相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)根據(jù)35u.s.c.§119(e)(1)要求2016年5月2日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/330,412號(hào)、2016年4月14日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/322,510號(hào)、2016年2月5日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/291,960號(hào)、2015年9月24日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/232,194號(hào)、2015年9月3日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/213,757號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述臨時(shí)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。聯(lián)合研究協(xié)議的各方所要求的本發(fā)明是由達(dá)成聯(lián)合大學(xué)公司研究協(xié)議的以下各方中的一或多者，以以下各方中的一或多者的名義和/或結(jié)合以下各方中的一或多者而作出：密歇根大學(xué)董事會(huì)、普林斯頓大學(xué)、南加州大學(xué)和環(huán)宇顯示器公司(universaldisplaycorporation)。所述協(xié)議在作出所要求的本發(fā)明的日期當(dāng)天和之前就生效，并且所要求的本發(fā)明是因在所述協(xié)議的范圍內(nèi)進(jìn)行的活動(dòng)而作出。本發(fā)明涉及適用作發(fā)射體的化合物；和包括其的裝置，例如有機(jī)發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
：出于若干原因，利用有機(jī)材料的光學(xué)電子裝置變得越來越受歡迎。用以制造這樣的裝置的材料中的許多材料相對(duì)便宜，因此有機(jī)光學(xué)電子裝置具有獲得相對(duì)于無機(jī)裝置的成本優(yōu)勢(shì)的潛力。另外，有機(jī)材料的固有性質(zhì)(例如其柔性)可以使其非常適合具體應(yīng)用，例如在柔性襯底上的制造。有機(jī)光學(xué)電子裝置的實(shí)例包括有機(jī)發(fā)光二極管/裝置(oled)、有機(jī)光電晶體管、有機(jī)光伏打電池和有機(jī)光檢測(cè)器。對(duì)于oled，有機(jī)材料可以具有相對(duì)于常規(guī)材料的性能優(yōu)點(diǎn)。舉例來說，有機(jī)發(fā)射層發(fā)射光的波長(zhǎng)通常可以容易地用適當(dāng)?shù)膿诫s劑來調(diào)整。oled利用有機(jī)薄膜，其在電壓施加于裝置上時(shí)發(fā)射光。oled正變?yōu)橛糜诶缙桨屣@示器、照明和背光應(yīng)用中的越來越引人注目的技術(shù)。美國(guó)專利第5,844,363號(hào)、第6,303,238號(hào)和第5,707,745號(hào)中描述若干oled材料和配置，所述專利以全文引用的方式并入本文中。磷光性發(fā)射分子的一個(gè)應(yīng)用是全色顯示器。用于這種顯示器的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)需要適于發(fā)射具體色彩(稱為“飽和”色彩)的像素。具體地說，這些標(biāo)準(zhǔn)需要飽和的紅色、綠色和藍(lán)色像素?；蛘?，oled可經(jīng)設(shè)計(jì)以發(fā)射白光。在常規(guī)液晶顯示器中，使用吸收濾光器濾過來自白色背光的發(fā)射以產(chǎn)生紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)射。相同技術(shù)也可以用于oled。白色oled可以是單eml裝置或堆疊結(jié)構(gòu)。可以使用本領(lǐng)域中所熟知的cie坐標(biāo)來測(cè)量色彩。綠色發(fā)射分子的一個(gè)實(shí)例是三(2-苯基吡啶)銥、表示為ir(ppy)3，其具有以下結(jié)構(gòu)：在此圖和本文后面的圖中，將從氮到金屬(此處，ir)的配價(jià)鍵描繪為直線。如本文所用，術(shù)語“有機(jī)”包括聚合材料以及小分子有機(jī)材料，其可以用以制造有機(jī)光學(xué)電子裝置?！靶》肿印笔侵覆皇蔷酆衔锏娜魏斡袡C(jī)材料，并且“小分子”可能實(shí)際上相當(dāng)大。在一些情況下，小分子可以包括重復(fù)單元。舉例來說，使用長(zhǎng)鏈烷基作為取代基不會(huì)將分子從“小分子”類別中去除。小分子還可以并入到聚合物中，例如作為聚合物主鏈上的側(cè)基或作為主鏈的一部分。小分子還可以充當(dāng)樹枝狀聚合物的核心部分，所述樹枝狀聚合物由建立在核心部分上的一系列化學(xué)殼層組成。樹枝狀聚合物的核心部分可以是熒光或磷光小分子發(fā)射體。樹枝狀聚合物可以是“小分子”，并且據(jù)信當(dāng)前在oled領(lǐng)域中使用的所有樹枝狀聚合物都是小分子。如本文所用，“頂部”意指離襯底最遠(yuǎn)，而“底部”意指離襯底最近。在將第一層描述為“安置”在第二層“上”的情況下，第一層被安置為距襯底較遠(yuǎn)。除非規(guī)定第一層“與”第二層“接觸”，否則第一與第二層之間可以存在其它層。舉例來說，即使陰極和陽極之間存在各種有機(jī)層，仍可以將陰極描述為“安置在”陽極“上”。如本文所用，“溶液可處理”意指能夠以溶液或懸浮液的形式在液體介質(zhì)中溶解、分散或輸送和/或從液體介質(zhì)沉積。當(dāng)據(jù)信配位體直接促成發(fā)射材料的光敏性質(zhì)時(shí)，配位體可以稱為“光敏性的”。當(dāng)據(jù)信配位體并不促成發(fā)射材料的光敏性質(zhì)時(shí)，配位體可以稱為“輔助性的”，但輔助性的配位體可以改變光敏性的配位體的性質(zhì)。如本文所用，并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員一般將理解，如果第一能級(jí)較接近真空能級(jí)，那么第一“最高占用分子軌道”(homo)或“最低未占用分子軌道”(lumo)能級(jí)“大于”或“高于”第二homo或lumo能級(jí)。由于將電離電位(ip)測(cè)量為相對(duì)于真空能級(jí)的負(fù)能量，因此較高h(yuǎn)omo能級(jí)對(duì)應(yīng)于具有較小絕對(duì)值的ip(負(fù)得較少的ip)。類似地，較高lumo能級(jí)對(duì)應(yīng)于具有較小絕對(duì)值的電子親和性(ea)(負(fù)得較少的ea)。在常規(guī)能級(jí)圖上，真空能級(jí)在頂部，材料的lumo能級(jí)高于同一材料的homo能級(jí)?！拜^高”homo或lumo能級(jí)表現(xiàn)為比“較低”homo或lumo能級(jí)靠近這個(gè)圖的頂部。如本文所用，并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員一般將理解，如果第一功函數(shù)具有較高絕對(duì)值，那么第一功函數(shù)“大于”或“高于”第二功函數(shù)。因?yàn)橥ǔ⒐瘮?shù)測(cè)量為相對(duì)于真空能級(jí)的負(fù)數(shù)，因此這意指“較高”功函數(shù)負(fù)得較多。在常規(guī)能級(jí)圖上，真空能級(jí)在頂部，將“較高”功函數(shù)說明為在向下方向上距真空能級(jí)較遠(yuǎn)。因此，homo和lumo能級(jí)的定義遵循與功函數(shù)不同的慣例?？梢栽谝匀囊玫姆绞讲⑷氡疚闹械拿绹?guó)專利第7,279,704號(hào)中找到關(guān)于oled和上文所述的定義的更多細(xì)節(jié)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)一實(shí)施例，提供了一種化合物，其具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z，其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；?、膦基和其組合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；并且其中所述化合物的分子具有大于0.67的取向因子值。根據(jù)另一實(shí)施例，公開了一種具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m的化合物，其具有選自由以下組成的群組的結(jié)構(gòu)：其中m是1或2；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。根據(jù)另一實(shí)施例，還公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管/裝置(有機(jī)發(fā)光二極體)。所述oled可以包括陽極、陰極和安置在所述陽極與所述陰極之間的有機(jī)層。所述有機(jī)層可以包含具有選自由以下組成的群組的化學(xué)式的化合物：m(la)h(lb)y(lc)z、其中m是1或2；其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺酰基、磺?；?、膦基和其組合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；其中所述化合物的分子具有大于0.67的取向因子值；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。根據(jù)又一實(shí)施例，公開了一種調(diào)配物，其中所述調(diào)配物含有具有選自由以下組成的群組的化學(xué)式的化合物：m(la)h(lb)y(lc)z、其中m是1或2；其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；Ⅳ驶?、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；?、膦基和其組合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；其中m(la)h(lb)y(lc)z的分子具有大于0.67的取向因子值；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。附圖說明圖1展示了有機(jī)發(fā)光裝置。圖2展示了不具有單獨(dú)電子輸送層的倒轉(zhuǎn)的有機(jī)發(fā)光裝置。圖3展示了通過偏光器在0到60°的角下對(duì)具有表1中定義的裝置結(jié)構(gòu)的裝置實(shí)例2的發(fā)射體所測(cè)量的光譜。圖4展示了通過setfos-4.1產(chǎn)生的相應(yīng)光譜。圖5說明了針對(duì)0°數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)化的積分輻射率的實(shí)驗(yàn)角相關(guān)性。在40°角下積分p/s輻射率比是1.67。圖6說明了通過setfos-4.1程序模擬的偶極取向校準(zhǔn)相較于p/s發(fā)射比。對(duì)于此特定實(shí)例，在40°角下積分p/s輻射率比是1.67，對(duì)應(yīng)于0.15的偶極取向(do)。圖7說明了不同do的輻射率-p概況相較于觀察角。圖8說明了不同do的輻射率-s概況相較于觀察角。圖9展示了裝置的最大估算eqe與發(fā)射體取向因子的相關(guān)性。圖10展示了一些發(fā)射體的plqy與發(fā)射體濃度的相關(guān)性。發(fā)射體的空間位阻防止在高摻雜％下自淬滅。具體實(shí)施方式一般來說，oled包含安置在陽極與陰極之間并且電連接到陽極和陰極的至少一個(gè)有機(jī)層。當(dāng)施加電流時(shí)，陽極注入空穴并且陰極注入電子到有機(jī)層中。所注入的空穴和電子各自朝帶相反電荷的電極遷移。當(dāng)電子和空穴局限于同一分子上時(shí)，形成“激子”，其為具有激發(fā)能量狀態(tài)的局部化電子-空穴對(duì)。