本發(fā)明屬于電磁兼容
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種電磁噪音抑制片及其制備方法。
背景技術(shù)：
：電子設(shè)備的高頻化、微型化、集成化、功能化，帶來越來越嚴(yán)峻的電磁兼容問題。如CPU的時鐘頻率達(dá)到3GHz，家用數(shù)碼相機的CCD感光元件達(dá)到2100萬像素，為了滿足高時鐘頻率和高像素的要求，必然要求提高數(shù)據(jù)的傳輸速度。傳輸速度的提高一般通過降低電平幅度，減少上升延時間兩種方式。電平幅度降低導(dǎo)致抗干擾能力下降，上升延時間的縮短導(dǎo)致di/dt變大，加重了GHz頻率范圍的電磁干擾。解決電磁干擾的方法一般有屏蔽、濾波、接地、合理的布線。屏蔽可以用來解決設(shè)備對外部或者外部對設(shè)備的電磁輻射問題，但不能解決內(nèi)部屏蔽層的反射干擾對設(shè)備內(nèi)電子元器件的影響，尤其無法解決近區(qū)磁場的耦合；濾波是有效的電磁干擾控制手段，然而隨著電子設(shè)備的小型化、集成化以及高頻化發(fā)展，常規(guī)EMI濾波器受體積、分布參數(shù)、磁芯頻率特性等的影響，在微型設(shè)備上的高頻應(yīng)用受到限制；線間以及電子元件間的耦合，一般依靠合理的布線來克服，但由于數(shù)字設(shè)備的微型化和高頻化，如信號處理、圖像處理和數(shù)據(jù)處理的印制板組件的頻率高達(dá)100MHz～1500MHz，線間耦合和元器件耦合僅僅依靠合理的布線難以徹底消除。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種在最大程度提高材料電磁性能的基礎(chǔ)上提高材料的吸波性能，使其能夠在GHz頻段具有良好的吸波性能的電磁噪音抑制片。本發(fā)明的另一目的在于提供上述的電磁噪音抑制片的制備方法。本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：一種電磁噪音抑制片，包括按重量份計：所述片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為78～90％，Si含量為5-12％，Al含量為3-10％，片狀磁粉的厚度在0.3～5μm，長度為10-100μm。所述橡膠包括丁腈橡膠、乙丙橡膠、氟橡膠或丁苯橡膠。所述硫化劑包括硫磺粉、不溶性硫磺、過氧化二異丙苯或二叔丁基過氧化物。所述硫化促進(jìn)劑包括秋蘭姆類和次磺酰胺類；其中，秋蘭姆類包括二硫化四甲基秋蘭姆、一硫化四甲基秋蘭姆或二硫化四乙基秋蘭姆；次磺酰胺類中包括N-環(huán)己基-2-苯并噻唑次磺酰胺或N,N-二環(huán)己基-2-苯并噻唑次磺酰胺。所述片狀磁粉與橡膠的質(zhì)量比為(7:1)～(10:1)。上述電磁噪音抑制片的制備方法，包括以下步驟：1)取片狀磁粉按重量份計，700～1000份，橡膠按重量份計，100份，放入密煉機中密煉，密煉溫度為80～100℃，密煉時間為20～40分鐘；2)在步驟1)基礎(chǔ)上加入硫化劑和硫化促進(jìn)劑；其中，硫化劑按重量份計，0.6～2份，硫化促進(jìn)劑按重量份計0.3～2份，密煉時間為20～40分鐘；3)取步驟2)制得的混合物，放入開煉機中開煉，在40～60℃下開煉3～8次；4)取步驟3)制得的混合物，將混合物放入粉碎機中破碎造粒，混合物的粒徑在0.5mm～2mm；5)取步驟4)制得的顆粒狀混合物，將顆粒狀混合物放入壓延機中壓延成型，壓延溫度為40～60℃，通過調(diào)整輥距，制備出1.0mm厚度的噪音抑制片；6)取步驟5)制得的噪音抑制片，將噪音抑制片放入平板硫化機中進(jìn)行硫化，硫化溫度為150～180℃，壓力為3～7MPa，硫化10～20s，然后取出裁片，將噪音抑制片分別沖裁成直徑為133mm的圓片和14×8.5mm的圓環(huán)。所述步驟1)中片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為78～90％，Si含量為5-12％，Al含量為3-10％，片狀磁粉的厚度在0.3～5μm，長度為10-100μm；橡膠為丁晴橡膠。