本申請要求2015年5月6日提交的美國臨時申請62/157,531和2015年11月5日提交的美國臨時申請62/251,405的權(quán)益，二者均全文以引用方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及新型空穴傳輸化合物。本公開還涉及具有包含此類空穴傳輸化合物的至少一個層的電子器件。
背景技術(shù)：
：在構(gòu)成OLED顯示器的有機(jī)電子器件諸如有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)中，一個或多個有機(jī)電活性層夾于兩個電接觸層之間。在OLED中，當(dāng)橫跨透光的電接觸層施加電壓時，至少一個有機(jī)電活性層透過所述電接觸層發(fā)射光。在發(fā)光二極管中將有機(jī)電致發(fā)光化合物用作發(fā)光組分是熟知的。簡單的有機(jī)分子、共軛聚合物和有機(jī)金屬配合物已被使用。采用電致發(fā)光材料的器件通常包括一個或多個電荷傳輸層，所述電荷傳輸層位于光敏(例如，發(fā)光)層與接觸層(空穴注入接觸層)之間。器件可包含兩個或更多個接觸層。空穴傳輸層可定位在光敏層和空穴注入接觸層之間?？昭ㄗ⑷虢佑|層也可稱為陽極。電子傳輸層可定位在光敏層和電子注入接觸層之間。電子注入接觸層也可稱為陰極。對用于電子器件中的電活性材料存在持續(xù)需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了具有式I的空穴傳輸共聚物其中：A為包含至少一個三芳胺基團(tuán)的單體單元；B’為具有在共聚物中的至少三個附接點(diǎn)的單體單元；C’為芳族單體單元或其氘代類似物；E在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自H、D、鹵化物、烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、以及氘代可交聯(lián)基團(tuán)；a、b和c相同或不同并且為摩爾份數(shù)，使得a+b+c＝1，并且a和b為非零。還提供了具有包含式I的共聚物的至少一個層的電子器件。以上綜述和下列具體實(shí)施方式僅是示例性和說明性的而不是對本發(fā)明進(jìn)行限制，本發(fā)明如所附權(quán)利要求中所限定。附圖說明附圖中示出了實(shí)施方案，以增進(jìn)對本文所示概念的理解。圖1包括有機(jī)電子器件的一個示例的示意圖，所述有機(jī)電子器件包括本文所述的新空穴傳輸共聚物。圖2包括有機(jī)電子器件的另一個示例的示意圖，所述有機(jī)電子器件包括本文所述的新空穴傳輸共聚物。技術(shù)人員理解，圖中的物體是以簡潔明了的方式示出的，而不一定按比例繪制。例如，圖中一些物體的尺寸相對于其它物體可能有所放大，以便于增進(jìn)對實(shí)施方案的理解。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供了具有式I的空穴傳輸共聚物，如上所述。許多方面和實(shí)施方案已描述于上文中，并且僅是示例性的和非限制性的。在閱讀本說明書后，技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，其它方面和實(shí)施方案也是可能的。通過閱讀以下具體實(shí)施方式和權(quán)利要求，任何一個或多個實(shí)施方案的其它特征和有益效果將變得顯而易見。具體實(shí)施方式首先著重于定義和術(shù)語的闡明，接著描述化合物、電子器件，最后描述實(shí)施例。1.術(shù)語的定義和解釋在陳述下文實(shí)施方案詳情之前，先定義或闡明一些術(shù)語。如“術(shù)語的定義和解釋”中所用，R、R’和R”以及任何其它變量是通用名，并且可以與式中定義的那些相同或不同。如本文所用，在涉及取代基基團(tuán)時術(shù)語“相鄰”是指鍵合到用單鍵或多鍵連接在一起的碳的基團(tuán)。示例性相鄰R基團(tuán)如下所示：術(shù)語“烷氧基”旨在表示其中R為烷基基團(tuán)的基團(tuán)RO—x。術(shù)語“烷基”包括支鏈和直鏈的飽和脂族烴基團(tuán)。除非另外指明，該術(shù)語也旨在包括環(huán)狀的基團(tuán)。烷基基團(tuán)的示例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、異己基等。術(shù)語“烷基”還包括被取代和未被取代的烴基兩者。在一些實(shí)施方案中，該烷基基團(tuán)可以是單取代的、二取代的和三取代的。取代的烷基基團(tuán)的一個示例是三氟甲基。其它被取代的烷基基團(tuán)由本文所述的一個或多個取代基形成。在某些實(shí)施方案中，烷基基團(tuán)具有1至20個碳原子。在其它實(shí)施方案中，所述基團(tuán)具有1至6個碳原子。該術(shù)語旨在包括雜烷基基團(tuán)。雜烷基基團(tuán)可具有1-20個碳原子。術(shù)語“氨基基團(tuán)”旨在表示基團(tuán)–NR2，其中R在每次出現(xiàn)時相同或不同并且可為烷基基團(tuán)、芳基基團(tuán)、或它們的氘代類似物。術(shù)語“芳族化合物”旨在表示包含至少一個具有4n+2離域π電子的不飽和環(huán)狀基團(tuán)的有機(jī)化合物。該術(shù)語旨在包括僅具有碳環(huán)原子的烴芳族化合物，和其中環(huán)狀基團(tuán)中的一個或更多個碳原子已被另一個原子諸如氮、氧、硫等取代的雜芳族化合物兩者。術(shù)語“芳基”或“芳基基團(tuán)”表示衍生自芳族化合物的部分。“衍生自”化合物的基團(tuán)是指通過除去一個或多個H或D形成的基團(tuán)。芳基基團(tuán)可為單環(huán)(單環(huán))或稠合在一起或共價(jià)連接的多環(huán)(二環(huán)，或更多)。芳基部分的示例包括但不限于苯基、1-萘基、2-萘基、二氫萘基、四氫萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、茚滿基、二亞苯基、苊基、苊烯基等。如本文所用，術(shù)語“芳基”、“苯基”、“萘基”等是指具有一個或多個附接點(diǎn)的基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，芳基基團(tuán)具有6至60個環(huán)碳原子；在一些實(shí)施方案中具有6至30個環(huán)碳原子。該術(shù)語旨在包括烴芳基，其具有僅一個碳原子和氫原子，以及雜芳基，其具有一個或多個環(huán)中的至少一個雜原子。雜芳基基團(tuán)可具有3-50個環(huán)碳原子；在一些實(shí)施方案中，具有4-30個環(huán)碳原子。術(shù)語“芳氧基”旨在表示其中R為芳基的基團(tuán)-OR。當(dāng)涉及層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)時，術(shù)語“電荷傳輸”旨在表示此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)促進(jìn)此類電荷以相對高的效率和小的電荷損失穿過此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)的厚度進(jìn)行遷移。空穴傳輸材料有利于正電荷；電子傳輸材料有利于負(fù)電荷。雖然發(fā)光材料也可具有某些電荷傳輸特性，但術(shù)語“電荷傳輸層、材料、構(gòu)件或結(jié)構(gòu)”并不旨在包括其主要功能為發(fā)光的層、材料、構(gòu)件或結(jié)構(gòu)。術(shù)語“化合物”旨在表示由分子組成的不帶電物質(zhì)，所述分子又由原子組成，其中原子不能通過不破壞化學(xué)鍵的物理方法與其對應(yīng)的分子分離。該術(shù)語旨在包括低聚物和聚合物。術(shù)語“可交聯(lián)基團(tuán)”或“交聯(lián)基團(tuán)”旨在表示可經(jīng)由熱處理、使用引發(fā)劑、或暴露于輻射而連接到另一個化合物或聚合物鏈的化合物或聚合物鏈上的基團(tuán)，其中所述連接為共價(jià)鍵。在一些實(shí)施方案中，該輻射為紫外光或可見光。可交聯(lián)基團(tuán)的示例包括但不限于乙烯基、丙烯酸酯、全氟乙烯基醚、1-苯并-3,4-環(huán)丁烷、鄰醌二甲烷基團(tuán)、硅氧烷、氰酸酯基團(tuán)、環(huán)醚(環(huán)氧化物)、內(nèi)烯烴(例如，芪)、環(huán)烯烴、以及炔基團(tuán)。當(dāng)涉及層或材料時，術(shù)語“電活性”旨在表示電性促進(jìn)裝置運(yùn)作的層或材料。電活性材料的示例包括但不限于傳導(dǎo)、注入、傳輸或阻斷電荷的材料，其中電荷可為電子或空穴，或包括但不限于接受輻射時發(fā)射輻射或表現(xiàn)出電子-空穴對濃度變化的材料。非活性材料的示例包括但不限于平面化材料、絕緣材料、以及環(huán)境阻擋材料。前綴“氟”旨在表示基團(tuán)中的一個或多個氫被氟替換。術(shù)語“甲鍺烷基”是指基團(tuán)R3Ge-，其中R在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、氘代部分氟化的烷基、芳基、或氘代芳基。前綴“雜”表示一個或多個碳原子被不同的原子替換。在一些實(shí)施方案中，雜原子為O、N、S或它們的組合。術(shù)語“液體組合物”旨在表示其中材料溶解形成溶液的液體介質(zhì)，其中材料分散形成分散體的液體介質(zhì)，或其中材料懸浮形成懸浮液或乳液的液體介質(zhì)。術(shù)語“摩爾份數(shù)”旨在表示給定組分的摩爾數(shù)與所有組分的總摩爾數(shù)的比率。術(shù)語(具有“n”個重復(fù)單元的聚合物的)“分子量”旨在表示聚合物分子的總質(zhì)量，并且計(jì)算為每個組成原子的質(zhì)量總和乘以聚合物式中所述元素的原子數(shù)。n的實(shí)際上限部分地通過化合物在特定溶劑或溶劑種類中期望的溶解度來測定。當(dāng)n值增加時，化合物的分子量增加。術(shù)語“單體單元”旨在表示聚合物或共聚物中的重復(fù)單元。術(shù)語“光敏”是指當(dāng)通過所施加的電壓激活時發(fā)射光(諸如在發(fā)光二極管或化學(xué)電池中)，在吸收光子之后發(fā)射光(諸如在下變頻熒光器件中)，或者響應(yīng)于輻射能并且在或不在所施加的偏壓下生成信號(諸如在光電探測器或光伏電池中)的材料或?qū)印Ｐg(shù)語“聚合物”旨在表示具有至少一種重復(fù)單體單元的材料。該術(shù)語包括只有一種單體單元的均聚物，以及具有兩種或更多種不同單體單元的共聚物。共聚物為聚合物的子集。術(shù)語“硅氧烷”是指基團(tuán)R3SiOR2Si-，其中R在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基、或氘代芳基。