本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及oled領(lǐng)域，具體為一種應(yīng)用于oled領(lǐng)域的化合物。
背景技術(shù)：
：tft-lcd作為一種顯示屏，是一種非自發(fā)光之顯示器，必須透過背光源投射光線，依序穿透tft-lcd面板中之偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關(guān)零組件，最后進入人之眼睛成像，達到顯示之功能。在實際應(yīng)用中，tft-lcd顯示屏具有反應(yīng)速率慢、耗電、視角窄等缺點，不足以成為完美的顯示屏。oled，作為一種新型顯示技術(shù)，具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板制備得到。當(dāng)有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。目前，oled的基本結(jié)構(gòu)如三明治的結(jié)構(gòu)，整個結(jié)構(gòu)層中包括空穴傳輸層(htl)、發(fā)光層(el)與電子傳輸層(etl)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時，正極空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)三原色，構(gòu)成基本色彩。由于oled的特性是自己發(fā)光，因此，可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡單，成本低等，被視為21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。雖然oled相對于其它顯示器具有各方面的優(yōu)勢，但是事實上，其在顯示、壽命、使用等方面仍然存在不足，重要的原因之一是缺乏高性能的材料，因此，設(shè)計與合成新型的應(yīng)用于oled領(lǐng)域的化合物或材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員研究工作的重點。技術(shù)實現(xiàn)要素：基于上述背景，本發(fā)明提供了一種新型的應(yīng)用于oled領(lǐng)域的化合物，其用于oled材料中，并進一步用于oled的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層 中，更突出的是具體用于紅光主體材料和電子傳輸材料中，最終得到的一種含有上述所述化合物的oled器件，具有明顯良好的性能優(yōu)勢。本發(fā)明的第一方面的主題是一種應(yīng)用于oled領(lǐng)域的化合物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)如通式(i)所示：其中，r1和r2分別獨立地選自芳香性化合物基團。在本發(fā)明的一個實施例中，所述r1和r2為含有3-20個碳或氮的芳香性化合物基團。優(yōu)選地，所述r1和r2中含有苯環(huán)、萘環(huán)或雜環(huán)結(jié)構(gòu)。更優(yōu)選地，所述r1和r2分別獨立地選自如下結(jié)構(gòu)式：在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述化合物選自如下結(jié)構(gòu)：本發(fā)明的第二方面的主題是一種包含上述所述化合物的材料。本發(fā)明的第三方面的主題是一種上述所述化合物的應(yīng)用，包括在oled空穴傳輸層、oled發(fā)光層、oled電子傳輸層中的應(yīng)用。優(yōu)選地，所述化合物應(yīng)用于oled紅光主體材料以及oled電子傳輸材料中。本發(fā)明的第四方面的主題是一種含有上述所述化合物的oled器件。具體實施方式本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于oled領(lǐng)域的化合物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)如通式(i)所示：其中，r1和r2分別獨立地選自芳香性化合物基團。在本發(fā)明的一個實施例中，所述r1和r2為含有3-20個碳或氮的芳香性化合物基團。在一個優(yōu)選實施例中，所述r1和r2中含有苯環(huán)、萘環(huán)或雜環(huán)結(jié)構(gòu)。在一個進一步優(yōu)選的實施例中，所述r1和r2分別獨立地選自如下結(jié)構(gòu)式：在本發(fā)明的一個更進一步優(yōu)選的實施例中，所述化合物選自如下結(jié)構(gòu)：本發(fā)明還提供了一種包含上述所述化合物的材料。本發(fā)明提供了一種上述所述化合物的應(yīng)用，包括在oled空穴傳輸層、oled發(fā)光層、oled電子傳輸層中的應(yīng)用。在一個優(yōu)選實施例中，所述化合物應(yīng)用于oled紅光主體材料以及oled電子傳輸材料中。本發(fā)明提供了一種含有上述所述化合物的oled器件。下面結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步解釋和說明。實施例1化合物1的合成：所述化合物1的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體a、0.1mol中間體b以及1000ml的二甲基甲酰胺，并向其中加入0.1mol的nah，在氮氣保護下常溫反應(yīng)12小時；然后，向反應(yīng)溶液中加入蒸餾水終止反應(yīng)，并用乙醇/二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物1，產(chǎn)率67％?；衔?表征如下：ms：614.27221h-nmr：1.66(6h)7.92(1h)7.87(1h)7.75(1h)7.35(1h)7.41(1h)7.61(1h)7.28(1h)7.54(4h)7.48(2h)7.32(2h)7.21(1h)7.32(2h)7.47(2h)7.23(1h)7.35(2h)7.37(2h)7.24(1h)7.84(1h)7.28(1h)。