本申請(qǐng)是針對(duì)申請(qǐng)?zhí)枮?00980127590.1，申請(qǐng)日為2009年6月23日，申請(qǐng)人為udc愛(ài)爾蘭有限責(zé)任公司，發(fā)明名稱(chēng)為“用于電子應(yīng)用的氮雜芘”的中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枮椋?01310652689.1)再次提出的分案申請(qǐng)，申請(qǐng)?zhí)枮?01310652689.1的分案申請(qǐng)的申請(qǐng)日為2009年6月23日，申請(qǐng)人為udc愛(ài)爾蘭有限責(zé)任公司，發(fā)明名稱(chēng)為“用于電子應(yīng)用的氮雜芘”。

本發(fā)明涉及電子器件，特別是電致發(fā)光器件，其包含氮雜芘，特別是作為主體用于磷光發(fā)射體、電子傳輸材料或發(fā)射材料。主體可與磷光材料共同起作用以向電致發(fā)光器件提供改進(jìn)的效率、穩(wěn)定性、可制造性或光譜特性。

背景技術(shù)：

氮雜芘(azapyrene)及其合成描述在例如如下出版物中：a.v.aksenov等，tetrahedronletters(2008)1808-1811；a.v.aksenov等，tetrahedronletters(2008)707-709；i.v.aksenova等，chemistryofheterocycliccompounds(2007)665-666；tillriehm等，chemistry-aeuropeanjournal(2007)7317-7329；i.v.borovlev等，chemistryofheterocycliccompounds(2002)968-973和(2003)1417-1442。

us200407685涉及有機(jī)發(fā)光器件，其包括基底、沉積在基底上的陽(yáng)極和陰極，和沉積在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層，其中所述發(fā)光層包含主體和至少一種摻雜劑。選擇發(fā)光層的主體以包含含有至少兩種組分的混合物的固體有機(jī)材料，其中一種組分既能形成單體態(tài)又能形成聚集態(tài)。所列作為用于發(fā)光層的第一主體組分的材料的優(yōu)選雜環(huán)化合物特別地包括苯并[lmn][3，8]菲咯啉(2，7-二氮雜芘)：

jp2255789公開(kāi)了有機(jī)電致發(fā)光元件，其依次具有正空穴注入和傳輸層、發(fā)射層和任選的在陽(yáng)極和陰極上的正空穴抑制層，其中至少一個(gè)電極為透明的，使用具有400-800納米最大熒光波長(zhǎng)的萘衍生物[例如4，5-二甲氧基萘-1，8-二羧酸(2′丙基)戊基酰亞胺，1，5-二氰基萘-4，8-二羧酸異丁基酯]作為發(fā)射層。

盡管已有這些開(kāi)發(fā)，仍需要包含新型電子傳輸、發(fā)射和/或主體材料，特別是與磷光材料共同起作用以向電致發(fā)光器件提供改進(jìn)的效率、穩(wěn)定性、可制造性和/或光譜特性的主體的el器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明提供一種電子器件，其包含下式的化合物：

其中：

y¹、y²、y³、y⁴、x¹、x²和x³相互獨(dú)立地為n或cr⁴，

條件是基團(tuán)x¹、x²和x³中的至少一個(gè)為基團(tuán)cr⁴，

r¹為氫、f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，

r^1’和r⁴相互獨(dú)立地為氫、f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，或者

取代基r¹、r^1’和r⁴中的任意個(gè)，所述取代基相互相鄰，一起形成芳族環(huán)或雜芳族環(huán)或環(huán)體系，它們可任選地被取代，

m為1-6的整數(shù)，和

r¹⁰⁰、r¹⁰¹和r¹⁰²相互獨(dú)立地為c1-c8烷基、c6-c24芳基或c7-c12芳烷基，其可任選地被取代，和q為連接基團(tuán)；條件是在式iii的化合物中，取代基r^1’或r⁴中的至少一個(gè)為基團(tuán)q。

式i的化合物特別地為式的化合物，

其中x¹為n或cr⁴，

r¹氫、f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，

r²、r³、r⁴、r⁵、r⁶、r⁷和r⁸相互獨(dú)立地為h、f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，或者

取代基r¹、r²、r³、r⁴、r⁵、r⁶、r⁷和r⁸中的任意個(gè)，所述取代基相互相鄰，一起形成芳族環(huán)或雜芳族環(huán)或環(huán)體系，它們可任選地被取代，以及r¹⁰⁰、r¹⁰¹和r¹⁰²如上文所定義。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的電子器件優(yōu)選為電致發(fā)光(el)器件。式i或iii的化合物可用在有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)中作為磷光化合物的主體，作為發(fā)射和/或電子傳輸材料。本發(fā)明的化合物可根據(jù)與應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件類(lèi)似的原理在包括有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光電導(dǎo)體和有機(jī)晶體管的有機(jī)電子器件中起作用。除了有機(jī)發(fā)光器件外，還存在大量的其它類(lèi)型的半導(dǎo)體器件。所有共同的是存在一種或多種半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體器件已經(jīng)例如由s.m.sze在physicsofsemiconductordevices，第二版，johnwileyandsons，newyork(1981)中描述。該類(lèi)器件包括整流器、晶體管(其中存在很多類(lèi)型，包括p-n-p、n-p-n和薄膜晶體管)、光電導(dǎo)體、限流器、熱敏電阻器、p-n結(jié)、場(chǎng)效應(yīng)二極管、schottky二極管等。在每個(gè)半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體材料與一種或多種金屬或絕緣體結(jié)合以形成器件。半導(dǎo)體器件可通過(guò)已知的方法，例如由petervanzant在microchipfabrication，第四版，mcgraw-hill，newyork(2000)中描述的那些加以制備或制造。特別有用的一類(lèi)晶體管器件，即薄膜晶體管(tft)，其中可使用本發(fā)明的材料，通常包括柵極、柵極上的柵極介質(zhì)、源極和與柵極介質(zhì)相鄰的漏極，以及與柵極介質(zhì)相鄰并與源和漏極相鄰的半導(dǎo)體層(參見(jiàn)例如s.m.sze，physicsofsemiconductordevices，第二版，johnwileyandsons，第492頁(yè)，newyork(1981))。這些組件可裝配成各種結(jié)構(gòu)。例如在有機(jī)薄膜晶體管(otft)中具有有機(jī)半導(dǎo)體層。該類(lèi)器件的實(shí)例描述在wo2007/118799和wo2009/047104中。

對(duì)于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池(本體異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池)，活性(光敏)層包含p-型和n-型有機(jī)半導(dǎo)體的混合物。在活性層中，發(fā)生通過(guò)光誘導(dǎo)的電荷分離。式i或iii的化合物可優(yōu)選地在該類(lèi)器件中用作n-型半導(dǎo)體。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池包括以如下順序的另外的層：a)陰極(電極)，b)任選的過(guò)渡層，例如堿鹵化物，特別是氟化鋰，c)包含式i或iii的化合物的活性(光敏)層，d)任選的平滑層，e)陽(yáng)極(電極)，f)基底。該類(lèi)器件的實(shí)例描述在wo2008/000664和wo2009/047104中。

r¹、r^1’、r²、r³、r⁴、r⁵、r⁶、r⁷和r⁸優(yōu)選地為氫或有機(jī)取代基。

連接基團(tuán)q為例如亞芳基或亞雜芳基基團(tuán)。

更優(yōu)選為式ii的化合物，其中x¹為n或cr⁴，r¹、r²、r³、r⁴、r⁵、r⁶、r⁷和r⁸相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基、c2-c18鏈烯基、c2-c18炔基、c1-c18烷氧基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基、c7-c25芳烷基、-co-r²⁸、-cn或基團(tuán)-l¹-nr^25’r^26’，

或基團(tuán)-l¹-nr^25’r^26’，其中：

u為0或1；v為0或1；

r²¹¹、r^211’、r²¹²和r^212’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，

r²¹³和r²¹⁴相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

ar¹為-nr^25’r^26’、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基或被g取代的c2-c20雜芳基；