當(dāng)激子經(jīng)由光電發(fā)射機(jī)制弛豫時(shí)，發(fā)射光。在一些情況下，激子可以局限于激元或激態(tài)復(fù)合物上。非輻射機(jī)制(例如熱弛豫)也可能發(fā)生，但通常被視為不合需要的。最初的oled使用從單態(tài)發(fā)射光(“熒光”)的發(fā)射分子，如例如美國(guó)專利第4,769,292號(hào)中所公開，所述專利以全文引用的方式并入。熒光發(fā)射通常在小于10納秒的時(shí)間范圍中發(fā)生。最近，已經(jīng)論證了具有從三重態(tài)發(fā)射光(“磷光”)的發(fā)射材料的oled。巴爾多(baldo)等人的“從有機(jī)電致發(fā)光裝置的高效磷光發(fā)射(highlyefficientphosphorescentemissionfromorganicelectroluminescentdevices)”，自然(nature)，第395卷，第151-154頁，1998；(“巴爾多-i”)和巴爾多等人的“基于電致磷光的非常高效綠色有機(jī)發(fā)光裝置(veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence)”，應(yīng)用物理學(xué)報(bào)(appl.phys.lett.)，第75卷，第3期，第4-6頁(1999)(“巴爾多-ii”)以全文引用的方式并入。以引用的方式并入的美國(guó)專利第7,279,704號(hào)第5-6列中更詳細(xì)地描述磷光。圖1展示了有機(jī)發(fā)光裝置100。圖不一定按比例繪制。裝置100可以包括襯底110、陽極115、空穴注入層120、空穴輸送層125、電子阻擋層130、發(fā)射層135、空穴阻擋層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護(hù)層155、陰極160和屏障層170。陰極160是具有第一導(dǎo)電層162和第二導(dǎo)電層164的復(fù)合陰極。裝置100可以通過依序沉積所描述的層來制造。在以引用的方式并入的us7,279,704的第6-10列中更詳細(xì)地描述這些各種層的性質(zhì)和功能以及實(shí)例材料。這些層中的每一者有更多實(shí)例。舉例來說，以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第5,844,363號(hào)中公開柔性并且透明的襯底-陽極組合。經(jīng)p摻雜的空穴輸送層的實(shí)例是以50∶1的摩爾比率摻雜有f4-tcnq的m-mtdata，如以全文引用的方式并入的美國(guó)專利申請(qǐng)公開案第2003/0230980號(hào)中所公開。以全文引用的方式并入的頒予湯普森(thompson)等人的美國(guó)專利第6,303,238號(hào)中公開發(fā)射材料和主體材料的實(shí)例。經(jīng)n摻雜的電子輸送層的實(shí)例是以1∶1的摩爾比率摻雜有l(wèi)i的bphen，如以全文引用的方式并入的美國(guó)專利申請(qǐng)公開案第2003/0230980號(hào)中所公開。以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第5,703,436號(hào)和第5,707,745號(hào)公開了陰極的實(shí)例，其包括具有例如mg：ag等金屬薄層與上覆的透明、導(dǎo)電、經(jīng)濺鍍沉積的ito層的復(fù)合陰極。以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第6,097,147號(hào)和美國(guó)專利申請(qǐng)公開案第2003/0230980號(hào)中更詳細(xì)地描述阻擋層的原理和使用。以全文引用的方式并入的美國(guó)專利申請(qǐng)公開案第2004/0174116號(hào)中提供注入層的實(shí)例?？梢栽谝匀囊玫姆绞讲⑷氲拿绹?guó)專利申請(qǐng)公開案第2004/0174116號(hào)中找到保護(hù)層的描述。圖2展示了倒轉(zhuǎn)的oled200。所述裝置包括襯底210、陰極215、發(fā)射層220、空穴輸送層225和陽極230。裝置200可以通過依序沉積所描述的層來制造。因?yàn)樽畛Ｒ妎led配置具有安置在陽極上的陰極，并且裝置200具有安置在陽極230下的陰極215，所以裝置200可以稱為“倒轉(zhuǎn)”oled。在裝置200的對(duì)應(yīng)層中，可以使用與關(guān)于裝置100所描述的材料類似的材料。圖2提供了可以如何從裝置100的結(jié)構(gòu)省略一些層的一個(gè)實(shí)例。圖1和2中所說明的簡(jiǎn)單分層結(jié)構(gòu)是作為非限制實(shí)例而提供，并且應(yīng)理解，可以結(jié)合各種各樣的其它結(jié)構(gòu)使用本發(fā)明的實(shí)施例。所描述的具體材料和結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是示范性的，并且可以使用其它材料和結(jié)構(gòu)。可以基于設(shè)計(jì)、性能和成本因素，通過以不同方式組合所描述的各個(gè)層來實(shí)現(xiàn)功能性oled，或可以完全省略若干層。還可以包括未具體描述的其它層?？梢允褂貌煌诰唧w描述的材料的材料。盡管本文所提供的實(shí)例中的許多實(shí)例將各種層描述為包含單一材料，但應(yīng)理解，可以使用材料的組合(例如主體與摻雜劑的混合物)或更一般來說，混合物。并且，所述層可以具有各種子層。本文中給予各個(gè)層的名稱不意欲具有嚴(yán)格限制性。舉例來說，在裝置200中，空穴輸送層225輸送空穴并且將空穴注入到發(fā)射層220中，并且可以被描述為空穴輸送層或空穴注入層。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將oled描述為具有安置在陰極與陽極之間的“有機(jī)層”。此有機(jī)層可以包含單個(gè)層，或可以進(jìn)一步包含如例如關(guān)于圖1和2所描述的不同有機(jī)材料的多個(gè)層。還可以使用未具體描述的結(jié)構(gòu)和材料，例如包含聚合材料的oled(pled)，例如以全文引用的方式并入的頒予弗蘭德(friend)等人的美國(guó)專利第5,247,190號(hào)中所公開。作為另一實(shí)例，可以使用具有單個(gè)有機(jī)層的oled。oled可以堆疊，例如如以全文引用的方式并入的頒予福利斯特(forrest)等人的第5,707,745號(hào)中所描述。oled結(jié)構(gòu)可以脫離圖1和2中所說明的簡(jiǎn)單分層結(jié)構(gòu)。舉例來說，襯底可以包括有角度的反射表面以改進(jìn)出耦(out-coupling)，例如如頒予福利斯特等人的美國(guó)專利第6,091,195號(hào)中所述的臺(tái)式結(jié)構(gòu)，和/或如頒予布利維克(bulovic)等人的美國(guó)專利第5,834,893號(hào)中所述的凹點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述專利以全文引用的方式并入。除非另外規(guī)定，否則可以通過任何合適方法來沉積各種實(shí)施例的層中的任一者。對(duì)于有機(jī)層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)、噴墨(例如以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第6,013,982號(hào)和第6,087,196號(hào)中所述)、有機(jī)氣相沉積(ovpd)(例如以全文引用的方式并入的頒予福利斯特等人的美國(guó)專利第6,337,102號(hào)中所述)和通過有機(jī)蒸氣噴射印刷(ovjp)的沉積(例如以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第7,431,968號(hào)中所述)。其它合適沉積方法包括旋涂和其它基于溶液的工藝?；谌芤旱墓に噧?yōu)選在氮或惰性氣氛中進(jìn)行。對(duì)于其它層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的圖案化方法包括通過掩模的沉積、冷焊(例如以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第6,294,398號(hào)和第6,468,819號(hào)中所述)和與例如噴墨和ovjp等沉積方法中的一些方法相關(guān)聯(lián)的圖案化。還可以使用其它方法?？梢愿倪M(jìn)待沉積的材料，以使其與具體沉積方法相容。舉例來說，可以在小分子中使用具支鏈或無支鏈并且優(yōu)選含有至少3個(gè)碳的例如烷基和芳基等取代基，來增強(qiáng)其經(jīng)受溶液處理的能力?？梢允褂镁哂?0個(gè)或更多個(gè)碳的取代基，并且3-20個(gè)碳是優(yōu)選范圍。具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的材料可以比具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的材料具有更好的溶液可處理性，因?yàn)椴粚?duì)稱材料可以具有更低的再結(jié)晶傾向性?？梢允褂脴渲罹酆衔锶〈鶃碓鰪?qiáng)小分子經(jīng)受溶液處理的能力。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造的裝置可以進(jìn)一步任選地包含屏障層。屏障層的一個(gè)用途是保護(hù)電極和有機(jī)層免于因暴露于環(huán)境中的有害物質(zhì)(包括水分、蒸氣和/或氣體等)而受損。屏障層可以沉積在襯底、電極上，沉積在襯底、電極下或沉積在襯底、電極旁，或沉積在裝置的任何其它部分(包括邊緣)上。屏障層可以包含單個(gè)層或多個(gè)層。屏障層可以通過各種已知的化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成，并且可以包括具有單一相的組合物以及具有多個(gè)相的組合物。任何合適材料或材料組合都可以用于屏障層。屏障層可以并入有無機(jī)化合物或有機(jī)化合物或兩者。優(yōu)選的屏障層包含聚合材料與非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美國(guó)專利第7,968,146號(hào)、pct專利申請(qǐng)案第pct/us2007/023098號(hào)和第pct/us2009/042829號(hào)中所述。為了被視為“混合物”，構(gòu)成屏障層的前述聚合材料和非聚合材料應(yīng)在相同反應(yīng)條件下和/或在同時(shí)沉積。聚合材料對(duì)非聚合材料的重量比率可以在95∶5到5∶95的范圍內(nèi)。聚合材料和非聚合材料可以由同一前體材料產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)例中，聚合材料與非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和無機(jī)硅組成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而制造的裝置可以并入到各種各樣的電子組件模塊(或單元)中，所述電子組件模塊可以并入到多種電子產(chǎn)品或中間組件中。此類電子產(chǎn)品或中間組件的實(shí)例包括可以為終端用戶產(chǎn)品制造商所利用的顯示屏、照明裝置(如離散光源裝置或照明面板)等。此類電子組件模塊可以任選地包括驅(qū)動(dòng)電子裝置和/或電源。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而制造的裝置可以并入到各種各樣的消費(fèi)型產(chǎn)品中，所述消費(fèi)型產(chǎn)品具有一或多種電子組件模塊(或單元)并入于其中。此類消費(fèi)型產(chǎn)品將包括含一或多個(gè)光源和/或某種類型的視覺顯示器中的一或多者的任何種類的產(chǎn)品。