在一些實(shí)施方案中，R烷基基團(tuán)中的一個或多個碳被Si替換。術(shù)語“甲硅烷氧基”是指基團(tuán)R3SiO-，其中R在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基、或氘代芳基。術(shù)語“甲硅烷基”是指基團(tuán)R3Si-，其中R在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為H、D、C1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基、或氘代芳基。在一些實(shí)施方案中，R烷基基團(tuán)中的一個或多個碳被Si替換。除非另外指明，所有基團(tuán)均可為被取代的或未被取代的。諸如但不限于烷基或芳基的任選取代的基團(tuán)可被一個或多個可相同或不同的取代基取代。適宜的取代基包括D、烷基、芳基、硝基、氰基、-N(R’)(R”)、鹵代物、羥基、羧基、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷氧羰基、全氟烷基、全氟烷氧基、芳基烷基、甲硅烷基、硅氧烷、硫代烷氧基、-S(O)2-N(R’)(R”)、-C(＝O)-N(R’)(R”)、(R’)(R”)N-烷基、(R’)(R”)N-烷氧基烷基、(R’)(R”)N-烷基芳氧基烷基、-S(O)s-芳基(其中s＝0–2)、或-S(O)s-雜芳基(其中s＝0–2)。每個R’和R”獨(dú)立地為任選取代的烷基、環(huán)烷基、或芳基基團(tuán)。在某些實(shí)施方案中，R’和R”連同其連接的氮原子可形成環(huán)系。取代基還可為交聯(lián)基團(tuán)。在其中如下文所示取代基鍵穿過一個或多個環(huán)的結(jié)構(gòu)中，這是指取代基R可在一個或多個環(huán)上的任何可用位置處鍵合。在本說明書中，除非在使用情形下另外明確指明或指出相反情況，本發(fā)明主題的實(shí)施方案被論述或描述為包含、包括、含有、具有一些特征或要素、由一些特征或要素組成或構(gòu)成，除明確論述或描述的那些特征或要素以外的一種或多種特征或要素也可存在于實(shí)施方案中。所公開的本發(fā)明主題的一個另選的實(shí)施方案被描述為基本上由某些特征或要素組成，則其中將會顯著地改變操作原理或?qū)嵤┓桨革@著特性的實(shí)施方案特征或要素不存在于其中。本發(fā)明所述的主題的另一個另選的實(shí)施方案被描述為基本上由某些特征或要素組成，在所述實(shí)施方案或其非實(shí)質(zhì)性變型中，僅存在所具體論述或描述的特征或要素。此外，除非明確指明相反，“或”是指包含性的“或”而非排他性的“或”。例如，條件A或B滿足下列任一項(xiàng)：A為真實(shí)的(或存在的)且B為虛假的(或不存在的)，A為虛假的(或不存在的)且B為真實(shí)的(或存在的)，以及A和B均為真實(shí)的(或存在的)。而且，采用“一個”或“一種”來描述本文所述的成分和組分。這樣做僅是為了方便并且對本發(fā)明的范圍提供一般性意義。此描述應(yīng)被理解為包括一個或至少一個、一種或至少一種，并且單數(shù)也包括復(fù)數(shù)，除非明顯地另指他意。對應(yīng)于元素周期表內(nèi)列的族序號的使用參見“CRCHandbookofChemistryandPhysics”，第81版(2000-2001)中所述的“新命名法”公約。在本說明書中，除非另行指出或由使用的上下文指示相反，化學(xué)式和結(jié)構(gòu)式可使用線鍵式公約來描述。在線鍵式中，鍵可由線來表示，并且碳原子被假設(shè)存在于兩條線相遇或一條線開始或結(jié)束之處。示出氮、氧、鹵素、以及其它雜原子；但當(dāng)鍵合到碳時通常不畫出氫原子。假設(shè)每個sp3碳原子具有足夠鍵合的氫原子以便使其具有總共四個鍵；每個sp2碳具有三個鍵；每個sp碳具有兩個鍵。本文中式II的描述是使用線鍵式公約的一個示例。除非另外定義，否則本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語的含義均與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的一樣。盡管與本文所述的那些方法和材料的類似者或等同者均可用于本發(fā)明實(shí)施方案的實(shí)踐或測試，但合適的方法和材料如下文所述。除非引用具體段落，否則本文提及的全部出版物、專利申請、專利以及其它參考文獻(xiàn)均以全文引用方式并入本文。如發(fā)生矛盾，以本說明書及其所包括的定義為準(zhǔn)。此外，材料、方法和實(shí)施例只是例證性的，而不是限制性的。本文未描述的有關(guān)特定材料、加工方法和電路的許多細(xì)節(jié)均是常規(guī)的并且可以在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、光電探測器、光伏和半導(dǎo)體構(gòu)件領(lǐng)域的教科書和其它來源中找到。2.空穴傳輸共聚物本文所述的空穴傳輸共聚物具有式I其中：A為包含至少一個三芳胺基團(tuán)的單體單元；B’為具有在共聚物中的至少三個附接點(diǎn)的單體單元；C’為芳族單體單元或其氘代類似物；E在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自H、D、鹵化物、烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、以及氘代可交聯(lián)基團(tuán)；a、b和c相同或不同并且為摩爾份數(shù)，使得a+b+c＝1，并且a和b為非零。另選地，式I可以下式I’的格式書寫其中a1、b1、c1和e1為反應(yīng)物單體的摩爾份數(shù)，使得a1+b1+c1+e1＝1，并且a1和b1為非零；z為等于或大于3的整數(shù)；*表示共聚物中的附接點(diǎn)；并且A、B’、C’和E如上定義。A、B’和C’單體單元全部不同。A、B’和C’單體單元中的任一個可具有選自下列的取代基：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、氘代交聯(lián)基團(tuán)、以及它們的組合。當(dāng)E單元不是H、D或鹵化物時，所述單元還可具有選自下列的取代基：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、氘代交聯(lián)基團(tuán)、以及它們的組合。下文對于式I描述的A、B’、C’和E的所有實(shí)施方案同樣適用于式I’。在式I的一些實(shí)施方案中，A、B’和任選的C'單元以規(guī)則交替模式排列。在式I的一些實(shí)施方案中，A、B’和任選的C'單元以相同單體的嵌段形式排列。在式I的一些實(shí)施方案中，A、B’和任選的C'單元無規(guī)布置。在一些實(shí)施方案中，可調(diào)控單體片段的分布以便優(yōu)化用于電子器件中的具有式I的化合物的特性。在一些實(shí)施方案中，不同的分布可導(dǎo)致不同的非締合裝填程度，其最終確定締合膜成形特性。在一些實(shí)施方案中，具有式I的共聚物是氘代的。術(shù)語“氘代”旨在表示至少一個氫(“H”)被氘(“D”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或更多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代共聚物或氘代類似物中，氘以天然豐度的至少100倍存在。在一些實(shí)施方案中，所述共聚物為至少10％氘代的；“氘代％”或“氘化％”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施方案中，共聚物是至少10％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少20％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少30％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少40％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少50％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少60％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少70％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少80％氘代的；在一些實(shí)施方案中是至少90％氘代的；在一些實(shí)施方案中是100％氘代的。氘代可存在于一個或多個單體單元A、B’、以及C’上。氘代可存在于共聚物主鏈、側(cè)基或上述兩者上。在式I的一些實(shí)施方案中，共聚物具有Mn>10,000。在一些實(shí)施方案中，共聚物具有Mn>20,000；在一些實(shí)施方案中，Mn>50,000；在一些實(shí)施方案中，Mn>100,000；在一些實(shí)施方案中，Mn>150,000。在式I的一些實(shí)施方案中，共聚物具有Mw>10,000。在一些實(shí)施方案中，共聚物具有Mw>20,000；在一些實(shí)施方案中，Mw>50,000；在一些實(shí)施方案中，Mw>100,000；在一些實(shí)施方案中，Mw>150,000。在式I的一些實(shí)施方案中，共聚物具有在10,000–2x106范圍內(nèi)的Mw；在一些實(shí)施方案中，為10,000–500,000；在一些實(shí)施方案中，為10,000–200,000；在一些實(shí)施方案中，為10,000–150,000；在一些實(shí)施方案中，為20,000–100,000。單體單元A為包含至少一個三芳氨基基團(tuán)的芳族單體單元。單體單元A為雙官能單體單元，并僅具有共聚物中的兩個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式II其中：Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；X在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自單鍵、芳基基團(tuán)、以及氘代芳基基團(tuán)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式III其中：Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；Ar3在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；q為0或更大的整數(shù)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式III-a其中Ar1、Ar2、Ar3和*如上文對于式III所定義的。