其中r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基，或

r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成雜芳族環(huán)或環(huán)體系，其可任選地被取代；

l¹為單鍵或橋連單元bu，

r⁵和r⁶和/或r⁷和r⁸一起形成基團(tuán)其中r^206’、r^208’、r²⁰⁵、r²⁰⁶、r²⁰⁷、r²⁰⁸、r²⁰⁹和r²¹⁰相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18烷氧基或被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基、c1-c18全氟烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基、c2-c18鏈烯基、c2-c18炔基、c7-c25芳烷基、cn或-co-r²⁸，

y為o或n-r²⁵，

d為-co-、-coo-、-s-、-so-、-so2-、-o-、-nr²⁵-、-sir³⁰r³¹-、-por³²-、-cr²³＝cr²⁴-或-c≡c-；和

e為-or²⁹、-sr²⁹、-nr²⁵r²⁶、-cor²⁸、-coor²⁷、-conr²⁵r²⁶、-cn或鹵素；

g為e、c1-c18烷基、被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c1-c18烷氧基或被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基，其中：

r²³、r²⁴、r²⁵和r²⁶相互獨(dú)立地為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基；或者

r²⁵和r²⁶一起形成五或六元環(huán)或環(huán)體系；

r²⁷為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基，

r²⁸為h、c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c¹⁸芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基，

r²⁹為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基，

r³⁰和r³¹相互獨(dú)立地為c1-c18烷基、c6-c18芳基或被c1-c18烷基取代的c6-c18芳基，以及

r³²為c1-c18烷基、c6-c18芳基或被c1-c18烷基取代的c6-c18芳基。

l¹為單鍵、-(cr⁴⁷＝cr⁴⁸)m2-、-(ar³)m3-、-[ar³(y¹)m5]m4-、-[(y¹)m5ar³]m4-或-[ar³(y²)m5ar⁴]m4-、其中：

y¹為-(cr⁴⁷＝cr⁴⁸)-，

y²為nr⁴⁹、o、s、c＝o、c(＝o)o，其中r⁴⁹為任選地被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基；c1-c18烷基；或被-o-間隔的c1-c18烷基；

r⁴⁷和r⁴⁸相互獨(dú)立地為氫、c1-c20烷基或可任選地被g取代的c6-c24芳基，

m5為1-10的整數(shù)，m2為1-10的整數(shù)，m3為1-5的整數(shù)，m4為1-5的整數(shù)，

ar³和ar⁴相互獨(dú)立地為亞芳基或亞雜芳基，其可任選地被取代，其中g(shù)為如上文所定義。

優(yōu)選地，l¹為單鍵或式的橋連單元bu。

甚至更優(yōu)選為式i或iii的化合物，其中-l¹-x¹為式的基團(tuán)、-nr^25’r^26’或基團(tuán)其中

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成式的基團(tuán)，

r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；

bu為其中r⁴¹在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，且為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；m1為0、1或2。

優(yōu)選地，r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為h、c1-c12烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、異戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基、被e取代和/或被d間隔的c1-c12烷基，例如-ch2och3、-ch2och2ch3、-ch2och2ch2och3或-ch2och2ch2och2ch3、c6-c14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基、c5-c12環(huán)烷基，例如環(huán)己基、被g取代的c6-c14芳基，例如-c6h4och3、-c6h4och2ch3、-c6h3(och3)2或-c6h3(och2ch3)2、-c6h4ch³、-c6h3(ch3)2、-c6h2(ch3)3或-c6h4tbu。

優(yōu)選地，r¹¹⁹和r¹²⁰相互獨(dú)立地為c1-c12烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基、被e取代和/或被d間隔的c1-c12烷基，例如-ch2(och2ch2)woch3，w＝1、2、3或4，c6-c14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基、被g取代的c6-c14芳基，例如-c6h4och3、-c6h4och2ch3、-c6h3(och3)2、-c6h3(och2ch3)2、-c6h4ch3、-c6h3(ch3)2、-c6h2(ch3)3或-c6h4tbu，或r¹¹⁹和r¹²⁰一起形成4-8元環(huán)，特別是5或6元環(huán)，例如環(huán)己基或環(huán)戊基，其可任選地被c1-c8烷基取代。

d優(yōu)選地為-co-、-coo-、-s-、-so-、-so2-、-o-、-nr²⁵-，其中r²⁵為c1-c12烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、或仲丁基或c6-c14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基。

e優(yōu)選地為-or²⁹、-sr²⁹、-nr²⁵r²⁵、-cor²⁸、-coor²⁷、-conr²⁵r²⁵、或-cn；其中r²⁵、r²⁷、r²⁸和r²⁹相互獨(dú)立地為c1-c12烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基或c6-c14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基，其可任選地被取代。

g具有與e相同的優(yōu)選或?yàn)閏1-c18烷基、特別地為c1-c12烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基。

通過(guò)r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成的雜芳族環(huán)或環(huán)體系的實(shí)例為m’為0、1或2，ml為0、1或2。的實(shí)例為其中r⁴¹為h或c1-c18烷基。

基團(tuán)的實(shí)例如下所示：

其中r⁴¹、r¹¹⁶、r¹¹⁷、r¹¹⁹、r¹²⁰和m1如上文所定義。

甚至更優(yōu)選式的化合物，其中：

r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為氫，

r¹、r²、r³、r^2’、r^3’和r^4’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基，例如c1-c18烷氧基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基、

或-l¹-nr^25’r^26’，其中：

u為0或1；v為0或1；

r²¹¹、r^211’、r²¹²和r^212’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，

r²¹³和r²¹⁴相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

ar¹為-nr^25’r^26’、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基或被g取代的c2-c20雜芳基；

l¹為單鍵或橋連單元bu，例如

d為-o-或-nr²⁵-，

e為-or²⁹、-nr²⁵r²⁶、-cn或f；r²⁹、r²⁵和r²⁶如上文所定義；以及

g為e、c1-c18烷基、被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c1-c18烷氧基或被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基。

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為苯基、萘基、蒽基、聯(lián)苯基、2-芴基、菲基或苝基，其可任選地被取代，例如或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成雜芳族環(huán)或環(huán)體系，例如m’為0、1或2；

m在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，井為0、1、2或3，椅別地為0、1或2，非常特別地為0或1；

m1在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，并為0、1、2、3或4，特別地為0、1或2，非常特別地為0或1；

r⁴¹在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，并為cl、f、cn、n(r⁴⁵)2、c1-c25烷基、c4-c18環(huán)烷基、c1-c25烷氧基，其中不互相鄰近的一個(gè)或多個(gè)碳原子可被-nr⁴⁵-、-o-、-s-或-c(＝o)-o-替代，和/或其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被f、c6-c24芳基或c6-c24芳氧基替代，其中一個(gè)或多個(gè)碳原子可被o、s或n替代，和/或其可被一個(gè)或多個(gè)非芳族基團(tuán)r⁴¹取代，或者兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)r⁴¹形成環(huán)體系；

r⁴⁵為c1-c25烷基、c4-c18環(huán)烷基，其中不互相鄰近的一個(gè)或多個(gè)碳原子可被-nr^45”-、-o-、-s-、-c(＝o)-o-或-o-c(＝o)-o-替代，和/或其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被f、c6-c24芳基或c6-c24芳氧基替代，其中一個(gè)或多個(gè)碳原子可被o、s或n替代，和/或其可被一個(gè)或多個(gè)非芳族基團(tuán)r⁴¹取代，以及

r^45”為c1-c25烷基或c4-c18環(huán)烷基，

r²¹⁶、r²¹⁷、r¹¹⁶、r¹¹⁷和r^117’相互獨(dú)立地為h、鹵素、-cn、c1-c18烷基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g’取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g’取代的c2-c20雜芳基、c2-c18鏈烯基、c2-c18炔基、c1-c18烷氧基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷氧基、c7-c25芳烷基、-c(＝o)-r¹²⁷、-c(＝o)or¹²⁷或-c(＝o)nr¹²⁷r¹²⁶，或者

