本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種發(fā)光層材料為三嗪類(lèi)化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其應(yīng)用。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技術(shù)既可以用來(lái)制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。

OLED發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成OLED發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對(duì)OLED發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過(guò)電場(chǎng)作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生OLED電致發(fā)光。

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)在大面積平板顯示和照明方面的應(yīng)用引起了工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。然而，傳統(tǒng)有機(jī)熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25％單線(xiàn)態(tài)激子發(fā)光，器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強(qiáng)的自旋-軌道耦合增強(qiáng)了系間竄越，可以有效利用電激發(fā)形成的單線(xiàn)態(tài)激子和三線(xiàn)態(tài)激子發(fā)光，使器件的內(nèi)量子效率達(dá)100％。但磷光材料存在價(jià)格昂貴，材料穩(wěn)定性較差，器件效率滾落嚴(yán)重等問(wèn)題限制了其在OLEDs的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(TADF)材料是繼有機(jī)熒光材料和有機(jī)磷光材料之后發(fā)展的第三代有機(jī)發(fā)光材料。該類(lèi)材料一般具有小的單線(xiàn)態(tài)-三線(xiàn)態(tài)能級(jí)差(△E_ST)，三線(xiàn)態(tài)激子可以通過(guò)反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線(xiàn)態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線(xiàn)態(tài)激子和三線(xiàn)態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達(dá)到100％。同時(shí)，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價(jià)格便宜無(wú)需貴重金屬，在OLED領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。

雖然理論上TADF材料可以實(shí)現(xiàn)100％的激子利用率，但實(shí)際上存在如下問(wèn)題:

(1)設(shè)計(jì)分子的T1和S1態(tài)具有強(qiáng)的CT特征，非常小的S1-T1態(tài)能隙，雖然可以通過(guò)TADF過(guò)程實(shí)現(xiàn)高T₁→S₁態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，但同時(shí)導(dǎo)致低的S1態(tài)輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時(shí)實(shí)現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率；

(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕T激子濃度猝滅效應(yīng)，大多數(shù)TADF材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。

就當(dāng)前OLED顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前OLED材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開(kāi)發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種含有三嗪類(lèi)化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明基于TADF機(jī)理的以三嗪為核心的化合物作為發(fā)光層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管上，具有良好的光電性能，能夠滿(mǎn)足OLED器件企業(yè)，特別是OLED顯示面板和OLED照明企業(yè)的需求。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本申請(qǐng)人提供了一種含有三嗪類(lèi)化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括空穴傳輸層、發(fā)光層、及電子傳輸層；所述發(fā)光層包括主體材料及摻雜材料；

采用通式(1)所示材料作為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的主體材料；采用通式(14)、(15)、(16)或(17)任一項(xiàng)所示材料作為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的摻雜材料：

通式(1)中，Ar₁、Ar₂分別獨(dú)立的表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基或吡啶基；

通式(1)中，Ar₃表示-Ar-R或者-R；

其中，Ar表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、或吡嗪基；

R采用通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)表示：

其中，

(1)X₁表示為羰基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基中的一種；

(2)Ar₄表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基或吡啶基；

(3)R₁、R₂分別獨(dú)立的選取通式(6)所示結(jié)構(gòu)；

a為X₂、X₃分別獨(dú)立的表示為氧原子、硫原子、硒原子、羰基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；a與C_L1-C_L2鍵、C_L2-C_L3鍵、C_L3-C_L4鍵、C_L‘1-C_L’2鍵、C_L‘2-C_L’3鍵或C_L‘3-C_L’4鍵連接；

(4)R₃、R₄分別獨(dú)立的選取氫、碳原子為1-10的烷基、苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、通式(7)或通式(8)所示結(jié)構(gòu)，且R₃、R₄至少有一個(gè)選取通式(7)或通式(8)所示結(jié)構(gòu)；

