳族化合物，聚丙烯腈，聚環(huán)氧烷，諸如聚環(huán)氧乙烷和聚環(huán)氧丙烷，聚乙烯，聚乳酸，聚硅氧烷，聚己內(nèi)酯，聚己內(nèi)酰胺，聚氨酯，聚甲基丙烯酸酯，諸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸，聚丙烯酸酯，諸如聚丙烯酸甲酯和聚丙烯酸，聚二烯，諸如聚丁二烯和聚異戊二烯，聚氯乙烯，聚縮醛和胺封端的環(huán)氧烷，以及其組合。另外地或可選地，致孔劑可為熱塑性均聚物和無規(guī)(與嵌段相反)共聚物。如本文所用的，“均聚物”意指包含得自單一單體的重復(fù)單元的化合物。合適熱塑性材料可包括但不限于以下各物的均聚物或共聚物：聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚苯醚、聚環(huán)氧丙烷、聚環(huán)氧乙烷、聚(二甲基硅氧烷)、聚四氫呋喃、聚乙烯、聚環(huán)己基乙烯、聚乙基唑啉、聚乙烯吡啶、聚己酸內(nèi)酯、聚乳酸、這些材料的共聚物和這些材料的混合物。聚苯乙烯的實(shí)例包括但不限于陰離子聚合的聚苯乙烯、間規(guī)立構(gòu)的聚苯乙烯、未取代和取代的聚苯乙烯(例如，聚(α-甲基苯乙烯))。所述熱塑性材料本質(zhì)上可為直鏈、支鏈、超支化、樹枝狀或星狀的。另外地或可選地，所述致孔劑可為溶劑。溶劑的實(shí)例可包括但不限于酮(例如，環(huán)己酮、環(huán)戊酮、2-庚酮、環(huán)庚酮、環(huán)辛酮、環(huán)己基吡咯烷酮、甲基異丁基酮、甲基乙基酮、丙酮)、碳酸酯化合物(例如，碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯)、雜環(huán)化合物(例如，3-甲基-2-唑烷酮、二甲基咪唑烷酮、n-甲基吡咯烷酮、吡啶)、環(huán)醚(例如，二烷、四氫呋喃)、鏈醚(例如，二乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、聚乙二醇二甲醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚(pgme)、三乙二醇單丁醚、丙二醇單丙醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇苯基醚、三丙二醇甲醚)、醇(例如，甲醇、乙醇)、多元醇(例如乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、甘油、二丙二醇)、腈化合物(例如，乙腈、戊二腈、甲氧基乙腈、丙腈、芐腈)、酯(例如，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、2-甲氧基乙基乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(pgmea)、丁內(nèi)酯、磷酸酯、膦酸酯)、非質(zhì)子極性物質(zhì)(例如，二甲亞砜、環(huán)丁砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺)、非極性溶劑(例如，甲苯、二甲苯、均三甲苯)、氯類溶劑(例如，二氯甲烷、二氯乙烷)、苯、二氯苯、萘、二苯醚、二異丙苯、三乙胺、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯、單甲醚乙酸酯羥基醚，諸如二芐醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚及其混合物。3.堿/酸在多種實(shí)施方式中，在本文提供的方法中使用的水性混合物可包含堿和/或酸。在特定實(shí)施方式中，在所述水性混合物包含堿的情況下，所述水性混合物可具有如下ph：約8至約15、約8至約14.5、約8至約14、約8至約13.5、約8至約13、約8至約12.5、約8至約12、約8至約11.5、約8至約11、約8至約10.5、約8至約10、約8至約9.5、約8至約9、約8至約8.5、約8.5至約15、約8.5至約14.5、約8.5至約14、約8.5至約13.5、約8.5至約13、約8.5至約12.5、約8.5至約12、約8.5至約11.5、約8.5至約11、約8.5至約10.5、約8.5至約10、約8.5至約9.5、約8.5至約9、約9至約15、約9至約14.5、約9至約14、約9至約13.5、約9至約13、約9至約12.5、約9至約12、約9至約11.5、約9至約11、約9至約10.5、約9至約10、約9至約9.5、約9.5至約15、約9.5至約14.5、約9.5至約14、約9.5至約13.5、約9.5至約13、約9.5至約12.5、約9.5至約12、約9.5至約11.5、約9.5至約11、約9.5至約10.5、約9.5至約10、約10至約15、約10至約14.5、約10至約14、約10至約13.5、約10至約13、約10至約12.5、約10至約12、約10至約11.5、約10至約11、約10至約10.5、約10.5至約15、約10.5至約14.5、約10.5至約14、約10.5至約13.5、約10.5至約13、約10.5至約12.5、約10.5至約12、約10.5至約11.5、約10.5至約11、約11至約15、約11至約14.5、約11至約14、約11至約13.5、約11至約13、約11至約12.5、約11至約12、約11至約11.5、約11.5至約15、約11.5至約14.5、約11.5至約14、約11.5至約13.5、約11.5至約13、約11.5至約12.5、約11.5至約12、約12至約15、約12至約14.5、約12至約14、約12至約13.5、約12至約13、約12至約12.5、約12.5至約15、約12.5至約14.5、約12.5至約14、約12.5至約13.5、約12.5至約13、約12.5至約15、約12.5至約14.5、約12.5至約14、約12.5至約13.5、約12.5至約13、約13至約15、約13至約14.5、約13至約14、約13至約13.5、約13.5至約15、約13.5至約14.5、約13.5至約14、約14至約15、約14至約14.5和約14.5至約15。在包含堿的一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述ph可為約9至約15、約9至約14或約8至約14。例示性堿可包括但不限于氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯烷、哌啶、甲基吡啶、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜二環(huán)辛烷、二氮雜環(huán)壬烷、二氮雜二環(huán)十一碳烯、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氨、氫氧化銨、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、n,n-二甲胺、n,n-二乙胺、n,n-二丙胺、n,n-二丁胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、環(huán)己胺、三甲基亞脒(trimethylimidine)、1-氨基-3-甲基丁烷、二甲基甘氨酸、3-氨基-3-甲胺等。這些堿可以單獨(dú)或組合使用。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述堿可包含氫氧化鈉和/或氫氧化銨或是氫氧化鈉和/或氫氧化銨。在特定實(shí)施方式中，其中所述水性混合物包含酸，所述水性混合物可具有如下ph：約0.01至約6.0、約0.01至約5、約0.01至約4、約0.01至約3、約0.01至約2、約0.01至約1、約0.1至約6.0、約0.1至約5.5、約0.1至約5.0、約0.1至約4.8、約0.1至約4.5、約0.1至約4.2、約0.1至約4.0、約0.1至約3.8、約0.1至約3.5、約0.1至約3.2、約0.1至約3.0、約0.1至約2.8、約0.1至約2.5、約0.1至約2.2、約0.1至約2.0、約0.1至約1.8、約0.1至約1.5、約0.1至約1.2、約0.1至約1.0、約0.1至約0.8、約0.1至約0.5、約0.1至約0.2、約0.2至約6.0、約0.2至約5.5、約0.2至約5、約0.2至約4.8、約0.2至約4.5、約0.2至約4.2、約0.2至約4.0、約0.2至約3.8、約0.2至約3.5、約0.2至約3.2、約0.2至約3.0、約0.2至約2.8、約0.2至約2.5、約0.2至約2.2、約0.2至約2.0、約0.2至約1.8、約0.2至約1.5、約0.2至約1.2、約0.2至約1.0、約0.2至約0.8、約0.2至約0.5、約0.5至約6.0、約0.5至約5.5、約0.5至約5、約0.5至約4.8、約0.5至約4.5、約0.5至約4.2、約0.5至約4.0、約0.5至約3.8、約0.5至約3.5、約0.5至約3.2、約0.5至約3.0、約0.5至約2.8、約0.5至約2.5、約0.5至約2.2、約0.5至約2.0、約0.5至約1.8、約0.5至約1.5、約0.5至約1.2、約0.5至約1.0、約0.5至約0.8、約0.8至約6.0、約0.8至約5.5、約0.8至約5、約0.8至約4.8、約0.8至約4.5、約0.8至約4.2、約0.8至約4.0、約0.8至約3.8、約0.8至約3.5、約0.8至約3.2、約0.8至約3.0、約0.8至約2.8、約0.8至約2.5、約0.8至約2.2、約0.8至約2.0、約0.8至約1.8、約0.8至約1.5、約0.8至約1.2、約0.8至約1.0、約1.0至約6.0、約1.0至約5.5、約1.0至約5.0、約1.0至約4.8、約1.0至約4.5、約1.0至約4.2、約1.0至約4.0、約1.0至約3.8、約1.0至約3.5、約1.0至約3.2、約1.0至約3.0、約1.0至約2.8、約1.0至約2.5、約1.0至約2.2、約1.0至約2.0、約1.0至約1.8、約1.0至約1.5、約1.0至約1.2、約1.2至約6.0、約1.2至約5.5、約1.2至約5.0、約1.2至約4.8、約1.2至約4.5、約1.2至約4.2、約1.2至約4.0、約1.2至約3.8、約1.2至約3.5、約1.2至約3.2、約1.2至約3.0、約1.2至約2.8、約1.2至約2.5、約1.2至約2.2、約1.2至約2.0、約1.2至約1.8、約1.2至約1.5、約1.5至約6.0、約1.5至約5.5、約1.5至約5.0、約1.5至約4.8、約1.5至約4.5、約1.5至約4.2、約1.5至約4.0、約1.5至約3.8、約1.5至約3.5、約1.5至約3.2、約1.5至約3.0、約1.5至約2.8、約1.5至約2.5、約1.5至約2.2、約1.5至約2.0、約1.5至約1.8、約1.8至約6.0、約1.8至約5.5、約1.8至約5.0、約1.8至約4.8、約1.8至約4.5、約1.8至約4.2、約1.8至約4.0、約1.8至約3.8、約1.8至約3.5、約1.8至約3.2、約1.8至約3.0、約1.8至約2.8、約1.8至約2.5、約1.8至約2.2、約1.8至約2.0、約2.0至約6.0、約2.0至約5.5、約2.0至約5.0、約2.0至約4.8、約2.0至約4.5、約2.0至約4.2、約2.0至約4.0、約2.0至約3.8、約2.0至約3.5、約2.0至約3.2、約2.0至約3.0、約2.0至約2.8、約2.0至約2.5、約2.0至約2.2、約2.2至約6.0、約2.2至約5.5、約2.2至約5.0、約2.2至約4.8、約2.2至約4.5、約2.2至約4.2、約2.2至約4.0、約2.2至約3.8、約2.2至約3.5、約2.2至約3.2、約2.2至約3.0、約2.2至約2.8、約2.2至約2.5、約2.5至約6.0、約2.5至約5.5、約2.5至約5.0、約2.5至約4.8、約2.5至約4.5、約2.5至約4.2、約2.5至約4.0、約2.5至約3.8、約2.5至約3.5、約2.5至約3.2、約2.5至約3.0、約2.5至約2.8、約2.8至約6.0、約2.8至約5.5、約2.8至約5.0、約2.8至約4.8、約2.8至約4.5、約2.8至約4.2、約2.8至約4.0、約2.8至約3.8、約2.8至約3.5、約2.8至約3.2、約2.8至約3.0、約3.0至約6.0、約3.5至約5.5、約3.0至約5.0、約3.0至約4.8、約3.0至約4.5、約3.0至約4.2、約3.0至約4.0、約3.0至約3.8、約3.0至約3.5、約3.0至約3.2、約3.2至約6.0、約3.2至約5.5、約3.2至約5、約3.2至約4.8、約3.2至約4.5、約3.2至約4.2、約3.2至約4.0、約3.2至約3.8、約3.2至約3.5、約3.5至約6.0、約3.5至約5.5、約3.5至約5、約3.5至約4.8、約3.5至約4.5、約3.5至約4.2、約3.5至約4.0、約3.5至約3.8、約3.8至約5、約3.8至約4.8、約3.8至約4.5、約3.8至約4.2、約3.8至約4.0、約4.0至約6.0、約4.0至約5.5、約4.0至約5、約4.0至約4.8、約4.0至約4.5、約4.0至約4.2、約4.2至約5、約4.2至約4.8、約4.2至約4.5、約4.5至約5、約4.5至約4.8、或約4.8至約5。在包含酸的一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述ph可為約0.01至約6.0、約0.2至約6.0、約0.2至約5.0或約0.2至約4.5。例示性酸可包括但不限于無機(jī)酸，諸如鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸、磷酸、硼酸和乙二酸；和有機(jī)酸，諸如乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、乙二酸、順丁烯二酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、五倍子酸、丁酸、苯六甲酸、花生四烯酸、莽草酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亞油酸、亞麻酸、水楊酸、苯甲酸、對(duì)氨基苯甲酸、對(duì)甲苯磺酸、苯磺酸、一氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、檸檬酸、酒石酸、丁二酸、衣康酸、甲基延胡索酸、檸康酸、蘋果酸、戊二酸的水解產(chǎn)物、順丁烯二酸酐的水解產(chǎn)物、鄰苯二甲酸酐的水解產(chǎn)物等。這些酸可以單獨(dú)或組合使用。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述酸可包含鹽酸或者是鹽酸。iii.b.式(ia)的化合物本文提供的方法包括將至少一種式[r1r2sich2]3(ia)的化合物加到所述水性混合物中以形成溶液的步驟，其中每個(gè)r1可為c1-c4烷氧基基團(tuán)且每個(gè)r2可為c1-c4烷氧基基團(tuán)或c1-c4烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)r1可包含c1-c3烷氧基或甲氧基或乙氧基。另外地或可選地，每個(gè)r2可包含c1-c4烷氧基、c1-c3烷氧基基團(tuán)或甲氧基或乙氧基。另外地或可選地，每個(gè)r2可包含甲基、乙基或丙基，諸如甲基或乙基。另外地或可選地，每個(gè)r1可為c1-c2烷氧基基團(tuán)且r2可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r1可為甲氧基或乙氧基，且每個(gè)r2可為甲基或乙基。