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      含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物及其制備方法和應(yīng)用與流程

      文檔序號:12242165閱讀:885來源:國知局
      含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物及其制備方法和應(yīng)用與流程

      本發(fā)明屬于金屬有機配位聚合物材料領(lǐng)域,涉及到一種含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物及其制備方法和應(yīng)用。



      背景技術(shù):

      近年來,具有熒光性能的金屬配位聚合物一直研究的熱點之一。金屬配位聚合物的熒光性能,包括熒光發(fā)光的發(fā)射強度和發(fā)射波長等不僅和中心金屬離子有關(guān),而且還與有機配體的分子結(jié)構(gòu)有關(guān)。對于具有熒光性能金屬離子選擇一般選用鎘離子,鎘離子有著多種配位形式如六配位,七配位和八配位,構(gòu)筑多樣的幾何構(gòu)型并且易與羧基氧配位。另一方面由于鎘離子的d10結(jié)構(gòu)使得它們很難被氧化或還原,因此其熒光發(fā)光方式,既不是金屬到配體的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(MLCT),也不是配體到金屬的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(LMCT)。主要是通過電荷轉(zhuǎn)移的方式。對于選用有機配體來說,選用多齒羧酸配體主要原因是在羧基拉電子基團,有利于分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移,并且具有苯環(huán)電子共扼體系,有利于π電子吸收躍遷,表現(xiàn)出豐富的電子轉(zhuǎn)移行為,可發(fā)射較強的熒光性質(zhì)。由于這些優(yōu)越性很大程度上促進(jìn)了金屬鎘鹽與羧酸配位聚合物的發(fā)展,也促進(jìn)了金屬配位物在發(fā)光領(lǐng)域的發(fā)展。(H. Cai, Y. Guo, J. G. Li, [J]. Inorg. Chem. Commun.2013, 34, 37-41; J. Heine, K. Muller Buschbaum, [J].Chem. Soc. Rev.2013, 42, 9232-9242; S. L. James, [J]. Chem. Soc. Rev.2003, 32, 276; J. D. Lin, J. W. Cheng, S. W. Du, [J]. Cryst. Growth Des.2008, 8, 3345-3353; H. S. Wang, W. Shi, J. Xia, H. B. Song, H. G. Wang, P. Cheng, [J]. Inorg. Chem. Commun.2007, 10, 856-859)。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種現(xiàn)有熒光有機發(fā)光材料的合成成本高的問題,制作工藝過程簡單,同時具有熒光性能和高的熱穩(wěn)定性一種含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物及其制備方法和應(yīng)用。

      在一種含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的制備方法為:將4-羧甲基-2-乙氧基苯甲酸(RGAA)和金屬鋅鹽以一定比例的物質(zhì)的量混合溶于水和乙醇(95%) 的混合溶液里,加入一定量的氫氧化鈉,置于聚四氟乙烯管中密封,置不銹鋼反應(yīng)釜中,將反應(yīng)釜放入GZX—9030MBE電熱鼓風(fēng)機中。在120攝氏度下晶化3天,自然冷卻至室溫,析出白色塊狀晶體。

      含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的制備方法為:將4-羧甲基-2-乙氧基苯甲酸(RGAA)和金屬鋅鹽以一定比例的物質(zhì)的量混合溶于水和乙醇(95%) 的混合溶液里,加入一定量的氫氧化鈉,置于聚四氟乙烯管中密封,置不銹鋼反應(yīng)釜中,將反應(yīng)釜放入GZX—9030MBE電熱鼓風(fēng)機中,在120攝氏度下晶化3天,自然冷卻至室溫,析出白色塊狀晶體。

      在合成出來的鎘配位聚合物的過程中,發(fā)現(xiàn)4-羧甲基-2-乙氧基苯甲酸(RGAA)完全去質(zhì)子,采用兩種配位模式分別是μ4-η1:η1:η1:η1μ5-η1:η2:η1:η1,提高了化合物的維度和穩(wěn)定性。構(gòu)建具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)高穩(wěn)定性的配位聚合物。

      本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的鎘配位聚合物是在溶劑熱合成條件下得到,制備方法工藝簡單,結(jié)晶度高。本發(fā)明所提供的配位聚合物不僅具有很強的熒光性而且同時具有很高的熱穩(wěn)定性。

      附圖說明

      圖1、本發(fā)明的含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物C44H42Cd5O22,以金屬中心Cd的配位環(huán)境圖。