相互相鄰的取代基r¹¹⁶、r¹¹⁷和r^117’可形成環(huán)，

r^119’和r¹²⁰’相互獨(dú)立地為c1-c18烷基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g’取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g’取代的c2-c20雜芳基、c2-c18鏈烯基、c2-c18炔基、或c7-c25芳烷基，或者

r^119’和r^120’一起形成式＝cr^121’r^122’的基團(tuán)，其中：

r^121’和r^122’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g’取代的c6-c24芳基、或c2-c20雜芳基、或被g’取代的c2-c20雜芳基，或者

r^119’和r^120’一起形成五或六元環(huán)，其可任選地被如下基團(tuán)取代：c1-c18烷基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷基、c6-c24芳基、被g’取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g’取代的c2-c20雜芳基、c2-c18鏈烯基、c2-c18炔基、c1-c18烷氧基、被e’取代和/或被d’間隔的c1-c18烷氧基、c7-c25芳烷基或-c(＝o)-r¹²⁷，以及

r¹²⁶和r¹²⁷相互獨(dú)立地為c6-c18芳基；被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基；c1-c18烷基；或被-o-間隔的c1-c18烷基；

d’為-co-、-coo-、-s-、-so-、-so2-、-o-、-nr⁶⁵-、-sir⁷⁰r⁷¹-、-por⁷²-、-cr⁶³＝cr⁶⁴-或-c≡c-，以及

e’為-or⁶⁹、-sr⁶⁹、-nr⁶⁵r⁶⁶、-cor⁶⁸、-coor⁶⁷、-conr⁶⁵r⁶⁶、-cn或鹵素，

g’為e’或c1-c18烷基，

r⁶³和r⁶⁴相互獨(dú)立地為h；c6-c18芳基；被c1-c18烷基、c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基；c1-c18烷基；或被-o-間隔的c1-c18烷基；

r⁶⁵、r^65'和r⁶⁶相互獨(dú)立地為c6-c18芳基；被c1-c18烷基、c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基；c1-c18烷基；或被-o-間隔的c1-c18烷基；或者

r⁶⁵和r⁶⁶一起形成五或六元環(huán)；

r⁶⁷和r⁶⁸相互獨(dú)立地為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基，

r⁶⁹為c6-c18芳基；被c1-c18烷基、c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基；c1-c18烷基；或被-o-間隔的c1-c18烷基；

r⁷⁰和r⁷¹相互獨(dú)立地為c1-c18烷基、c6-c18芳基或被c1-c18烷基取代的c6-c18芳基，以及

r⁷²為c1-c18烷基、c6-c18芳基或被c1-c18烷基取代的c6-c18芳基。

d’、e’和g’分別與d、e和g具有相同的優(yōu)選。r^119'和r^120'分別與r¹¹⁹和r¹²⁰具有相同的優(yōu)選。

在式iia和iib的化合物中，r¹、r²、r³、r^2’和r^3’相互獨(dú)立地優(yōu)選為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基，例如或基團(tuán)-l¹-nr^25’r^26’，其中r³¹⁶和r³¹⁷具有r¹¹⁶的含義，并優(yōu)選地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基。

r^4’為氫、c6-c24芳基或被g取代的c6-c24芳基。

最優(yōu)選的為式iia的化合物，其中r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為氫，

r¹、r²，和r³相互獨(dú)立地為基團(tuán)c1-c18烷氧基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基、

或-l¹-nr^25’r^26’，

l¹為單鍵、

m1為0或1；

u為0或1；v為0或1；

r²¹¹、r^211’、r²¹²和r^212’相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

r²¹³和r²¹⁴相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

ar¹為-nr^25’r^26’、

r²¹⁵為c1-c25烷基或c6-c18芳基，

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成基團(tuán)其中r⁴¹為h或c1-c8烷基，和

r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基、1-萘基、2-萘基、苯基或吡啶基(pyridine)，其可任選地被c1-c25烷基或苯基取代，所述c1-c25烷基可任選地被-o-間隔；以及

r³¹⁶和r³¹⁷具有r¹¹⁶的含義，且優(yōu)選地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基，

r²¹⁶和r²¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；以及式iib的化合物，其中r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為氫，

r¹、r^2’和r^3’相互獨(dú)立地為基團(tuán)c1-c18烷氧基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基、或-l¹-nr^25’r^26’，

l¹為單鍵、

m1為0或1；

r^4’為氫或基團(tuán)

u為0或1；v為0或1；

r²¹¹、r^211’、r²¹²和r^212’相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

r²¹³和r²¹⁴相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基，

ar¹為-nr^25’r^26’、其中r²¹⁵如上文所定義；

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成基團(tuán)其中r⁴¹為h或c1-c8烷基，以及

r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基、1-萘基、2-萘基、苯基或吡啶基(pyridine)，其可任選地被c1-c25烷基或苯基取代，所述c1-c25烷基可任選地被-o-間隔；

r³¹⁶和r³¹⁷具有r¹¹⁶的含義，且優(yōu)選為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；

r^119’和r^120’相互獨(dú)立地為c1-c25烷基或被e取代和/或被d間隔的c1-c25烷基，

r²¹⁶和r²¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基，

d為-o-或-nr²⁵-，以及

e為-or²⁹、-nr²⁵r²⁶、-cn或f；r²⁹、r²⁵和r²⁶如上文所定義。

特別優(yōu)選的式iia化合物的實(shí)例為化合物a-1-a-19，其如權(quán)利要求6中所示。

特別優(yōu)選的式iib化合物的實(shí)例為化合物b-1-b-42，其如權(quán)利要求6中所示。

在另一優(yōu)選的實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種電子器件，其包含式iii的化合物，特別是下式的化合物：

其中m、r^1'、r²、r³、x¹、r⁵、r⁶、r⁷和r⁸如上文所定義，且q為下式的基團(tuán)：其中r¹⁴¹在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，且為任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；m6為0、1或2。

甚至更優(yōu)選為式iiia、iiib或iiic的化合物，其中x¹為ch或n，r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為氫，

r¹、r²、r³相互獨(dú)立地為

r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基，以及

q和m如上文所定義。

特別優(yōu)選的式iiia化合物的實(shí)例為化合物c1-c7，其如權(quán)利要求9中所示。

特別優(yōu)選的式iiib化合物的實(shí)例為化合物d1-d6，其如權(quán)利要求9中所示。

在另一優(yōu)選的實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種電子器件，其包含下式的化合物：

其中：

x¹為n或ch，

y為o或nr²⁵，

r²⁵為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基；以及

r¹、r²、r³、r²⁰⁶、r²⁰⁷、r²¹⁰如上文所定義。

甚至更優(yōu)選式iva、ivb、va、vb和vc的化合物，其中

r¹為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基，或式的基團(tuán)，

r²和r³相互獨(dú)立地為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基，

r²⁵為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基，

r²⁰⁶和r²⁰⁷相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c²⁰雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基，或者

r²⁰⁶和r²⁰⁷一起形成式的基團(tuán)，其中

r²⁰⁵和r²⁰⁸為h，

r^206’和r^208’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基、或cn，

r²¹⁰為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基或式的基團(tuán)，

x¹為n或ch，

y為o或nr²⁵，其中

d為-o-或-nr²⁵-，

e為-or²⁹、-nr²⁵r²⁶、-cn或f；以及

g為e、c1-c18烷基、被d間隔的c1-c18烷基、c1-c18全氟烷基、c1-c18烷氧基或被e取代和/或被d間隔的c1-c18烷氧基，

r²⁵和r²⁶為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基；

r²⁹為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c18芳基、c1-c18烷基、或被-o-間隔的c1-c18烷基；

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成式的基團(tuán)，

r¹¹⁶和r¹¹⁷相互獨(dú)立地為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；

bu為其中r⁴¹在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同，且為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基；m1為0、1或2。

r¹優(yōu)選地為基團(tuán)

r²、r³和r²⁵優(yōu)選地為基團(tuán)

r^25’和r^26’相互獨(dú)立地為或r^25’和r^26’與它們所鍵合的氮原子一起形成基團(tuán)其中r⁴¹為h或c1-c8烷基。

r²⁰⁶和r²⁰⁷相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、cn或被o間隔的c1-c18烷基，或者

r²⁰⁶和r²⁰⁷一起形成式的基團(tuán)。

r²¹⁰優(yōu)選地為基團(tuán)

r¹¹⁶和r¹¹⁷為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、cn或c1-c25烷氧基。

r²¹⁶和r²¹⁷為可任選地被-o-間隔的c1-c25烷基、或c1-c25烷氧基。

式iva的優(yōu)選化合物為化合物e-1至e-8、f-1和f-2，如權(quán)利要求6中所示。

式ivb的優(yōu)選化合物為化合物g-1至g-5、h-1和h-2，如權(quán)利要求6中所示。

式vb的優(yōu)選化合物為化合物i-1至i-5和j-1至j-4，如權(quán)利要求6中所示。

式vc的優(yōu)選化合物為化合物k-1至k-8、l-1和l-2，如權(quán)利要求6中所示。

式iva、ivb、va、vb和vc的化合物可通過(guò)使用式的化合物分別作為起始材料制得，其中x¹、r¹、r²和r³如上文所定義。咪唑體系的化合物可通過(guò)利用醛、乙酸銨(任選地可加入芳族胺，其導(dǎo)致替代的產(chǎn)物)作為合適的溶劑，在回流下對(duì)式via或vib的化合物進(jìn)行攪拌而制得。此外，可向式via或vib的化合物中加入二胺，然后在酸性條件下進(jìn)行攪拌以制備吡嗪體系的化合物。此外，唑體系的化合物可通過(guò)使得式via或vib的化合物與合適的醛在乙酸銨和脂族胺的存在下反應(yīng)而獲得。在wo2006/097419中描述了合成程序。