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式III-b其中：Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基或氘代芳基基團(tuán)；R1至R5在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地相同或不同并且選自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交聯(lián)基團(tuán)，其中相鄰的R1或R5基團(tuán)能夠連接在一起以形成稠合的5元或6元芳族環(huán)；k在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0至4的整數(shù)；g為0至3的整數(shù)；h和h1相同或不同并且為1或2；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式IV其中：Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基基團(tuán)或氘代芳基基團(tuán)；Ar4在每次出現(xiàn)時相同或不同，并且選自亞苯基、被取代的亞苯基、亞萘基、被取代的亞萘基、以及它們的氘代類似物；T1和T2在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地相同或不同并且為以非平面構(gòu)型連接的共軛部分或其氘代類似物；d在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為1至6的整數(shù)；e在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為1至6的整數(shù)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元A具有式V-a或式V-b其中：Ar2為芳基基團(tuán)或氘代芳基基團(tuán)；Ar5、Ar6和Ar7在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為芳基基團(tuán)或氘代芳基基團(tuán)；R1和R2在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交聯(lián)基團(tuán)，其中選自R1和R2的相鄰基團(tuán)能夠連接在一起以形成稠合環(huán)；k1為0-4的整數(shù)；g1在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0-3的整數(shù)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為具有至少一個稠合環(huán)的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1選自萘基、蒽基、萘基苯基、苯基萘基、芴基、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為不具有稠合環(huán)的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為芳基基團(tuán)或被取代的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為被取代的芳基基團(tuán)，所述被取代的芳基基團(tuán)具有至少一個選自下列的取代基：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及氘代交聯(lián)基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，所述取代基選自D、烷基、芳氨基、烴芳基、氘代烷基、氘代芳氨基、以及氘代烴芳基。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為烴芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1為雜芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1具有式a其中：R9在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、硅氧烷、甲硅烷基、甲鍺烷基、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物，其中相鄰的R9基團(tuán)能夠連接在一起以形成稠合環(huán)；p在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0-4的整數(shù)；r為1至5的整數(shù)；并且**表示附接點(diǎn)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1具有式b其中R9、p、r和**如式a中所定義的。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1具有式c其中R9、p、r和**如式a中所定義的。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar1選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的衍生物，所述衍生物具有一個或多個選自下列的取代基：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲鍺烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及它們的氘代類似物。用于Ar1的所有上述實(shí)施方案同樣適用于Ar3、Ar5、Ar6和Ar7。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2為具有至少一個稠合環(huán)的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2選自萘基、蒽基、萘基苯基、苯基萘基、芴基、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2為不具有稠合環(huán)的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2為芳基基團(tuán)或被取代的芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2為烴芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2為雜芳基基團(tuán)。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2具有式d其中：R9在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自D、烷基、烷氧基、硅氧烷、甲硅烷基、甲鍺烷基、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物，其中相鄰的R9基團(tuán)能夠連接在一起以形成稠合環(huán)；p在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0-4的整數(shù)；q為0-5的整數(shù)；r為1至5的整數(shù)；并且**表示附接點(diǎn)。在式I的一些實(shí)施方案中，Ar2具有式e其中R9、p、r和**如式d中所定義的。在式I的一些實(shí)施方案中，Ar2具有式f其中R9、p、q、r和**如式d中所定義的。在上式的一些實(shí)施方案中，Ar2選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的衍生物，所述衍生物具有一個或多個選自下列的取代基：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲鍺烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及它們的氘代類似物。在上式的一些實(shí)施方案中，g＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，g＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，g>0。在上式的一些實(shí)施方案中，g1＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，g1＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，g1>0。在上式的一些實(shí)施方案中，k＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，k＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，k>0。在上式的一些實(shí)施方案中，k1＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，k1＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，k1>0。在上式的一些實(shí)施方案中，p＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，p＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，p>0。在上式的一些實(shí)施方案中，q＝0。在上式的一些實(shí)施方案中，q＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，q>0。在上式的一些實(shí)施方案中，r＝1。在上式的一些實(shí)施方案中，r＝2。在上式的一些實(shí)施方案中，r＝3。在上式的一些實(shí)施方案中，R1為D或C1-10烷基。在一些實(shí)施方案中，所述烷基基團(tuán)為氘代的。在上式的一些實(shí)施方案中，R1為C1-10甲硅烷基。在一些實(shí)施方案中，所述甲硅烷基基團(tuán)為氘代的。在上式的一些實(shí)施方案中，R1為C6-20芳基或C6-20氘代芳基。在一些實(shí)施方案中，所述芳基基團(tuán)為烴芳基。