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，每個(gè)r1和r2可為乙氧基，使得對(duì)應(yīng)于式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，每個(gè)r1自可為乙氧基，且每個(gè)r2可為甲基，使得對(duì)應(yīng)于式(ia)的化合物可為1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([etoch3sich2]3)。在多個(gè)方面，可將多于一種式(ia)的化合物(例如，相同或不同的化合物)加到水性混合物中以形成溶液。例如，可將[(eto)2sich2]3和[etoch3sich2]3兩者加到水性混合物中以形成溶液。如上文所提，所述至少一種式(ia)的化合物可在加到水性混合物中以形成溶液時(shí)另外地或可選地至少部分地羥基化和/或聚合/低聚。當(dāng)使用多于一種式(ia)的化合物時(shí)，各化合物可以以很多種摩爾比使用。例如，如果使用兩種式(ia)的化合物，各化合物的摩爾比可為1:99至99:1，諸如10:90至90:10。使用不同的式(ia)的化合物允許剪裁(tailor)通過本發(fā)明的方法制造的有機(jī)二氧化硅材料的性質(zhì)，如將在本說明書的實(shí)施例和在描述通過本發(fā)明方法制造的有機(jī)二氧化硅的性質(zhì)的部分中進(jìn)一步解釋的。iii.c.三價(jià)金屬氧化物的源在另外的實(shí)施方式中，本文提供的方法可包括向水性溶液中加入三價(jià)金屬氧化物的源。三價(jià)金屬氧化物的源可包括但不限于三價(jià)金屬的相應(yīng)鹽、醇鹽、氧化物和/或氫氧化物，例如硫酸鋁、硝酸鋁、膠體氧化鋁、三氫氧化鋁、羥基化氧化鋁、al2o3、鹵化鋁(例如，alcl3)、naalo2、氮化硼、b2o3和/或h3bo3。在多個(gè)方面，三價(jià)金屬氧化物的源可為式m3(oz15)3(iia)的化合物，其中m3可為13族金屬且每個(gè)z15獨(dú)立地可為c1-c6烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方式中，m3可為b、al、ga、in、tl或uut。特別地，m3可為al或b。另外地或可選地，每個(gè)z15可為c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。特別地，z15可為甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，m3可為al或b且每個(gè)z15可為甲基、乙基、丙基或丁基。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m3可為al且每個(gè)z15可為甲基，使得對(duì)應(yīng)于式(iia)的化合物可為三甲醇鋁。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m3可為al且每個(gè)z15可為乙基，使得對(duì)應(yīng)于式(iia)的化合物可為三乙醇鋁。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m3可為al且每個(gè)z15可為丙基，使得對(duì)應(yīng)于式(iia)的化合物可為異丙醇鋁。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，m3可為al且每個(gè)z15可為丁基，使得對(duì)應(yīng)于式(iia)的化合物可為三仲丁醇鋁。在另一特定的實(shí)施方式中式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)且式(iia)的化合物可選自三甲醇鋁、三乙醇鋁、異丙醇鋁和三仲丁醇鋁。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，且式(iia)的化合物可為三仲丁醇鋁。另外地或可選地，三價(jià)金屬氧化物的源可為式(z16o)2m4-o-si(oz17)3(iiia)的化合物，其中m4可為13族金屬且z16和z17各自獨(dú)立地可為c1-c6烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方式中，m4可為b、al、ga、in、tl或uut。特別地，m4可為al或b。另外地或可選地，每個(gè)z16和每個(gè)z17獨(dú)立地可為c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。特別地，每個(gè)z16和每個(gè)z17獨(dú)立地可為甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，m4可為al或b且每個(gè)z16和每個(gè)z17獨(dú)立地可為甲基、乙基、丙基或丁基。另外地或可選地，三價(jià)金屬氧化物的源可為式(iia)的化合物的源(例如，alcl3)和/或式(iiia)的化合物的源。式(ia)的化合物與三價(jià)金屬氧化物的摩爾比可在寬界限內(nèi)改變，諸如為約99:1至約1:99、約30:1至約1:1、約25:1至約1:1、約20:1至約3:1或約20:1至約5:1。iii.d.式(va)的化合物在另外的實(shí)施方式中，本文提供的方法還可包括向水性溶液中加入式r3or4r5r6si(va)的化合物以獲得有機(jī)二氧化硅材料，其為包含至少一種如本文所述的式(i)的獨(dú)立單元、至少一種如本文所述的其它三價(jià)金屬氧化物單體(例如，至少一種式(ii)和/或式(iii)的獨(dú)立單元)、任選至少一種如本文所述的式(iv)的獨(dú)立單元和至少一種如本文所述的式(v)的獨(dú)立單元的共聚物，其中每個(gè)r3可為c1-c6烷基基團(tuán)，且r4、r5和r6各自獨(dú)立地可選自c1-c6烷基基團(tuán)、c1-c6烷氧基基團(tuán)、含氮c1-c10烷基基團(tuán)、含氮雜芳烷基基團(tuán)和含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)r3可為c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。特別地，r3可為甲基或乙基。另外地或可選地，每個(gè)r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c5烷基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c5烷氧基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)或c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮c1-c9烷基基團(tuán)、含氮c1-c8烷基基團(tuán)、含氮c1-c7烷基基團(tuán)、含氮c1-c6烷基基團(tuán)、含氮c1-c5烷基基團(tuán)、含氮c1-c4烷基基團(tuán)、含氮c1-c3烷基基團(tuán)、含氮c1-c2烷基基團(tuán)或甲胺。特別地，r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮c2-c10烷基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)、含氮c3-c9烷基基團(tuán)或含氮c3-c8烷基基團(tuán)。上述含氮烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。含氮c1-c10烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮c3-c8烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或含氮c3-c8烷基基團(tuán)。另外地或可選地，r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮雜芳烷基基團(tuán)。所述含氮雜芳烷基基團(tuán)可為含氮c4-c12雜芳烷基基團(tuán)、含氮c4-c10雜芳烷基基團(tuán)或含氮c4-c8雜芳烷基基團(tuán)。含氮雜芳烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于吡啶基乙基、吡啶基丙基、吡啶基甲基、吲哚基甲基、哌嗪基乙基和哌嗪基丙基。上述含氮雜芳烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮雜芳烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c8烷基基團(tuán)或含氮雜芳烷基基團(tuán)。另外地或可選地，r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮雜環(huán)基烷基基團(tuán)，其中所述雜環(huán)基烷基基團(tuán)可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。所述含氮雜環(huán)基烷基基團(tuán)可為含氮c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)、含氮c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)或含氮c4-c8雜環(huán)基烷基基團(tuán)。含氮雜環(huán)基烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于哌嗪基乙基、哌嗪基丙基、哌啶基乙基、哌啶基丙基。上述含氮雜環(huán)基烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c8烷基基團(tuán)、含氮雜芳烷基基團(tuán)或含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r3可為c1-c2烷基基團(tuán)且r4、r5和r6可各自獨(dú)立地為c1-c2烷基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)、含氮c3-c10烷基基團(tuán)、含氮c4-c10雜芳烷基基團(tuán)或含氮的任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基且r4、r5和r6可為乙氧基，使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為正硅酸四乙酯(teos)((eto)4si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，且式(va)的化合物可為正硅酸四乙酯(teos)((eto)4si)。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4可為甲基且r5和r6可為乙氧基，使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為甲基三乙氧基硅烷(mtes)((eto)3ch3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為甲基三乙氧基硅烷(mtes)((eto)3ch3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([etoch3sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為正硅酸四乙酯(teos)((eto)4si)。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4和r5可為乙氧基且r6可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(h2n(ch2)3(eto)3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(h2n(ch2)3(eto)3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為甲基，r4和r5可為甲氧基且r4可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為(n,n-二甲氨基丙基)三甲氧基硅烷(((ch3)2n(ch2)3)(meo)3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為(n,n-二甲氨基丙基)三甲氧基硅烷(((ch3)2n(ch2)3)(meo)3si)。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4和r5可為乙氧基且r6可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為(n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷((h2n(ch2)2nh(ch2)3)(eto)2si)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為(n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷((h2n(ch2)2nh(ch2)3)(eto)2si)。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4和r5可為乙氧基且r6可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為4-甲基-1-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-哌嗪。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為4-甲基-1-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-哌嗪。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4和r5可為乙氧基且r6可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為4-(2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基)吡啶。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為4-(2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基)吡啶。在另一特定的實(shí)施方式中，r3可為乙基，r4和r5可為乙氧基且r5可為使得對(duì)應(yīng)于式(va)的化合物可為1-(3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基)-4,5-二氫-1h-咪唑。