式via和vib的化合物為新穎的，且形成本發(fā)明的進(jìn)一步主題。

式via和vib的化合物可根據(jù)在j.org.chem.2005，70，707-708中描述的程序，在三氯化釕(在二氯甲烷中)的存在下，通過(guò)用高氯酸鈉或高碘酸鈉氧化式ii的氮雜芘而制得，其中r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為h。

取決于氧化劑的量和反應(yīng)時(shí)間，獲得式via和/或vib的化合物。

式iva、ivb、va、vb和vc的化合物具有基本結(jié)構(gòu)，其中衍生物可不僅起到電子或空穴注入和/或傳輸?shù)淖饔?，而且起到光發(fā)射的作用，例如在有機(jī)電子器件中的單一發(fā)光材料、發(fā)光摻雜劑與合適的主體一起或藍(lán)色發(fā)光主體與合適的摻雜劑一起。作為主體，可使用熒光或磷光發(fā)射體材料。通過(guò)在有機(jī)電子器件中應(yīng)用式iva、ivb、va、vb和vc的化合物，有可能在器件效率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面獲得極好的效果。

本發(fā)明的化合物可根據(jù)與應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件類(lèi)似的原理在包括有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光電導(dǎo)體和有機(jī)晶體管的有機(jī)電子器件中起作用。

鹵素為氟、氯、溴和碘。

c1-c25烷基(c1-c18烷基)在可能的情況下通常為線性或支化的。實(shí)例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、1，1，3，3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1，1，3，3，5，5-六甲基己基、正庚基、異庚基、1，1，3，3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基-庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基、二十四烷基或二十五烷基。c1-c8烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基和2-乙基己基。c1-c4烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基。

c1-c25烷氧基(c1-c18烷氧基)基團(tuán)為直鏈或支化的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、異戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、異辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。c1-c8烷氧基的實(shí)例為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2，2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1，1，3，3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基，優(yōu)選地c1-c4烷氧基例如通常為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基。術(shù)語(yǔ)“烷硫基”是指與烷氧基相同的基團(tuán)，不同的是醚鍵的氧原子被硫原子替代。

c2-c25鏈烯基(c2-c18鏈烯基)基團(tuán)為直鏈或支化的鏈烯基，例如乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、異丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、異丁烯基、正戊-2，4-二烯基、3-甲基-丁-2-烯基、正辛-2-烯基、正十二-2-烯基、異十二烯基、正十二-2-烯基或正十八-4-烯基。

c2-24炔基(c2-18炔基)為直鏈或支鏈的，且優(yōu)選地為c2-8炔基，其可為未被取代的或被取代的，例如乙炔基、1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1，4-戊二炔-3-基、1，3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、順式-3-甲基-2-戊-4-炔-1-基、反式-3-甲基-2-戊-4-炔-1-基、1，3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-基或1-二十四炔-24-基。

c1-c18全氟烷基、特別是c1-c4全氟烷基，為支化或非支化基團(tuán)，例如-cf3、-cf2cf3、-cf2cf2cf3、-cf(cf3)2、-(cf2)3cf3和-c(cf3)3。

術(shù)語(yǔ)“鹵烷基、鹵烯基和鹵炔基”是指用鹵素部分或全部取代上述烷基、鏈烯基和炔基而得到的基團(tuán)，例如三氟甲基等?！叭┗⑼?、酯基、氨基甲?；桶被卑ㄓ猛榛h(huán)烷基、芳基、芳烷基或雜環(huán)基取代的那些，其中烷基、環(huán)烷基、芳基、芳烷基和雜環(huán)基可為未被取代或被取代的。術(shù)語(yǔ)“甲硅烷基”是指式-sir²⁶²r²⁶³r²⁶⁴的基團(tuán)，其中r²⁶²、r²⁶³和r²⁶⁴相互獨(dú)立地為c1-c8烷基，特別是c1-c4烷基、c6-c24芳基或c7-c12芳烷基，例如三甲基甲硅烷基。術(shù)語(yǔ)“硅氧烷基”是指式-o-sir²⁶²r²⁶³r²⁶⁴的基團(tuán)，其中r²⁶²、r²⁶³和r²⁶⁴如上文所定義，例如三甲基硅氧烷基。

術(shù)語(yǔ)“環(huán)烷基”通常為c5-c18環(huán)烷基，特別是c5-c12環(huán)烷基，例如環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)壬基、環(huán)癸基、環(huán)十一烷基、環(huán)十二烷基，優(yōu)選環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基或環(huán)辛基，其可為未被取代的或被取代的。術(shù)語(yǔ)“環(huán)鏈烯基”是指包含一個(gè)或多個(gè)雙鍵的不飽和脂環(huán)烴基，例如環(huán)戊烯基、環(huán)戊二烯基、環(huán)己烯基等，其可為未被取代的或被取代的。環(huán)烷其特別是環(huán)己其可被苯其相會(huì)1-2次，所述苯基可被c1-c4-烷基、鹵素和氰基取代1-3次。該類(lèi)稠合環(huán)己基的實(shí)例為：特別是其中r⁵¹、r⁵²、r⁵³、r⁵⁴、r⁵⁵和r⁵⁶相互獨(dú)立地為c1-c8-烷基、c1-c8-烷氧基、鹵素和氰基，特別是氫。

芳基通常為c6-c30芳基，優(yōu)選為c6-c24芳基，其可任選地被取代，例如苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基，特別是1-萘基或2-萘基、聯(lián)苯基、三苯基、芘基、2-或9-芴基、菲基、蒽基、四酰基(tetracyl)、五?；?pentacyl)、六?；?hexacyl)或四聯(lián)苯基，其可為未被取代的或被取代的。

術(shù)語(yǔ)“芳烷基”通常為c7-c25芳烷基，例如芐基、2-芐基-2-丙基、β-苯基-乙基、α，α-二甲基芐基、ω-苯基-丁基、ω，ω-二甲基-ω-苯基-丁基、ω-苯基-十二烷基、ω-苯基-十八烷基、ω-苯基-二十烷基或ω-苯基-二十二烷基，優(yōu)選c7-c18芳烷基例如芐基、2-芐基-2-丙基、β-苯基-乙基、α，α-二甲基芐基、ω-苯基-丁基、ω，ω-二甲基-ω-苯基-丁基、ω-苯基-十二烷基或ω-苯基-十八烷基，特別優(yōu)選c7-c12芳烷基例如芐基、2-芐基-2-丙基、β-苯基-乙基、α，α-二甲基芐基、ω-苯基-丁基或ω，ω-二甲基-ω-苯基-丁基，其中脂族烴基和芳族烴基均可為未被取代的或被取代的。

術(shù)語(yǔ)“芳基醚基”通常為c6-24芳氧基，即o-c6-24芳基，例如苯氧基或4-甲氧基苯基。術(shù)語(yǔ)“芳基硫醚基”通常為c6-24芳硫基，即s-c6-24芳基，例如苯硫基或4-甲氧基苯硫基。術(shù)語(yǔ)“氨基甲?；蓖ǔ閏1-18氨基甲?；?，優(yōu)選c1-8氨基甲酰基，其可為未被取代的或被取代的，例如氨基甲?；⒓谆被柞；?、乙基氨基甲酰基、正丁基氨基甲酰基、叔丁基氨基甲?；?、二甲基氨基甲酰氧基、嗎啉代氨基甲酰基或吡咯烷氨基甲?；?。