實施例2化合物2的合成：所述化合物2的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體a、0.1mol中間體c以及1000ml的二甲基甲酰胺，并向其中加入0.1mol的nah，在氮氣保護下常溫反應(yīng)12小時；然后，向反應(yīng)溶液中加入蒸餾水終止反應(yīng)，并用乙醇/二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化 合物2，產(chǎn)率44％。化合物2表征如下：ms：654.30351h-nmr：1.64(12h)7.93(2h)7.85(2h)7.72(2h)7.34(2h)7.44(2h)7.62(2h)7.29(2h)7.32(2h)7.47(2h)7.23(1h)7.35(2h)7.37(2h)7.24(1h)7.84(1h)7.28(1h)。實施例3化合物3的合成：所述化合物3的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體a、0.1mol中間體d以及1000ml的二甲基甲酰胺，并向其中加入0.1mol的nah，在氮氣保護下常溫反應(yīng)12小時；然后，向反應(yīng)溶液中加入蒸餾水終止反應(yīng)，并用乙醇/二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物3，產(chǎn)率54％?；衔?表征如下：ms：574.24091h-nmr：7.55(8h)7.49(4h)7.31(4h)7.22(2h)7.32(2h)7.47(2h)7.23(1h)7.35(2h)7.37(2h)7.24(1h)7.84(1h)7.28(1h)。實施例4化合物4的合成：所述化合物4的制備方法包括：往反應(yīng)瓶中加入0.1mol中間體a、0.1mol中間體e以及1000ml的二甲基甲酰胺，并向其中加入0.1mol的nah，在氮氣保護下常溫反應(yīng)12小時；然后，向反應(yīng)溶液中加入蒸餾水終止反應(yīng)，并用乙醇/二氯甲烷萃取，鹽水洗，分出有機層，旋蒸除去有機溶劑，粗產(chǎn)品過柱，再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到化合物4，產(chǎn)率37％。化合物4表征如下：ms：588.25651h-nmr：1.66(6h)7.92(1h)7.87(1h)7.75(1h)7.35(1h)7.41(1h)7.61(1h)7.28(1h)7.54(1h)7.48(1h)7.32(1h)7.31(2h)7.41(2h)7.32(2h)7.47(2h)7.23(1h)7.35(2h)7.37(2h)7.24(1h)7.84(1h)7.28(1h)。應(yīng)用實施例——oled器件對比應(yīng)用實施例：將透明陽極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ito基板放入蒸鍍設(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的npb作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，混合蒸鍍，cbp，以及2--10％的ir(piq)3，隨后蒸鍍20-40nm的alq3作為電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nmlif，最后蒸鍍100-200nm的金屬al。應(yīng)用實施例1將透明陽極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ito基板放入蒸鍍設(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的npb作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，混合蒸鍍化合物cbp，以及2--10％的ir(piq)3，隨后蒸鍍20-40nm的化合物1，隨后再蒸鍍0.5-2nmlif，最后蒸鍍100-200nm的金屬al。應(yīng)用實施例2將對比實施例中的alq3換成化合物2，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例3將對比實施例中的alq3換成化合物3，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例4將對比實施例中的alq3換成化合物4，作為電子傳輸層。應(yīng)用實施例5將對比實施例中的npb換成化合物1，作為空穴傳輸層。應(yīng)用實施例6將對比實施例中的npb換成化合物3，作為空穴傳輸層。應(yīng)用實施例7將對比實施例中的cbp換成化合物2，作為發(fā)光層。應(yīng)用實施例8將對比實施例中的cbp換成化合物4，作為發(fā)光層。其中：oled器件制作如下：對比應(yīng)用實施例：ito/npb/cbp：ir(piq)3/alq3/lif/al；應(yīng)用實施例1：ito/npb/cbp：ir(piq)3/化合物1/lif/al；應(yīng)用實施例2：ito/npb/cbp：ir(piq)3/化合物2/lif/al；應(yīng)用實施例3：ito/npb/cbp：ir(piq)3/化合物3/lif/al；應(yīng)用實施例4：ito/npb/cbp：ir(piq)3/化合物4/lif/al；應(yīng)用實施例5：ito/化合物1/cbp：ir(piq)3/alq3/lif/al；應(yīng)用實施例6：ito/化合物3/cbp：ir(piq)3/alq3/lif/al；應(yīng)用實施例7：ito/npb/化合物2：ir(piq)3/alq3/lif/al；應(yīng)用實施例8：ito/npb/化合物4：ir(piq)3/alq3/lif/al；在1000nits下，oled器件結(jié)果如下：器件cd/adrivervoltage對比應(yīng)用實施例8cd/a4.7v應(yīng)用實施例115cd/a3.6v應(yīng)用實施例217cd/a3.9v應(yīng)用實施例319cd/a3.8v應(yīng)用實施例416cd/a4.0v應(yīng)用實施例516cd/a4.1v應(yīng)用實施例617cd/a4.2v應(yīng)用實施例715cd/a3.7v應(yīng)用實施例816cd/a4.1v表1由上表1可知，與現(xiàn)有技術(shù)中常見的對比應(yīng)用實施例相比，采用本發(fā)明所述的化合物制備的oled器件所需驅(qū)動電壓更低，且產(chǎn)生的光通量越大，因此具有更好的發(fā)光性能。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12