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為1-(3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基)-4,5-二氫-1h-咪唑。式(ia)的化合物與式(va)的化合物的摩爾比可在寬界限內(nèi)改變，諸如為約99:1至約1:99、約1:5至約5:1、約4:1至約1:4或約3:2至約2:3。例如，式(ia)的化合物與式(va)的化合物的摩爾比可為約4:1至1:4或約2.5:1至約1:2.5、約2:1至約1:2，諸如約1.5:1至約1:1.5。iii.d.式(via)的化合物在另外的實(shí)施方式中，本文提供的方法還可包括向水性溶液中加入式z18z19z20si-r7-siz18z19z20(via)的化合物以獲得有機(jī)二氧化硅材料，其為包含至少一種如本文所述的式(i)的獨(dú)立單元、至少一種如本文所述的其它三價(jià)金屬氧化物單體(例如，至少一種式(ii)和/或式(iii)的獨(dú)立單元)、任選至少一種如本文所述的式(iv)的獨(dú)立單元、任選至少一種如本文所述的式(v)的獨(dú)立單元和至少一種如本文所述的式(iii)的獨(dú)立單元的共聚物，其中每個(gè)z18獨(dú)立地可為c1-c4烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c4烷氧基基團(tuán)或c1-c4烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可選自c1-c8亞烷基基團(tuán)、c2-c8亞烯基基團(tuán)、c2-c8亞炔基基團(tuán)、含氮c2-c10亞烷基基團(tuán)、任選取代的c6-c20芳烷基基團(tuán)和任選取代的c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)z18可為c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c3烷氧基基團(tuán)、c1-c2烷氧基基團(tuán)或甲氧基。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)，每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c3烷基基團(tuán)、c1-c2烷基基團(tuán)或甲基。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)，且每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)，且每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r7可為c1-c7亞烷基基團(tuán)、c1-c6亞烷基基團(tuán)、c1-c5亞烷基基團(tuán)、c1-c4亞烷基基團(tuán)、c1-c3亞烷基基團(tuán)、c1-c2亞烷基基團(tuán)或-ch2-。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7各自可為c1-c2亞烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r7可為c2-c7亞烯基基團(tuán)、c1-c6亞烯基基團(tuán)、c2-c5亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c3亞烯基基團(tuán)或-hc＝ch-。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7可為c1-c2亞烯基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7可為c1-c2亞烷基基團(tuán)或c1-c2亞烯基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r7可為c2-c7亞炔基基團(tuán)、c1-c6亞炔基基團(tuán)、c2-c5亞炔基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)、c2-c3亞炔基基團(tuán)或-c≡c-。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可為c2-c4亞炔基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可為c2-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)或c2-c4亞炔基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r7可為含氮c2-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c3-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c9亞烷基基團(tuán)、含氮c4-c8亞烷基基團(tuán)或含氮c3-c8亞烷基基團(tuán)。上述含氮亞烷基基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)氮原子(例如，2個(gè)、3個(gè)等)。含氮亞烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7可為含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7可為c2-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)或含氮c4-c10亞烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)r7可為任選取代的c6-c20芳烷基、任選取代的c6-c14芳烷基或任選取代的c6-c10芳烷基。c6-c20芳烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于苯基甲基、苯基乙基和萘基甲基。所述芳烷基可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且r7各自可為任選取代的c6-c10芳烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可為c2-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)或任選取代的c6-c10芳烷基。另外地或可選地，每個(gè)r7可為任選取代的c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)、任選取代的c4-c16雜環(huán)基烷基基團(tuán)、任選取代的c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)或任選取代的c4-c10雜環(huán)基烷基基團(tuán)。c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于噻吩基甲基、呋喃基乙基、吡咯基甲基、哌嗪基乙基、吡啶基甲基、苯并唑基乙基、喹啉基丙基和咪唑基丙基。所述雜環(huán)基烷基基團(tuán)可任選被c1-c6烷基基團(tuán)、特別是c1-c4烷基基團(tuán)取代。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可為任選取代的c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)。另外地或可選地，每個(gè)z18可為c1-c2烷氧基基團(tuán)；每個(gè)z19和z20獨(dú)立地可為c1-c2烷氧基基團(tuán)或c1-c2烷基基團(tuán)；且每個(gè)r7可為c2-c4亞烷基基團(tuán)、c2-c4亞烯基基團(tuán)、c2-c4亞炔基基團(tuán)、任選取代的c6-c10芳烷基或任選取代的c4-c12雜環(huán)基烷基基團(tuán)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，每個(gè)z18和z19可為乙氧基，每個(gè)z20可為甲基且r7可為-ch2ch2-，使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為1,2-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙烷(ch3(eto)2si-ch2ch2-si(eto)2ch3)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)可為1,2-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙烷(ch3(eto)2si-ch2ch2-si(eto)2ch3)。在另一特定的實(shí)施方式中，z18、z19和z20各自可為乙氧基且r7可為-ch2-，使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((eto)3si-ch2-si(eto)3)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)的化合物可為雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((eto)3si-ch2-si(eto)3)。在另一特定的實(shí)施方式中，z18、z19和z20各自可為乙氧基且r7可為-hc＝ch-，使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為1,2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烯((eto)3si-hc＝ch-si(eto)3)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3))，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)的化合物可為1,2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烯((eto)3si-hc＝ch-si(eto)3)。在另一特定的實(shí)施方式中，式(via)的化合物可為雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((eto)3si-ch2-si(eto)3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(va)的化合物可為正硅酸四乙酯(teos)((eto)4si)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，z18、z19和z20各自可為甲氧基且r7可為使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為n,n’-雙[(3-三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)的化合物可為n,n'-雙[(3-三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺。在另一特定的實(shí)施方式中，z18和z19各自可為乙氧基，z20各自可為甲基且r7可為使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為雙[(甲基二乙氧基甲硅烷基)丙基]胺。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)的化合物可為雙[(甲基二乙氧基甲硅烷基)丙基]胺。在另一特定的實(shí)施方式中，z18和z19各自可為甲氧基，z20各自可為甲基且r7可為使得對(duì)應(yīng)于式(via)的化合物可為雙[(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]-n-甲基胺。在另一特定的實(shí)施方式中，式(ia)的化合物可為1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，三價(jià)金屬氧化物源可為三仲丁醇鋁，且式(via)的化合物可為雙[(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]-n-甲基胺。式(ia)的化合物與式(via)的化合物的摩爾比可在寬界限內(nèi)改變，諸如為約99:1至約1:99、約1:5至約5:1、約4:1至約1:4或約3:2至約2:3。例如，式(ia)的化合物與式(via)的化合物的摩爾比可為約4:1至1:4或約2.5:1至1:2.5、約2:1至約1:2，諸如約1.5:1至約1:1.5。iii.c.金屬螯合物源在另外的實(shí)施方式中，本文提供的方法還可包括向水性溶液中加入金屬螯合化合物的源。金屬螯合化合物(在存在時(shí))的實(shí)例可包括鈦螯合化合物，諸如三乙氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、三正丙氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、三異丙氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、三正丁氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、三仲丁氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、三叔丁氧基單(乙酰丙酮酸)鈦、二乙氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、二正丙氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、二異丙氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、二正丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、二仲丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、二叔丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鈦、單乙氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、單正丙氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、單異丙氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、單正丁氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、單仲丁氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、單叔丁氧基三(乙酰丙酮酸)鈦、四(乙酰丙酮酸)鈦、三乙氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