在烷基氨基、二烷基氨基、烷基芳基氨基、芳基氨基和二芳基中的術(shù)語(yǔ)“芳基”和“烷基”通常分別為c1-c25烷基和c6-c24芳基。

烷基芳基是指烷基取代的芳基，特別是c7-c12烷基芳基。實(shí)例為甲苯基，3-甲基-或4-甲基苯基或二甲苯基，例如3，4-二甲苯基或3，5-二甲基苯基。

雜芳基通常為c2-c26雜芳基(c2-c20雜芳基)，即具有五至七個(gè)環(huán)原子的環(huán)，或者稠環(huán)體系，其中氮、氧或硫是可能的雜原子，且通常為具有至少6個(gè)共軛π-電子且具有5-30個(gè)原子的不飽和雜環(huán)基團(tuán)，例如噻吩基、苯并[b]噻吩基、二苯并[b，d]噻吩基、噻嗯基、呋喃基、糠基、2h-吡喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯(lián)吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、吲嗪基、異氮雜茚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、異噻唑基、吩噻嗪基、異唑基、呋咱基或吩嗪基，其可為未被取代的或被取代的。

分別通過(guò)例如r^25’和r^26’形成的五或六元環(huán)的實(shí)例為具有3-5個(gè)碳原子的雜環(huán)烷基或雜環(huán)烯基，其可具有一個(gè)另外的選自氮、氧和硫的雜原子，例如其可部分為二環(huán)體系，例如

上述基團(tuán)的可能的取代基為c1-c8烷基、羥基、巰基、c1-c8烷氧基、c1-c8烷硫基、鹵素、鹵代-c1-c8烷基、氰基、醛基、酮基、羧基、酯基、氨基甲?；?、氨基、硝基或甲硅烷基，其中優(yōu)選c1-c8烷基、c1-c8烷氧基、氰基或甲硅烷基。

如果取代基例如r⁴¹在基團(tuán)中出現(xiàn)不止一次，則其在每次出現(xiàn)時(shí)可為不同的。

術(shù)語(yǔ)“被g取代”是指可存在一個(gè)或多個(gè)，特別是1-3個(gè)基團(tuán)g。

如上所述，上述基團(tuán)可被e取代，和/或如果需要，可被d間隔。間隔當(dāng)然只有在基團(tuán)包含至少2個(gè)通過(guò)單鍵互相連接的碳原子的情況下是可能的；c6-c18芳基為未間隔的；間隔芳基烷基或烷基芳基在烷基結(jié)構(gòu)部分中包含單元d。被1個(gè)或多個(gè)e取代和/或被1個(gè)或多個(gè)單元d間隔的c1-c18烷基為例如(ch2ch2o)1-9-r^x，其中r^x為h或c1-c10烷基或c2-c10烷?；?例如co-ch(c2h5)c4h9)、ch2-ch(or^y’)-ch2-o-r^y，其中r^y為c1-c18烷基、c5-c12環(huán)烷基、苯基、c7-c15苯基烷基，和r^y’包含與r^y相同的定義或?yàn)閔；

c1-c8亞烷基-coo-r^z，例如ch2coorz、ch(ch3)coor^z、c(ch3)2coor^z，其中r^z為h、c1-c18烷基、(ch2ch2o)1-9-r^x和r^x包含如上所述的定義；

ch2ch2-o-co-ch＝ch2；ch2ch(oh)ch2-o-co-c(ch3)＝ch2。

優(yōu)選的亞芳基為1，4-亞苯基、2，5-甲代亞苯基、1，4-亞萘基、1，9亞蒽基(antracylene)、2，7-亞菲基(phenantrylene)和2，7-二氫亞菲基(phenantrylene)。

優(yōu)選的亞雜芳基為2，5-亞吡嗪基、3，6-亞噠嗪基、2，5-亞吡啶基、2，5-亞嘧啶基、1，3，4-噻二唑-2，5-亞基、1，3-噻唑-2，4-亞基、1，3-噻唑-2，5-亞基、2，4-亞苯硫基、2，5-亞苯硫基、1，3-唑-2，4-亞基、1，3-唑-2，5-亞基和1，3，4-二唑-2，5-亞基、2，5-亞茚基和2，6-亞茚基。

式i和iii的特定化合物為新穎的，且形成本發(fā)明的進(jìn)一步的主題。因此，本發(fā)明還涉及下式的化合物：

其中

y¹、y²、y³、y⁴、x¹、x²和x³相互獨(dú)立地為n或cr⁴，

條件是基團(tuán)x¹、x²和x³中的至少一個(gè)為基團(tuán)cr⁴，

r¹為f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，

r^1’和r⁴相互獨(dú)立地為氫，f、-sir¹⁰⁰r¹⁰¹r¹⁰²或有機(jī)取代基，或者

取代基r¹、r^1’和r⁴中的任意個(gè)，所述取代基相互相鄰，一起形成芳族環(huán)或雜芳族環(huán)或環(huán)體系，其可任選地被取代，

m為1至6的整數(shù)，以及

r¹⁰⁰、r¹⁰¹和r¹⁰²相互獨(dú)立地為c1-c8烷基、c6-c24芳基或者c7-c12芳烷基，其可任選地被取代，和q為連接基團(tuán)；條件是在式(iii)的化合物中，取代基r¹或r⁴的至少一個(gè)為基團(tuán)q，進(jìn)一步的條件是不包括如下的化合物1-12：

r¹優(yōu)選地為c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被g取代的c2-c20雜芳基，例如或基團(tuán)-l¹-nr^25’r^26’。

式i的化合物的合成可根據(jù)或類(lèi)似于已知的程序而完成。例如可提及a.v.aksenov等的chemistryofheterocycliccompounds(2003)1417。

式iia的化合物可通過(guò)使式x的化合物與式xi的化合物在多磷酸(ppa)的存在下反應(yīng)而獲得(a.v.aksenov等，tetrahedronletters(2008)707和出處同上，(2008)1808)。

可替代地，式iia的化合物，其中r¹＝r²＝r³，可通過(guò)使式xiii的化合物與式xiv的化合物在多磷酸(ppa)的存在下反應(yīng)而獲得(a.v.aksenov等，chemistryofheterocycliccompounds(2002)665)。

式iib的化合物可通過(guò)使式x的化合物與式xii的化合物在多磷酸(ppa)的存在下反應(yīng)而獲得(a.v.aksenov等，chemistryofheterocycliccompounds(1997)1367和出處同上，(2007)257)。

式x的化合物的合成可根據(jù)或類(lèi)似于在a.l.llamas-saiz，j.chem.soc.perkin.trans.(1995)1389中描述的程序而完成。

式iii的化合物，其中q為亞芳基或亞雜芳基，可例如通過(guò)式xa的化合物與xii在ppa中反應(yīng)而制得。

式xa的化合物可如在khimiyageterotsiklicheskikhsoedinenii(1980)96-100中所述而制得。

式iii的化合物，其中q為亞芳基或亞雜芳基，還可通過(guò)由x和xiia作為起始物而制得：

式xiia的化合物可如在syntheticcommunications32(2002)3389中所述而制得：

可替代地，式iii的化合物還可通過(guò)帶有硼酸酯官能團(tuán)的氮雜芘與溴代芳基氮雜芘的suzuki偶合而制得。

suzuki反應(yīng)可如wo04039786中所述而進(jìn)行。ar和ar'為亞芳基或亞雜芳基，它們?cè)趲в信鹚狨ス倌軋F(tuán)的氮雜芘與溴代芳基氮雜芘的suzuki偶合之后一起形成橋連單元q。

本發(fā)明的電子器件優(yōu)選為電致發(fā)光(el)器件。式i或iii的化合物可用在有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)中作為主體用于磷光化合物、作為發(fā)射和/或電子傳輸材料。

式ii的化合物，其中r¹、r²和r³中的至少一個(gè)為式的基團(tuán)，可用作熒光發(fā)射體，特別是與主體材料結(jié)合。優(yōu)選式ii的化合物，其中r¹為基團(tuán)且r²和r³相互獨(dú)立地為c6-c24芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c24芳基。

u為0或1；v為0或1。

r²¹¹、r^211'、r²¹²和r^212’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基或c1-c18烷氧基。

r²¹³和r²¹⁴相互獨(dú)立地為h或c1-c18烷基。

x¹為n或ch，特別是ch。r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為h。

ar¹為-nr^25’r^26’、c6-c24芳基、被g取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基或被g取代的c2-c20雜芳基，優(yōu)選-nr^25'r^26’、其中r^25’和r^26'如上文所定義。

該類(lèi)化合物的實(shí)例為化合物b-26至b-32，如權(quán)利要求6中所示。

式ii的化合物

其中

r⁵、r⁶、r⁷和r⁸為h，

x¹為n或cr⁴，特別地為n、ch，非常特別地為ch，

r¹至r⁴相互獨(dú)立地為c6-c18芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c6-c18芳基、c2-c20雜芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c2-c20雜芳基；優(yōu)選作為熒光發(fā)射體的主體材料。