此類消費(fèi)型產(chǎn)品的一些實(shí)例包括平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、醫(yī)療監(jiān)視器、電視機(jī)、告示牌、用于內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號(hào)的燈、平視顯示器、全透明或部分透明的顯示器、柔性顯示器、激光印刷機(jī)、電話、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、平板手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、可佩戴裝置、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、攝錄像機(jī)、取景器、微型顯示器、3-d顯示器、交通工具、大面積墻壁、劇院或體育館屏幕，或指示牌?？梢允褂酶鞣N控制機(jī)制來控制根據(jù)本發(fā)明而制造的裝置，包括無源矩陣和有源矩陣。意欲將所述裝置中的許多裝置用于對(duì)人類來說舒適的溫度范圍中，例如18攝氏度到30攝氏度，并且更優(yōu)選在室溫下(20-25攝氏度)，但可以在此溫度范圍外(例如-40攝氏度到+80攝氏度)使用。本文所述的材料和結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于不同于oled的裝置中。舉例來說，例如有機(jī)太陽能電池和有機(jī)光檢測(cè)器等其它光電子裝置可以使用所述材料和結(jié)構(gòu)。更一般來說，例如有機(jī)晶體管等有機(jī)裝置可以使用所述材料和結(jié)構(gòu)。如本文所用，術(shù)語“鹵基”、“鹵素”或“鹵化物”包括氟、氯、溴和碘。如本文所用，術(shù)語“烷基”涵蓋直鏈和支鏈烷基。優(yōu)選的烷基是含有一到十五個(gè)碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，1-二甲基丙基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基等。另外，烷基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“環(huán)烷基”涵蓋環(huán)狀烷基。優(yōu)選的環(huán)烷基是含有3到10個(gè)環(huán)碳原子的環(huán)烷基，并且包括環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基等。另外，環(huán)烷基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“烯基”涵蓋直鏈和支鏈烯基。優(yōu)選的烯基是含有二到十五個(gè)碳原子的烯基。另外，烯基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“炔基”涵蓋直鏈和支鏈炔基。優(yōu)選的炔基是含有二到十五個(gè)碳原子的炔基。另外，炔基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“芳烷基”或“芳基烷基”可互換地使用并且涵蓋具有芳香族基團(tuán)作為取代基的烷基。另外，芳烷基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“雜環(huán)基”涵蓋芳香族和非芳香族環(huán)狀基團(tuán)。雜芳香族環(huán)狀基團(tuán)還意指雜芳基。優(yōu)選的雜非芳香族環(huán)基是含有包括至少一個(gè)雜原子的3到7個(gè)環(huán)原子的雜環(huán)基，并且包括環(huán)胺，例如嗎啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和環(huán)醚，例如四氫呋喃、四氫吡喃等。另外，雜環(huán)基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“芳基”或“芳香族基團(tuán)”涵蓋單環(huán)基團(tuán)和多環(huán)系統(tǒng)。多環(huán)可以具有其中兩個(gè)碳為兩個(gè)鄰接環(huán)(所述環(huán)是“稠合的”)共用的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，其中所述環(huán)中的至少一者是芳香族的，例如其它環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。優(yōu)選的芳基是含有六到三十個(gè)碳原子、優(yōu)選六到二十個(gè)碳原子、更優(yōu)選六到十二個(gè)碳原子的芳基。尤其優(yōu)選的是具有六個(gè)碳、十個(gè)碳或十二個(gè)碳的芳基。適合的芳基包括苯基、聯(lián)苯、聯(lián)三苯、三亞苯、四亞苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苣、苝和薁，優(yōu)選苯基、聯(lián)苯、聯(lián)三苯、三亞苯、芴和萘。另外，芳基可以是任選地被取代的。如本文所用，術(shù)語“雜芳基”涵蓋可以包括一到五個(gè)雜原子的單環(huán)雜芳香族基團(tuán)。術(shù)語雜芳基還包括具有其中兩個(gè)原子為兩個(gè)鄰接環(huán)(所述環(huán)是“稠合的”)共用的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)的多環(huán)雜芳香族系統(tǒng)，其中所述環(huán)中的至少一者是雜芳基，例如其它環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。優(yōu)選的雜芳基是含有三到三十個(gè)碳原子、優(yōu)選三到二十個(gè)碳原子、更優(yōu)選三到十二個(gè)碳原子的雜芳基。適合的雜芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，優(yōu)選二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1，2-氮雜硼烷、1，3-氮雜硼烷、1，4-氮雜硼烷、硼氮炔和其氮雜類似物。另外，雜芳基可以是任選地被取代的。烷基、環(huán)烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環(huán)基、芳基和雜芳基可以未被取代或可以被一或多個(gè)選自由以下組成的群組的取代基取代：氘、鹵素、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、環(huán)氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、醚基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺酰基、磺酰基、膦基和其組合。如本文所用，“被取代的”表示，不是h的取代基鍵結(jié)到相關(guān)位置，例如碳。因此，舉例來說，在r1被單取代時(shí)，則一個(gè)r1必須不是h。類似地，在r1被二取代時(shí)，則兩個(gè)r1必須不是h。類似地，在r1未被取代時(shí)，r1對(duì)于所有可用位置來說都是氫。本文所述的片段(即氮雜-二苯并呋喃、氮雜-二苯并噻吩等)中的“氮雜”名稱意指各別片段中的一或多個(gè)c-h基團(tuán)可以被氮原子置換，例如并且無任何限制性地，氮雜三亞苯涵蓋二苯并[f，h]喹喔啉和二苯并[f，h]喹啉。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以容易地預(yù)想上文所述的氮雜-衍生物的其它氮類似物，并且所有這些類似物都旨在由如本文中闡述的術(shù)語涵蓋。應(yīng)理解，當(dāng)將分子片段描述為取代基或另外連接到另一部分時(shí)，其名稱可以如同其是片段(例如苯基、亞苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整個(gè)分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般書寫。如本文所用，這些不同的命名取代基或連接的片段的方式被視為等效的。含有簡(jiǎn)單烷基取代苯基吡啶配位體的銥絡(luò)合物已經(jīng)廣泛用作磷光oled中的發(fā)射體。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明公開了銥絡(luò)合物，其包含經(jīng)在所述ir絡(luò)合物上形成膨松基團(tuán)的特定取代模式或特定新穎取代基取代的苯基吡啶配位體。pt絡(luò)合物配位體上的膨松基團(tuán)還已經(jīng)展示出較高eqe和較少準(zhǔn)分子形成。這些取代基出乎意料地改進(jìn)裝置效率和壽命。這些取代基還使金屬絡(luò)合物取向，以便其躍遷偶極矩平行于oled襯底，這提高了發(fā)射體的外部量子效率。發(fā)射體金屬絡(luò)合物的躍遷偶極矩的平行取向增加了從oled提取的光的量，因?yàn)楣獍l(fā)射垂直于發(fā)射體化合物的躍遷偶極。測(cè)定發(fā)射體躍遷偶極矩取向-oled中的發(fā)射體的躍遷偶極矩的取向作為限制外部量子效率的顯著因子之一已經(jīng)受到許多關(guān)注。測(cè)量取向的多種不同方法已經(jīng)在最近的文獻(xiàn)中使用和報(bào)道。所報(bào)道的方法包括：角光致發(fā)光概況測(cè)量，隨后光學(xué)模擬；使用具有一系列etl厚度的裝置對(duì)具有和不具有出耦透鏡的el裝置進(jìn)行積分球eqe測(cè)量；和單色電致發(fā)光遠(yuǎn)場(chǎng)角模式測(cè)量。所有這些方法都使用商業(yè)光學(xué)模擬軟件來進(jìn)行資料計(jì)算和解釋。下文描述的方法經(jīng)設(shè)計(jì)用于評(píng)估用于具有標(biāo)準(zhǔn)材料集的裝置中的許多oled發(fā)射體的取向因子。通常，主題材料用于具有針對(duì)最大效率優(yōu)化的結(jié)構(gòu)的裝置中。所述方法需要具有變化的層厚度的改性結(jié)構(gòu)，以便增強(qiáng)所測(cè)量的發(fā)射對(duì)發(fā)射體的偶極取向的靈敏度。裝置結(jié)構(gòu)選擇-研究oled發(fā)射體的偶極取向的關(guān)鍵要素是調(diào)節(jié)樣品裝置的結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)發(fā)射的對(duì)偶極取向最靈敏的光學(xué)特性。在底部發(fā)射裝置中，如果調(diào)節(jié)到發(fā)射光譜的最大波長(zhǎng)以產(chǎn)生空腔效應(yīng)，那么發(fā)射體的位置距反射陰極的距離變成主要參數(shù)。以此方式激活的空腔效應(yīng)最佳可見于偏振發(fā)射的角測(cè)量中。所述結(jié)構(gòu)必須提供用以將發(fā)射體保持在定義明確的位置的基質(zhì)和用以激活發(fā)射體的電致發(fā)光的方式。盡管所述結(jié)構(gòu)構(gòu)成了具有許多界面的復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng)并且包括具有不同光學(xué)性質(zhì)的材料，但其可以經(jīng)設(shè)計(jì)以使發(fā)射位點(diǎn)與反射陰極之間的距離成為定義在空氣中遠(yuǎn)場(chǎng)模式的主要要素。表1：用于測(cè)定黃色發(fā)射體的取向因子的所提議裝置結(jié)構(gòu)的一實(shí)例.表2：用于測(cè)定綠色發(fā)射體的取向因子的所提議裝置結(jié)構(gòu)的一實(shí)例.*用以將發(fā)射源限制于薄eml中的載流子阻擋層。**與hbl和部分eml一起與黃色或綠色發(fā)射共振的厚etl。***用以將重組區(qū)(rz)限制于狹窄區(qū)中的薄eml?？梢杂糜跍y(cè)定黃色發(fā)射體化合物的取向因子的裝置結(jié)構(gòu)的實(shí)例展示于表1中。表1中提供的層厚度經(jīng)設(shè)計(jì)用于黃色發(fā)射體取向因子測(cè)量。用于測(cè)定綠色發(fā)射體的取向因子的裝置結(jié)構(gòu)的實(shí)例展示于表2中。層厚度可以經(jīng)調(diào)節(jié)根據(jù)其發(fā)射波長(zhǎng)用于紅色、綠色或藍(lán)色發(fā)射體。通用規(guī)則是通過調(diào)節(jié)適當(dāng)層的厚度，來調(diào)節(jié)eml中的rz、反射電極和透明電極之間的距離，以借助于從rz射出的光與從反射電極反射的光的相長(zhǎng)干涉來最大化光輸出。