、三正丙氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、三異丙氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、三正丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、三仲丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、三叔丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鈦、二乙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、二正丙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、二異丙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、二正丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、二仲丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、二叔丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鈦、單乙氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、單正丙氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、單異丙氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、單正丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、單仲丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、單叔丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鈦、四(乙基乙酰乙酸)鈦、單(乙酰丙酮酸)三(乙基乙酰乙酸)鈦、雙(乙酰丙酮酸)雙(乙基乙酰乙酸)鈦和三(乙酰丙酮酸)單(乙基乙酰乙酸)鈦；鋯螯合化合物，諸如三乙氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、三正丙氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、三異丙氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、三正丁氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、三仲丁氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、三叔丁氧基單(乙酰丙酮酸)鋯、二乙氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、二正丙氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、二異丙氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、二正丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、二仲丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、二叔丁氧基雙(乙酰丙酮酸)鋯、單乙氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、單正丙氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、單異丙氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、單正丁氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、單仲丁氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、單叔丁氧基三(乙酰丙酮酸)鋯、四(乙酰丙酮酸)鋯、三乙氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、三正丙氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、三異丙氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、三正丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、三仲丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、三叔丁氧基單(乙基乙酰乙酸)鋯、二乙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、二正丙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、二異丙氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、二正丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、二仲丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、二叔丁氧基雙(乙基乙酰乙酸)鋯、單乙氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、單正丙氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、單異丙氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、單正丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、單仲丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、單叔丁氧基三(乙基乙酰乙酸)鋯、四(乙基乙酰乙酸)鋯、單(乙酰丙酮酸)三(乙基乙酰乙酸)鋯、雙(乙酰丙酮酸)雙(乙基乙酰乙酸)鋯和三(乙酰丙酮酸)單(乙基乙酰乙酸)鋯；和鋁螯合化合物，諸如三(乙酰丙酮酸)鋁和三(乙基乙酰乙酸)鋁。其中，可值得注意的是鈦或鋁的螯合化合物，可特別值得注意的是鈦的螯合化合物。這些金屬螯合化合物可以單獨(dú)或組合使用。iii.d.摩爾比在本文所述的方法中，可使用約99:1至約1:99、約75:1至約1:99、約50:1至約1:99、約25:1至約1:99、約15:1至約1:99、約50:1至約1:50、約25:1至約1:25或約15:1至約1:15的式(ia):式(iia)、式(ia):式(iiia)的摩爾比。例如，可使用約3:2、約4:1、約4:3、約5:1、約2:3、約1:1、約5:2和約15:1的摩爾比。例如，可使用約15:1和約5:1的式(ia):式(iia)、式(ia):式(iiia)的摩爾比。為了以下論述，式(ia)、(va)和(via)的化合物將統(tǒng)稱為起始硅氧烷。根據(jù)起始材料的選擇，所述溶液可具有多種組成。例如，如果使用堿，溶液可具有約1:5至約1:20，諸如約1:5至約1:15或約1:5至1:10或約1:6至1:20的起始硅氧烷與oh-的摩爾比。如果使用酸，所述溶液可具有約50:1至約5:1、諸如約45:1至約10:1的起始硅氧烷:h+的摩爾比。在使用酸或堿的這兩種情況下，起始硅氧烷與h2o的摩爾比可自約1:50到約1:1000變化，諸如自約1:100到約1:500變化。iii.e.使溶液老化可使在本文所述的方法中形成的溶液老化至少約4小時(shí)、至少約6小時(shí)、至少約12小時(shí)、至少約18小時(shí)、至少約24小時(shí)(1天)、至少約30小時(shí)、至少約36小時(shí)、至少約42小時(shí)、至少約48小時(shí)(2天)、至少約54小時(shí)、至少約60小時(shí)、至少約66小時(shí)、至少約72小時(shí)(3天)、至少約96小時(shí)(4天)、至少約120小時(shí)(5天)或至少約144小時(shí)(6天)。另外地或可選地，可使在本文所述的方法中形成的溶液老化約4小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約4小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約4小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約4小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約4小時(shí)至約66小時(shí)、約4小時(shí)至約60小時(shí)、約4小時(shí)至約54小時(shí)、約4小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約4小時(shí)至約42小時(shí)、約4小時(shí)至約36小時(shí)、約4小時(shí)至約30小時(shí)、約4小時(shí)至約24小時(shí)(1天)、約4小時(shí)至約18小時(shí)、約4小時(shí)至約12小時(shí)、約4小時(shí)至約6小時(shí)、約6小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約6小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約6小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約6小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約6小時(shí)至約66小時(shí)、約6小時(shí)至約60小時(shí)、約6小時(shí)至約54小時(shí)、約6小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約6小時(shí)至約42小時(shí)、約6小時(shí)至約36小時(shí)、約6小時(shí)至約30小時(shí)、約6小時(shí)至約24小時(shí)(1天)、約6小時(shí)至約18小時(shí)、約6小時(shí)至約12小時(shí)、約12小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約12小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約12小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約12小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約12小時(shí)至約66小時(shí)、約12小時(shí)至約60小時(shí)、約12小時(shí)至約54小時(shí)、約12小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約12小時(shí)至約42小時(shí)、約12小時(shí)至約36小時(shí)、約12小時(shí)至約30小時(shí)、約12小時(shí)至約24小時(shí)(1天)、約12小時(shí)至約18小時(shí)、約18小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約18小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約18小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約18小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約18小時(shí)至約66小時(shí)、約18小時(shí)至約60小時(shí)、約18小時(shí)至約54小時(shí)、約18小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約18小時(shí)至約42小時(shí)、約18小時(shí)至約36小時(shí)、約18小時(shí)至約30小時(shí)、約18小時(shí)至約24小時(shí)(1天)、約24小時(shí)(1天)至約144小時(shí)(6天)、約24小時(shí)(1天)至約120小時(shí)(5天)、約24小時(shí)(1天)至約96小時(shí)(4天)、約24小時(shí)(1天)至約72小時(shí)(3天)、約24小時(shí)(1天)至約66小時(shí)、約24小時(shí)(1天)至約60小時(shí)、約24小時(shí)(1天)至約54小時(shí)、約24小時(shí)(1天)至約48小時(shí)(2天)、約24小時(shí)(1天)至約42小時(shí)、約24小時(shí)(1天)至約36小時(shí)、約24小時(shí)(1天)至約30小時(shí)、約30小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約30小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約30小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約30小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約30小時(shí)至約66小時(shí)、約30小時(shí)至約60小時(shí)、約30小時(shí)至約54小時(shí)、約30小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約30小時(shí)至約42小時(shí)、約30小時(shí)至約36小時(shí)、約36小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約36小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約36小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約36小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約36小時(shí)至約66小時(shí)、約36小時(shí)至約60小時(shí)、約36小時(shí)至約54小時(shí)、約36小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約36小時(shí)至約42小時(shí)、約42小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約42小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約42小