該類(lèi)化合物的實(shí)例為化合物a-1、b-1、b-2、b-9、b-34、b-35和b-36，如權(quán)利要求6中所示。

式ivb和vc的化合物，其中

x¹為n或cr⁴，特別地為n、ch，非常特別地為ch，

r¹至r⁴相互獨(dú)立地為c6-c24芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c2-c20雜芳基；

r²⁰⁶和r²⁰⁷相互獨(dú)立地為c6-c24芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c6-c24芳基、c2-c20雜芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基，特別是c1-c8烷基取代的c2-c20雜芳基、或cn；或者

r²⁰⁶和r²⁰⁷一起形成式的基團(tuán)，其中

r²⁰⁹和r²⁰⁸為h，

r^209’和r^208’相互獨(dú)立地為h、c1-c18烷基、被-o-間隔的c1-c18烷基、c1-c18烷氧基、c1-c18全氟烷基、c6-c24芳基、被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c6-c24芳基；c2-c20雜芳基或被c1-c18烷基或c1-c18烷氧基取代的c2-c20雜芳基；為電子應(yīng)用中合適的電子傳輸材料。該類(lèi)化合物可用在電子傳輸或注入層的oled中。在這種情況下，化合物可單獨(dú)使用或與摻雜劑一起使用。該類(lèi)化合物還可用作有機(jī)光電池的電子接受材料。

該類(lèi)化合物的實(shí)例為化合物g-1至g-5、h-1、h-2、k-1至k-8、l-1和l-2，如權(quán)利要求6中所示。

合適的摻雜劑為堿金屬鹵化物，如lif、naf、kf、csf、licl；堿金屬硫?qū)僭鼗?chalgonide)如li2o、k2o、cs2o、csco3、堿土硫?qū)僭鼗锶鏲ao、bao，如us2008/018237中所述。使用用li以1∶1的摩爾比摻雜的bphen的n-摻雜電子傳輸層的實(shí)例公開(kāi)在us6,337,102中。wo2009000237公開(kāi)了有機(jī)摻雜劑和該類(lèi)材料的用途。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，el器件包括陰極、陽(yáng)極和其間包含主體材料和磷光發(fā)光材料的發(fā)光層，其中主體材料為式i或iii的化合物。

在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，el器件包括陰極、陽(yáng)極和其間的電子傳輸材料，其中所述電子傳輸材料為或包括式i或iii的化合物。

在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，el器件包括陰極、陽(yáng)極和發(fā)射層，其中所述發(fā)射層由式i或iii的化合物組成，或包含式i或iii的化合物。

在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，el器件包括陰極、陽(yáng)極和其間包含式i或iii的材料的發(fā)光層，其中所述式i或iii的化合物用作熒光主體材料或熒光發(fā)射材料。

此外，本發(fā)明還涉及式i或iii的化合物在電子照相光感受器、光電轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能電池、圖像傳感器、染料激光器和電致發(fā)光器件中的用途。

合適地，oled器件的發(fā)光層包括主體材料和用于發(fā)射光的一種或多種客體材料。主體材料的一種可為式i或iii的化合物。發(fā)光客體材料通常以小于主體材料的量存在，且通常以主體的至多15重量％、更通常以主體的0.1-10重量％、和經(jīng)常以主體的2-8％的量存在。為了方便起見(jiàn)，磷光絡(luò)合物客體材料在本文中稱(chēng)為磷光材料。發(fā)射層可包含單一材料，其結(jié)合了傳輸和發(fā)射的性能。不論發(fā)射材料為摻雜劑或主要成分，發(fā)射層可包含其它材料，例如調(diào)和發(fā)射層發(fā)射的摻雜劑。發(fā)射層可包含多種能夠結(jié)合地發(fā)射所需光譜的發(fā)射材料。

用于磷光材料的其它主體材料

用于本發(fā)明的主體材料可單獨(dú)使用或與其它主體材料結(jié)合使用。應(yīng)該選擇其它主體材料使得三重激子可從主體材料有效地轉(zhuǎn)移至磷光材料。合適的主體材料描述在wo00/70655、01/39234、01/93642、02/074015、02/15645和us20020117662中。合適的主體包含某些芳基胺、三唑、吲哚和咔唑化合物。主體的實(shí)例為4，4'-n，n'-二咔唑-聯(lián)苯(cbp)、2，2’-二甲基-4，4'-n，n'-二咔唑-聯(lián)苯、m-(n，n'--二咔唑)苯和多(n-乙烯基咔唑)、包括它們的衍生物。

合意的主體材料能夠形成連續(xù)的膜。發(fā)光層可包含不止一種主體材料從而改進(jìn)器件的膜形態(tài)、電性能、發(fā)光效率和壽命。發(fā)光層可包含具有良好空穴傳輸性能的第一主體材料和具有良好電子傳輸性能的第二主體材料。磷光材料

磷光材料可單獨(dú)使用，或者在某些情況下，不論在相同還是在不同層中互相結(jié)合使用。磷光和相關(guān)材料的實(shí)例描述在wo00/57676、wo00/70655、wo01/41512、wo02/15645、us2003/0017361、wo01/93642、wo01/39234、us6,458,475、wo02/071813、us6,573,651、us2002/0197511、wo02/074015、us6,451,455、us2003/0072964、us2003/0068528、us6,413,656、6,515,298、6,451,415、6,097,147、us2003/0124381、us2003/0059646、us2003/0054198、ep1239526、ep1238981、ep1244155、us2002/0100906、us2003/0068526、us2003/0068535、jp2003073387、jp2003073388、us2003/0141809、us2003/0040627、jp2003059667、jp2003073665和us2002/0121638中。

irl3和irl2l'型的環(huán)金屬化ir(iii)絡(luò)合物如綠色發(fā)光fac-三(2-苯基吡啶-n，c^2')合銥(iii)(fac-tris(2-phenylpyridinato-n，c^2’)iridium(iii))和雙(2-苯基吡啶-n，c^2’)合銥(iii)(乙酰丙酮化物)的發(fā)射波長(zhǎng)可通過(guò)在環(huán)金屬化配體l上的合適位置處的給電子或吸電子基團(tuán)的取代或通過(guò)為環(huán)金屬化配體l選擇不同的雜環(huán)而移位。發(fā)射波長(zhǎng)還可通過(guò)選擇輔助配體l’而移位。紅色發(fā)射體的實(shí)例為雙(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-n，c^3’)合銥(el)(乙酰丙酮化物)和三(1-苯基異喹啉-n，c)合銥(iii)。藍(lán)色發(fā)光的實(shí)例為雙(2-(4，6-二氟苯基)-吡啶-n，c^2’)合銥(iii)(吡啶甲酸鹽)。

紅色電致發(fā)光已經(jīng)被報(bào)道，使用雙(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-n、c³)合銥(乙酰丙酮化物)[btp2ir(acac)]作為磷光材料(adachi，c.，lamansky，s.，baldo，m.a.，kwong，r.c.，thompson，m.e.，和forrest，s.r.，app.phys.lett.，78，16221624(2001)。

其它重要的磷光材料包括環(huán)金屬化pt(ii)絡(luò)合物，例如順式-雙(2-苯基吡啶-n，c^2’)合鉑(ii)、順式-雙(2-(2’-噻吩基)吡啶-n，c^3’)合鉑(ii)、順式-雙(2-(2’-噻吩基)喹啉-n，c^5’)合鉑(ii)或(2-(4，6-二氟基苯基)吡啶-nc2’)合鉑(ii)乙酰丙酮化物。pt(ii)卟啉絡(luò)合物例如2，3，7，8，12，13，17,18-八乙基-21h、23h-卟吩鉑(h)也是有用的磷光材料。

有用磷光材料的其它實(shí)例還包括三價(jià)鑭系元素的配位絡(luò)合物，例如th³⁺和eu³⁺(j.kido等，appl.phys.lett.，65，2124(1994))。

其它重要的磷光材料描述在wo06/000544和歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)no.07102949.0中。

磷光材料的實(shí)例為化合物a-1至b-234、b-1至b-234、c-1至c-44和d-1至d-234(它們描述在wo08/101842中)，和化合物a1-a144和b1-b144(它們描述在pct/ep2009/051109中)。