Ar₅表示-Ar₉-R₉或者-R₉；

R₉選取C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、烷基或芳基取代的芴基、烷基或芳基取代的螺芴基、烷基或芳基取代的二苯并呋喃基、烷基或芳基取代的二苯并噻吩基、烷基或芳基取代的苯并砜基、烷基或芳基取代的咔唑基、烷基或芳基取代的吩嗪基、烷基或芳基取代的吩惡嗪基、烷基或芳基取代的吩噻嗪基、烷基或芳基取代的吖啶基中的一種；

Ar₆表示-Ar₁₀-R₁₀或者-R₁₀；

R₁₀選取烷基或芳基取代的二苯并呋喃基、烷基或芳基取代的二苯并噻吩基、烷基或芳基取代的苯并砜基、烷基或芳基取代的芴基、烷基或芳基取代的螺芴基、烷基或芳基取代的咔唑基、烷基或芳基取代的吩嗪基、烷基或芳基取代的吩惡嗪基、烷基或芳基取代的吩噻嗪基、烷基或芳基取代的吖啶基中的一種；

Ar₉、Ar₁₀分別獨(dú)立的表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、或萘基；

X₃表示為氧原子、硫原子、硒原子、羰基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；

(5)R₅、R₆分別獨(dú)立的選取氫或通式(9)所示結(jié)構(gòu)，且R₅、R₆至少有一個(gè)選取通式(9)所示結(jié)構(gòu)；

X₄表示為氧原子、硫原子、硒原子、羰基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；

(6)R₇、R₈分別獨(dú)立的選取氫、通式(10)、通式(11)或通式(12)所示結(jié)構(gòu)，且R₇、R₈至少有一個(gè)選取通式(10)、通式(11)或通式(12)所示結(jié)構(gòu)；

Ar₇、Ar₈、Ar₉分別獨(dú)立的表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、或萘基；

通式(13)中，B₁-B₁₀選擇為氫、C_1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；

通式(14)中，Y₁-Y₆各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；

分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過(guò)任意化學(xué)鍵相連成環(huán)；

通式(15)、通式(16)中Y₁-Y₄各自獨(dú)立的表示為氧、碳、氮原子的一種；分別表示為含有兩個(gè)原子的基團(tuán)通過(guò)任意化學(xué)鍵相連成環(huán)。

優(yōu)選的，R₄選取通式(7)或通式(8)所示結(jié)構(gòu)時(shí)，R₃還可以選取通式(17)所示結(jié)構(gòu)：

Ar₇、Ar₈分別獨(dú)立的表示苯基、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、或萘基。

優(yōu)選的，所述R為：

中的任一種。

優(yōu)選的，所述通式(1)代表的材料的具體結(jié)構(gòu)式為：

中的任一種。

本申請(qǐng)人提供了所述有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團(tuán)的化合物，該化合物的結(jié)構(gòu)式如通式(18)所示：

通式(18)中，D₁-D₃各自獨(dú)立的表示為取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、或者取代或未取代的3元至30元雜芳基；D₁-D₃可以相同或者不同。

本申請(qǐng)人還提供了所述有機(jī)電致發(fā)光器件的電子傳輸層的材料為下列通式(19)、(20)、(21)、(22)或(23)所示材料中的一種：

通式(19)、通式(20)、通式(21)、通式(22)、通式(23)中E₁-E₁₀各自獨(dú)立的表示為氫、C_1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C_6-30芳基、或者取代或未取代的3元至30元雜芳基；E₁-E₁₀不同時(shí)為氫。

優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括空穴注入層；所述空穴注入層材料為通式(24)、(25)、(26)所示材料中的一種：

通式(24)中，F(xiàn)₁-F₃各自獨(dú)立的表示取代或未取代的C_6-30芳基、或者取代或未取代的3元至30元雜芳基；F₁-F₃可以相同或者不同；

通式(25)、通式(26)中，G₁-G₆各自獨(dú)立的表示為氫、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、C_1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的C_6-30芳基、或者3元至30元雜芳基；G₁-G₆不同時(shí)為氫。

優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括電子注入層；所述電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種。所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰、疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、疊氮化銫。