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約42小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約42小時(shí)至約66小時(shí)、約42小時(shí)至約60小時(shí)、約42小時(shí)至約54小時(shí)、約42小時(shí)至約48小時(shí)(2天)、約48小時(shí)(2天)至約144小時(shí)(6天)、約48小時(shí)(2天)至約120小時(shí)(5天)、約48小時(shí)(2天)至約96小時(shí)(4天)、約48小時(shí)(2天)至約72小時(shí)(3天)、約48小時(shí)(2天)至約66小時(shí)、約48小時(shí)(2天)至約60小時(shí)、約48小時(shí)(2天)至約54小時(shí)、約54小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約54小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約54小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約54小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約54小時(shí)至約66小時(shí)、約54小時(shí)至約60小時(shí)、約60小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約60小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約60小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約60小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約60小時(shí)至約66小時(shí)、約66小時(shí)至約144小時(shí)(6天)、約66小時(shí)至約120小時(shí)(5天)、約66小時(shí)至約96小時(shí)(4天)、約66小時(shí)至約72小時(shí)(3天)、約72小時(shí)(3天)至約144小時(shí)(6天)、約72小時(shí)(3天)至約120小時(shí)(5天)、約72小時(shí)(3天)至約96小時(shí)(4天)、約96小時(shí)(4天)至約144小時(shí)(6天)、約96小時(shí)(4天)至約120小時(shí)(5天)或約120小時(shí)(5天)至約144小時(shí)(6天)。另外地或可選地，可使在所述方法中形成的溶液在以下溫度下老化：至少約10℃、至少約20℃、至少約30℃、至少約40℃、至少約50℃、至少約60℃、至少約70℃、至少約80℃、至少約90℃、至少約100℃、至少約110℃、至少約120℃、至少約130℃、至少約140℃、至少約150℃、至少約175℃、至少約200℃、至少約250℃或約300℃。另外地或可選地，可使在所述方法中形成的溶液在以下溫度下老化：約10℃至約300℃、約10℃至約250℃、約10℃至約200℃、約10℃至約175℃、約10℃至約150℃、約10℃至約140℃、約10℃至約130℃、約10℃至約120℃、約10℃至約110℃、約10℃至約100℃、約10℃至約90℃、約10℃至約80℃、約10℃至約70℃、約10℃至約60℃、約10℃至約50℃、約20℃至約300℃、約20℃至約250℃、約20℃至約200℃、約20℃至約175℃、約20℃至約150℃、約20℃至約140℃、約20℃至約130℃、約20℃至約120℃、約20℃至約110℃、約20℃至約100℃、約20℃至約90℃、約20℃至約80℃、約20℃至約70℃、約20℃至約60℃、約20℃至約50℃、約30℃至約300℃、約30℃至約250℃、約30℃至約200℃、約30℃至約175℃、約30℃至約150℃、約30℃至約140℃、約30℃至約130℃、約30℃至約120℃、約30℃至約110℃、約30℃至約100℃、約30℃至約90℃、約30℃至約80℃、約30℃至約70℃、約30℃至約60℃、約30℃至約50℃、約50℃至約300℃、約50℃至約250℃、約50℃至約200℃、約50℃至約175℃、約50℃至約150℃、約50℃至約140℃、約50℃至約130℃、約50℃至約120℃、約50℃至約110℃、約50℃至約100℃、約50℃至約90℃、約50℃至約80℃、約50℃至約70℃、約50℃至約60℃、約70℃至約300℃、約70℃至約250℃、約70℃至約200℃、約70℃至約175℃、約70℃至約150℃、約70℃至約140℃、約70℃至約130℃、約70℃至約120℃、約70℃至約110℃、約70℃至約100℃、約70℃至約90℃、約70℃至約80℃、約80℃至約300℃、約80℃至約250℃、約80℃至約200℃、約80℃至約175℃、約80℃至約150℃、約80℃至約140℃、約80℃至約130℃、約80℃至約120℃、約80℃至約110℃、約80℃至約100℃、約80℃至約90℃、約90℃至約300℃、約90℃至約250℃、約90℃至約200℃、約90℃至約175℃、約90℃至約150℃、約90℃至約140℃、約90℃至約130℃、約90℃至約120℃、約90℃至約110℃、約90℃至約100℃、約100℃至約300℃、約100℃至約250℃、約100℃至約200℃、約100℃至約175℃、約100℃至約150℃、約100℃至約140℃、約100℃至約130℃、約100℃至約120℃、約100℃至約110℃、約110℃至約300℃、約110℃至約250℃、約110℃至約200℃、約110℃至約175℃、約110℃至約150℃、約110℃至約140℃、約110℃至約130℃、約110℃至約120℃、約120℃至約300℃、約120℃至約250℃、約120℃至約200℃、約120℃至約175℃、約120℃至約150℃、約120℃至約140℃、約120℃至約130℃、約130℃至約300℃、約130℃至約250℃、約130℃至約200℃、約130℃至約175℃、約130℃至約150℃或約130℃至約140℃。iii.i.干燥預(yù)產(chǎn)物本文所述的方法包括干燥預(yù)產(chǎn)物(例如，凝膠)以制造有機(jī)二氧化硅材料。在一些實(shí)施方式中，在所述方法中形成的預(yù)產(chǎn)物(例如，凝膠)可在如下溫度下干燥：大于或等于約50℃、大于或等于約70℃、大于或等于約80℃、大于或等于約100℃、大于或等于約110℃、大于或等于約120℃、大于或等于約150℃、大于或等于約200℃、大于或等于約250℃、大于或等于約300℃、大于或等于約350℃、大于或等于約400℃、大于或等于約450℃、大于或等于約500℃、大于或等于約550℃或者大于或等于約600℃。另外地或可選地，在所述方法中形成的預(yù)產(chǎn)物(例如，凝膠)可在如下溫度下干燥：約50℃至約600℃、約50℃至約550℃、約50℃至約500℃、約50℃至約450℃、約50℃至約400℃、約50℃至約350℃、約50℃至約300℃、約50℃至約250℃、約50℃至約200℃、約50℃至約150℃、約50℃至約120℃、約50℃至約110℃、約50℃至約100℃、約50℃至約80℃、約50℃至約70℃、約70℃至約600℃、約70℃至約550℃、約70℃至約500℃、約70℃至約450℃、約70℃至約400℃、約70℃至約350℃、約70℃至約300℃、約70℃至約250℃、約70℃至約200℃、約70℃至約150℃、約70℃至約120℃、約70℃至約110℃、約70℃至約100℃、約70℃至約80℃、約80℃至約600℃、約70℃至約550℃、約80℃至約500℃、約80℃至約450℃、約80℃至約400℃、約80℃至約350℃、約80℃至約300℃、約80℃至約250℃、約80℃至約200℃、約80℃至約150℃、約80℃至約120℃、約80℃至約110℃或約80℃至約100℃。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，在所述方法中形成的預(yù)產(chǎn)物(例如，凝膠)可在約70℃至約200℃的溫度下干燥。另外地或可選地，在所述方法中形成的預(yù)產(chǎn)物(例如，凝膠)可在n2和/或空氣氣氛下干燥。iii.k.任選的另外步驟在一些實(shí)施方式中，所述方法還可包括煅燒所述有機(jī)二氧化硅材料以獲得二氧化硅材料。所述煅燒可在空氣或惰性氣體下，諸如在氮?dú)饣蚋缓獨(dú)獾目諝庀聢?zhí)行。煅燒可在至少約300℃、至少約350℃、至少約400℃、至少約450℃、至少約500℃、至少約550℃、至少約600℃或至少約650℃、例如至少約400℃的溫度下發(fā)生。另外地或可選地，煅燒可在如下溫度下執(zhí)行：約300℃至約650℃、約300℃至約600℃、約300℃至約550℃、約300℃至約400℃、約300℃至約450℃、約300℃至約400℃、約300℃至約350℃、約350℃至約650℃、約350℃至約600℃、約350℃至約550℃、約350℃至約400℃、約350℃至約450℃、約350℃至約400℃、約400℃至約650℃、約400℃至約600℃、約400℃至約550℃、約400℃至約500℃、約400℃至約450℃、約450℃至約650℃、約450℃至約600℃、約450℃至約550℃、約450℃至約500℃、約500℃至約650℃、約500℃至約600℃、約500℃至約550℃、約550℃至約650℃、約550℃至約600℃或約600℃至約650℃。iv.方法限定的產(chǎn)品有機(jī)二氧化硅材料有機(jī)二氧化硅材料可由本文所述的方法制造。在另一特定的實(shí)施方式中，有機(jī)二氧化硅材料由如本文所述的水性混合物制造，所述水性混合物基本不含如本文所述的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑，其中所述有機(jī)二氧化硅材料可為：(i)以下物質(zhì)的共聚物：(a)至少一種如本文所述的式(i)的獨(dú)立單元；(b)至少一種如本文所述的式(ii)的獨(dú)立單元和/或至少一種如本文所述的式(iii)的獨(dú)立單元；和(c)任選至少一種如本文所述的式(iv)的獨(dú)立單元、至少一種如本文所述的式(v)的獨(dú)立單元和/或至少一種如本文所述的式(vi)的獨(dú)立單元。由本文所述的方法制造的有機(jī)二氧化硅材料可展示出如本文所述的xrd圖案，特別是具有在約1度2θ和約3度2θ之間的唯一一個(gè)峰。另外地或可選地，由本文所述的方法制造的有機(jī)二氧化硅材料可基本沒有展示出在如下范圍內(nèi)的峰：約0.5至約10度2θ、約0.5至約12度2θ、約0.5至約15度2θ、約0.5至約20度2θ、約0.5至約30度2θ、約0.5至約40度2θ、約0.5至約50度2θ、約0.5至約60度2θ、約0.5至約70度2θ、約2至約10度2θ、約2至約12度2θ、約2至約15度2θ、約2至約20度2θ、約2至約30度2θ、約2至約40度2θ、約2至約50度2θ、約2至約60度2θ、約2至約70度2θ、約3至約10度2θ、約3至約12度2θ、約3至約15度2θ、約3至約20度2θ、約3至約30度2θ、約3至約40度2θ、約3至約50度2θ、約3至約60度2θ或約3至約70度2θ。另外地或可選地，所述有機(jī)二氧化硅材料可具有特別是在約1.5nm和約20.0nm之間的如本文所述的平均孔徑。v.有機(jī)二氧化硅材料的用途本文所述的有機(jī)二氧化硅材料在多種領(lǐng)域中應(yīng)用。在特定實(shí)施方式中，本文所述的有機(jī)二氧化硅材料可作為用于分離和/或催化方法的吸附劑和載體基質(zhì)使用。v.a.氣體分離方法在一些情形下，所述有機(jī)二氧化硅材料可在如本文提供的氣體分離方法中使用。所述氣體分離方法可包括使含有至少一種污染物的氣體混合物與如根據(jù)本文所述的方法制備的本文所述的有機(jī)二氧化硅材料接觸。在多種實(shí)施方式中，所述氣體分離方法可通過變化吸附(swingadsorption)過程如變壓吸附(psa)和變溫吸附(tsa)實(shí)現(xiàn)。所有變化吸附方法通常具有其中進(jìn)料混合物(通常，呈氣相)流過吸附劑以相對(duì)于不太容易吸附的組分而言優(yōu)先吸附更易于吸附的組分的吸附步驟。組分由于吸附劑的動(dòng)態(tài)或平衡性質(zhì)而可能更易于吸附。吸附劑通常可容納在作為變化吸附單元的一部分的接觸器中。所述接觸器通常可含有工程結(jié)構(gòu)化吸附床或微粒吸附床。所述床可含有吸附劑及其它材料，諸如其它吸附劑、介孔填充材料和/或用以減輕因吸附和脫附的熱引起的溫度偏差的惰性材料。在變化吸附單元中的其它組件可包括但未必限于閥、管路、槽及其它接觸器。變化吸附方法詳細(xì)地描述在美國(guó)專利號(hào)8,784,533、8,784,534、8,858,683和8,784,535中，其各自通過引用并入本文中?？稍诒疚闹袉为?dú)或組合使用的方法的實(shí)例為psa、tsa、變壓變溫吸附(ptsa)、部分吹掃位移變化吸附(ppsa)、pptsa、快速循環(huán)psa(rcpsa)、rctsa、rcppsa和rcptsa?？蓱?yīng)用變化吸附方法以從很多種氣體混合物中除去多種也稱作“污染氣體”的目標(biāo)氣體。通常，在二元分離系統(tǒng)中，本文使用的“輕質(zhì)組分”被認(rèn)為是在所述方法的吸附步驟中未被吸附劑優(yōu)先吸收的物質(zhì)或一種或多種分子組分。相反地，在二元分離系統(tǒng)中，本文使用的“重質(zhì)組分”通常被認(rèn)為是在所述方法的吸附步驟中被吸附劑優(yōu)先吸收的物質(zhì)或一種或多種分子組分。然而，在被優(yōu)先吸附的一種或多種組分具有比未被優(yōu)先吸附的一種或多種組分低的分子量的二元分離系統(tǒng)中，這些描述可能不一定如上文所公開的那樣相關(guān)?？稍诒疚乃龅姆椒ㄖ蟹蛛x的氣體混合物的實(shí)例為包含ch4的氣體混合物，諸如天然氣流。包含ch4的氣體混合物可含有顯著水平的污染物，諸如h2o、h2s、co2、n2、硫醇和/或重質(zhì)烴。另外地或可選地，所述氣體混合物可包含作為污染物的nox和/或sox物質(zhì)，諸如廢氣流、煙氣流和濕氣流。本文使用的術(shù)語“nox,”和“nox”物質(zhì)是指可能存在于廢氣如來自燃燒過程的廢氣中的各種氮氧化物。這些術(shù)語涉及所有的各種氮氧化物，包括但不限于一氧化氮(no)、二氧化氮(no2)、過氧化氮(n2o)、五氧化二氮(n2o5)及其混合物。本文使用的術(shù)語“sox”和“sox物質(zhì)”是指可能存在于廢氣如來自燃燒過程的廢氣中的各種硫氧化物。所述術(shù)語是指所有的各種硫氧化物，包括但不限于so、so2、so3、so4、s7o2和s6o2。因此，污染物的實(shí)例包括但不限于h2o、h2s、co2、n2、硫醇、重質(zhì)烴、nox和/或sox物質(zhì)。v.b.芳族化合物加氫方法加氫催化劑還可包含粘結(jié)劑，諸如但不限于活性和非活性材料、無機(jī)材料、粘土、陶瓷、活性碳、氧化鋁、二氧化硅、二氧化硅-氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、鈮氧化物、鉭氧化物或其組合，特別是二氧化硅-氧化鋁、氧化鋁、二氧化鈦或氧化鋯。這些加氫催化劑可用于進(jìn)料流的加氫和芳族化合物飽和兩者。