阻擋層

除了合適的主體外，使用磷光材料的oled器件經(jīng)常要求至少一個(gè)激子或空穴阻擋層以有助于把激子或電子-空穴復(fù)合中心限制在包含主體和磷光材料的發(fā)光層或降低電荷載體(電子或空穴)的數(shù)目。在一個(gè)實(shí)施方案中，將該類(lèi)阻擋層置于電子傳輸層和發(fā)光層之間。在該情況下，阻擋層的電離電勢(shì)應(yīng)該使得存在空穴遷移由主體至電子傳輸層的能壘，而電子親合勢(shì)應(yīng)該使得電子更易于由電子傳輸層進(jìn)入包含主體和磷光材料的發(fā)光層。進(jìn)一步需要，但并非絕對(duì)需要阻擋材料的三重態(tài)能量比磷光材料的大。合適的空穴阻擋材料描述在wo00/70655和wo01/93642中。有用的材料的兩個(gè)實(shí)例為浴銅靈(bcp)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基酚)合鋁(iii)(balq)。除balq外的金屬絡(luò)合物對(duì)于阻擋空穴和激子也是已知的，如us20030068528中所述。us20030175553描述了fac-三(1-苯基吡唑-n，c2)合銥(iii)(irppz)在電子/激子阻擋層中的用途。

本發(fā)明的實(shí)施方案可提供有利的特征，例如操作效率、較高的亮度、色調(diào)、低驅(qū)動(dòng)電壓和改進(jìn)的操作穩(wěn)定性?？捎迷诒景l(fā)明中的有機(jī)金屬化合物的實(shí)施方案可提供寬范圍的色調(diào)，包括用于白光發(fā)射(直接地或通過(guò)濾色片以提供多色顯示)的那些。

通常器件結(jié)構(gòu)

本發(fā)明的化合物可用在使用小分子材料、低聚物材料、聚合材料或其組合的很多oled器件結(jié)構(gòu)中。這些包括包含單一陽(yáng)極和陰極的非常簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)至更復(fù)雜器件，例如陽(yáng)極和陰極的正交陣列組成的以形成像素的被動(dòng)矩陣顯示器，和其中每個(gè)像素被獨(dú)立地，例如用薄膜晶體管(tfts)控制的主動(dòng)矩陣顯示器。

存在多種有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。oled的基本要求為陽(yáng)極、陰極和位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。可使用在下文更充分描述的另外的層。

特別地用于小分子器件的典型結(jié)構(gòu)由基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、任選地空穴-或激子-阻擋層、電子傳輸層和陰極組成。這些層在下文詳細(xì)描述。注意基底可替代地鄰近陰極或者基底可實(shí)際上構(gòu)成陽(yáng)極或陰極。陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層通常稱(chēng)為有機(jī)el元件。而且，有機(jī)層的總結(jié)合厚度合意地小于500納米。

式iia的化合物可用作發(fā)光層(發(fā)射層)中的主體。

式iia和iib的化合物可任選地與摻雜劑結(jié)合用在電子傳輸層中。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，器件以如下順序包括：玻璃基底、陽(yáng)極(氧化銦錫(ito))、空穴注入層(2-tnata(4，4′，4″-三(n-(萘-2-基)-n-苯基-氨基)三苯胺；用有機(jī)或無(wú)機(jī)摻雜劑摻雜的α-npd)、空穴傳輸層(4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(α-npd))、發(fā)射層(雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基酚合鋁(iii)(balq)、α-npd、化合物a-1、或用雙(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮化物)銥(iii)摻雜的化合物a-19、或銥(iii)雙-(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化物))、電子傳輸層(balq/alq3；alq3；a-1/alq3的化合物；1，3，5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)/化合物a-1；tpbi/alq3；化合物b-38；用cs2co3或有機(jī)摻雜劑摻雜的balq/bcp；用cs2co3或有機(jī)摻雜劑摻雜的balq/化合物a-1；用cs2co3或有機(jī)摻雜劑摻雜的balq/b-38的化合物；化合物b-1；化合物b-39；balq/b-1的化合物)，和陰極lif/al或cs2co3/al。p-摻雜劑的實(shí)例在例如k.walzer，b.maennig，m.pfeiffer，和k.leo，chem.rev.107(2007)1233-1271、ep1596445a1、wo2009/003455a1、de100357044、wo2008/058525、wo2008/138580、us20080171228和us2008/0265216中提及。合適的n-摻雜劑為堿金屬鹵化物如lif、naf、kf、csf、licl；堿金屬硫?qū)僭鼗锶鏻i2o、k2o；cs2o、cs2co3、堿土金屬硫?qū)僭鼗锶鏲ao、bao，如wo2008/018237中所述。使用用li以1∶1的摩爾比摻雜的bphen的n-摻雜電子傳輸層的實(shí)例公開(kāi)在us6,337,102中。wo2009000237公開(kāi)了有機(jī)摻雜劑和該類(lèi)材料的用途。

基底

基底可為透光的或不透明的，這取決于光發(fā)射預(yù)期的方向。透光性能是通過(guò)基底觀察el發(fā)射所需的。在該情況下通常使用透明玻璃或塑料?；卓蔀榘鄬硬牧系膹?fù)合結(jié)構(gòu)。這通常是對(duì)于主動(dòng)矩陣基底的情況，其中在oled層以下提供tfts。仍然必須的是基底，至少在發(fā)射像素化區(qū)域，由大量透明材料例如玻璃或聚合物組成。對(duì)于其中通過(guò)上電極觀察el發(fā)射的應(yīng)用而言，底部載體的透射特性并不重要，因此可為透光的、吸收光的或反射光的。用于這種情況的基底包括但不限于玻璃、塑料、半導(dǎo)體材料、硅、陶瓷和電路板材料。再一次地，基底可為例如在主動(dòng)矩陣tft設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的包括多層材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)。有必要在這些器件結(jié)構(gòu)中提供透光的上電極。

陽(yáng)極

當(dāng)通過(guò)陽(yáng)極觀察所需的電致發(fā)光(el)時(shí)，陽(yáng)極對(duì)于所關(guān)注的發(fā)射應(yīng)該為透明的或基本透明的?？捎糜诒景l(fā)明的通常的透明陽(yáng)極材料為氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)和氧化錫，但是可使用其它金屬氧化物，包括但不限于鋁摻雜的氧化鋅、氧化鎂銦和氧化鎳鎢。除了這些氧化物外，金屬氮化物如氮化鎵和金屬硒化物如硒化鋅以及金屬硫化物如硫化鋅也可用作陽(yáng)極。對(duì)于其中僅通過(guò)陰極觀察el發(fā)射的應(yīng)用而言，陽(yáng)極的透射特性并不重要，可使用任何導(dǎo)電材料，不論透明的、不透明的或反射的。用于該應(yīng)用的導(dǎo)體的實(shí)例包括但不限于金、銥、鉬、鈀和鉑。所需的陽(yáng)極材料通常通過(guò)任何合適的方式例如蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積或電化學(xué)方式進(jìn)行沉積?？墒褂靡阎墓饪坦に囋陉?yáng)極上形成圖案。任選地，可在施用其它層之前拋光陽(yáng)極以降低表面粗糙度從而使短路最小化或提高反射率。

陰極

當(dāng)僅通過(guò)陽(yáng)極觀察光發(fā)射時(shí)，用于本發(fā)明的陰極可由幾乎任何導(dǎo)電材料組成。所需的材料具有良好的成膜性以確保與位于其下的有機(jī)層的良好接觸、促進(jìn)電子在低電壓下的注入和具有良好的穩(wěn)定性。有用的陰極材料通常包括低功函的金屬(＜4.0ev)或金屬合金。一種有用的陰極材料由mg：ag合金組成，其中銀的百分比為1-20％的范圍，如us-a-4,885,221中所述。另一類(lèi)合適的陰極材料包括包含陰極和與有機(jī)層接觸的薄電子注入層(eil)(例如，電子傳輸層(etl))的雙層，其用導(dǎo)電金屬的較厚層覆蓋。此處，eil優(yōu)選地包括低功函金屬或金屬鹽，如果這樣，較厚的覆蓋層不需要具有低功函。一種該類(lèi)陰極為由lif的薄層、接著al的較厚層組成，如us-a-5,677,572中所述。用堿金屬摻雜的etl材料，例如li摻雜的alq為有用的eil的另一實(shí)例。其它有用的陰極材料組包括但不限于在us-a-5,059,861、5,059,862和6,140,763中公開(kāi)的那些。