優(yōu)選的，所述發(fā)光層的摻雜材料與發(fā)光層的主體材料的質(zhì)量比為0.005～0.2:1。

優(yōu)選的，通式(1)所示材料還可以作為發(fā)光層的摻雜材料使用。

本申請(qǐng)人還提供了一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，其特征在于所述有機(jī)電致發(fā)光器件用于制備頂發(fā)光OLED發(fā)光器件。

本申請(qǐng)人還提供了一種所述有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用，其特征在于所述有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)用于A(yíng)M-OLED顯示器。

本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：

組成本發(fā)明所述OLED發(fā)光器件的三嗪類(lèi)化合物具有TADF的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，容易實(shí)現(xiàn)非常小的S1-T1態(tài)能隙差，在激發(fā)情況下，容易實(shí)現(xiàn)三線(xiàn)態(tài)到單線(xiàn)態(tài)的反系間竄越，使原本不能發(fā)光，以熱的形式散失的熱量轉(zhuǎn)化為可產(chǎn)生光能的能量，并有望獲得極高的效率。

基于以上原理分析，本發(fā)明所述OLED發(fā)光器件，既可以選擇熒光材料作為摻雜材料，也可以選擇磷光材料作為摻雜材料，亦可以將本發(fā)明所述TADF材料直接作為摻雜材料使用。

所述三嗪類(lèi)化合物作為OLED發(fā)光器件的主體材料搭配銥，鉑類(lèi)磷光材料或蒽類(lèi)熒光材料使用時(shí)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時(shí)，對(duì)于器件壽命提升非常明顯。進(jìn)一步的，在OLED器件層結(jié)構(gòu)搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽(yáng)極、金屬陰極和有機(jī)材料接觸界面更穩(wěn)定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(EBL)，提供電子阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接空穴注入層一側(cè)的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側(cè)的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(HBL)，提供空穴阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合效率提升，鄰接電子注入層一側(cè)的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每個(gè)都并非必須存在。

本發(fā)明所述OLED器件化合物的組合效果：使得器件的驅(qū)動(dòng)電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進(jìn)一步提高，器件壽命提升效果明顯。在OLED發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。

令人預(yù)料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在下文中更詳細(xì)描述的化合物組合實(shí)現(xiàn)了這個(gè)目的，并且導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的改進(jìn)，特別是電壓、效率和壽命的改進(jìn)。這特別適用于紅色或綠色磷光的電致發(fā)光器件，尤其是在使用本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)及材料組合時(shí)，情況如此。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例疊層OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中：1為透明襯底、2為ITO陽(yáng)極層、3為空穴注入層(HIL)、4為空穴傳輸層(HTL)、5為電子阻擋層(EBL)、6為發(fā)光層(EML)、7為空穴阻擋層(HBL)、8為電子傳輸層(ETL)、9為電子注入層(EIL)、10為陰極反射電極層。

圖2為本發(fā)明器件實(shí)施例所用關(guān)鍵原料的結(jié)構(gòu)式。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。

第一部分：相關(guān)材料的制備

實(shí)施例1化合物1的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴吡啶-2-基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol12,12-二甲基-12,14-二氫苯并呋喃[2,3-h]吲哚[2,1-b]咔唑，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.20％，收率45.39％。

HPLC-MS：材料分子量為681.25，實(shí)測(cè)分子量681.53。

實(shí)施例2化合物12的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴苯基)-4-萘基-2-基-6-吡啶-3-基-[1,3,5]三嗪，0.015molM1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.36％，收率52.23％。

HPLC-MS：材料分子量為737.21，實(shí)測(cè)分子量737.23。

實(shí)施例3化合物16的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015molM2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.96％，收率36.98％。

HPLC-MS：材料分子量為736.26，實(shí)測(cè)分子量736.38。

實(shí)施例4化合物17的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-溴-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015molM3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.48％，收率42.34％。

HPLC-MS：材料分子量為662.27，實(shí)測(cè)分子量662.31。

實(shí)施例5化合物18的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015molM3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.81％，收率33.40％。