在一些實(shí)施方案中，所述芳基為C3-20雜芳基。在上式的一些實(shí)施方案中，R1為氨基基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，所述氨基基團(tuán)為氘代的。用于R1的所有上述實(shí)施方案同樣適用于R2、R3、R4、R5和R9。上式的上述實(shí)施方案中的任一項(xiàng)可與其它實(shí)施方案中的一個或多個組合，只要它們不是互相排斥的。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本申請所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。單體單元A的一些非限制性示例如下所示。單體單元B’為具有在共聚物中的至少三個附接點(diǎn)的多官能支化單體單元。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有3-6個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有三個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有四個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有五個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有六個附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’為芳族化合物。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’不具有環(huán)雜原子。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’為具有烷基支化基團(tuán)的芳族化合物。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’為具有芳族支化基團(tuán)的芳族化合物。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’為三芳胺基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有式VI其中：Z選自具有至少三個鍵合位置的C、Si、Ge、N、環(huán)狀脂族部分、芳族部分、氘代環(huán)狀脂族部分、或氘代芳族部分；Y為單鍵、烷基、芳族部分、氘代烷基、或氘代芳族部分，前提條件是當(dāng)Y為單鍵、烷基、或氘代烷基時，Z為芳族部分或氘代芳族部分；s為3至Z上可獲得的最大鍵合位置數(shù)的整數(shù)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，單體單元B’具有式VII、式VIII、式IX、式X和式XI中的一個其中：Ar8為具有至少三個鍵合位置的芳族部分或氘代芳族部分；R6在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地相同或不同并且選自D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、以及交聯(lián)基團(tuán)，其中相鄰的R6基團(tuán)能夠連接在一起以形成稠合的5元或6元芳族環(huán)；k在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0至4的整數(shù)；k1為0至5的整數(shù)；并且*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在式VI的一些實(shí)施方案中，Z為衍生自選自下列的化合物的芳族部分：苯、萘、蒽、菲、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物。單體單元B’的一些非限制性示例如下所示。單體單元C’為任選的單體單元，其為芳族化合物。單體單元C’為僅具有兩個附接點(diǎn)的雙官能單體單元。在一些實(shí)施方案中，單體單元C’包括交聯(lián)基團(tuán)或氘代交聯(lián)基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，C’具有下文給出式中的一個。在M1至M19中：R12在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自D、烷基、芳基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、以及氘代芳基；R13在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自H、D、烷基、以及氘代烷基；R14在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自烷基、芳基、以及它們的氘代類似物；R15在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自芳基和氘代芳基；f在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0至適用于取代基的最大位置數(shù)的整數(shù)；t為0-20的整數(shù)；并且**表示附接點(diǎn)。在M1至M9的一些實(shí)施方案中，f為0-2。在M1至M9的一些實(shí)施方案中，t為1-3。任選的單體單元C’的一些非限制性示例如下所示。單元E為共聚物的末端封端單元。單元E為僅具有一個附接點(diǎn)的一官能單元。在式I的一些實(shí)施方案中，E為H或D。在式I的一些實(shí)施方案中，E為一官能單體單元。在式I的一些實(shí)施方案中，E為交聯(lián)基團(tuán)或氘代交聯(lián)基團(tuán)。在式I的一些實(shí)施方案中，E為烴芳基基團(tuán)或氘代烴芳基基團(tuán)。在式I的一些實(shí)施方案中，E選自芳基、芳氨基、交聯(lián)基團(tuán)、以及它們的氘代類似物。在式I的一些實(shí)施方案中，E選自苯基、聯(lián)苯基、二苯基氨基、它們的取代衍生物、以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，取代基為C1-10烷基基團(tuán)、交聯(lián)基團(tuán)、或它們的氘代類似物。E的一些非限制性示例如下所示。其中*表示共聚物中的附接點(diǎn)。在式I的一些實(shí)施方案中，a≥0.50。在式I的一些實(shí)施方案中，a＝0.50–0.99。在式I的一些實(shí)施方案中，a＝0.60–0.90。在式I的一些實(shí)施方案中，a＝0.65–0.80。在式I的一些實(shí)施方案中，b≥0.05；在一些實(shí)施方案中，b≥0.10。在式I的一些實(shí)施方案中，b＝0.01–0.50。在式I的一些實(shí)施方案中，b＝0.05–0.45。在式I的一些實(shí)施方案中，b＝0.10–0.40。在式I的一些實(shí)施方案中，b＝0.20–0.35。在式I的一些實(shí)施方案中，c≥0。在式I的一些實(shí)施方案中，c＝0–0.20。在式I的一些實(shí)施方案中，c＝0.01–0.20。在式I的一些實(shí)施方案中，c＝0.05–0.15。在式I的一些實(shí)施方案中，A+B’與E的摩爾比在40:60至98:2的范圍內(nèi)；在一些實(shí)施方案中，50:50至90:10；在一些實(shí)施方案中，60:40至80:20。在式I’的一些實(shí)施方案中，a1＝0.30–0.90。在式I’的一些實(shí)施方案中，a1＝0.40–0.80。在式I’的一些實(shí)施方案中，a1＝0.50–0.80。在式I’的一些實(shí)施方案中，b1＝0.05–0.40。在式I’的一些實(shí)施方案中，b1＝0.10–0.30。在式I’的一些實(shí)施方案中，b1＝0.10–0.20。在式I’的一些實(shí)施方案中，c1＝0。在式I’的一些實(shí)施方案中，c1＝0–0.15。在式I’的一些實(shí)施方案中，c1＝0.01–0.15。在式I’的一些實(shí)施方案中，c1＝0.05–0.12。在式I’的一些實(shí)施方案中，e1＝0.05–0.60。在式I’的一些實(shí)施方案中，e1＝0.10–0.50。在式I’的一些實(shí)施方案中，e1＝0.15–0.35。具有式I的共聚物的一些非限制性示例如下所示，使用式I’格式。共聚物類型1在共聚物類型1中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型2在共聚物類型2中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型3在共聚物類型3中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型4在共聚物類型4中，存在單體單元C’并且包括交聯(lián)基團(tuán)。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型5在共聚物類型5中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型6在共聚物類型6中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型7在共聚物類型7中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型8在共聚物類型8中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型9在共聚物類型9中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型10在共聚物類型10中，存在單體單元C’并且包括交聯(lián)基團(tuán)。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型11在共聚物類型11中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型12在共聚物類型12中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E包括交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型13在共聚物類型13中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型14在共聚物類型14中，c1＝0并且不存在單體單元C’。單體單元B’為四官能的。