距離通過裝置層厚度來調(diào)節(jié)，與發(fā)射波長(zhǎng)成比例。有機(jī)發(fā)射體放置在厚eml中。有機(jī)發(fā)射體的發(fā)射通常不絕對(duì)是單色的。光譜的不同部分將與由陰極反射的光以不同方式相互作用，改變?cè)脊庾V。歸因于其，通過遠(yuǎn)場(chǎng)儀器可見的光譜可能與發(fā)射體的原始pl光譜不同。用于黃色和綠色發(fā)射體取向因子測(cè)定的實(shí)例裝置結(jié)構(gòu)中的不同組件中所用材料的實(shí)例如下：●陽極：ito；●hil：hatcn；●htl：●ebl：●eml由以下兩種主體以及發(fā)射體組成：●hbl：●etl：由liq和組成的混合etl；●eil：lif或liq；和●陰極：al。此材料集應(yīng)相應(yīng)地經(jīng)調(diào)節(jié)用于紅色、綠色或藍(lán)色發(fā)射體。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將知道如何調(diào)節(jié)材料集以用于紅色、綠色或藍(lán)色發(fā)射體。選擇5mm2的相對(duì)大裝置像素面積以方便進(jìn)行角光譜測(cè)量。測(cè)試：現(xiàn)描述用于測(cè)定表3中的發(fā)射體實(shí)例2，comp(la147)2ir(lb184)的取向因子的程序。使用經(jīng)校準(zhǔn)的分光光度計(jì)型號(hào)pr740對(duì)表1中的裝置結(jié)構(gòu)進(jìn)行光譜測(cè)量。因?yàn)閮x器使用在具有小光圈的快門上投影的點(diǎn)的圖像，所以在以一定角度查看物件時(shí)預(yù)期有小視差效應(yīng)。此需要通過使用簡(jiǎn)單幾何構(gòu)型校正。在超過50°的角下，存在儀器著眼于光從裝置的背玻璃蓋板的反射的另一效應(yīng)。出于所述原因，在寬于50°的角下獲取的數(shù)據(jù)僅用以展示趨勢(shì)，但計(jì)算僅基于在30-50°之間的角下獲取的數(shù)據(jù)。對(duì)于大多數(shù)樣品，在40°角下分析的效應(yīng)足夠強(qiáng)以提供可靠數(shù)據(jù)，因此不需要定量在更寬的角下獲得的數(shù)據(jù)。比較測(cè)量與模擬光譜數(shù)據(jù)是模擬數(shù)據(jù)與真實(shí)發(fā)射之間的匹配品質(zhì)的最靈敏量度。因?yàn)槟M軟件方法基于光源的光學(xué)性質(zhì)，所以觀測(cè)與模擬數(shù)據(jù)之間的一致證實(shí)了使用模擬在所計(jì)算的偶極取向方面校準(zhǔn)發(fā)射體的性能的有效性。在30-50°范圍下測(cè)量的p-比s-發(fā)射的比率與取向因子強(qiáng)烈相關(guān)。使用p比s輻射率比消除了輻射率測(cè)量的絕對(duì)校準(zhǔn)來自光學(xué)系統(tǒng)缺陷的潛在問題。光譜：圖3展示了通過s-偏光器在0到60°的各種角下，針對(duì)表1中所示的結(jié)構(gòu)中的發(fā)射體實(shí)例2的裝置獲取的el光譜。圖4是同一裝置結(jié)構(gòu)通過fluxim使用程序setfos-4.1所得的模擬角相關(guān)s-el光譜。實(shí)驗(yàn)與模擬光譜應(yīng)匹配。結(jié)果和解釋：以下闡述對(duì)于既定光譜和裝置結(jié)構(gòu)，估算偶極取向數(shù)值與角數(shù)據(jù)的相關(guān)性的細(xì)節(jié)。圖5中的圖基于具有表1中所示的結(jié)構(gòu)和與圖3-4中所示匹配的光譜的樣品的由模擬軟件產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。對(duì)于此特定實(shí)例，在40°角下積分p/s輻射率比是1.67，并且相應(yīng)偶極取向(do)是0.15(圖6)。由模擬軟件產(chǎn)生的do數(shù)值表示了垂直相較于水平取向的統(tǒng)計(jì)分布。垂直和水平方向相對(duì)于襯底，并且垂直是指正交于襯底表面的方向并且水平是指平行于襯底表面的方向。在一個(gè)垂直和兩個(gè)水平方向的情況下，do數(shù)值標(biāo)度是0(平行或水平)到0.33(各向同性)。1到0.67的相應(yīng)標(biāo)度表示原始eqe在因偶極取向所致?lián)p失之后的百分比。此定義為θ＝1-do的值稱為發(fā)射體取向因子(在我們的實(shí)例中，θ＝1-0.15＝0.85，或maxeqe的85％)，進(jìn)一步用于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中。其表示發(fā)射體偶極與襯底平行對(duì)準(zhǔn)的％。圖7和8中的圖顯示，在角30-50°下對(duì)偶極取向的角反應(yīng)對(duì)于p-發(fā)射來說比對(duì)于s-發(fā)射來說強(qiáng)得多。此外，隨著偶極取向數(shù)值增加，p-輻射率值上升而s-輻射率變得更小。從30°觀察角開始，所得p/s比展示極高的對(duì)偶極取向的靈敏度。在電流測(cè)量中，40°提供了s與p發(fā)射之間的最大差異和最高靈敏度，并且因此選擇40°角。材料具有較佳取向(‘取向因子’)意味著，在薄固態(tài)膜中，其具有各向異性水平比垂直偶極比，即水平比垂直偶極比大于0.67∶0.33(各向同性情況)，例如是0.77∶0.23。以另一方式描述這點(diǎn)，取向因子θ(水平偶極比總偶極的比)大于0.67。圖9展示了估算最大eqe相較于取向因子之間的所獲得相關(guān)性。隨取向因子增加觀察到明顯eqe增加。取向因子越接近1，越多發(fā)射體分子與襯底平行對(duì)準(zhǔn)，這有利于提高裝置效率。此處描述用于pmma中的發(fā)射體光致發(fā)光量子產(chǎn)率(plqy)測(cè)量的程序。固態(tài)樣品的通用制備和實(shí)驗(yàn)：將pmma和發(fā)射體(各種wt％)稱出并且溶解于甲苯中。將溶液通過2微米過濾器過濾并且滴落涂布到預(yù)清潔的石英襯底上。在配備有氙氣燈、積分球和型號(hào)c10027光子多通道分析儀的濱松(hamamatsu)c9920系統(tǒng)上進(jìn)行pl量子效率測(cè)量。表3.裝置的估算eqe與發(fā)射體plqy和取向因子的相關(guān)性.如通過發(fā)射體取向因子所見，在增加2，4-二苯基吡啶配位體的4苯基環(huán)上的基團(tuán)的膨松性的情況下，發(fā)射體取向更平行。已經(jīng)報(bào)道，估算eqe與發(fā)射體取向直接相關(guān)。表4.一些發(fā)射體的plqy與發(fā)射體濃度的相關(guān)性實(shí)例發(fā)射體pmma中的發(fā)射體％plqy[％]ce2comp(la1)2ir(lb182)193ce2comp(la1)2ir(lb182)591ce2comp(la1)2ir(lb182)1090ce2comp(la1)2ir(lb182)1580ce2comp(la1)2ir(lb182)2072實(shí)例2comp(la147)2ir(lb184)196實(shí)例2comp(la147)2ir(lb184)595實(shí)例2comp(la147)2ir(lb184)1089實(shí)例2comp(la147)2ir(lb184)1587實(shí)例2comp(la147)2ir(lb184)2084實(shí)例9comp(la147)2ir(lb109)196實(shí)例9comp(la147)2ir(lb109)594實(shí)例9comp(la147)2ir(lb109)1091實(shí)例9comp(la147)2ir(lb109)1590實(shí)例9comp(la147)2ir(lb109)2087圖10展示了薄膜中的發(fā)射體plqy隨發(fā)射體濃度而變的相關(guān)性。對(duì)于非膨松發(fā)射體，如裝置ce2中所用的comp(la1)2ir(lb182)，隨發(fā)射體濃度增加到超過10％，plqy顯著下降。然而，對(duì)于膨松性更大的發(fā)射體(例如，裝置實(shí)例2和實(shí)例9中所用的發(fā)射體)，plqy不會(huì)隨發(fā)射體濃度增加而快速降低。因此，發(fā)射體分子的空間位阻防止在高發(fā)射體％下自淬滅。根據(jù)以上測(cè)定的發(fā)射體取向和plqy測(cè)量可得出，在分子上在一定方向上具有更大空間位阻的發(fā)射體將提供更平行(相對(duì)于oled的襯底)取向并且因此展現(xiàn)更高的裝置eqe。這些發(fā)射體的實(shí)例展示如下并且列于表3和4中。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，公開了一種化合物，其具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z，其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺酰基、磺?；?、膦基和其組合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；并且其中m(la)h(lb)y(lc)z的分子具有大于0.67的取向因子值。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，m選自由以下組成的群組：ir、rh、re、ru、os、pt、au和cu。在另一實(shí)施例中，m是ir或pt。在一些實(shí)施例中，化合物的分子具有至少0.75的取向因子θ值。在其它實(shí)施例中，分子具有至少0.80的取向因子值。在其它實(shí)施例中，分子具有至少0.85的取向因子值。在其它實(shí)施例中，分子具有至少0.91的取向因子值。在其它實(shí)施例中，分子具有至少0.92的取向因子值。在其它實(shí)施例中，分子具有至少0.93的取向因子值。在一些實(shí)施例中，分子具有至少0.94的取向因子值。在具有化學(xué)式m(la)x(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，ra、rb、rc和rd之一是具有至少十三個(gè)碳原子的單取代基，并且ra、rb、rc和rd的所有其余部分的最大碳數(shù)目是六個(gè)。在具有化學(xué)式m(la)x(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，每個(gè)x1到x13是碳。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式ir(la)2(lb)。在具有化學(xué)式ir(la)2(lb)的化合物的一些實(shí)施例中，la具有選自由以下組成的群組的化學(xué)式：其中l(wèi)b具有化學(xué)式：在一些其它實(shí)施例中，lb具有化學(xué)式其中re、rf、rh和ri獨(dú)立地選自由以下組成的群組：烷基、環(huán)烷基、芳基和雜芳基；其中re、rf、rh和ri中的至少一者具有至少兩個(gè)碳原子；其中rg選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵素、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；⒒酋；?、膦基和其組合。在具有化學(xué)式ir(la)2(lb)的化合物的一些實(shí)施例中，la和lb不同并且各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：在具有化學(xué)式ir(la)2(lb)的化合物的一些實(shí)施例中，la和lb各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式pt(la)(lb)，其中l(wèi)a和lb不同。在化合物的一些實(shí)施例中，la連接到lb以形成四齒配位體。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m，其具有選自由以下組成的群組第1組的結(jié)構(gòu)：其中m是1或2；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r1、r2、r3、r4和r5各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、c1到c6烷基、c1到c6環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體；其中r6選自由以下組成的群組：具有至少七個(gè)碳原子的烷基、具有至少七個(gè)碳原子的環(huán)烷基、具有至少七個(gè)碳原子的烷基-環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體。