HPLC-MS：材料分子量為738.30，實(shí)測(cè)分子量738.42。

實(shí)施例6化合物21的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 10,N,N,N',N'-五苯基-5H,10H-吩嗪-2,8-二胺，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.59％，收率43.80％。

HPLC-MS：材料分子量為899.37，實(shí)測(cè)分子量899.39

實(shí)施例7化合物23的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 2,8-二咔唑-基10-苯基-5,10-二氫-吩嗪，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.13％，收率49.53％。

HPLC-MS：材料分子量為895.34，實(shí)測(cè)分子量895.42

實(shí)施例8化合物24的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 9,9,9',9'-四甲基-9,10-二氫-9'H-[2,10']聯(lián)吖啶，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.13％，收率43.16％。

HPLC-MS：材料分子量為723.34，實(shí)測(cè)分子量723.62

實(shí)施例9化合物29的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 9,9-二甲基-9',9'-二苯基-9,10-二氫-9'H-2,10'-聯(lián)吖啶，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.50％，收率54.60％。

HPLC-MS：材料分子量為847.37，實(shí)測(cè)分子量847.40

實(shí)施例10化合物30的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 9,9-二甲基-2,7-二吩惡嗪-9,10-二氫吖啶，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.83％，收率65.42％。

HPLC-MS：材料分子量為878.34，實(shí)測(cè)分子量878.38。

實(shí)施例11化合物33的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 10-(9,9-二苯基-9,10-二氫-吖啶-2-基)-10H-吩噻嗪，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度96.89％，收率67.20％。

HPLC-MS：材料分子量為837.29，實(shí)測(cè)分子量837.46。

實(shí)施例12化合物39的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-溴-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 2-(10-苯基-10H-吩嗪-5-基)-10H-吖啶-9-酮，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.66％，收率64.30％。

HPLC-MS：材料分子量為682.77，實(shí)測(cè)分子量682.79。

實(shí)施例13化合物43的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(5-溴-吡嗪-2-基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 3,6-二吩惡嗪-9H-咔唑，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.31％，收率59.30％。

HPLC-MS：材料分子量為838.28，實(shí)測(cè)分子量838.55。

實(shí)施例14化合物46的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(5-溴-聯(lián)苯-3-基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 10-(9H-咔唑-3-基)-9,9-二甲基-9,10-二氫-吖啶，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.29％，收率68.80％。

HPLC-MS：材料分子量為757.32，實(shí)測(cè)分子量757.64。

實(shí)施例15化合物51的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 10-(9H-咔唑-6-甲基-3-基)-9,9-二苯基-9,10-二氫-吖啶，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.59％，收率59.20％。

HPLC-MS：材料分子量為819.99，實(shí)測(cè)分子量819.34。

實(shí)施例16化合物69的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol二苯并呋喃-3-基-苯基-(6-苯基-9H-咔唑-3-基)-胺基，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.86％，收率64.50％。

HPLC-MS：材料分子量為807.94，實(shí)測(cè)分子量808.24。

實(shí)施例17化合物98的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-溴-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol(9H-咔唑-3-基)-二(4-咔唑-9-基-苯基)-胺基，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.89％，收率48.32％。

HPLC-MS：材料分子量為896.05，實(shí)測(cè)分子量896.59。

實(shí)施例18化合物102的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-溴-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol[4-(9,9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-苯基]-(3,5-二甲基-苯基)-(6-甲基-9H-咔唑-3-基)-胺，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度95.89％，收率63.48％。

HPLC-MS：材料分子量為815.02，實(shí)測(cè)分子量815.35。

實(shí)施例19化合物146的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol二-[4-(9,9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-苯基]-(6-苯基-9H-咔唑-3-基)-胺基，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度95.26％，收率42.60％。

HPLC-MS：材料分子量為1131.50，實(shí)測(cè)分子量1131.64。

實(shí)施例20化合物153的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol N³,N³-二(二苯并[b,d]呋喃-3-基)-N⁶,N⁶-二苯基-9H-咔唑-3,6-二胺基，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度95.26％，收率42.60％。