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型15在共聚物類型15中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型16在共聚物類型16中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型17在共聚物類型17中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型18在共聚物類型18中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型19在共聚物類型19中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為芳基基團(tuán)。共聚物類型20在共聚物類型20中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)。共聚物類型21在共聚物類型21中，c1＝0并且不存在單體單元C’。末端封端單元E為交聯(lián)基團(tuán)?？墒褂脤⑿纬蒀-C或C-N鍵的任何技術(shù)以及已知的聚合技術(shù)，制得式I的共聚物。已知多種此類技術(shù)，諸如Suzuki、Yamamoto、Stille、以及金屬催化的C-N偶聯(lián)，以及金屬催化的氧化直接芳基化。通過使用氘代前體材料以類似的方式，或更通常通過在路易斯酸H/D交換催化劑諸如三氟甲磺酸、三氯化鋁或二氯化乙基鋁的存在下，用氘代溶劑諸如苯-d6來處理未氘代化合物，制得氘代化合物。用于控制聚合物和共聚物的分子量的技術(shù)是本領(lǐng)域所熟知的。本文所述的共聚物的分子量通?？赏ㄟ^聚合反應(yīng)中單體的比率來控制。在一些實(shí)施方案中，分子量可用淬滅反應(yīng)來控制?？梢允褂萌芤禾幚砑夹g(shù)使該共聚物形成層。術(shù)語“層”與術(shù)語“膜”互換使用并且是指涵蓋所期望區(qū)域的涂層。所述術(shù)語不受尺寸的限制。所述區(qū)域可以大如整個裝置，也可以小如諸如實(shí)際可視顯示器的特定功能區(qū)，或小如單個子像素。層和膜可由任何常規(guī)的沉積技術(shù)形成加工，包括氣相沉積、液相沉積(連續(xù)和不連續(xù)技術(shù))、以及熱轉(zhuǎn)移。連續(xù)沉積技術(shù)包括但不限于旋涂、凹式涂布、簾式涂布、浸涂、槽模涂布、噴涂、以及連續(xù)噴涂。非連續(xù)沉積技術(shù)包括但不限于噴墨印刷、凹版印刷、以及絲網(wǎng)印刷。在一些實(shí)施方案中，本文所述的新共聚物具有小于60mL/g的本征粘度。這尤其可用于噴墨印刷應(yīng)用，其中低粘度可允許更高濃度的溶液被噴射。在一些實(shí)施方案中，本文所述的新共聚物具有小于50mL/g的本征粘度；在一些實(shí)施方案中，小于40mL/g；在一些實(shí)施方案中，小于30mL/g。在一些實(shí)施方案中，本征粘度在20-60mL/g的范圍內(nèi)；在一些實(shí)施方案中，20-50mL/g；在一些實(shí)施方案中，20-40mL/g。本文所述的新共聚物可用作空穴傳輸材料、以及用于電致發(fā)光材料的基質(zhì)。新共聚物還具有在空穴注入層和空穴傳輸層之間的一個或多個層中的用途。3.電子器件通過具有包括至少一種如本文所述的化合物的一個或多個層可獲益的有機(jī)電子器件包括但不限于：(1)將電能轉(zhuǎn)換為輻射的器件(例如發(fā)光二極管、發(fā)光二極管顯示器、照明器件、發(fā)光設(shè)備或二極管激光器)，(2)通過電子方法探測信號的器件(例如光電探測器、光電導(dǎo)管、光敏電阻器、光控繼電器、光電晶體管、光電管、IR探測器、生物傳感器)，(3)將輻射轉(zhuǎn)換為電能的器件(例如光伏器件或太陽能電池)，(4)將一個波長的光轉(zhuǎn)換成更長波長的光的器件(例如，下變頻熒光器件)；以及(5)包括具有一個或多個有機(jī)半導(dǎo)體層的一個或多個電子元件的器件(例如晶體管或二極管)。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合物的其它用途包括用于存儲裝置的涂覆材料、防靜電膜、生物傳感器、電致變色裝置、固體電解質(zhì)電容器、儲能裝置(諸如可再充電電池)、以及電磁屏蔽應(yīng)用。有機(jī)電子器件結(jié)構(gòu)的一個例證示于圖1中。器件100具有第一電接觸層(即陽極層110)和第二電接觸層(即陰極層160)、以及處于所述第一電接觸層和所述第二電接觸層之間的光敏層140?？扇芜x存在附加層。鄰近陽極的可為空穴注入層120，有時稱為緩沖層。與空穴注入層鄰近的可為包含空穴傳輸材料的空穴傳輸層130。鄰近陰極的可以是包含電子傳輸材料的電子傳輸層150。作為選擇，該裝置可以使用一個或多個緊鄰陽極110的附加的空穴注入層或空穴傳輸層(未示出)，和/或一個或多個緊鄰陰極160的附加的電子注入層或電子傳輸層(未示出)。層120至層150單獨(dú)或統(tǒng)稱為有機(jī)活性層。在一些實(shí)施方案中，為了獲得全彩，將發(fā)光層像素化，每種不同顏色各有次像素單元。像素化裝置的示例示于圖2中。裝置200具有陽極110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、電致發(fā)光層140、電子傳輸層150和陰極160。電致發(fā)光層分成次像素141、142、143，它們在所述層中重復(fù)。在一些實(shí)施方案中，次像素代表發(fā)出紅色、藍(lán)色和綠色的光。雖然圖2中描述了三種不同的次像素單元，但是也可使用兩種或三種以上的次像素單元。本文將參照圖1進(jìn)一步說明不同的層。然而，描述也適用于圖2以及其它構(gòu)型。在一些實(shí)施方案中，不同的層具有以下厚度范圍：陽極110，在一些實(shí)施方案中為1000至空穴注入層120，在一些實(shí)施方案中為空穴傳輸層130，在一些實(shí)施方案中為光敏層140，在一些實(shí)施方案中為電子傳輸層150，在一些實(shí)施方案中為陰極160，在一些實(shí)施方案中為層厚度的期望比率將取決于所用材料的確切性質(zhì)。本文所述的一種或多種具有式I的新共聚物可存在于器件的一個或多個電活性層中。在一些實(shí)施方案中，新共聚物可用作層130中的空穴傳輸材料。在一些實(shí)施方案中，新共聚物可用作光敏層140中光敏摻雜材料的基質(zhì)材料。術(shù)語“摻雜劑”旨在表示包括基質(zhì)材料的層內(nèi)材料，與不存在此類材料時所述層的輻射發(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種波長相比，所述摻雜劑改變了所述層的輻射發(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種目標(biāo)波長。術(shù)語“基質(zhì)材料”旨在表示向其添加摻雜劑的材料?；|(zhì)材料可具有或可不具有發(fā)射、接收、或過濾輻射的一種或多種電子特性或能力。在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)材料以較高的濃度存在。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)電子器件包括陽極、陰極、以及處于它們之間的至少一個有機(jī)活性層，其中所述有機(jī)活性層包含式I的共聚物。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)電子器件包括陽極、陰極、以及處于它們之間的光敏層，并且還包括包含式I的共聚物的附加有機(jī)活性層。在一些實(shí)施方案中，附加的有機(jī)活性層為空穴傳輸層。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)電子器件依次包括陽極、空穴傳輸層、光敏層、以及陰極，其中空穴傳輸層和光敏層中的一者或兩者包含式I的共聚物。陽極110為用于注入正電荷載體的尤其有效的電極。它可由例如包含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制成，或它可為導(dǎo)電聚合物，或它們的混合物。適宜的金屬包括第11族金屬，第4、5和6族的金屬，以及第8-10族過渡金屬。如果使陽極具有透光性，則一般使用12族、13族和14族金屬的混合金屬氧化物，諸如氧化銦錫。陽極還可包括有機(jī)材料如聚苯胺，諸如在“Flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer”，Nature，第357卷，第477479頁(1992年6月11日)中描述的材料。期望陽極和陰極中的至少一個為至少部分透明的，以使產(chǎn)生的光線能夠被觀察到。任選的空穴注入層120包含空穴注入材料。術(shù)語“空穴注入層”或“空穴注入材料”旨在表示導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料，并且在有機(jī)電子器件中可具有一種或多種功能，包括但不限于下層平面化、電荷傳輸和/或電荷注入特性、雜質(zhì)諸如氧或金屬離子的清除、以及有利于或改善有機(jī)電子器件性能的其它方面?？昭ㄗ⑷氩牧峡梢允蔷酆衔?、低聚物、或小分子，并且可以是溶液、分散體、懸浮液、乳液、膠態(tài)混合物、或其它組合物形式?？昭ㄗ⑷雽涌捎删酆衔锊牧纤纬?，諸如聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)，所述聚合材料通常摻有質(zhì)子酸。質(zhì)子酸可為例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)等?？昭ㄗ⑷雽?20可以包括電荷轉(zhuǎn)移化合物等，諸如銅酞菁和四硫富瓦烯-四氰基苯醌二甲烷體系(TTF-TCNQ)。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層120由導(dǎo)電聚合物和成膠聚合酸的分散體制成。此類材料在例如已公布的美國專利申請2004-0102577、2004-0127637和2005-0205860中有所描述。層130包括空穴傳輸材料。在一些實(shí)施方案中，所述空穴傳輸層包括具有式I的共聚物。在一些實(shí)施方案中，所述空穴傳輸層包括具有式I的共聚物和一種或多種附加的材料?？商砑哟祟惒牧弦愿纳仆扛不蚱渌庸ぬ匦浴Ｔ谝恍?shí)施方案中，所述空穴傳輸層包括具有式I的共聚物和促進(jìn)添加劑。此類材料已描述于公布的PCT專利申請WO2015/089304中。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層僅包括具有式I的共聚物，其中可實(shí)質(zhì)性地改變操作原理或該層的區(qū)別特征的附加材料不存在于其中。在一些實(shí)施方案中，層130包括其它空穴傳輸材料。