在化合物的一些實(shí)施例中，m是2。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m，其具有選自由以下組成的群組的結(jié)構(gòu)：其中m是1或2。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m，其具有選自第1組的結(jié)構(gòu)，其中m是1或2；其中r2、r3、r4和r5各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、甲基、乙基、丙基、異丙基和其組合。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m，其具有選自第1組的結(jié)構(gòu)；其中m是1或2；其中r6選自由以下組成的群組：具有至少八個(gè)碳原子的烷基、具有至少八個(gè)碳原子的環(huán)烷基、具有至少八個(gè)碳原子的烷基-環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m，其具有選自第1組的結(jié)構(gòu)；其中m是1或2；其中r3、r4和r5各自是氫。在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m；其中m是1或2；其中l(wèi)a選自由以下組成的群組：在具有化學(xué)式m(la)h(lb)y(lc)z的化合物的一些實(shí)施例中，化合物具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m；其中m是1或2；其中l(wèi)b選自由以下展示的lb1到lb227組成的群組：在具有選自第1組的結(jié)構(gòu)并且其中l(wèi)a是la1到la225之一的式(la)mir(lb)3-m化合物的一些實(shí)施例中，化合物是具有化學(xué)式ir(laj)2(lbk)的化合物x；其中x＝227j+k-227，j是1到225的整數(shù)，并且k是1到227的整數(shù)；在具有選自第1組的結(jié)構(gòu)并且其中l(wèi)a是la1到la225之一的式(la)pt(lb)化合物的一些實(shí)施例中，化合物是具有化學(xué)式pt(laj)(lbk)的化合物y；其中y＝227j+k-227，j是1到225的整數(shù)，并且k是1到227的整數(shù)。lb1到lb227具有如上文所定義的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開了一種具有化學(xué)式(la)mir(lb)3-m的化合物，其中化合物具有選自由以下組成的群組第2組的結(jié)構(gòu)：其中m是1或2；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，r1、r2、r3、r4和r5各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、c1到c6烷基、c1到c6環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體；并且其中r6選自由以下組成的群組：具有至少七個(gè)碳原子的烷基、具有至少七個(gè)碳原子的環(huán)烷基、具有至少七個(gè)碳原子的烷基-環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，m是2。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，r1、r2、r3、r4和r5各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、甲基、乙基、丙基、異丙基和其組合。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，r6選自由以下組成的群組：具有至少七個(gè)碳原子的烷基、具有至少七個(gè)碳原子的環(huán)烷基、具有至少七個(gè)碳原子的烷基-環(huán)烷基和其部分或完全氘化或氟化變體。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，r3、r4和r5各自是氫。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，la選自由以上列出的la1到la225組成的群組。在具有選自第2組的結(jié)構(gòu)的化合物的一些實(shí)施例中，lb選自由lb1到lb227組成的群組。lb1到lb227的結(jié)構(gòu)展示于上文中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開了一種oled，其包含：陽極；陰極；和安置在所述陽極與所述陰極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含具有選自由以下組成的群組的化學(xué)式的化合物：m(la)h(lb)y(lc)z、其中m是1或2；其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺酰基、膦基和其組合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；其中化合物m(la)h(lb)y(lc)z的分子具有大于0.67的取向因子值；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。在一些實(shí)施例中，所述oled并入到選自由以下組成的群組的裝置中：消費(fèi)型產(chǎn)品、電子組件模塊和照明面板。在oled的一些實(shí)施例中，所述有機(jī)層是發(fā)射層并且所述化合物可以是發(fā)射摻雜劑或非發(fā)射摻雜劑。如結(jié)合圖1中所示的裝置結(jié)構(gòu)所論述，可以在有機(jī)層與陽極和/或有機(jī)層與陰極之間提供oled的其它功能層。因此，取決于特定實(shí)施例，含有本發(fā)明新穎化合物的有機(jī)層可以直接沉積在電極襯底或介入層上。在oled的一些實(shí)施例中，所述有機(jī)層進(jìn)一步包含主體，其中所述主體包含含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃的三亞苯；其中所述主體中的任何取代基是獨(dú)立地選自由以下組成的群組的非稠合取代基：cnh2n+1、ocnh2n+1、oar1、n(cnh2n+1)2、n(ar1)(ar2)、ch＝ch-cnh2n+1、c≡ccnh2n+1、ar1、ar1-ar2、cnh2n-ar1或無取代基；其中n是1到10；并且其中ar1和ar2獨(dú)立地選自由以下各者組成的群組：苯、聯(lián)苯、萘、三亞苯、咔唑和其雜芳族類似物。在oled的一些實(shí)施例中，所述有機(jī)層進(jìn)一步包含主體，其中所述主體包含至少一個(gè)選自由以下組成的群組的化學(xué)基團(tuán)：三亞苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜三亞苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃和氮雜-二苯并硒吩。在oled的一些實(shí)施例中，所述有機(jī)層進(jìn)一步包含主體，其中所述主體選自由以下組成的群組：和其組合。在oled的一些實(shí)施例中，所述有機(jī)層進(jìn)一步包含主體，其中所述主體包含金屬絡(luò)合物。在一些實(shí)施例中，所述化合物可以是發(fā)射摻雜劑。在一些實(shí)施例中，所述化合物可以經(jīng)由磷光、熒光、熱激活延遲熒光(即tadf，也稱為e型延遲熒光)、三重態(tài)-三重態(tài)消滅或這些工藝的組合產(chǎn)生發(fā)射。根據(jù)另一方面，公開了一種調(diào)配物，其中所述調(diào)配物包含具有選自由以下組成的群組的化學(xué)式的化合物：m(la)h(lb)y(lc)z、其中m是1或2；其中配位體la、lb和lc各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中每個(gè)x1到x13獨(dú)立地選自由碳和氮組成的群組；其中x選自由以下組成的群組：br′、nr′、pr′、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、cr′r″、sir′r″和ger′r″；其中r′和r″任選地稠合或接合以形成環(huán)；其中每個(gè)ra、rb、rc和rd可以表示單取代基到可能最大數(shù)目的取代基或無取代基；其中r′、r″、ra、rb、rc和rd各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵化物、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；㈧⒒推浣M合；其中ra、rb、rc和rd的任兩個(gè)相鄰取代基任選地稠合或接合以形成環(huán)或形成多齒配位體；其中m是具有大于40的原子質(zhì)量的金屬；其中h是1或2；其中y是0、1或2；其中z是0、1或2；其中h+y+z是所述金屬m的氧化態(tài)；其中化合物m(la)h(lb)y(lc)z的分子具有大于0.67的取向因子值；其中r1、r2、r4和r5各自獨(dú)立地表示單取代基、二取代基、三取代基或四取代基或無取代基；其中r3表示單取代基、二取代基或三取代基或無取代基；其中r6表示單取代基或無取代基；并且其中r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、烷基、環(huán)烷基、其部分或完全氘化或氟化變體和其組合。本文公開的oled可以并入到消費(fèi)型產(chǎn)品、電子組件模塊和照明面板中的一或多者中。所述有機(jī)層可以是發(fā)射層，并且所述化合物在一些實(shí)施例中可以是發(fā)射摻雜劑，而所述化合物在其它實(shí)施例中可以是非發(fā)射摻雜劑。所述有機(jī)層還可以包括主體。在一些實(shí)施例中，兩種或兩種以上主體是優(yōu)選的。在一些實(shí)施例中，所使用的主體可以是在電荷輸送中起極小作用的a)雙極，b)電子輸送，c)空穴輸送，或d)寬帶隙材料。在一些實(shí)施例中，所述主體可以包括金屬絡(luò)合物。所述主體可以是含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃的三亞苯。所述主體中的任何取代基可以是獨(dú)立地選自由以下組成的群組的非稠合取代基：cnh2n+1、ocnh2n+1、oar1、n(cnh2n+1)2、n(ar1)(ar2)、ch＝ch-cnh2n+1、c≡c-cnh2n+1、ar1、ar1-ar2和cnh2n-ar1，或所述主體不具有取代基。在前述取代基中，n可以在1到10范圍內(nèi)變化；并且ar1和ar2可以獨(dú)立地選自由以下組成的群組：苯、聯(lián)苯、萘、三亞苯、咔唑和其雜芳香族類似物。所述主體可以是無機(jī)化合物。舉例來說，含zn的無機(jī)材料，例如zns。所述主體可以是包含至少一個(gè)選自由以下組成的群組的化學(xué)基團(tuán)的化合物：三亞苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜三亞苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃和氮雜-二苯并硒吩。所述主體可以包括金屬絡(luò)合物。所述主體可以是(但不限于)選自由以下組成的群組的特定化合物：和其組合。以下提供關(guān)于可能的主體的額外信息。在本發(fā)明的另一方面，描述一種調(diào)配物，其包含根據(jù)式i的化合物。所述調(diào)配物可以包括一或多種本文中所公開的選自由以下組成的群組的組分：溶劑、主體、空穴注入材料、空穴輸送材料和電子輸送層材料。與其它材料的組合本文描述為可用于有機(jī)發(fā)光裝置中的具體層的材料可以與存在于所述裝置中的多種其它材料組合使用。