在多種實(shí)施方式中，加氫方法可通過如下方式實(shí)現(xiàn)：在有效芳族化合物加氫條件下操作的第一反應(yīng)階段中在含氫的處理氣體存在下使包含芳族化合物的烴進(jìn)料流與本文所述的加氫催化劑接觸，以生成具有降低的芳族化合物含量的反應(yīng)產(chǎn)物。適合在加氫方法中使用的含氫處理氣體可基本上由純氫構(gòu)成或者可為在煉油廠氫氣流中通常見到的其它組分的混合物。優(yōu)選所述含氫處理氣流含有很少的硫化氫，更優(yōu)選不含硫化氫。為了獲得最佳結(jié)果，含氫處理氣體的純度應(yīng)該為至少約50體積％氫氣、優(yōu)選為至少約75體積％氫氣、更優(yōu)選為至少90體積％氫氣。最優(yōu)選所述含氫流基本為純氫。適合通過本文所述的加氫催化劑加氫的進(jìn)料流包括需要加氫或芳族化合物飽和的任何常規(guī)烴進(jìn)料流。通常，芳族化合物飽和方法的輸入進(jìn)料可作為來自先前類型的加氫加工如用于燃料或潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油存料制造的加氫裂化的產(chǎn)物或副產(chǎn)物而產(chǎn)生。多種石油和化學(xué)原料可進(jìn)行加氫加工。所述進(jìn)料流可包括烴流體、柴油、煤油、潤(rùn)滑油進(jìn)料流、重焦化瓦斯油(hkgo)、脫瀝青油(dao)、fcc主塔底(mcb)、蒸汽裂化焦油。這種進(jìn)料流還可包括其它餾出物進(jìn)料流，諸如輕至重餾出物，包括粗制原始餾出物，含蠟的進(jìn)料流，諸如衍生自原油、頁巖油和焦油砂的進(jìn)料。合成進(jìn)料如衍生自費(fèi)-托法的那些也可使用本文所述的加氫催化劑進(jìn)行芳族化合物飽和。用于制備潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的典型含蠟原料具有約315℃或更高的初沸點(diǎn)，并且包括進(jìn)料如完全和減少的石油原油、加氫裂化油、殘油、加氫處理的油、瓦斯油(諸如常壓瓦斯油、真空瓦斯油和焦化瓦斯油)、常壓和真空殘?jiān)⒚摓r青油/殘?jiān)?例如，丙烷脫瀝青殘?jiān)⒐饬劣?、循環(huán)油)、脫蠟油、疏松石臘和費(fèi)-托蠟以及這些材料的混合物。這種進(jìn)料可來自蒸餾塔(常壓和真空)、加氫裂化器、加氫處理器和溶劑提取單元，且可具有高達(dá)50％或更高的蠟含量。優(yōu)選的潤(rùn)滑油沸程進(jìn)料流包括在650-1100℉范圍內(nèi)沸騰的進(jìn)料流。柴油沸程進(jìn)料流包括在480-660℉范圍內(nèi)沸騰的進(jìn)料流。煤油沸程進(jìn)料流包括在350-617℉范圍內(nèi)沸騰的進(jìn)料流。適合在本文中使用的烴進(jìn)料流還含有芳族化合物和氮-和硫-污染物。含有基于進(jìn)料流計(jì)最高達(dá)0.2重量％的氮、最高達(dá)3.0重量％的硫和最高達(dá)50重量％芳族化合物的進(jìn)料流可在本發(fā)明方法中使用。在多種實(shí)施方式中，所述進(jìn)料流的硫含量可低于約500wppm或低于約300wppm、或低于約200wppm、或低于約100wppm、或低于約50wppm或低于約15wppm。在芳族化合物加氫過程期間使用的壓力可基于在進(jìn)料流中的預(yù)期硫含量而改進(jìn)。具有高蠟含量的進(jìn)料通常具有高達(dá)200或更高的高粘度指數(shù)。硫和氮含量可分別通過標(biāo)準(zhǔn)astm方法d2622(硫)和d5453和/或d4629(氮)測(cè)量?？蓪⒂行Ъ託錀l件視為使在烴進(jìn)料流中存在的至少一部分芳族化合物飽和、優(yōu)選至少約50重量％的芳族化合物飽和、更優(yōu)選大于約75重量％的芳族化合物飽和的那些條件。有效加氫條件可包括150℃至400℃的溫度、740至20786kpa(100至3000psig)的氫分壓、0.1至10液時(shí)空速(lhsv)的空間速度和89至1780m3/m3(500至10000scf/b)的氫氣與進(jìn)料的比率。另外地或可選地，有效加氫條件可為如下條件，其有效除去至少一部分氮和有機(jī)結(jié)合的硫污染物并使至少一部分的所述芳族化合物加氫，從而制造至少一種具有比潤(rùn)滑油沸程進(jìn)料流更低濃度的芳族化合物和氮及有機(jī)結(jié)合的硫污染物的液體潤(rùn)滑油沸程產(chǎn)物。另外地或可選地，有效加氫條件可為如下條件，其有效除去至少一部分氮和有機(jī)結(jié)合的硫污染物并使至少一部分的所述芳族化合物加氫，從而制造至少一種具有比柴油沸程進(jìn)料流更低濃度的芳族化合物和氮及有機(jī)結(jié)合的硫污染物的液體柴油沸程產(chǎn)物。如上所述，在一些情況下，可將烴進(jìn)料流(例如，潤(rùn)滑油沸程)加氫處理以將硫污染物降低到低于約500wppm，特別地低于約300wppm，特別地低于約200wppm或特別地低于約100wppm。在這一實(shí)施方式中，所述方法可包括至少兩個(gè)反應(yīng)階段，含有加氫處理催化劑的在有效加氫處理?xiàng)l件下操作的第一反應(yīng)狀態(tài)，和含有加氫催化劑的在本文中描述在如上所述的有效加氫條件下操作的第二反應(yīng)階段。因此，在這一實(shí)施方式中，可在有效加氫處理?xiàng)l件下操作的第一反應(yīng)階段中首先使烴進(jìn)料流在含氫處理氣體存在下與加氫處理催化劑接觸以將進(jìn)料流的硫含量降低到上述范圍內(nèi)。因此，本文使用的術(shù)語“加氫處理”是指其中在有效去除諸如硫和氮的雜原子的合適催化劑存在下使用含氫處理氣體的方法。在本發(fā)明中使用的合適加氫處理催化劑為任何常規(guī)加氫處理催化劑且包括如下加氫處理催化劑，其包含在高表面積載體材料、優(yōu)選氧化鋁上的至少一種6族金屬，優(yōu)選mo和w，更優(yōu)選mo；和至少一種8族金屬，優(yōu)選fe、co和ni，更優(yōu)選co和/或ni，最優(yōu)選ni。另外地或可選地，多于一種類型的加氫處理催化劑可在同一反應(yīng)容器中使用。所述8族金屬通?？梢砸约s2至20重量％、優(yōu)選約4至12重量％的量存在。所述6族金屬通?？梢砸约s5至50重量％、優(yōu)選約10至40重量％、更優(yōu)選約20至30重量％的量存在。所有金屬重量百分?jǐn)?shù)都是如上所述“在載體上”。有效的加氫處理?xiàng)l件可被視為可以有效地將進(jìn)料流的硫含量(例如，潤(rùn)滑油沸程)降低到上述范圍內(nèi)的那些條件。典型的有效加氫處理?xiàng)l件可包括約150℃至約425℃、優(yōu)選約200℃至約370℃、更優(yōu)選約230℃至約350℃的溫度。典型的重時(shí)空速(“whsv”)可為約0.1至約20hr-1、優(yōu)選約0.5至約5hr-1。可使用任何有效壓力，且壓力通常可為約4至約70大氣壓(405至7093kpa)，優(yōu)選為10至40大氣壓(1013至4053kpa)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，所述有效加氫處理?xiàng)l件可為如下條件，其有效除去至少一部分的所述有機(jī)結(jié)合的硫污染物并使至少一部分的所述芳族化合物加氫，從而制造具有比潤(rùn)滑油沸程進(jìn)料流低的濃度的芳族化合物和有機(jī)結(jié)合的硫污染物的至少一種反應(yīng)產(chǎn)物(例如，液體潤(rùn)滑油沸程產(chǎn)物)。烴進(jìn)料流與加氫處理催化劑的接觸可制造包含至少一種蒸氣產(chǎn)物和一種液體產(chǎn)物的反應(yīng)產(chǎn)物。所述蒸氣產(chǎn)物通?？砂瑲鈶B(tài)反應(yīng)產(chǎn)物，例如h2s，且所述液體反應(yīng)產(chǎn)物通?？砂哂薪档偷牡土蛭廴疚锼降囊簯B(tài)烴?？偡磻?yīng)產(chǎn)物可以直接進(jìn)入第二反應(yīng)階段，但可優(yōu)選分離氣態(tài)和液態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物，且將液態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物引入第二反應(yīng)階段。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，可將蒸氣產(chǎn)物和液態(tài)產(chǎn)物分離，且可將液態(tài)產(chǎn)物引入第二反應(yīng)階段中。從液態(tài)產(chǎn)物分離蒸氣產(chǎn)物的方法可通過已知有效分離氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物和液態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物的任何方法實(shí)現(xiàn)。例如，可使用汽提塔或反應(yīng)區(qū)以從液態(tài)產(chǎn)物(例如，液態(tài)潤(rùn)滑油沸程產(chǎn)物)分離蒸氣產(chǎn)物。這樣引入第二反應(yīng)階段的液態(tài)產(chǎn)物可具有在約500wppm范圍內(nèi)、特別地低于約300wppm、或特別地低于約200wppm或特別地低于約100wppm的硫濃度。在其它實(shí)施方式中，本文所述的加氫催化劑可在聯(lián)合的加氫加工方法中使用。除了涉及本文所述的加氫催化劑的加氫精制和/或芳族化合物加氫/飽和方法之外，聯(lián)合的加氫加工方法還可包括加氫處理、加氫裂化、催化脫蠟(諸如，加氫脫蠟)和/或溶劑脫蠟的多種組合。如上所述加氫處理接著加氫精制的方案代表一種類型的聯(lián)合工藝流程。另一聯(lián)合加工實(shí)例為進(jìn)行脫蠟步驟，即催化脫蠟或溶劑脫蠟，隨后用本文所述的加氫催化劑進(jìn)行加氫加工。又一實(shí)例為包括加氫處理、脫蠟(催化或溶劑)且隨后用本文所述的加氫催化劑進(jìn)行的加氫加工的工藝方案。又一實(shí)例為用本文所述的加氫催化劑進(jìn)行的加氫加工、接著脫蠟(催化或溶劑)。可選地，多個(gè)加氫精制和/或芳族化合物加氫步驟可與加氫處理、加氫裂化或脫蠟步驟一起采用。這一工藝流程的實(shí)例為加氫精制、脫蠟(催化或溶劑)且隨后再一次加氫精制，其中加氫精制步驟中的至少一個(gè)可使用本文所述的加氫催化劑。對(duì)于涉及催化脫蠟的方法，有效催化脫蠟條件可包括150℃至400℃、優(yōu)選250℃至350℃的溫度，791至20786kpa(100至3000psig)、優(yōu)選1480至17338kpa(200至2500psig)的壓力，0.1至10hr-1、優(yōu)選0.1至5hr-1的液時(shí)空速和45至1780m3/m3(250至10000scf/b)、優(yōu)選89至890m3/m3(500至5000scf/b)的氫處理氣體速率。可使用任何合適的脫蠟催化劑。在芳族化合物飽和工藝的產(chǎn)物將是潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的實(shí)施方式中，輸入進(jìn)料還應(yīng)具有合適的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油性質(zhì)。例如，預(yù)期作為i族或ii族基礎(chǔ)油使用的輸入進(jìn)料可具有至少約80、優(yōu)選至少約90或至少約95的粘度指數(shù)(vi)。預(yù)期作為i+族基礎(chǔ)油的輸入進(jìn)料可具有至少約100的vi，而預(yù)期作為ii+族基礎(chǔ)油使用的輸入進(jìn)料可具有至少110的vi。輸入進(jìn)料的粘度在100℃下可為至少2cst，或在100℃下可為至少4cst，或在100℃下可為至少6cst。vi.其它實(shí)施方式本發(fā)明可另外地或可選地包括一個(gè)或多個(gè)以下實(shí)施方式。實(shí)施方式1.一種有機(jī)二氧化硅材料，所述有機(jī)二氧化硅材料為至少一種式[z1oz2osich2]3(i)的獨(dú)立單體的聚合物，其中每個(gè)z1和z2獨(dú)立地表示氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子和至少一種其它三價(jià)金屬氧化物單體鍵合的鍵。實(shí)施方式2.實(shí)施方式1的有機(jī)二氧化硅材料，其中每個(gè)z1和z2獨(dú)立地表示氫原子、c1-c2烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的鍵。實(shí)施方式3.實(shí)施方式1或2的有機(jī)二氧化硅材料，其中每個(gè)z1和z2獨(dú)立地表示氫原子、乙基或與另一單體的硅原子鍵合的鍵。實(shí)施方式4.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的介孔有機(jī)二氧化硅材料，其中所述至少一種其它三價(jià)金屬氧化物單體為(i)式m1(oz3)3(ii)的獨(dú)立單元，其中m1代表13族金屬且每個(gè)z3獨(dú)立地表示氫原子、c1-c6烷基或與另一單體的硅原子鍵合的鍵；或(ii)式(z4o)2m2-o-si(oz5)3(iii)的獨(dú)立單元，其中m2代表13族金屬且每個(gè)z4和每個(gè)z5獨(dú)立地表示氫原子、c1-c6烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的鍵。實(shí)施方式5.實(shí)施方式4的有機(jī)二氧化硅材料，其中存在至少一種式(ii)的單元，其中m1為al或b且每個(gè)z3獨(dú)立地表示氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與硅原子或另一單體鍵合的鍵。實(shí)施方式6.實(shí)施方式4或5的有機(jī)二氧化硅材料，其中存在至少一種式(iii)的單元，其中m2為al或b；且每個(gè)z4和每個(gè)z5獨(dú)立地表示氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的鍵。實(shí)施方式7.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，所述有機(jī)二氧化硅材料還包含選自以下的單體：(i)式[z6oz7sich2]3(iv)的獨(dú)立單元，其中每個(gè)z6代表氫原子、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的鍵，且每個(gè)z7代表羥基基團(tuán)、c1-c6烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；(ii)式z8oz9z10z11si(v)的獨(dú)立單元，其中每個(gè)z8代表氫原子或c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的鍵；且z9、z10和z11各自獨(dú)立地選自羥基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、含氮的c1-c10烷基基團(tuán)、含氮的雜芳烷基基團(tuán)、含氮的任選取代的雜環(huán)基烷基基團(tuán)和與另一單體的硅原子鍵合的氧原子；和(iii)式z12z13z14si-r-siz12z13z14(vi)的獨(dú)立單元，其中每個(gè)z12獨(dú)立地表示羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)或與另一共聚單體的硅原子鍵合的氧原子；每個(gè)z13和z14獨(dú)立地表示羥基基團(tuán)、c1-c4烷氧基基團(tuán)、c1-c4烷基基團(tuán)或與另一單體的硅原子鍵合的氧；且r選自c1-c8亞烷基基團(tuán)、c2-c8亞烯基基團(tuán)、c2-c8亞炔基基團(tuán)、含氮的c2-c10亞烷基基團(tuán)、任選取代的c6-c20芳烷基和任選取代的c4-c20雜環(huán)基烷基基團(tuán)；和(iv)其組合。