用于空穴傳輸層的空穴傳輸材料的示例已概述于例如1996年Y.Wang的“Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology”，第四版，第18卷，第837-860頁中?？昭▊鬏斝》肿雍涂昭▊鬏斁酆衔锞墒褂?。常用的空穴傳輸分子包括但不僅限于：4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)-三苯基胺(TDATA)；4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)-三苯基胺(MTDATA)；N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-[1,1'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)；4,4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)；1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)；1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)；N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-雙(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)聯(lián)苯]-4,4'-二胺(ETPD)；四-(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)；α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)；對-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)；三苯胺(TPA)；雙[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)；1-苯基-3-[對-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)；1,2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)；N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(TTB)；N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙-(苯基)對二氨基聯(lián)苯(α-NPB)；和卟啉化合物，諸如酞菁銅。常用的空穴傳輸聚合物包括但不限于聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚二氧噻吩、聚苯胺和聚吡咯。還可通過將空穴傳輸分子諸如上述那些摻入聚合物諸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中，來獲得空穴傳輸聚合物。在一些情況下，所述聚合物和共聚物為可交聯(lián)的。可交聯(lián)的空穴傳輸聚合物的示例可見于例如公布的美國專利申請2005-0184287和已公布的PCT申請WO2005/052027中。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層摻雜有p型摻雜劑，諸如四氟-四氰基喹啉并二甲烷和苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐。根據(jù)器件的應(yīng)用，光敏層140可以是通過施加的電壓激活的發(fā)光層(諸如在發(fā)光二極管或發(fā)光電化學(xué)電池中)，吸收光并發(fā)射具有更長波長的光的材料層(諸如在下變頻熒光器件中)，或響應(yīng)于輻射能并且在施加偏壓或不施加偏壓的情況下產(chǎn)生信號(諸如在光電探測器中)的材料層。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層包括有機(jī)電致發(fā)光(“EL”)材料。任何EL材料均可用于該器件，該材料包括但不限于小分子有機(jī)熒光化合物、熒光和磷光金屬絡(luò)合物、共軛聚合物、以及它們的混合物。熒光化合物的示例包括但不限于芘、苝、紅熒烯、香豆素、蒽、噻二唑、它們的衍生物、以及它們的混合物。金屬配合物的示例包括但不限于金屬螯合的8-羥基喹啉酮化合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)；環(huán)金屬銥和鉑電致發(fā)光化合物，諸如在Petrov等人的美國專利6,670,645以及已公布的PCT申請WO03/063555和WO2004/016710中所公開的銥與苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基嘧啶配體的配合物，以及在例如已公布的PCT申請WO03/008424、WO03/091688和WO03/040257中所述的有機(jī)金屬配合物、以及它們的混合物。在一些情況下，小分子熒光材料或有機(jī)金屬材料作為摻雜劑與基質(zhì)材料一起涂鍍，以改善加工特性和/或電特性。共軛聚合物的示例包括但不限于聚(苯撐乙烯)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(對-亞苯基)、它們的共聚物、以及它們的混合物。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層包括在具有式I的基質(zhì)材料中的電致發(fā)光材料。在一些實(shí)施方案中，還存在第二基質(zhì)材料。在一些實(shí)施方案中，光敏層僅包括電致發(fā)光材料和具有式I的基質(zhì)材料。在一些實(shí)施方案中，光敏層僅包括電致發(fā)光材料、具有式I的第一基質(zhì)材料和第二基質(zhì)材料。第二基質(zhì)材料的示例包括但不限于菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、異喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和金屬喹啉絡(luò)合物。任選層150既可起到促進(jìn)電子傳輸?shù)淖饔?，也可充?dāng)空穴注入層或限制層以防止激子在層界面處淬滅。優(yōu)選地，該層促進(jìn)電子移動性并且減少激子的淬滅?？捎糜谌芜x電子傳輸層中的電子傳輸材料的示例包括金屬螯合的8-羥基喹啉酮化合物，包括金屬喹啉衍生物諸如三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對苯基酚氧基)鋁(III)(BAlq)、四(8-羥基喹啉)鉿(HfQ)和四(8-羥基喹啉)鋯(ZrQ)；以及唑化合物，諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，諸如2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉，諸如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)；三嗪；富勒烯；以及它們的混合物。在一些實(shí)施方案中，所述電子傳輸材料選自金屬喹啉和菲咯啉衍生物。在一些實(shí)施方案中，所述電子傳輸層還包括n型摻雜劑。N型摻雜劑材料為人們所熟知。n型摻雜劑包括但不限于第1族和第2族金屬；第1族和第2族金屬鹽，諸如LiF、CsF和Cs2CO3；第1族和第2族金屬有機(jī)化合物，諸如鋰喹啉；以及分子n型摻雜劑，諸如無色染料、金屬配合物，諸如W2(hpp)4(其中hpp＝1,3,4,6,7,8-六氫-2H-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂鈷、四硫雜萘并萘、雙(亞乙基二硫基)四硫富瓦烯、雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)、以及雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)的二聚體、低聚物、聚合物、二螺化合物和多環(huán)化物。任選的電子注入層可以沉積在電子傳輸層上。電子注入材料的示例包括但不限于含Li有機(jī)金屬化合物、LiF、Li2O、喹啉鋰、含Cs有機(jī)金屬化合物、CsF、Cs2O和Cs2CO3。該層可與下面的電子傳輸層、覆蓋的陰極或上述兩者反應(yīng)。當(dāng)存在電子注入層時，沉積的材料量通常在的范圍內(nèi)，在一些實(shí)施方案中，陰極是用于注入電子或負(fù)電荷載體尤其有效的電極。陰極可為具有功函低于陽極的任何金屬或非金屬。用于陰極的材料可選自第1族的堿金屬(例如Li、Cs)、第2族(堿土)金屬、第12族金屬，包括稀土元素和鑭系元素、以及錒系元素。可使用諸如鋁、銦、鈣、鋇、釤和鎂、以及其組合的材料。已知在有機(jī)電子裝置中存在其它層。例如，在陽極和空穴注入層之間存在層(未示出)，以控制注入的正電荷量和/或提供層的帶隙匹配，或用作保護(hù)層?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的層，諸如銅酞菁、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或超薄金屬層諸如Pt。另選地，所述層中的一些或所有可被表面處理，以增加電荷負(fù)載傳輸效率。優(yōu)選通過平衡發(fā)射極層中的正電荷和負(fù)電荷來確定每個組件層的材料的選擇以提供具有高電致發(fā)光效率的裝置。應(yīng)當(dāng)理解，每個功能層可由多于一層構(gòu)成。器件層可通過任何沉積技術(shù)或技術(shù)的組合形成，這些技術(shù)包括氣相沉積、液相沉積和熱轉(zhuǎn)移?？墒褂没逯T如玻璃、塑料、以及金屬?；蹇蔀槿嵝缘幕蚍侨嵝缘摹？墒褂贸Ｒ?guī)的氣相沉積技術(shù)諸如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等?？墒褂贸Ｒ?guī)的涂布或印刷技術(shù)，包括但不限于旋涂、浸涂、輥到輥技術(shù)、噴墨印刷、連續(xù)噴印、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷等，由適宜溶劑中的溶液或分散體來施加有機(jī)層。就液相沉積方法而言，本領(lǐng)域技術(shù)人員易于確定適用于特定化合物或相關(guān)類別化合物的溶劑。對于某些應(yīng)用，期望所述化合物可溶解于非水性溶劑中。此類非水性溶劑可以是相對極性的，諸如C1至C20醇、醚和酸酯，或可以是相對非極性的，諸如C1至C12烷烴或芳族化合物諸如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。