舉例來說，本文所公開的發(fā)射摻雜劑可以與多種主體、輸送層、阻擋層、注入層、電極和其它可能存在的層結(jié)合使用。下文描述或提及的材料是可以與本文所公開的化合物組合使用的材料的非限制性實(shí)例，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地查閱文獻(xiàn)以鑒別可以組合使用的其它材料。導(dǎo)電性摻雜劑：電荷輸送層可以摻雜有導(dǎo)電性摻雜劑以實(shí)質(zhì)上改變其電荷載子密度，這轉(zhuǎn)而將改變其導(dǎo)電性。導(dǎo)電性通過在基質(zhì)材料中生成電荷載子而增加，并且取決于摻雜劑的類型，還可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)(fermilevel)的變化?？昭ㄝ斔蛯涌梢該诫s有p型導(dǎo)電性摻雜劑，并且n型導(dǎo)電性摻雜劑用于電子輸送層中?？梢耘c本文中所公開的材料組合用于oled的導(dǎo)電性摻雜劑的非限制性實(shí)例與公開那些材料的參考文獻(xiàn)一起例示如下：ep01617493、ep01968131、ep2020694、ep2684932、us20050139810、us20070160905、us20090167167、us2010288362、wo06081780、wo2009003455、wo2009008277、wo2009011327、wo2014009310、us2007252140、us2015060804和us2012146012。hil/htl：本發(fā)明中所用的空穴注入/輸送材料不受特別限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物典型地用作空穴注入/輸送材料即可。所述材料的實(shí)例包括(但不限于)：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烴的聚合物；具有導(dǎo)電性摻雜劑的聚合物；導(dǎo)電聚合物，例如pedot/pss；衍生自例如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自組裝單體；金屬氧化物衍生物，例如moox；p型半導(dǎo)體有機(jī)化合物，例如1，4，5，8，9，12-六氮雜三亞苯六甲腈；金屬絡(luò)合物，和可交聯(lián)化合物。hil或htl中所用的芳香族胺衍生物的實(shí)例包括(但不限于)以下通式結(jié)構(gòu)：ar1到ar9中的每一者選自由芳香族烴環(huán)化合物組成的群組，所述化合物例如為苯、聯(lián)苯、聯(lián)三苯、三亞苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苣、苝和薁；由芳香族雜環(huán)化合物組成的群組，所述化合物例如為二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚并噁嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；和由2到10個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)單元組成的群組，所述結(jié)構(gòu)單元為選自芳香族烴環(huán)基和芳香族雜環(huán)基的相同類型或不同類型的基團(tuán)，并且直接或經(jīng)由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、鏈結(jié)構(gòu)單元和脂族環(huán)基中的至少一者彼此鍵結(jié)。每個(gè)ar可以未被取代或可以被選自由以下組成的群組的取代基取代：氘、鹵基、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；Ⅳ驶Ⅳ人峄?、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；㈧⒒推浣M合。在一個(gè)方面，ar1到ar9獨(dú)立地選自由以下組成的群組：其中k是1到20的整數(shù)；x101到x108是c(包括ch)或n；z101是nar1、o或s；ar1具有以上定義的相同基團(tuán)。hil或htl中所用的金屬絡(luò)合物的實(shí)例包括(但不限于)以下通式：其中met是金屬，其可以具有大于40的原子量；(y101-y102)是雙齒配位體，y101和y102獨(dú)立地選自c、n、o、p和s；l101是輔助性配位體；k′是1到可以與金屬連接的最大配位體數(shù)的整數(shù)值；并且k′+k″是可以與金屬連接的最大配位體數(shù)。在一個(gè)方面，(y101-y102)是2-苯基吡啶衍生物。在另一方面，(y101-y102)是碳烯配位體。在另一方面，met選自ir、pt、os和zn。在另一方面，金屬絡(luò)合物具有小于約0.6v的相對(duì)于fc+/fc對(duì)的溶液態(tài)最小氧化電位?？梢耘c本文中所公開的材料組合用于oled的hil和htl材料的非限制性實(shí)例與公開那些材料的參考文獻(xiàn)一起例示如下：cn102702075、de102012005215、ep01624500、ep01698613、ep01806334、ep01930964、ep01972613、ep01997799、ep02011790、ep02055700、ep02055701、ep1725079、ep2085382、ep2660300、ep650955、jp07-073529、jp2005112765、jp2007091719、jp2008021687、jp2014-009196、kr20110088898、kr20130077473、tw201139402、us06517957、us20020158242、us20030162053、us20050123751、us20060182993、us20060240279、us20070145888、us20070181874、us20070278938、us20080014464、us20080091025、us20080106190、us20080124572、us20080145707、us20080220265、us20080233434、us20080303417、us2008107919、us20090115320、us20090167161、us2009066235、us2011007385、us20110163302、us2011240968、us2011278551、us2012205642、us2013241401、us20140117329、us2014183517、us5061569、us5639914、wo05075451、wo07125714、wo08023550、wo08023759、wo2009145016、wo2010061824、wo2011075644、wo2012177006、wo2013018530、wo2013039073、wo2013087142、wo2013118812、wo2013120577、wo2013157367、wo2013175747、wo2014002873、wo2014015935、wo2014015937、wo2014030872、wo2014030921、wo2014034791、wo2014104514、wo2014157018。ebl：電子阻擋層(ebl)可以用以減少離開發(fā)射層的電子和/或激子的數(shù)目。與缺乏阻擋層的類似裝置相比，這種阻擋層在裝置中的存在可以產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上較高的效率和/或較長(zhǎng)的壽命。此外，阻擋層可以用以將發(fā)射限制于oled的所要區(qū)域。在一些實(shí)施例中，與最接近ebl界面的發(fā)射體相比，ebl材料具有較高lumo(較接近真空能級(jí))和/或較高三重態(tài)能量。在一些實(shí)施例中，與最接近ebl界面的主體中的一或多者相比，ebl材料具有較高lumo(較接近真空能級(jí))和或較高三重態(tài)能量。在一個(gè)方面，ebl中所使用的化合物含有與下文描述的主體之一所使用相同的分子或相同的官能團(tuán)。主體：本發(fā)明的有機(jī)el裝置的發(fā)光層優(yōu)選地至少含有金屬絡(luò)合物作為發(fā)光材料，并且可以含有使用金屬絡(luò)合物作為摻雜劑材料的主體材料。主體材料的實(shí)例不受特別限制，并且可以使用任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物，只要主體的三重態(tài)能量大于摻雜劑的三重態(tài)能量即可?？梢耘c任何摻雜劑一起使用任何主體材料，只要三重態(tài)準(zhǔn)則滿足即可。用作主體的金屬絡(luò)合物的實(shí)例優(yōu)選具有以下通式：其中met是金屬；(y103-y104)是雙齒配位體，y103和y104獨(dú)立地選自c、n、o、p和s；l101是另一配位體；k′是1到可以與金屬連接的最大配位體數(shù)的整數(shù)值；并且k′+k″是可以與金屬連接的最大配位體數(shù)。在一個(gè)方面，金屬絡(luò)合物是：其中(o-n)是具有與o和n原子配位的金屬的雙齒配位體。在另一方面，met選自ir和pt。在另一方面，(y103-y104)是碳烯配位體。用作主體的其它有機(jī)化合物的實(shí)例選自由芳香族烴環(huán)化合物組成的群組，所述化合物例如為苯、聯(lián)苯、聯(lián)三苯、三亞苯、四亞苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苣、苝和薁；由芳香族雜環(huán)化合物組成的群組，所述化合物例如為二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚并噁嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；和由2到10個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)單元組成的群組，所述結(jié)構(gòu)單元為選自芳香族烴環(huán)基和芳香族雜環(huán)基的相同類型或不同類型的基團(tuán)，并且直接或經(jīng)由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、鏈結(jié)構(gòu)單元和脂族環(huán)基中的至少一者彼此鍵結(jié)。每個(gè)基團(tuán)內(nèi)的每個(gè)選擇可以未被取代或可以被選自由以下組成的群組的取代基取代：氘、鹵基、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、?；?、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；?、膦基和其組合。在一個(gè)方面，主體化合物在分子中含有以下基團(tuán)中的至少一者：其中r101到r107中的每一者獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵基、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺酰基、膦基和其組合，并且當(dāng)其是芳基或雜芳基時(shí)，其具有與上述ar類似的定義。k是0到20或1到20的整數(shù)；k″′是0到20的整數(shù)。x101到x108選自c(包括ch)或n。z101和z102選自nr101、o或s?？梢耘c本文中所公開的材料組合用于oled的主體材料的非限制性實(shí)例與公開那些材料的參考文獻(xiàn)一起例示如下：ep2034538、ep2034538a、ep2757608、jp2007254297、kr20100079458、kr20120088644、kr20120129733、kr20130115564、tw201329200、us20030175553、us20050238919、us20060280965、us20090017330、us20090030202、us20090167162、us20090302743、us20090309488、us20100012931、us20100084966、us20100187984、us2010187984、us2012075273、us2012126221、us2013009543、us2013105787、us2013175519、us2014001446、us20140183503、us20140225088、us2014034914、us7154114、wo2001039234、wo2004093207、wo2005014551、wo2005089025、wo2006072002、wo2006114966、wo2007063754、wo2008056746、wo2009003898、wo2009021126、wo2009063833、wo2009066778、wo2009066779、wo2009086028、wo2010056066、wo2010107244、wo2011081423、wo2011081431、wo2011086863、wo2012128298、wo2012133644、wo2012133649、wo2013024872、wo2013035275、wo2013081315、wo2013191404、wo2014142472。