HPLC-MS：材料分子量為988.35，實(shí)測(cè)分子量988.48。

實(shí)施例21化合物173的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol N³-(5,10-二苯基-5,10-二氫吩嗪-2-基)-N³-苯基-N⁶,N⁶-二對(duì)苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度97.56％，收率42.90％。

HPLC-MS：材料分子量為1092.46，實(shí)測(cè)分子量1092.48。

實(shí)施例22化合物184的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.01mol2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol 13,13-二甲基-7,13-二氫苯并呋喃[2,3-b]吲哚[2,1-h]咔唑，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度98.20％，收率39.60％。

HPLC-MS：材料分子量為680.26，實(shí)測(cè)分子量680.31。

實(shí)施例23化合物189的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-溴-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol7H-二苯并呋喃[3,2-b:3',2'-h]咔唑，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.26％，收率46.26％。

HPLC-MS：材料分子量為578.17，實(shí)測(cè)分子量578.22。

實(shí)施例24化合物197的合成

250ml的四口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.01mol 2-(3-溴苯基l)-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪，0.015mol7,13-二氫-5,13-二苯基-5H-二吲哚[3,2-b:3',2'-h]咔唑，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全，自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物，純度99.16％，收率32.35％。

HPLC-MS：材料分子量為804.30，實(shí)測(cè)分子量804.43。

本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對(duì)本發(fā)明化合物33、化合物153、化合物197和現(xiàn)有材料CBP分別進(jìn)行△Est和Φf的測(cè)定，檢測(cè)結(jié)果如表1所示。

表1

注：Φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國(guó)海洋光學(xué)的Maya2000Pro光纖光譜儀，美國(guó)藍(lán)菲公司的C-701積分球和海洋光學(xué)LLS-LED光源組成的測(cè)試固體熒光量子效率測(cè)試系統(tǒng)，參照文獻(xiàn)Adv.Mater.1997，9，230-232的方法進(jìn)行測(cè)定)；△Est是先分別測(cè)試化合物的熒光發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜，并由熒光發(fā)射峰和磷光發(fā)射峰計(jì)算得到(測(cè)試設(shè)備：利用Edinburgh Instruments的FLS980熒光光譜儀，Oxford Instruments的Optistat DN-V2低溫組件)。

由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有較低的△Est，容易實(shí)現(xiàn)高T₁→S₁態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，適合作為發(fā)光層的主體材料；本發(fā)明化合物同時(shí)具有較高的Φf和較高的S1態(tài)輻射躍遷速率，使得應(yīng)用本發(fā)明化合物作為摻雜材料的OLED器件效率和壽命得到提升。

第二部分：器件的制備和性能

以下通過(guò)器件實(shí)施例1～17和器件比較例1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明化合物組合在器件中應(yīng)用效果。本發(fā)明所述器件實(shí)施例2～17、器件比較例1與器件實(shí)施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件測(cè)層疊結(jié)構(gòu)、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中陰極反射電極層10選用Al。各功能層化合物的分子結(jié)構(gòu)式如圖2所示，各器件的性能測(cè)試結(jié)果如表3所示。

器件實(shí)施例1

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包含空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：HT6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物1和GD1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)/Al(厚度：100nm)。

具體制備過(guò)程如下：

對(duì)ITO陽(yáng)極層2(膜厚為150nm)洗滌，依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進(jìn)行紫外線(xiàn)-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機(jī)殘留物。

在所述洗滌后的ITO陽(yáng)極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴傳輸層4，空穴傳輸層材料使用HT6，膜厚為120nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層4；

在空穴傳輸層4上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍發(fā)光層6，發(fā)光層材料使用化合物1作為主體材料，GD1作為摻雜材料，摻雜質(zhì)量比例為9：1，發(fā)光層膜厚為40nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層6；

在發(fā)光層6上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用ET2和EI1混合摻雜，摻雜質(zhì)量比為1:1，膜厚為35nm，此層作為器件結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層8；