實(shí)施方式8.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，其中所述有機(jī)二氧化硅的平均孔徑是約1.5nm至約20.0nm。實(shí)施方式9.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，其中所述有機(jī)二氧化硅材料的總表面積是約200m2/g至約2500m2/g。實(shí)施方式10.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，其中所述有機(jī)二氧化硅材料的孔體積是約0.1cm3/g至約5.0cm3/g。實(shí)施方式11.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，所述有機(jī)二氧化硅材料還包含至少一種引入到所述材料的孔隙內(nèi)的催化金屬。實(shí)施方式12.實(shí)施方式11的有機(jī)二氧化硅材料，其中所述催化金屬選自6族元素、8族元素、9族元素、10族元素及它們的組合。實(shí)施方式13.前述實(shí)施方式中任一項(xiàng)的有機(jī)二氧化硅材料，所述有機(jī)二氧化硅材料是基本不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑來制造的。實(shí)施例通用方法小角x射線衍射分析x-射線粉末衍射(xrd)圖案在裝備有用于低角度測(cè)量的配件的panalyticalx’pert衍射儀上收集的。xrd分析使用線在0.5至10°的2θ范圍內(nèi)在0.0167°的步長(zhǎng)和1.2秒的計(jì)數(shù)時(shí)間下記錄。固態(tài)(ss)nmr測(cè)量29simasnmr光譜在varianinfinityplus-400光譜儀(在9.4t下操作)和varianinfinityplus-500(在11.74t下操作)上記錄，分別對(duì)應(yīng)于79.4mhz和99.2mhz的29si拉莫頻率，使用7.5mmmas探頭，使用5khz旋轉(zhuǎn)、4.0μs90°脈沖和至少60秒再循環(huán)延遲，在數(shù)據(jù)采集期間質(zhì)子去偶。29si化學(xué)位移參照外部四甲基硅烷(δsi＝0.0ppm)。13ccpmasnmr光譜在varianinfinityplus-500光譜儀上記錄，對(duì)應(yīng)于125mhz的13c拉莫頻率，使用1.6mmmas探頭，使用40khz旋轉(zhuǎn)、至少1ms的1h-13c交叉極化(cp)接觸時(shí)間、至少1秒的再循環(huán)延遲，在數(shù)據(jù)采集期間質(zhì)子去偶。13c化學(xué)位移參照外部四甲基硅烷(δc＝0.0ppm)。27almasnmr光譜在varianinfinityplus-500上記錄，對(duì)應(yīng)于130.1mhz的27al拉莫頻率，使用4mmmas探頭，使用12khz旋轉(zhuǎn)，使用π/12孤度脈沖長(zhǎng)度，在數(shù)據(jù)采集期間的質(zhì)子去偶和0.3秒的再循環(huán)延遲?；瘜W(xué)位移參照al(h2o)63+的外部溶液(δal＝0.0ppm)。所有nmr光譜都在室溫下使用空氣以便旋轉(zhuǎn)來記錄。熱重量分析(tga)熱穩(wěn)定性結(jié)果在q5000tga上記錄。緩變率為5℃/分鐘；溫度范圍為25℃至800℃。所有樣品在空氣和氮?dú)鈨烧呦略囼?yàn)。co2吸附用quantchromautosorbiq2進(jìn)行研究。在不同溫度下收集co2等溫線之前，所有樣品都在120℃下在真空中預(yù)處理3小時(shí)。氮孔隙度測(cè)定氮吸附/脫附分析用例如tristar3000、tristarii3020和autosorb-1的不同儀器執(zhí)行。在收集n2等溫線之前，所有樣品都在120℃下在真空中預(yù)處理4小時(shí)。分析程序計(jì)算實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)并報(bào)道bet表面積(總表面積)、微孔表面積(s)、總孔體積、微孔的孔體積、平均孔徑(或半徑)等。表面酸度分析α試驗(yàn)對(duì)于α活性試驗(yàn)，將約70mg樣品制成尺寸為14-25篩孔尺寸并裝載在活塞流動(dòng)反應(yīng)器中。將樣品在100ml/分鐘he流量下在約40℉(約4.4℃)/分鐘的緩變率下加熱到1000℉(約538℃)。隨后將樣品在大氣壓下暴露于約100托己烷在he中的料流中。調(diào)節(jié)氣體流速以維持己烷轉(zhuǎn)化率在5％和25％之間。在4、11、18和25分鐘取得四個(gè)測(cè)量結(jié)果。通過gc/fid進(jìn)行產(chǎn)物分析。所報(bào)道的α值為在料流中在18分鐘時(shí)的活性。α為催化劑或樣品的正己烷裂化活性的量度。其定義為正己烷裂化相對(duì)于二氧化硅-氧化鋁標(biāo)準(zhǔn)物的一級(jí)速率常數(shù)的比率且使用下式確定：α＝a*ln(1-x)/τ其中：α為相對(duì)一級(jí)速率常數(shù)；a等于-1.043且包括參考速率常數(shù)和單位換算；x為轉(zhuǎn)換分?jǐn)?shù)；τ為使用式τ＝wt/(ρ*f)限定的駐留時(shí)間；其中ρ為假設(shè)的充填密度且等于0.55g/cm3；f為氣體流速(氦+己烷+1/2裂化產(chǎn)物)，cm3/分鐘；且wt為催化劑重量，以g計(jì)。tpaa/tpad方法氨吸附和溫度程序化脫附使用mettlersdta851tga儀器按重量測(cè)量。在氨吸附之前，將樣品在空氣中在500℃下煅燒1小時(shí)(緩變率20℃/分鐘)，以除去任何吸附的水分或揮發(fā)性化合物。接著將樣品在氦下冷卻到250℃，并在250℃下暴露于氦流5分鐘20秒。隨后在250℃下將1％nh3/he的周期性脈沖配入系統(tǒng)中，同時(shí)使用微量天平現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)樣品重量。在用nh3使酸性位點(diǎn)飽和之后，將系統(tǒng)在250℃下用氦吹掃5分鐘20秒以除去物理吸附的氨。接著將催化劑溫度在1％nh3/he下以5℃/分鐘的速率從250℃緩變到700℃，以進(jìn)行溫度程序化氨脫附。三甲基吡啶吸收三甲基吡啶吸收在taq5000tga微量天平上按重量測(cè)量。將催化劑樣品在氮流下在200℃下干燥60分鐘以除去物理吸附的水。接著，將樣品在n2下在3托的三甲基吡啶蒸氣壓下暴露于三甲基吡啶流60分鐘。在三甲基吡啶吸附之后，在測(cè)量三甲基吡啶的重量吸收之前將樣品在200℃下在流動(dòng)的氮中處理60分鐘。使用催化劑干重和暴露后的最后重量及三甲基吡啶的隨后解吸來計(jì)算三甲基吡啶吸收。ir-吡啶試驗(yàn)方案對(duì)于吸附的吡啶的ir測(cè)量，將樣品在瑪瑙研缽中研磨并壓成薄的自撐式晶片。具體的晶片重量為10至22mg/cm2。將四個(gè)尺寸為7mm×7mm的方形晶片置于裝備有caf2窗的多樣品ir傳輸單元(mstir)中。樣品通過在300℃下在6×10-7托的壓力下抽空2小時(shí)現(xiàn)場(chǎng)預(yù)處理。隨后將樣品在150℃下暴露約30分鐘至16托吡啶平衡蒸氣壓，接著在150℃下在約10-6托的壓力下抽空30分鐘。為了收集ir光譜，將mstir吸收池轉(zhuǎn)移到nicolet670ftir光譜儀。光譜在2cm-1分辨率下積累512次掃描取得。選擇在1545cm-1和1450cm-1下的譜帶以分別評(píng)定布朗斯特酸位點(diǎn)和路易斯酸位點(diǎn)的存在。實(shí)施例1-在堿性或酸性介質(zhì)中使用式[r1r2sich2]3(ia)的有機(jī)二氧化硅材料合成1a.在堿性水性介質(zhì)中在沒有表面活性劑的情況下使用[(eto)2sich2]3的合成。制備具有18.6g30％nh4oh和23.76g去離子水(di)水的溶液。所述溶液的ph為12.55。向所述溶液中加入3.0g1,1,3,3,5,5-六乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([(eto)2sich2]3)，制造具有以下摩爾組成的混合物：1.0[(eto)2sich2]3:21oh:270h2o并在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在80℃下在真空中干燥以除去大部分水且隨后在110℃下完全干燥3小時(shí)。這制造作為透明固體的樣品1a，其在研磨之后轉(zhuǎn)化成白色粉末。在該制備中不使用表面導(dǎo)向劑或致孔劑。用以下摩爾組成重復(fù)該程序：4.0[(eto)2sich2]3:21oh:270h2o以制造樣品1b。xrd分析對(duì)樣品1a執(zhí)行xrd。樣品1a的xrd圖案示于圖1中。tga分析在氮?dú)夂涂諝庀聦?duì)樣品1a執(zhí)行tga失重研究。圖2a和2b顯示樣品1a分別在氮?dú)夂涂諝庀碌膖ga數(shù)據(jù)。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品1a執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在下表1和圖3-6中。ss-nmr-分析樣品1a用29simasnmr表征，結(jié)果如在圖7a中所示。1b.比較例-在堿性水性介質(zhì)中在具有表面活性劑的情況下使用[(eto)2sich2]3的合成。在該實(shí)施例中，有機(jī)二氧化硅材料根據(jù)landskron,k.等，science(科學(xué))302:266-269(2003)制備。在20℃下將十六烷基三甲基溴化銨(ctmabr，0.9mmol，0.32g，aldrich公司)溶解于2.16gnh4oh(35重量％)和3.96g去離子水的混合物中以形成溶液。將[(eto)2sich2]3(1.26mmol，0.5g)加到該溶液中，制造具有以下摩爾組成的溶液：1.0[(eto)2sich2]3:17oh:236h2o:0.7ctmabr將其在20℃下攪拌1天且形成白色沉淀物。然后，將溶液在80℃下老化1天。隨后將沉淀物濾出并用水洗滌。隨后將樣品在12ghcl(36重量％)和80g甲醇的溶液中攪拌48小時(shí)。隨后將樣品再次濾出且用meoh洗滌，產(chǎn)生比較樣品2。xrd分析對(duì)比較樣品2執(zhí)行xrd。樣品a1和比較樣品2的xrd圖案的比較示于圖1中。與樣品1a的xrd圖案相比較，比較樣品2的xrd圖案展示出在約3度2θ處的肩峰。tga分析在氮?dú)夂涂諝庀聦?duì)比較樣品2執(zhí)行tga失重研究。圖8a和8b顯示比較樣品2分別在氮?dú)夂涂諝庀碌膖ga數(shù)據(jù)。氮吸附/脫附分析對(duì)比較樣品2執(zhí)行氮吸附/脫附分析。通過樣品1a和比較樣品2的氮吸附/脫附分析獲得的表面積、平均孔徑和孔體積示于下表1和圖3和4中。表1材料bet(m2/g)孔徑(nm)孔體積(cc/g)比較樣品215203.021.07樣品1a14103.180.92ss-nmr-分析比較樣品2用如在圖7b中所示的29simasnmr表征。如在下表2中所示，與比較樣品2(即，41％)相比較，樣品1a具有更高的硅醇含量(即，47％)。表21c.在酸性水性介質(zhì)中在沒有表面活性劑的情況下使用[(eto)2sich2]3的合成。通過加入0.778mol水和0.14mmolhcl來制造具有ph2的14ghcl溶液。向該溶液中加入1.0g(2.52mmol)的[(eto)2sich2]3，制造具有以下摩爾組成的溶液：18[(eto)2sich2]3:1hcl:5556h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在94℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥過夜(16-24小時(shí))以制造樣品3。不使用表面導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品3執(zhí)行xrd。樣品1a和樣品3的xrd圖案的比較示于圖9中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品3執(zhí)行氮吸附/脫附分析。通過樣品3的氮吸附/脫附分析獲得的表面積、微孔表面積、平均孔徑和孔體積示于圖5和6中。1d.使用[(eto)2sich2]3和[ch3etosich2]3的合成制造具有6.21g的30％nh4oh和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中加入0.6g的[(eto)2sich2]3和0.306g的1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([ch3etosich2]3)，制造具有以下摩爾組成的溶液：1.5[(eto)2sich2]3:1.0[ch3etosich2]3:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品4a。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。氮吸附/脫附分析重復(fù)上述制備方法，不同之處在于改變[(eto)2sich2]3(試劑1)與[ch3etosich2]3(試劑2)的相對(duì)比率。對(duì)各材料執(zhí)行氮吸附/脫附分析且各材料的結(jié)果在下表3中給出。表3隨著試劑2增加，觀察到平均孔徑增加，在不受理論限制的情況下，這可歸因于與試劑1相比較，試劑2含有反應(yīng)性較小的-or基團(tuán)。隨著試劑2減小的材料的孔隙度大于60％(摩爾比率)。ss-nmr-分析在表3中的材料用29simasnmr表征，如在圖10中所示。實(shí)施例2-在堿性或酸性介質(zhì)中使用式[r1r2sich2]3(ia)和式r3or4r5r6si(va)合成有機(jī)二氧化硅材料2a.在堿性水性介質(zhì)中使用[(eto)2sich2]3和正硅酸四乙酯(teos)((eto)4si)的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中，加入0.8g(2mmol)的[(eto)2sich2]3和0.625g(3mmol)的teos以制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[(eto)2sich2]3:3.0teos:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌3天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化2天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品5。