其它發(fā)射體：一或多種其它發(fā)射體摻雜劑可以與本發(fā)明化合物結(jié)合使用。其它發(fā)射體摻雜劑的實(shí)例不受特別限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物典型地用作發(fā)射體材料即可。適合發(fā)射體材料的實(shí)例包括(但不限于)可以經(jīng)由磷光、熒光、熱激活延遲熒光(即tadf，也稱為e型延遲熒光)、三重態(tài)-三重態(tài)消滅或這些工藝的組合產(chǎn)生發(fā)射的化合物?？梢耘c本文中所公開的材料組合用于oled的發(fā)射體材料的非限制性實(shí)例與公開那些材料的參考文獻(xiàn)一起例示如下：cn103694277、cn1696137、eb01238981、ep01239526、ep01961743、ep1239526、ep1244155、ep1642951、ep1647554、ep1841834、ep1841834b、ep2062907、ep2730583、jp2012074444、jp2013110263、jp4478555、kr1020090133652、kr20120032054、kr20130043460、tw201332980、us06699599、us06916554、us20010019782、us20020034656、us20030068526、us20030072964、us20030138657、us20050123788、us20050244673、us2005123791、us2005260449、us20060008670、us20060065890、us20060127696、us20060134459、us20060134462、us20060202194、us20060251923、us20070034863、us20070087321、us20070103060、us20070111026、us20070190359、us20070231600、us2007034863、us2007104979、us2007104980、us2007138437、us2007224450、us2007278936、us20080020237、us20080233410、us20080261076、us20080297033、us200805851、us2008161567、us2008210930、us20090039776、us20090108737、us20090115322、us20090179555、us2009085476、us2009104472、us20100090591、us20100148663、us20100244004、us20100295032、us2010102716、us2010105902、us2010244004、us2010270916、us20110057559、us20110108822、us20110204333、us2011215710、us2011227049、us2011285275、us2012292601、us20130146848、us2013033172、us2013165653、us2013181190、us2013334521、us20140246656、us2014103305、us6303238、us6413656、us6653654、us6670645、us6687266、us6835469、us6921915、us7279704、us7332232、us7378162、us7534505、us7675228、us7728137、us7740957、us7759489、us7951947、us8067099、us8592586、us8871361、wo06081973、wo06121811、wo07018067、wo07108362、wo07115970、wo07115981、wo08035571、wo2002015645、wo2003040257、wo2005019373、wo2006056418、wo2008054584、wo2008078800、wo2008096609、wo2008101842、wo2009000673、wo2009050281、wo2009100991、wo2010028151、wo2010054731、wo2010086089、wo2010118029、wo2011044988、wo2011051404、wo2011107491、wo2012020327、wo2012163471、wo2013094620、wo2013107487、wo2013174471、wo2014007565、wo2014008982、wo2014023377、wo2014024131、wo2014031977、wo2014038456、wo2014112450。hbl：空穴阻擋層(hbl)可以用以減少離開發(fā)射層的空穴和/或激子的數(shù)目。與缺乏阻擋層的類似裝置相比，這種阻擋層在裝置中的存在可以產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上較高的效率和/或較長(zhǎng)的壽命。此外，阻擋層可以用以將發(fā)射限于oled的所要區(qū)域。在一些實(shí)施例中，與最接近hbl界面的發(fā)射體相比，hbl材料具有較低homo(距真空能級(jí)較遠(yuǎn))和/或較高三重態(tài)能量。在一些實(shí)施例中，與最接近hbl界面的主體中的一或多者相比，hbl材料具有較低homo(距真空能級(jí)較遠(yuǎn))和/或較高三重態(tài)能量。在一個(gè)方面，hbl中所用的化合物含有用作上述主體的相同分子或相同官能團(tuán)。在另一方面，hbl中所用的化合物在分子中含有以下基團(tuán)中的至少一者：其中k是1到20的整數(shù)；l101是另一配位體，k′是1到3的整數(shù)。etl：電子輸送層(etl)可以包括能夠輸送電子的材料。電子輸送層可以是本質(zhì)的(未摻雜)或經(jīng)摻雜的。摻雜可以用以增強(qiáng)導(dǎo)電性。etl材料的實(shí)例不受特別限制，并且可以使用任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物，只要其典型地用以輸送電子即可。在一個(gè)方面，etl中所用的化合物在分子中含有以下基團(tuán)中的至少一者：其中r101選自由以下組成的群組：氫、氘、鹵基、烷基、環(huán)烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、環(huán)烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺?；?、磺?；?、膦基和其組合，當(dāng)其是芳基或雜芳基時(shí)，其具有與上述ar類似的定義。ar1到ar3具有與上述ar類似的定義。k是1到20的整數(shù)。x101到x108選自c(包括ch)或n。在另一方面，etl中所用的金屬絡(luò)合物含有(但不限于)以下通式：其中(o-n)或(n-n)是具有與原子o、n或n、n配位的金屬的雙齒配位體；l101是另一配位體；k′是1到可以與金屬連接的最大配位體數(shù)的整數(shù)值?？梢耘c本文中所公開的材料組合用于oled的etl材料的非限制性實(shí)例與公開那些材料的參考文獻(xiàn)一起例示如下：cn103508940、ep01602648、ep01734038、ep01956007、jp2004-022334、jp2005149918、jp2005-268199、kr0117693、kr20130108183、us20040036077、us20070104977、us2007018155、us20090101870、us20090115316、us20090140637、us20090179554、us2009218940、us2010108990、us2011156017、us2011210320、us2012193612、us2012214993、us2014014925、us2014014927、us20140284580、us6656612、us8415031、wo2003060956、wo2007111263、wo2009148269、wo2010067894、wo2010072300、wo2011074770、wo2011105373、wo2013079217、wo2013145667、wo2013180376、wo2014104499、wo2014104535。電荷產(chǎn)生層(cgl)在串聯(lián)或堆疊oled中，cgl對(duì)性能起基本作用，其由分別用于注入電子和空穴的經(jīng)n摻雜的層和經(jīng)p摻雜的層組成。電子和空穴由cgl和電極供應(yīng)。cgl中消耗的電子和空穴由分別從陰極和陽極注入的電子和空穴再填充；隨后，雙極電流逐漸達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。典型cgl材料包括輸送層中使用的n和p導(dǎo)電性摻雜劑。在oled裝置的每個(gè)層中所用的任何上述化合物中，氫原子可以部分或完全氘化。因此，任何具體列出的取代基(例如(但不限于)甲基、苯基、吡啶基等)可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。類似地，取代基類別(例如(但不限于)烷基、芳基、環(huán)烷基、雜芳基等)也可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。實(shí)驗(yàn)合成實(shí)例1.合成comp(la1)2ir(lb227)向500ml圓底燒瓶中，添加1-溴-4-氯苯(9.60g，50.1mmol)、2-苯基-4-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊-2-基)吡啶(11.75g，41.8mmol)、pd(pph3)4(2.415g，2.090mmol)、碳酸鈉(13.29g，125mmol)、dme(200ml)和水(100ml)，并且使其回流過夜。將反應(yīng)混合物處理并且純化，得到9.1g所要產(chǎn)物(產(chǎn)率89％)。gc和nmr證實(shí)了所要產(chǎn)物。向500ml圓底燒瓶中，添加新戊基硼酸(5.0g，43.1mmol)、二環(huán)己基(2′，6′-二甲氧基-[1，1′-聯(lián)苯]-2-基)膦(sphos)(1.112g，2.71mmol)、pd2(dba)3(0.620g，0.677mmol)、磷酸鉀(21.57g，102mmol)、水(25ml)和甲苯(250ml)。將反應(yīng)混合物通過鼓泡氮?dú)舛摎?5分鐘，然后在油浴中加熱并且回流24小時(shí)。將反應(yīng)物冷卻，并且通過硅膠柱色譜純化，得到8.0g所要產(chǎn)物(78.3％產(chǎn)率)。此氘化反應(yīng)基于四面體(tetrahedron)71(2015)1425-1430中公開的文獻(xiàn)程序進(jìn)行。向100ml圓底燒瓶中，添加銥前體(1.7g，2.38mmol)、4-(4-(2，2-二甲基丙基-11-d2)苯基)吡啶(1.8g，5.93mmol)、乙醇(25ml)和甲醇(25ml)，并且在油浴中在氮?dú)庀录訜岵⑶以?0℃下回流2天。將反應(yīng)混合物通過硅膠柱色譜純化，得到0.9g(47％產(chǎn)率)所要產(chǎn)物，其通過lc-ms和nmr證實(shí)。2.合成comp(la147)2ir(lb184)向100ml燒瓶中，添加銥前體(2.5g，3.20mmol)、4-(4-(甲基-d3)苯基)-2-苯基吡啶(2.382g，9.59mmol)、乙醇(25ml)和甲醇(25ml)。將反應(yīng)混合物在油浴中在氮?dú)庀录訜岵⑶以?0℃下回流15小時(shí)。使反應(yīng)物冷卻到室溫，并且將固體濾出、用甲醇洗滌并且干燥。