技術特征：

1.不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

1）黑曲霉培養(yǎng)和孢子收集

在固體瓊脂培養(yǎng)基表面接種黑曲霉，培養(yǎng)至培養(yǎng)基表面長滿黑曲霉孢子，洗下培養(yǎng)基表面的黑曲霉孢子，吸出孢子懸液并過濾去除菌絲，收集含有孢子的濾液，將濾液離心，收集沉淀的休眠孢子；

2）黑曲霉孢子預處理

用電擊緩沖液重懸孢子，離心并收集孢子沉淀，重復上述重懸和離心步驟3-4次后，將最后收集的孢子沉淀重懸于電擊緩沖液中，得到孢子濃度為10⁴-10¹¹個/ml的黑曲霉孢子懸液；

所述電擊緩沖液由終濃度為0.01-100mmol/L的4-羥乙基哌嗪乙磺酸和終濃度為0.5-5000mmol/L的甘露醇組成，電擊緩沖液的pH為3.0-9.5；

3）使用HDEN法電擊黑曲霉孢子

在細胞培養(yǎng)板的孔中加入上述步驟得到的黑曲霉孢子懸液以及待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒，混勻，得到孢子與質(zhì)?；旌衔?，將細胞培養(yǎng)板置于冰上冰浴10-15min，然后采用Etta Biotech X-Porator H1電轉(zhuǎn)儀進行HDEN法電擊，將帶有矩陣式電極的電擊頭插入孢子與質(zhì)粒混合物內(nèi)部，通電，使得孢子與質(zhì)?；旌衔飪?nèi)部產(chǎn)生電場，電擊之后再將細胞培養(yǎng)板置于冰上冰浴10-15min，然后將孢子和質(zhì)?；旌衔镂?，得到導入外源DNA的休眠的黑曲霉孢子；

所述黑曲霉懸液與待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒的比例為：6-600000μl的黑曲霉孢子懸液：0.1-10000μg的待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒；

所述電擊參數(shù)如下：電壓1-6000V，脈寬2-2000000ms，重復1-100次，每次間隔5-50000ms。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟1）的培養(yǎng)基為PDA培養(yǎng)基、YPD培養(yǎng)基或察氏培養(yǎng)基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟1，）黑曲霉的培養(yǎng)條件為：溫度16-40℃，濕度15-85%，培養(yǎng)3-15日。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟1），黑曲霉的培養(yǎng)條件為：溫度30℃，濕度50-60%，培養(yǎng)5日。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟2），電擊緩沖液由終濃度為1mmol/L的4-羥乙基哌嗪乙磺酸和終濃度為50mmol/L的甘露醇組成，電擊緩沖液的pH為7.0。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟2）的黑曲霉孢子懸液在電擊前，于顯微鏡下觀察，確認孢子懸液中無菌絲體混雜污染并且孢子均未萌發(fā)，然后再進行電擊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟3），待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒為重組質(zhì)粒AnEp8-hygro，所述重組質(zhì)粒AnEp8-hygro由潮霉素B抗性基因和AnEp8質(zhì)粒構(gòu)建而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟3），黑曲霉懸液與重組質(zhì)粒AnEp8-hygro的比例為：60μl的黑曲霉孢子懸液：1μg的重組質(zhì)粒 AnEp8-hygro。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于： 所述步驟3），電擊參數(shù)如下：電壓400 V，脈寬2000ms，重復3次，每次間隔500ms 。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不依賴介質(zhì)直接轉(zhuǎn)化外源DNA進入黑曲霉休眠孢子的方法，其特征在于：所述步驟3），還包括如下處理：將孢子和質(zhì)?；旌衔镂?，涂布在含有終濃度為200μg/ml的潮霉素B的YPD固體瓊脂培養(yǎng)基平板上，于溫度16-40℃，濕度15-85%下培養(yǎng)，直至形成單菌落，并進行菌落計數(shù)。