      圖2、本發(fā)明的含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物C44H42Cd5O22,以金屬中心Cd的配位的三維超分子網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖。

      圖3、本發(fā)明的含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物C44H42Cd5O22,以金屬中心Cd的配位的拓?fù)鋱D。

      圖4、本發(fā)明含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的紅外圖譜。

      圖5、本發(fā)明含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的固態(tài)熒光圖譜。

      具體實施方式

      下面結(jié)合實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明,實施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,不是對本發(fā)明的限定。

      實施例1(C44H42Cd5O22

      將4-羧甲基-2-乙氧基苯甲酸(0.18mmol),氫氧化鈉(0.2mmol)和Cd(NO3)2·4H2O(0.4mmol)溶解于6 mL蒸餾水和6 mL乙醇(95%)放入聚四氟乙烯反應(yīng)釜,將反應(yīng)釜放入GZX—9030MBE電熱鼓風(fēng)機中。設(shè)置溫度范圍為120度,加熱3天。之后以5℃/小時降至室溫過濾得到所述含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物(配合物1)。

      然后將上述含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征

      該含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物通過單晶結(jié)構(gòu)衍射并在PC機上用SHELXTL程序包完成。配合物1的晶體學(xué)參數(shù)見表1。

      圖1是由單晶衍射方法得到結(jié)構(gòu)C44H42Cd5O22配位結(jié)構(gòu)圖,從圖中可以看到,其不對稱單元中含有五個Cd(II)離子,四個RGAA配體,2個μ3-OH。在圖一中Cd1,Cd2 和Cd3(II)離子展示不同的配位環(huán)境,Cd1是六配位的稍微傾斜八面體的構(gòu)型與一個六個O原子配位。這六個氧原子來自于四個RGAA配體和兩個μ3-OH,Cd1-O的鍵長范圍 2.196(3)–2.323(3) ?,Cd2是五配位的稍微傾斜三角雙錐體的構(gòu)型與一個五個O原子配位。這五個氧原子來自于四個RGAA配體和一個μ3-OH,Cd2-O的鍵長范圍 2.188(3)–2.352(4) ?,Cd3是四配位的稍微傾斜四面體的構(gòu)型與一個四個O原子配位,這四個氧原子來自于三個RGAA配體和一個μ3-OH,Cd3-O的鍵長范圍 2.175 (3)–2.268(3) ?。

      圖2以金屬中心Cd的配位的三維網(wǎng)狀圖。如圖所示每一個μ3-OH 和RGAA配體采用兩種配位模式分別μ4-η1:η1:η1:η1μ5-η1:η2:η1:η1連接相鄰的金屬鎘離子并形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

      圖3以金屬中心Cd的配位的三維拓?fù)鋱D。如圖所示,每一個RGAA配體連接3個金屬鋅離子,每一個金屬鎘離子連接10個配體,故其金屬鎘的配位聚合物的拓?fù)浞枮?3,10)連接的((3.4.5)2(3^4.4^6.5^18.6^14.7^2.8)。

      圖4為含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的紅外圖譜。含羧酸配體的金屬鎘配位聚合物的紅外圖譜紅外光譜: (KBr, cm-1): 3388 (br), 2978(w),1581 (s), 1519 (m), 1431(m), 1375 (s), 1286 (w), 1242 (s), 1178(m), 1107 (m), 1035 (m), 991 (w), 867 (m), 795 (m), 761 (m), 719 (m), 667 (m), 603 (w), 484(w).其特征峰為vas(CO2-)為1581 cm?1,vs(CO2-)為1375cm?1,v(-OH)為3388cm?1。

      圖5表示含雙羧酸配體的三維鎘配位聚合物的固態(tài)熒光光譜圖,如圖所示,在室溫固態(tài)下,以284 nm為激發(fā)波長, 具有三維結(jié)構(gòu)的鋅最強的發(fā)射峰位于349nm,對于鎘配位聚合物來說,由于鎘離子的d10結(jié)構(gòu)使得它們很難被氧化或還原,因此其熒光發(fā)光方式,既不是金屬到配體的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(MLCT),也不是配體到金屬的電荷轉(zhuǎn)移躍遷(LMCT)。它們應(yīng)該是混合配體內(nèi)部的躍遷引起的。主要是通過電荷轉(zhuǎn)移的方式。

      以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制,但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案,均應(yīng)落在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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