其它適用于制備液體組合物的液體為如本文所述的包括新化合物的溶液或分散體，包括但不限于氯化烴(諸如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳烴(諸如被取代的和未被取代的甲苯和二甲苯，包括三氟甲苯)、極性溶劑(諸如四氫呋喃(THP)、N-甲基吡咯烷酮)、酯(諸如乙酸乙酯)、醇(異丙醇)、酮(環(huán)戊酮)、以及它們的混合物。用于電致發(fā)光材料的合適溶劑已描述于例如公布的PCT申請WO2007/145979中。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過空穴傳輸材料和任何附加材料在液體介質(zhì)中的液相沉積形成。在一些實(shí)施方案中，附加材料為加工助劑和/或促進(jìn)添加劑。在沉積和加工之后，附加材料可以或可以不殘留在空穴傳輸層中。液體介質(zhì)是其中空穴傳輸材料被溶解或分散并且由此將形成膜的液體介質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)包括一種或多種有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑為芳族溶劑。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)液體選自氯仿、二氯甲烷、氯苯、二氯苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、苯甲醚、N-甲基-2-吡咯烷酮(“NMP”)、四氫化萘、1-甲氧基萘、環(huán)己基苯、以及它們的混合物?？昭▊鬏敳牧峡梢?.2至5(重量/體積)％的濃度存在于液體介質(zhì)中；在一些實(shí)施方案中，0.4至3(重量/體積)％。可通過任何連續(xù)或非連續(xù)液相沉積技術(shù)來施加空穴傳輸層。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過旋涂施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過噴墨印刷施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過連續(xù)噴印施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過槽模涂布施加。液相沉積后，所述液體介質(zhì)可在室溫下或在加熱下，在空氣中、在惰性氣氛中或通過真空除去，或通過包括這些條件的任何組合的多步方法來除去。在一些實(shí)施方案中，所述器件由空穴注入層、空穴傳輸層和光敏層的液相沉積以及陽極、電子傳輸層、電子注入層和陰極的氣相沉積制成。應(yīng)當(dāng)理解，由本文所述的新組合物制成的器件的效率可以通過對該器件中的其它層進(jìn)行優(yōu)化而進(jìn)一步改善。例如，可以使用更有效的陰極諸如Ca、Ba或LiF。也可使用導(dǎo)致工作電壓降低或量子效率增加的成型基板和新型空穴傳輸材料。還可添加附加層，以定制各種層的能級并且有利于電致發(fā)光。在一個實(shí)施方案中，所述器件具有下列結(jié)構(gòu)，依次為：陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、光敏層、電子傳輸層、電子注入層、陰極。盡管可使用與本文所述那些相同或相當(dāng)?shù)姆椒ê筒牧蟻韺?shí)施或測試本發(fā)明，但合適的方法和材料將在下面進(jìn)行描述。此外，材料、方法和實(shí)施例只是例證性的，而不是限制性的。所有專利公布、專利申請、專利和本文提及的其它參考文獻(xiàn)均全文以引用方式并入本文中。實(shí)施例：本文所描述的概念將在以下實(shí)施例中進(jìn)一步描述，所述實(shí)施例不限制權(quán)利要求中描述的本發(fā)明的范圍。合成實(shí)施例1該實(shí)施例示出了具有式I的共聚物，共聚物H5的合成。共聚物H5具有共聚物類型5的結(jié)構(gòu)。(a)合成交聯(lián)單體：在氮?dú)庀孪蚪?jīng)烘箱干燥的1L，3頸圓底燒瓶中加入1,4-二溴苯(55.84g，236.71mmol)和無水THF(400mL)。一旦所有原料被溶解，就將所述溶液冷卻至-67℃(內(nèi)部溫度)。觀察到二溴苯的一些沉淀。一旦將溶液冷卻，就經(jīng)由套管轉(zhuǎn)移添加正丁基鋰(15.16g，236.71mmol)，并且使溶液在-67℃下攪拌15分鐘，由于鋰鹽沉淀，所以需要仔細(xì)觀察攪拌。添加1,6二碘己烷(40.00g，118.35mmol)，并且使水浴緩慢加熱至室溫，產(chǎn)生澄清溶液。使溶液在室溫下攪拌16小時。用1NHCl(200mL)將溶液緩慢淬滅。觀察到輕微放熱。分層，并且使有機(jī)層在NaSO4上干燥并經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)濃縮。將水浴升溫至55℃，實(shí)現(xiàn)低分子量雜質(zhì)的蒸餾。使用快速層析(二氧化硅，100％己烷等度)純化剩余的粗產(chǎn)物。使用快速層析(C18，10％H2O:90％ACN等度)進(jìn)行第二純化。除去在通過過濾收集的產(chǎn)物沉淀時產(chǎn)生的ACN。以19％的收率(8.871g)獲得白色固體狀中間體A。(b)合成交聯(lián)基團(tuán)XL1在氮?dú)庀孪蚪?jīng)烘箱干燥的500mL三頸燒瓶中添加化合物A(8.871g，22.39mmol)、苯并環(huán)丁烯-4-硼酸(3.313g，22.39mmol)、碳酸鈉(7.12g，67.17mmol)和1:1間二甲苯:水(80mL)。將所述溶液脫氣。將四(亞磷酸三苯酯)鈀(0)(7.12g，67.17mmol)加入溶液中。所得混合物加熱至100℃并持續(xù)四小時。將甲苯(100mL)和水(50mL)加入反應(yīng)混合物中。分層，并且有機(jī)層在NaSO4上干燥，并通過硅藻土、硅酸鎂和硅膠墊過濾。將粗材料濃縮以獲得黃色油。使用快速層析(二氧化硅，己烷:DCM0-10％)純化。將純餾分濃縮以獲得白色固體。將所得材料增溶于400mL乙腈中。加入50mL水。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去ACN，產(chǎn)生產(chǎn)物的沉淀，將其過濾并作為白色固體收集(2.854g，30％收率)。(c)合成單體M1M1和其它單體的合成已經(jīng)描述于公布的PCT申請WO2011/159872中?？筛鶕?jù)以下方案進(jìn)行合成。(d)合成共聚物H5將化合物M1(0.765mmol)、M2(0.158mmol)和XL1(0.396mmol)加入閃爍瓶中并溶解在11mL甲苯中。向干凈的50mL干燥施蘭克管中加入雙(1,5-環(huán)辛二烯)合鎳(0)(2.42mmol)。將2,2’-二吡啶基(2.42mmo)和1,5-環(huán)辛二烯(2.42mmol)稱量入閃爍瓶中，并且溶解在5.5mLN,N’-二甲基甲酰胺和11mL甲苯中。將溶液加入施蘭克管中，然后將其插入鋁塊中并加熱至50℃的內(nèi)部溫度。將催化體系保持在50℃并持續(xù)30分鐘。將單體甲苯溶液加入到施蘭克管中，并且密封該管。在50℃下將聚合混合物攪拌180分鐘。然后從所述塊中取出施蘭克管，并且使其冷卻至室溫。將內(nèi)容物倒入HCl/甲醇(5體積/體積％，濃HCl)中。攪拌45分鐘后，通過真空過濾收集聚合物，并且在高真空下干燥。將聚合物溶于甲苯(1重量/體積％)中并通過含堿性氧化鋁(6克)的柱，在硅膠(6克)上分層。將聚合物/甲苯濾液濃縮(2.5重量/體積％甲苯)并且用3-戊酮研磨。從半固體聚合物中潷析甲苯/3-戊酮溶液，其然后用15m甲苯溶解，然后倒入攪拌的甲醇中以產(chǎn)生共聚物H5，收率為60％。使用上文對共聚物H5所述的方法以類似方式合成共聚物H1-H4和H6-H28。共聚物通過凝膠滲透色譜(“GPC”)，使用多角度光散射檢測器和在線粘度計(jì)，使用THF作為溶劑來表征。GPC技術(shù)已經(jīng)充分描述于文獻(xiàn)中。參見，例如，J.Appl.PolymerScience，第54卷，91-103(1994)，和AgilentTechnologies出版，“Aguidetomulti-detectorgelpermeationchromatography”，其可見于www.agilent.com/cs/library/primers/public/5990-7196EN.pdf。GPC數(shù)據(jù)示于表1中。合成實(shí)施例2該實(shí)施例示出了具有式I的共聚物，共聚物H30的合成。共聚物H30具有共聚物類型17的結(jié)構(gòu)，并且通過Suzuki偶聯(lián)制備，如下文方案中所示。在Suzuki方法中，在單元A和B’的單體已經(jīng)轉(zhuǎn)換成聚合物之后最后裝入末端封端單體。這樣做是為了消耗殘留在聚合物上的所有剩余的官能團(tuán)。在惰性氣體條件下，將化合物M1(0.207mmol)、化合物B30(0.092mmol)、季銨氯化物336(0.041mmol)、1.24mL碳酸鉀水溶液(0.5M)、0.1μmol雙(二叔丁基(4-二甲基氨基苯基)膦)二氯鈀(II)和總共6.0mL甲苯加入配備有磁力攪拌棒的閃爍瓶中。用帶隔膜的螺旋蓋密封所述瓶，插入鋁塊中并經(jīng)過30分鐘的時間段加熱至105℃外部溫度并在溫和回流下于該溫度下攪拌5小時。然后向反應(yīng)中裝入0.05μmol雙(二叔丁基(4-二甲基氨基苯基)膦)二氯鈀(II)、苯基硼酸頻哪醇酯E30(0.138mmol)和0.9ml甲苯。將反應(yīng)在上述指定溫度下加熱1.5小時。接著加入碘苯(0.092mmol)和0.6mL甲苯。將反應(yīng)加熱另外的1.5小時，然后冷卻至室溫。移除水層，并且用兩部分20mLDI水洗滌有機(jī)層。通過使其通過作為干燥劑的10g硅膠來干燥甲苯層并且用甲苯?jīng)_洗二氧化硅。除去溶劑以產(chǎn)生250mg粗產(chǎn)物。粗產(chǎn)物通過使甲苯溶液通過氧化鋁、硅膠和來進(jìn)一步純化。濃縮之后，用甲苯將溶劑-潤濕產(chǎn)物稀釋至約14mL并且然后加入150mL乙酸乙酯中，從而產(chǎn)生約200mg聚合物。產(chǎn)物甲苯溶液預(yù)沉淀到3-戊酮中，從而產(chǎn)生145mg最終共聚物H30。GPC分析(光散射檢測器)示于表1中。合成實(shí)施例3該實(shí)施例示出了具有式I的共聚物，共聚物H29的合成。共聚物H29具有共聚物類型9的結(jié)構(gòu)，并且通過Suzuki偶聯(lián)制備，如下文方案中所示。(a)單體M3將27.81g化合物M1(21.3mmol)、16.2g聯(lián)(硼酸頻那醇酯)(63.8mmol)、8.35g乙酸鉀(85.1mmol)、280mL1,4-二噁烷在惰性環(huán)境下裝入1L帶夾套的反應(yīng)器中，所述反應(yīng)器設(shè)置有置頂式機(jī)械攪拌器和回流冷凝器。