所述步驟2)中硫化促進(jìn)劑包括秋蘭姆類和次磺酰胺類；其中，秋蘭姆類包括二硫化四甲基秋蘭姆、一硫化四甲基秋蘭姆、二硫化四乙基秋蘭姆；次磺酰胺類中包括N-環(huán)己基-2-苯并噻唑次磺酰胺、N,N-二環(huán)己基-2-苯并噻唑次磺酰胺。所述步驟2)中硫化促進(jìn)劑為N-環(huán)已基-2-苯并噻唑次磺酰胺或二硫化四甲基秋蘭姆。本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的優(yōu)點及效果：本發(fā)明所制備的電磁噪音抑制片，具有柔性、超薄、應(yīng)用頻率范圍寬、易裁剪、貼裝方便等特點，廣泛應(yīng)用在手機、數(shù)碼像機、數(shù)碼攝像機、筆記本電腦、掃描儀、CD\DVD、PDA、車載導(dǎo)航系統(tǒng)等電子設(shè)備中，通過選取合適的吸收劑并調(diào)節(jié)材料的配方及制備工藝條件，并在最大程度提高材料電磁性能的基礎(chǔ)上提高材料的吸波性能，使其能夠在GHz頻段具有良好的吸波性能。本發(fā)明電磁噪音抑制片采用壓延成型制備，工藝簡單，生產(chǎn)速度快，產(chǎn)品厚度均勻，并且表面平整，產(chǎn)品外觀優(yōu)良。此外壓延成型可連續(xù)生產(chǎn)，自動化程度高，效率高，并且該電磁噪聲抑制片在GHz頻段具有良好的吸波性能，具有很好的應(yīng)用前景。附圖說明圖1為本發(fā)明中實施例3的反射率性能圖；圖2為本發(fā)明中實施例4的反射率性能圖；圖3為本發(fā)明中實施例5的反射率性能圖。具體實施方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實施方式不限于此。實施例1一種電磁噪音抑制片，包括按重量份計：所述片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為78％，Si含量為12％，Al含量為10％，片狀磁粉的厚度在0.3μm，長度為10μm。本實施例中的橡膠為丁腈橡膠；硫化劑為硫磺粉；硫化促進(jìn)劑包括秋蘭姆類和次磺酰胺類；本實施例采用秋蘭姆類為二硫化四甲基秋蘭姆。本實施例中的片狀磁粉與橡膠的質(zhì)量比為7:1。上述電磁噪音抑制片的制備方法，包括以下步驟：1)取片狀磁粉按重量份計，700份，橡膠按重量份計，100份，放入密煉機中密煉，密煉溫度為80℃，密煉時間為20分鐘；2)在步驟1)基礎(chǔ)上加入硫化劑和硫化促進(jìn)劑；其中，硫化劑按重量份計，0.6份，硫化促進(jìn)劑按重量份計2份，密煉時間為20分鐘；3)取步驟2)制得的混合物，放入開煉機中開煉，在40℃下開煉3次；4)取步驟3)制得的混合物，將混合物放入粉碎機中破碎造粒，混合物的粒徑在0.5mm；5)取步驟4)制得的顆粒狀混合物，將顆粒狀混合物放入壓延機中壓延成型，壓延溫度為40℃，通過調(diào)整輥距，制備出1.0mm厚度的噪音抑制片；6)取步驟5)制得的噪音抑制片，將噪音抑制片放入平板硫化機中進(jìn)行硫化，硫化溫度為150℃，壓力為3MPa，硫化10s，然后取出裁片，將噪音抑制片分別沖裁成直徑為133mm的圓片和14×8.5mm的圓環(huán)。所述步驟1)中片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為78％，Si含量為12％，Al含量為10％，片狀磁粉的厚度在0.3μm，長度為10μm；橡膠為丁晴橡膠。所述步驟2)中硫化促進(jìn)劑為二硫化四甲基秋蘭姆。實施例2一種電磁噪音抑制片，包括按重量份計：所述片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為90％，Si含量為5％，Al含量為5％，片狀磁粉的厚度在5μm，長度為100μm。本實施例中的橡膠為乙丙橡膠；硫化劑為不溶性硫磺；硫化促進(jìn)劑包括秋蘭姆類和次磺酰胺類；本實施例中的次磺酰胺類中為N-環(huán)己基-2-苯并噻唑次磺酰胺。