將黃色固體通過硅膠柱色譜進(jìn)一步純化，得到1.25g產(chǎn)物(產(chǎn)率48.9％)，其通過lc-ms和nmr證實(shí)。3.合成comp(la147)2ir(lb86)向500ml圓底燒瓶中，添加銥前體(2g，2.56mmol)、4-(4-((1s，2s，4r)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-基-2-d)苯基)-2-苯基吡啶(2.104g，6.45mmol)、乙醇(40ml)和甲醇(40ml)，并且使其在80℃下回流23小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻并且過濾。使所收集的黃色固體經(jīng)歷硅膠柱色譜，得到所要產(chǎn)物(0.61g，26％產(chǎn)率)。4.合成comp(la147)2ir(lb109)向一個(gè)100ml燒瓶中饋入1-苯基金剛烷(2g，9.42mmol)、ccl4(40ml)、二溴(19.40ml，377mmol)，攪拌過夜并且保護(hù)其不受光照。將反應(yīng)混合物緩慢傾入冰水中，并且用硫代硫酸鈉淬滅。將反應(yīng)混合物用乙酸乙酯萃取。將有機(jī)部分蒸發(fā)，得到所要產(chǎn)物(2.74g，100％)。向一個(gè)250ml燒瓶中饋入1-(4-溴苯基)金剛烷(2.76g，9.48mmol)、2-苯基-4-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊-2-基)吡啶(4.00g，14.22mmol)、二乙酰氧基鈀(0.064g，0.284mmol)、二環(huán)己基(2′，6′-二甲氧基-[1，1′-聯(lián)苯]-2-基)膦(sphos)(0.233g，0.569mmol)、k3po4(4.02g，18.95mmol)、甲苯(30ml)和水(3ml)。將反應(yīng)混合物加熱到100℃后過夜，并且使其經(jīng)歷etoac水溶液處理。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷柱色譜，得到所要產(chǎn)物(2.46g，71％)。向一個(gè)500ml燒瓶中饋入銥前體(2.0g，2.56mmol)、4-(4-(金剛烷-1-基)苯基)-2-苯基吡啶(2.10g，5.75mmol)、乙醇(25ml)和甲醇(25ml)。將反應(yīng)混合物加熱到80℃后持續(xù)5天。將反應(yīng)混合物過濾，并且使所收集的沉淀物經(jīng)歷柱色譜，得到所要產(chǎn)物(0.74g，31％)。nmr和lc-ms證實(shí)了所要產(chǎn)物。5.合成comp(la147)2ir(lb88)向一個(gè)100ml燒瓶中饋入(硝氧基)銀(0.137g，0.805mmol)、100ml無水乙醚，隨后添加(1r，2s，4s)-2-溴雙環(huán)[2.2.1]庚烷(3.45ml，26.8mmol)，隨后經(jīng)由加料漏斗經(jīng)20分鐘時(shí)間以逐滴方式添加(4-氯苯甲基)氯化鎂(0.5m于2-methf中的溶液，77ml，38.5mmol)。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌過夜。然后將反應(yīng)混合物用水稀釋并且用乙醚萃取。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷柱色譜，得到所要產(chǎn)物(2.48g，41％)。向一個(gè)250ml燒瓶中饋入(1r，2r，4s)-2-(4-氯苯甲基)雙環(huán)[2.2.1]庚烷(2.48g，11.23mmol)、2-苯基-4-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊-2-基)吡啶(4.11g，14.61mmol)、二乙酰氧基鈀(0.076g，0.337mmol)、二環(huán)己基(2′，6′-二甲氧基-[1，1′-聯(lián)苯]-2-基)膦(sphos)(0.277g，0.674mmol)、k3po4(4.77g，22.47mmol)、甲苯(30ml)和水(3.00ml)。將反應(yīng)混合物加熱到105℃后過夜。使反應(yīng)混合物經(jīng)歷水溶液處理并且用乙酸乙酯萃取。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷硅膠柱色譜，得到純產(chǎn)物(3.69g，97％)。氘化反應(yīng)基于四面體71(2015)1425-1430中公開的文獻(xiàn)程序進(jìn)行。向一個(gè)500ml圓底燒瓶中饋入銥前體(2.8g，3.58mmol)、4-(4-(((1r，2s，4s)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-基)甲基-d2)苯基)-2-苯基吡啶(2.446g，7.16mmol)、乙醇(25ml)和meoh(25ml)。將反應(yīng)混合物加熱到80℃后持續(xù)4天。將反應(yīng)混合物過濾，并且使所收集的沉淀物經(jīng)歷硅膠柱色譜，得到所要產(chǎn)物(1g，30.7％)。6.合成comp(la147)2ir(lb225)向一個(gè)500ml燒瓶中饋入2-(4-溴苯基)-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊烷(10.5g，37.1mmol)、二環(huán)己基(2′，6′-二甲氧基-[1，1′-聯(lián)苯]-2-基)膦(sphos)(0.914g，2.226mmol)和二乙酰氧基鈀(0.250g，1.113mmol)。將(環(huán)戊基甲基)氯化鋅(ii)(20.48g，111mmol)的溶液經(jīng)由插管轉(zhuǎn)移到反應(yīng)燒瓶中。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌過夜。將反應(yīng)混合物用飽和氯化銨溶液稀釋并且用乙酸乙酯萃取。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷硅膠柱色譜，得到所要產(chǎn)物(7.10g，67％)。向一個(gè)250ml燒瓶中饋入4-氯-2-苯基吡啶(3.92g，20.67mmol)、2-(4-(環(huán)戊基甲基)苯基)-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊烷(7.10g，24.80mmol)、pd2(dba)3(0.379g，0.413mmol)、二環(huán)己基(2′，6′-二甲氧基-[1，1′-聯(lián)苯]-2-基)膦(sphos)(0.679g，1.654mmol)、k3po4(13.16g，62.0mmol)、甲苯(70ml)和水(7.0ml)。將反應(yīng)物加熱到100℃后過夜。使反應(yīng)混合物經(jīng)歷水溶液處理并且用etoac萃取。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷柱色譜，得到產(chǎn)物(5.71g，88％)。氘化反應(yīng)基于四面體71(2015)1425-1430中公開的文獻(xiàn)程序進(jìn)行。向一個(gè)100ml圓底燒瓶中饋入銥前體(2.22g，2.84mmol)、4-(4-(環(huán)戊基甲基-d2)苯基)-2-苯基吡啶(1.791g，5.68mmol)、乙醇(25ml)和meoh(25.00ml)。將反應(yīng)混合物加熱到68℃后持續(xù)5天。將反應(yīng)混合物過濾，并且使所收集的沉淀物經(jīng)歷柱色譜，得到所要產(chǎn)物(0.9g，36％)。7.合成comp(la153)2ir(lb86)向一個(gè)1000ml圓底燒瓶中饋入2，4-二溴-吡啶(9.45g，40.4mmol)、4，4，5，5-四甲基-2-苯基-1，3，2-二氧雜硼雜環(huán)戊烷(11.37g，55.7mmol)、二乙酰氧基鈀(0.569g，2.53mmol)、三苯膦(2.66g，10.13mmol)、氫氧化鉀(5.68g，101mmol)和乙腈(600ml)。將反應(yīng)混合物加熱到60℃后持續(xù)50小時(shí)。使反應(yīng)混合物經(jīng)歷etoac水溶液處理。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷硅膠柱色譜，得到所要產(chǎn)物(9.45g，80％)。向一個(gè)500ml圓底燒瓶中饋入4-溴-2-苯基吡啶(9.52g，35.8mmol)、(4-氯苯基)硼酸(6.94g，44.4mmol)、二乙酰氧基鈀(0.453g，2.018mmol)、三苯膦(1.059g，4.04mmol)、k2co3(11.16g，81mmol)、乙腈(200ml)和meoh(100ml)。將反應(yīng)物加熱到40℃后持續(xù)21小時(shí)。將反應(yīng)混合物用水稀釋并且用乙酸乙酯萃取。將有機(jī)部分蒸發(fā)到干燥。使殘余物經(jīng)歷柱色譜，得到所要化合物(9.52g，89％)。向一個(gè)250ml燒瓶中饋入4-(4-氯苯基)-2-苯基吡啶(3g，11.29mmol)、氯化鋰(6.52g，154mmol)、peppsi-ipr(0.460g，0.677mmol)和((1s，2r，4r)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-基)溴化鋅(ii)(79ml，39.5mmol)于thf中。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌過夜。將反應(yīng)混合物用水稀釋并且用乙酸乙酯萃取。將有機(jī)部分合并，并且使其經(jīng)歷柱色譜，得到(3.67g，100％)。氘化反應(yīng)基于四面體71(2015)1425-1430中公開的文獻(xiàn)程序進(jìn)行。向一個(gè)500ml燒瓶中饋入銥前體(4.28g，5.24mmol)、4-(4-((1s，2s，4r)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-基-2-d)苯基)-2-苯基吡啶(4.36g，13.36mmol)、乙醇(40ml)、甲醇(40ml)，將其加熱到70℃后持續(xù)50小時(shí)。將反應(yīng)混合物過濾，并且使所收集的黃色固體經(jīng)歷柱色譜，得到所要產(chǎn)物(1.18g)。裝置實(shí)例所有實(shí)例裝置都通過高真空(＜10-7托)熱蒸發(fā)制造。陽極電極是的氧化銦錫(ito)。陰極由的liq(8-羥基喹啉鋰)接著是的al組成。在制造之后將裝置立即用經(jīng)環(huán)氧樹脂密封的玻璃蓋包封于氮?dú)馐痔紫?＜1ppm的h2o和o2)中，并且將吸濕氣劑并入到包裝內(nèi)部。裝置實(shí)例的堆疊從ito表面依序由以下組成：的hatcn作為空穴注入層(hil)；的htm作為空穴輸送層(htl)；的ebm作為電子阻擋層；的含有兩種組分主體(h1∶h21∶1比)和發(fā)射體12％(本發(fā)明或比較發(fā)射體實(shí)例)的發(fā)射層(eml)；和的摻雜有40％etm的liq(8-羥基喹啉鋰)作為電子輸送層etl。裝置材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)展示如下。表5展示了裝置層厚度和材料。表5.用于評(píng)估黃色發(fā)射體的eqe的裝置結(jié)構(gòu)發(fā)射體實(shí)例1、2、5、7、8、9、10和ce2用以展現(xiàn)裝置eqe與發(fā)射體取向因子之間的相關(guān)性。在1,000尼特下測(cè)量的裝置eqe展示于表6中。表6.裝置的實(shí)驗(yàn)eqe、估算eqe與發(fā)射體plqy和取向的相關(guān)性.觀察到的裝置eqe隨發(fā)射體取向因子增加的增加顯示，eqe與發(fā)射體取向直接相關(guān)。應(yīng)理解，本文所述的各種實(shí)施例僅作為實(shí)例，并且無意限制本發(fā)明的范圍。舉例來說，本文所述的材料和結(jié)構(gòu)中的許多可以用其它材料和結(jié)構(gòu)來取代，而不脫離本發(fā)明的精神。如所要求的本發(fā)明因此可以包括本文所述的具體實(shí)例和優(yōu)選實(shí)施例的變化，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白。應(yīng)理解，關(guān)于本發(fā)明為何起作用的各種理論無意為限制性的。當(dāng)前第1頁12