在電子傳輸層8上，通過(guò)真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁(Al)層，膜厚為100nm，此層為陰極反射電極層10使用。

如上所述地完成OLED發(fā)光器件制作后，用公知的驅(qū)動(dòng)電路將陽(yáng)極和陰極連接起來(lái)，測(cè)量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。

器件實(shí)施例2

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6和電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：HT2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物12和GD2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET02和EI1，質(zhì)量比1:1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例3

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包含空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI2)/空穴傳輸層4(厚度：110nm，材料：HT4)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物17和GD2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiN3)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例4

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6和電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT3)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物18和GD3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，質(zhì)量比1:1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例5

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI3和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物24和GD3按重量比89：11混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：Li)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例6

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI4和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物29和GD4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET4和EI1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例7

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：EB1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物30和GD4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：HB1)/電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例8

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：HT5)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB3)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物33和GD5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：Cs2CO3)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例9

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI6和HT4，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物39和GD6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：EI1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例10

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT3)/電子阻擋層5(厚度：60nm，材料：EB1)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物43和GD5按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：HB1)/電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：ET5)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：EI1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例11

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT6，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物46和GD4按重量比92：8混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：Li2CO3)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例12

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、空穴阻擋層7、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物51和GD6按重量比95：5混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET6)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：CsF)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例13

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物184和GD2按重量比88：12混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：CsN3)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例14

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：60nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物189、GH2和GD2按重量比60：30：10混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：EB2)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例15

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子阻擋層5、發(fā)光層6、空穴阻擋層7和電子傳輸層8。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT6)/電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：EB2)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：化合物197、GH4和GD2按重量比60：30：10混摻構(gòu)成)/空穴阻擋層7(厚度15nm，材料：HB1)/電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例16

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI4和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：GH3和化合物69按重量比92：8混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET4和EI1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件實(shí)施例17

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI4和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構(gòu)成)/空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT6)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：GH3和化合物153按重量比95：5混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET4和EI1，質(zhì)量比1:1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件比較例1

器件疊層結(jié)構(gòu)的排列順序如附圖1所示：包括空穴傳輸層4、發(fā)光層6、電子傳輸層8和電子注入層9。

透明襯底1/ITO陽(yáng)極層2(厚度：150nm)/空穴傳輸層4(厚度：120nm，材料：HTI)/發(fā)光層6(厚度：40nm，材料：GH1和GD1按重量比90：10混摻構(gòu)成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET1)/電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述OLED，從呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特性線(xiàn)計(jì)算，和測(cè)量壽命。確定在1000cd/m²亮度下的電致發(fā)光光譜，計(jì)算CIEx和y顏色坐標(biāo)，器件測(cè)試數(shù)據(jù)如表3所示。

表2

表3

注：器件測(cè)試性能以比較例1作為參照，比較例1器件各項(xiàng)性能指標(biāo)設(shè)為1.0。比較例1的電流效率為32.6cd/A(@1000cd/m²)；驅(qū)動(dòng)電壓為5.6v(@1000cd/m2)；CIE色坐標(biāo)為(0.34,0.63)；5000亮度下LT95壽命衰減為3.5Hr。

表3總結(jié)了所述OLED器件在1000cd/m²亮度所需的電壓、達(dá)到的電流效率，以及在5000cd/m²亮度下LT95衰減壽命。

器件實(shí)施例1對(duì)比器件比較例1，更換本發(fā)明的發(fā)光層材料，并按本發(fā)明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，電流效率提升45％，壽命提升1.75倍；器件實(shí)施例2～17按本發(fā)明設(shè)計(jì)的材料搭配和器件疊層組合，使得器件數(shù)據(jù)進(jìn)一步提升；如器件實(shí)施例14、15所示，本發(fā)明的三嗪類(lèi)材料作為混合主體材料時(shí)，進(jìn)一步的獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)；如器件實(shí)施例16、17所示，本發(fā)明三嗪類(lèi)材料作為發(fā)光層摻雜材料使用時(shí)，同樣獲得了非常好的性能數(shù)據(jù)。

綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。