此后，在惰性條件下，裝入與二氯甲烷復(fù)合的0.70g[1,1′-雙(二苯基-膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)，并且經(jīng)過1小時的時間段將反應(yīng)混合物加熱至約97℃的外部溫度。在加熱10小時之后，認(rèn)為反應(yīng)完成并冷卻至25℃。使反應(yīng)混合物通過硅藻土床并用250mL二氯甲烷/己烷混合物(1:1體積/體積)向前洗滌。除去溶劑并且殘余物用50mL二氯甲烷/己烷(1:1體積/體積)稀釋，并且添加二氯甲烷輔助粗混合物負(fù)載到包含預(yù)先嵌有硼酸的150g硅膠的柱上(參見，boricacidembeddedsilica：Chem.Lett.2012，41，972-973)。將收集的產(chǎn)物餾分混合，并且用嵌有硼酸的300g硅膠重復(fù)柱純化。在除去溶劑之后獲得19.1g淺色單體。通過使用二氯甲烷/己烷使單體通過裝填有190g的Florisil的柱來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步純化。最后，將單體溶于甲苯/己烷中并沉淀到甲醇中并且分離15.4g的固體單體M3，收率為52％。(b)共聚物H29以類似于合成實(shí)施例2的方式進(jìn)行合成。GPC分析在表1中示出。表1：#當(dāng)給出3個數(shù)時，它們表示摩爾比a1:b1:e1當(dāng)給出4個數(shù)時，它們表示摩爾比a1:b1:c1:e1##[η]是本征粘度器件實(shí)施例(1)材料摻雜劑-1為雙(二芳氨基)苯并芴。此類材料已描述于例如美國專利8,465,848中。ET-1為芳基氧化膦。ET-2為喹啉鋰。ET-3為吖嗪取代的熒蒽。HIJ-1為空穴注入材料，其由導(dǎo)電聚合物和聚合氟化磺酸的含水分散體制成。此類材料已描述于例如美國專利7,351,358中?；|(zhì)-1為氘代蒽化合物。此類材料已描述于已公布的PCT申請WO2011028216中。(2)器件制造通過溶液處理和熱蒸發(fā)技術(shù)的組合來制造OLED器件。使用得自ThinFilmDevices，Inc的圖案化氧化銦錫(ITO)鍍膜玻璃基板。這些ITO基板基于涂覆有ITO的Corning1737玻璃，其具有30歐/平方的膜電阻和80％的透光率。在含水洗滌劑溶液中超聲清潔圖案化ITO基板并且用蒸餾水洗滌。隨后在丙酮中超聲清潔圖案化ITO，用異丙醇沖洗并且在氮?dú)饬髦懈稍铩Ｔ诩磳⒅圃炱骷?，用紫外臭氧清洗機(jī)將潔凈的圖案化ITO基板處理10分鐘。在冷卻后立即在ITO表面上旋涂HIJ-1的含水分散體并且加熱除去溶劑。冷卻后，接著用空穴傳輸材料的溶液旋涂所述基板，然后加熱除去溶劑。冷卻后，所述基板用所述基質(zhì)和摻雜劑的溶液旋涂，并且然后加熱以除去溶劑。將所述基板用掩模遮蓋并放置于真空室中。通過熱蒸發(fā)沉積電子傳輸層，然后沉積電子注入材料層。然后真空變換掩模，并且通過熱蒸發(fā)來沉積Al層。將室排氣并且使用玻璃封蓋、干燥劑和可紫外固化的環(huán)氧化物來封裝所述裝置。(3)器件表征通過測量它們的(1)電流-電壓(I-V)曲線，(2)相對于電壓的電致發(fā)光輻射，和(3)相對于電壓的電致發(fā)光光譜，來表征OLED樣本。所有三個測試均在同時進(jìn)行并且通過計(jì)算機(jī)控制。通過將LED的電致發(fā)光輻射除以運(yùn)行器件所需的電流密度來確定某一電壓下器件的電流效率。單位是cd/A。功率效率是電流效率除以操作電壓。單位是lm/W。使用MinoltaCS-100色度計(jì)或PhotoresearchPR-705色度計(jì)確定顏色坐標(biāo)。器件實(shí)施例1-6這些實(shí)施例示出具有式I的共聚物作為器件中的空穴傳輸材料的用途。共聚物溶液為三甲苯/NMP溶劑的溶液?；|(zhì)/摻雜劑溶液為苯甲酸甲酯溶劑的溶液。器件結(jié)構(gòu)，依次為(所有百分比均基于所述層的總重量按重量計(jì)；所有比率均按重量計(jì))：玻璃基板陽極：ITO(50nm)空穴注入層：HIJ-1(100nm)空穴傳輸層：表2中給出的共聚物(100nm)光敏層：93重量％基質(zhì)-1和7重量％摻雜劑-1(38nm)電子傳輸層：3:2ET-1:ET-2(20nm)電子注入層：ET-2(3nm)陰極：Al(100nm)器件結(jié)果示于表2中。表2：器件結(jié)果實(shí)施例HTLVEQE(％)CE(cd/A)CIExCIEyT951H194.44.64.10.140.103402H74.65.65.00.140.10650*3H84.55.24.80.140.11800*4H204.65.64.50.140.099625H214.85.74.90.140.101130*6H224.85.44.70.140.101310*除非另外指明，所有測量在1000尼特下進(jìn)行；V為在15mA/cm2下以伏特為單位的電壓；EQE＝外量子效率；CE為電流效率；CIEx和CIEy為根據(jù)C.I.E.色度規(guī)格(CommissionInternationaledeL'Eclairage，1931)的x和y顏色坐標(biāo)；T95為在22mA/cm2電流密度和50℃下，實(shí)現(xiàn)95％的初始亮度的時間，以小時為單位。器件實(shí)施例7-11這些實(shí)施例示出具有式I的共聚物作為器件中的空穴傳輸材料的用途。共聚物溶液為甲苯溶劑的溶液。基質(zhì)/摻雜劑溶液為甲苯溶劑的溶液。器件結(jié)構(gòu)，依次為(所有百分比均基于所述層的總重量按重量計(jì)；所有比率均按重量計(jì))：玻璃基板陽極：ITO(50nm)空穴注入層：HIJ-1(20nm)空穴傳輸層：表3中給出的共聚物(20nm)光敏層：93重量％基質(zhì)-1和7重量％摻雜劑-1電子傳輸層：ET-3(10nm)電子注入層：ET-2(3nm)陰極：Al(100nm)器件結(jié)果示于表3中。表3：器件結(jié)果實(shí)施例HTLVEQE(％)CE(cd/A)CIExCIEyT957H14.96.78.00.140.1548H314.46.16.40.140.13129H134.76.07.20.140.164010H333.32.12.30.140.13511H324.55.46.40.140.1518除非另外指明，所有測量在1000尼特下進(jìn)行；V為在15mA/cm2下以伏特為單位的電壓；EQE＝外量子效率；CE為電流效率；CIEx和CIEy為根據(jù)C.I.E.色度規(guī)格(CommissionInternationaledeL'Eclairage，1931)的x和y顏色坐標(biāo)；T95為在22mA/cm2電流密度和50℃下，實(shí)現(xiàn)95％的初始亮度的時間，以小時為單位。器件實(shí)施例12-19這些實(shí)施例示出具有式I的共聚物作為器件中的空穴傳輸材料的用途。共聚物溶液為甲苯溶劑的溶液?；|(zhì)/摻雜劑溶液為甲苯溶劑的溶液。器件結(jié)構(gòu)，依次為(所有百分比均基于所述層的總重量按重量計(jì)；所有比率均按重量計(jì))：玻璃基板陽極：ITO(50nm)空穴注入層：HIJ-1(20nm)空穴傳輸層：表4中給出的共聚物(20nm)光敏層：93重量％基質(zhì)-1和7重量％摻雜劑-1(38nm)電子傳輸層：2:3ET-1:ET-2(20nm)電子注入層：ET-2(3nm)陰極：Al(100nm)器件結(jié)果示于表4中。表4：器件結(jié)果實(shí)施例HTLVEQE(％)CE(cd/A)CIExCIEyT9512H33.72.93.40.140.1518713H54.55.66.30.140.1312314H114.55.36.60.150.163915H344.45.36.30.150.1514316H64.44.86.10.150.165917H184.03.83.70.140.113518H234.24.75.10.140.132419H244.76.67.40.140.1436除非另外指明，所有測量在1000尼特下進(jìn)行；V為在15mA/cm2下以伏特為單位的電壓；EQE＝外量子效率；CE為電流效率；CIEx和CIEy為根據(jù)C.I.E.色度規(guī)格(CommissionInternationaledeL'Eclairage，1931)的x和y顏色坐標(biāo)；T95為在22mA/cm2電流密度和50℃下，實(shí)現(xiàn)95％的初始亮度的時間，以小時為單位。應(yīng)注意到的是，在一般性描述或?qū)嵤├胁⒉皇巧鲜鏊械幕顒佣际潜仨毜模徊糠痔囟ɑ顒涌梢圆皇潜匦璧模⑶页怂枋龅哪切┲?，還可實(shí)施一個或多個其它活動。此外，所列活動的順序不必是它們實(shí)施的順序。在上述說明書中，已參考具體的實(shí)施方案描述了多個概念。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識到在不脫離以下權(quán)利要求中所示出的本發(fā)明范圍的情況下可以作出多種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是示例性的而非限制性的，并且所有此類修改均旨在包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。以上已針對具體的實(shí)施方案描述了有益效果、其它優(yōu)點(diǎn)以及問題的解決方案。然而，有益效果、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案、以及可致使任何有益效果、優(yōu)點(diǎn)或解決方案產(chǎn)生或變得更顯著的任何特征不可解釋為是任何或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵、必需或基本特征。應(yīng)認(rèn)識到，為清楚起見，本文不同實(shí)施方案的上下文中所描述的某些特征也可在單個實(shí)施方案中以組合方式提供。反之，為簡明起見，在單個實(shí)施方案的上下文中所描述的多個特征也可單獨(dú)或以任何子組合的方式提供。本文指定的各種范圍中使用的數(shù)值規(guī)定為近似值，就像是在規(guī)定范圍內(nèi)的最小值和最大值前均有“約”字。這樣，在所述范圍之上及之下的微小變化值均可用于獲得與這些范圍內(nèi)的值基本上相同的結(jié)果。這些范圍的公開還旨在作為包括介于最小和最大平均值之間的每個值的連續(xù)范圍，當(dāng)一個值的某些組分與不同值的那些混合時其包括可產(chǎn)生結(jié)果的部分值。此外，當(dāng)公開更寬的和更窄的范圍時，在本發(fā)明的期望內(nèi)，使來自一個范圍的最小值與來自另一個范圍的最大值匹配，反之亦然。當(dāng)前第1頁1 2 3