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中，加入3.2g(8mmol)的[(eto)2sich2]3和2.5g(12mmol)的teos以制造具有以下摩爾組成的溶液：8.0[(eto)2sich2]3:12.0teos:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌3天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化2天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品5a。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品5執(zhí)行xrd。樣品5的xrd圖案示于圖11中。tga分析在氮?dú)夂涂諝庀聦?duì)樣品5執(zhí)行tga失重研究。圖12顯示樣品5在氮?dú)夂涂諝庀碌膖ga數(shù)據(jù)。ss-nmr-分析樣品5用29simasnmr表征且如在圖13中所示，與樣品1a相比較。如在圖13中所示，樣品5具有44％的硅醇含量。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品5和樣品5a執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果在下文提供在表4和圖5及6中。表4材料bet(m2/g)孔徑(nm)孔體積(cc/g)樣品514303.421.21樣品5a10274.841.202b.在酸性水性介質(zhì)中使用[(eto)2sich2]3和teos的合成通過加入0.778mol水和0.14mmolhcl來制備14g具有ph2的hcl溶液。向該溶液中，加入0.8g(2mmol)的[(eto)2sich2]3和0.625g(3mmol)teos以制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[(eto)2sich2]3:3.0teos:0.14h:778h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在94℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥過夜(16-24小時(shí))以制造樣品6。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品6執(zhí)行xrd。樣品6的xrd圖案示于圖11中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品6執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在圖5和6中。2c.使用[ch3etosich2]3和teos的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中加入0.612g(2mmol)的1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙氧基-1,3,5-三硅雜環(huán)己烷([ch3etosich2]3)和0.625g(3毫摩爾)的teos，制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[ch3etosich2]3:3.0teos:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品7a。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。氮吸附/脫附分析重復(fù)上述制備方法，不同之處在于改變teos(試劑3)與[ch3etosich2]3(試劑2)的相對(duì)比率。下表5為在改變的試劑比率下獲得的材料的n2吸附分析的匯總。表5ss-nmr-分析通過29simasnmr表征通過該方法制造的材料，如在圖14中所示。2d.使用[(eto)2sich2]3和甲基三乙氧基硅烷(mtes)((eto)3ch3si)的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中，加入0.4g(1mmol)的[(eto)2sich2]3和0.267g(1.5mmol)的mtes以制造具有以下摩爾組成的溶液：1.0[(eto)2sich2]3:1.5mtes:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品8a。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。氮吸附/脫附分析重復(fù)上述制備方法，不同之處在于改變[(eto)2sich2]3(試劑1)與mtes(試劑2)的相對(duì)比率。下表6為在改變的試劑比率下獲得的材料的n2吸附分析的匯總。表6實(shí)施例3-使用式[r1r2sich2]3(ia)、式r3or4r5r6si(va)和/或式z18z19z20si-r-siz18z19z20(via)的有機(jī)二氧化硅材料合成3a.使用[(eto)2sich2]3和ch3(eto)2si-ch2ch2-si(eto)2ch3的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.9g去離子水的溶液。向該溶液中加入0.8g(2mmol)的[(eto)2sich2]3和0.88g(3mmol)1,2-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙烷(ch3(eto)2si-ch2ch2-si(eto)2ch3)以制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[(eto)2sich2]3:3.0ch3(eto)2si-ch2ch2-si(eto)2ch3:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品9。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品9執(zhí)行xrd。樣品9的xrd圖案示于圖15中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品9執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表7中。3b.使用[(eto)2sich2]3和(eto)3si-ch2-si(eto)3的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.9g去離子水的溶液。向該溶液中加入0.8g(2mmol)的[(eto)2sich2]3和1.02g(3mmol)的雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((eto)3si-ch2-si(eto)3)以制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[(eto)2sich2]3:3.0(eto)3si-ch2-si(eto)3:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃至90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(16-24小時(shí))且獲得樣品10。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品10執(zhí)行xrd。樣品10的xrd圖案示于圖15中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品10執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表7中。3c.使用teos和(eto)3si-ch2-si(eto)3的合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53毫摩爾nh4oh)和7.92g去離子水的溶液。向該溶液中加入1.7g(5mmol)的雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((eto)3si-ch2-si(eto)3)和0.416g(2mmol)的teos以制造具有以下摩爾組成的溶液：5.0(eto)3si-ch2-si(eto)3:2.0teos:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(8-16小時(shí))且獲得樣品11a。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。還制造了具有不同試劑比率的另外兩種制劑，一種制劑具有4:4的(eto)3si-ch2-si(eto)3:teos摩爾比以獲得樣品11b，且另一制劑具有3:6的(eto)3si-ch2-si(eto)3:teos摩爾比以獲得樣品11c。xrd分析對(duì)樣品11a執(zhí)行xrd。樣品11a的xrd圖案示于圖15中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品11a執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表7中。3d.使用[(eto)2sich2]3和(eto)3si-ch＝ch-si(eto)3的合成制備具有12.42g的30％nh4oh(106mmolnh4oh)和15.8g去離子水的溶液。向該溶液中加入1.6g(4mmol)的[(eto)2sich2]3和0.352g(1mmol)1,2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烯((eto)3si-ch＝ch-si(eto)3)以制造具有以下摩爾組成的溶液：4.0[(eto)2sich2]3:1.0(eto)3si-ch＝ch-si(eto)3:106oh:1364h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(8-16小時(shí))且獲得樣品12。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。xrd分析對(duì)樣品12執(zhí)行xrd。樣品12的xrd圖案示于圖15中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品12執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表7中。表7實(shí)施例4-使用式[r1r2sich2]3(ia)和含氮單體的有機(jī)二氧化硅材料合成制備具有6.21g的30％nh4oh(53mmolnh4oh)和7.9g去離子水的溶液。向該溶液中加入0.8g(2mmol)的[(eto)2sich2]3和適量的試劑2，制造具有以下摩爾組成的溶液：2.0[(eto)2sich2]3:x試劑2:53oh:682h2o將其在室溫(20-25℃)下攪拌1天。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在80℃-90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在110℃下干燥過夜(8-16小時(shí))且獲得樣品12。不使用結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑或致孔劑。用在表8中的以下試劑執(zhí)行上述合成以獲得樣品13、14、15和21。用在表8中的以下試劑執(zhí)行上述合成以獲得樣品16、17、18和19，不同之處在于，對(duì)于該制備使用1.6g的[(eto)2sich2]3、12.4g的30％nh4oh和15.8g去離子水。用在表8中的以下試劑執(zhí)行上述合成以獲得樣品20，不同之處在于，對(duì)于該制備使用3.2g的[(eto)2sich2]3、24.8g的30％nh4oh和31.6g去離子水。表8xrd分析對(duì)樣品13和21執(zhí)行xrd。樣品13和21的xrd圖案示于圖16中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品13、14和15執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表9和圖17和18中。表9材料bet(m2/g)孔徑(nm)孔體積(cc/g)樣品1311274.111.26樣品1469150.96樣品157874.560.97實(shí)施例5-使用式[r1r2sich2]3(ia)和三價(jià)金屬氧化物的有機(jī)二氧化硅材料合成5a.使用[(eto)2sich2]3和三仲丁醇鋁的合成制備具有39.6g去離子水(3410mmolh2o)和31.15g30重量％nh4oh(265mmolnh4oh)的溶液。向該溶液中加入10g(25mmol)的[(eto)2sich2]3(試劑1)和0.37g(1.5mmol)三仲丁醇鋁(試劑2)以制造具有以下摩爾組成的溶液：25.0[(eto)2sich2]3:1.5三仲丁醇鋁:265oh:3410h2o將其在23-25℃下攪拌1天。在試劑1與試劑2之間的si/al比率為50:1。將溶液轉(zhuǎn)移到高壓釜中并在90℃下老化1天以制造凝膠。將凝膠在真空中在120℃下干燥1天且獲得樣品22a。不使用表面導(dǎo)向劑或致孔劑。重復(fù)該程序，不同之處在于，代替0.37g(1.5mmol)三仲丁醇鋁加入1.845g(7.5mmol)三仲丁醇鋁以獲得樣品22b。在試劑1與試劑2之間的si/al比率為10:1。xrd分析對(duì)樣品22a和22b執(zhí)行xrd。樣品22a和22b的xrd圖案示于圖19中。氮吸附/脫附分析對(duì)樣品22a和22b執(zhí)行氮吸附/脫附分析，且結(jié)果提供在表10中。表10當(dāng)si/al比率從10增加到50時(shí)，獲得具有更多介孔結(jié)構(gòu)的高孔隙度材料。ss-nmr-分析樣品22a和22b用29simasnmr和27almasnrm表征，分別如在圖20和21中所示。5b.表面酸度分析使用表面酸度分析以確定在樣品22a和樣品22b中的四面體鋁的酸強(qiáng)度。表11示出α測(cè)量、三甲基吡啶吸附和tpad的結(jié)果。表11如從在表11中的數(shù)據(jù)中可見的，所述材料在己烷裂化反應(yīng)中顯示一定的活性。與在相同條件下試驗(yàn)的非晶二氧化硅-氧化鋁相比較，α值測(cè)量材料的裂化活性。裂化活性隨酸性位點(diǎn)的數(shù)目以及其強(qiáng)度增加。盡管在三甲基吡啶容量以及tpad實(shí)驗(yàn)中脫附的氨的毫當(dāng)量/g上存在重大差別，但這兩種材料的α值非常類似。數(shù)據(jù)表明，相對(duì)于對(duì)于沸石所觀察到的位點(diǎn)數(shù)而言，三甲基吡啶和氨可接近的位點(diǎn)的數(shù)目很高。實(shí)施例8-co2等溫線如在圖21中所示，測(cè)量樣品1a、比較樣品2和樣品5的co2吸附等溫線。與比較樣品2相比較，樣品1a具有類似的co2吸收。當(dāng)前第1頁12