本實施例中的片狀磁粉與橡膠的質(zhì)量比為10:1。上述電磁噪音抑制片的制備方法，包括以下步驟：1)取片狀磁粉按重量份計，1000份，橡膠按重量份計，100份，放入密煉機中密煉，密煉溫度為100℃，密煉時間為40分鐘；2)在步驟1)基礎(chǔ)上加入硫化劑和硫化促進(jìn)劑；其中，硫化劑按重量份計，2份，硫化促進(jìn)劑按重量份計2份，密煉時間為40分鐘；3)取步驟2)制得的混合物，放入開煉機中開煉，在60℃下開煉8次；4)取步驟3)制得的混合物，將混合物放入粉碎機中破碎造粒，混合物的粒徑在2mm；5)取步驟4)制得的顆粒狀混合物，將顆粒狀混合物放入壓延機中壓延成型，壓延溫度為60℃，通過調(diào)整輥距，制備出1.0mm厚度的噪音抑制片；6)取步驟5)制得的噪音抑制片，將噪音抑制片放入平板硫化機中進(jìn)行硫化，硫化溫度為180℃，壓力為7MPa，硫化20s，然后取出裁片，將噪音抑制片分別沖裁成直徑為133mm的圓片和14×8.5mm的圓環(huán)。所述步驟1)中片狀磁粉為Fe-Si-Al，片狀磁粉中Fe含量為90％，Si含量為5％，Al含量為5％，片狀磁粉的厚度在5μm，長度為100μm；橡膠為乙丙橡膠。所述步驟2)中硫化促進(jìn)劑包括秋蘭姆類和次磺酰胺類；硫化促進(jìn)劑為N-環(huán)已基-2-苯并噻唑次磺酰胺。實施例3分別選用丁腈橡膠、片狀FeSiAl磁粉、不溶性硫磺IS60和CZ(N-環(huán)已基-2-苯并噻唑次磺酰胺)和TMTD(二硫化四甲基秋蘭姆)作為基體、吸收劑、硫化劑和硫化促進(jìn)劑。將100份丁晴橡膠與1000份片狀FeSiAl磁粉放入密煉機中密煉，密煉溫度為90℃，密煉30分鐘后加入硫化劑IS60和硫化促進(jìn)劑{CZ(N-環(huán)已基-2-苯并噻唑次磺酰胺)和TMTD(二硫化四甲基秋蘭姆)}，其中IS60為1.5份，CZ1.5份和TMTD1.0份，再密煉30分鐘。將混合物取出后放入開煉機中開煉，在50℃下開煉5次后，再將混合物放入粉碎機中破碎造粒，混合物的粒徑在0.5mm～2mm。然后顆粒狀混合物放入壓延機中壓延成型，壓延溫度為60℃，通過調(diào)整輥距，制備出1.0mm厚度的噪音抑制片。最后將噪音抑制片放入平板硫化機中進(jìn)行硫化，硫化溫度為170℃，壓力為5MPa，硫化15s后取出裁片。將噪音抑制片沖裁成直徑為133mm的圓片用于吸波性能反射率(S11)。吸波性能測試采用KeySightN5232A網(wǎng)絡(luò)分析儀與同軸法蘭夾具組成的反射率測量系統(tǒng)來測量。反射率測試結(jié)果如圖1所示：隨著頻率的增大，樣品的反射率S11先減小后增大，當(dāng)頻率在1.3GHz時，樣品的反射率S11最小，達(dá)到-6.5dB(反射率越小，吸波性能越好)。實施例4本實施例與實施例3不用之處在于：硫化時間為30s，如圖2所示，隨著頻率的增大，樣品的反射率S11先減小后增大，當(dāng)頻率在1.7GHz時，樣品的反射率S11最小，達(dá)到-6.2dB。實施例5本實施例與實施例3不用之處在于：硫化溫度為180℃，如圖3所示，隨著頻率的增大，樣品的反射率S11先減小后增大，當(dāng)頻率在0.7GHz時，樣品的反射率S11最小，達(dá)到-6.7dB。此時樣品的制備工藝最優(yōu)，反射率最小。實施例6～16本實施例與實施例3不用之處在于如下表所示：實施例工藝條件反射率(S11)6硫化時間360s-5.2dB7硫化溫度160℃-4.7dB8磁粉質(zhì)量900份-5.4dB9磁粉質(zhì)量800份-5.0dB10磁粉質(zhì)量700份-4.9dB11IS60質(zhì)量0.6份-5.7dB12IS60質(zhì)量2.0份-5.9dB13CZ質(zhì)量0.6份-5.8dB14CZ質(zhì)量1.8份-5.5dB15TMTD質(zhì)量0.4份-5.2dB16TMTD質(zhì)量1.2份-5.6dB上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3