當(dāng)通過(guò)陰極觀察光發(fā)射時(shí)，陰極必須為透明的或幾乎透明的。對(duì)于該類(lèi)應(yīng)用，金屬必須為薄的或者必須使用透明的導(dǎo)電氧化物，或者這些材料的組合。光學(xué)透明的陰極已經(jīng)更詳細(xì)地描述在us-a-4,885,211、5,247,190、jp3,234,963、u.s.專(zhuān)利nos.5,703,436、5,608,287、5,837,391、5,677,572、5,776,622、5,776,623、5,714,838、5,969,474、5,739,545、5,981,306、6,137,223、6,140,763、6,172,459、ep1076368、us-a-6,278,236和6,284,3936中。陰極材料通常通過(guò)任何合適的方法如蒸發(fā)、濺射或化學(xué)氣相沉積進(jìn)行沉積。當(dāng)需要時(shí)，可通過(guò)很多已知的方法獲得圖案結(jié)構(gòu)，這些方法包括但不限于掩膜沉積、如us-a-5,276,380和ep0732868中所述的整體陰影掩模、激光燒蝕和選擇性化學(xué)氣相沉積。

空穴注入層(hil)

可在陽(yáng)極和空穴傳輸層之間提供空穴注入層?？昭ㄗ⑷氩牧峡捎糜诟倪M(jìn)后續(xù)有機(jī)層的成膜性并有助于空穴注入至空穴傳輸層中。用在空穴注入層中的合適的材料包括但不限于如us-a-4,720,432中所述的卟啉化合物、如us-a-6,208,075中所述的等離子體沉積碳氟聚合物、和一些芳族胺如m-mtdata(4，4’，4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯基胺)或2-tnata(4，4′，4″-三(n-(萘-2-基)-n-苯基-氨基)三苯基胺)。據(jù)報(bào)道可用于有機(jī)el器件中的可替代的空穴注入材料在ep0891121和ep1029909中加以描述。

空穴傳輸層(htl)

有機(jī)el器件的空穴傳輸層包含至少一種空穴傳輸化合物如芳族叔胺，其中所述芳族叔胺應(yīng)理解為包含至少一個(gè)僅鍵合至碳原子的三價(jià)氮原子的化合物，所述碳原子的至少一個(gè)為芳族環(huán)成員。在一個(gè)形式中，芳族叔胺可為芳基胺如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或聚合芳基胺。示例性的單體三芳基胺示于us-a-3,180,730中。其它合適的用一個(gè)或多個(gè)乙烯基取代的三芳基胺和/或包含至少一個(gè)含活性氫基團(tuán)的三芳基胺公開(kāi)在us-a-3,567,450和3,658,520中。

更優(yōu)選的一類(lèi)芳族叔胺為包含至少兩個(gè)芳族叔胺結(jié)構(gòu)部分的那些，如us-a-4,720,432和5,061,569中所述。該類(lèi)化合物包括由結(jié)構(gòu)式表示的那些，其中q¹和q²獨(dú)立地選自芳族叔胺結(jié)構(gòu)部分，g為碳-碳鍵的連接基團(tuán)如亞芳基、亞環(huán)烷基或亞烷基。在一個(gè)實(shí)施方案中，q¹或q²的至少一個(gè)包含多環(huán)稠環(huán)結(jié)構(gòu)如萘。當(dāng)g為芳基時(shí)，其通常為亞苯基、亞聯(lián)苯基或萘結(jié)構(gòu)部分。

有用的一類(lèi)滿足結(jié)構(gòu)式(a)并包含兩個(gè)三芳基胺結(jié)構(gòu)部分的三芳基胺由結(jié)構(gòu)式良示，其中q³和q⁴相互獨(dú)立地表示氫原子、芳基或烷基或o³和q⁴一起表示完成環(huán)烷基的原子；且q⁵和q⁶相互獨(dú)立地表示芳基，其又被氨基取代的二芳基取代，如由結(jié)構(gòu)式所示，其中q⁷和q⁸獨(dú)立地選自芳基。在一個(gè)實(shí)施方案中，q⁷或q⁸的至少一個(gè)包含多環(huán)稠環(huán)結(jié)構(gòu)，例如萘。

其它類(lèi)的芳族叔胺為四芳基二胺。合意的四芳基二胺包括兩個(gè)二芳基氨基，例如由式i所示，通過(guò)亞芳基連接。有用的四芳基二胺包括由式表示的那些，其中每個(gè)are獨(dú)立地選自亞芳基，例如亞苯基或亞蒽基結(jié)構(gòu)部分，y為1-4的整數(shù)，和ar、q⁹、q¹⁰和q¹¹獨(dú)立地選自芳基。在一個(gè)典型的實(shí)施方案中，ar、q⁹、q¹⁰和q¹¹的至少一個(gè)為多環(huán)稠環(huán)結(jié)構(gòu)，例如萘。前述結(jié)構(gòu)式(a)、(b)、(c)、(d)的各個(gè)烷基、亞烷基、芳基和亞芳基結(jié)構(gòu)部分可各自又被取代。通常的取代基包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和鹵素如氟、氯和溴。各種烷基和亞烷基結(jié)構(gòu)部分通常包含約1-6個(gè)碳原子。環(huán)烷基結(jié)構(gòu)部分可包含3至約10個(gè)碳原子，但是通常包含5、6或7元環(huán)碳原子，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基環(huán)結(jié)構(gòu)。芳基和亞芳基結(jié)構(gòu)部分通常為苯基和亞苯基結(jié)構(gòu)部分。

空穴傳輸層可由單個(gè)芳族叔胺化合物或芳族叔胺化合物的混合物形成。特別地，可使用三芳基胺如滿足式(b)的三芳基胺與如由式(d)所示的四芳基二胺結(jié)合。當(dāng)三芳基胺與四芳基二胺結(jié)合使用時(shí)，后者位于介于三芳基胺和電子注入和傳輸層之間的層。有用的芳族叔胺如下所示：1，1-雙(4-二-對(duì)甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷、1，1-雙(4-二-對(duì)甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、n，n，n’，n’-四苯基-4，4”’-二氨基-1，1’：4’，1”：4”、1”’-四聯(lián)苯雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、1，4-雙[2-[4-[n，n-二(對(duì)甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(bdtapvb)、n，n，n’，n’-四-對(duì)甲苯基-4，4'-二氨基聯(lián)苯、n，n，n’，n’-四苯基-4，4'-二氨基聯(lián)苯、n，n，n’，n’-四-1-萘基-4，4'-二氨基聯(lián)苯、n，n，n’，n’-四-2-萘基-4，4'-二氨基聯(lián)苯、n-苯基咔唑、4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(α-npd)、4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-(2-萘基)氨基]聯(lián)苯(tnb)、4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]對(duì)三聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(3-苊基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、1，5-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]萘、4，4’-雙[n-(9-蒽基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(1-蒽基)-n-苯基氨基]-p-三聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(2-菲基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(8-氟呫噸基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(2-芘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(2-并四苯基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(2-苝基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[n-(1-蔻基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯、2，6-雙(二-對(duì)甲苯基氨基)萘、2，6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6-雙[n-(1-萘基)-n-(2-萘基)氨基]萘、n，n，n’，n’-四(2-萘基)-4，4”-二氨基-p-三聯(lián)苯、4，4’-雙{n-苯基-n-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}聯(lián)苯、2，6-雙[n，n-二(2-萘基)氨基]氟、4，4’，4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯基胺(mtdata)，和4，4’-雙[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(tpd)。空穴傳輸層可用于增強(qiáng)導(dǎo)電性。α-npd和tpd為內(nèi)空穴傳輸層的實(shí)例。p-摻雜空穴傳輸層的實(shí)例為用f4-tcnq以50∶1的摩爾比摻雜的m-mtdata，如us6,337,102或de10058578中所公開(kāi)。

另一類(lèi)有用的空穴傳輸材料包括如ep1009041中所述的多環(huán)芳族化合物?？墒褂镁哂卸嘤趦蓚€(gè)胺基的芳族叔胺，包括低聚物材料。此外，可使用聚合物空穴傳輸材料如聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺，和共聚物如又稱(chēng)為pedot/pss的聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)。

熒光發(fā)光材料和層(lel)

除了磷光材料，其它發(fā)光材料也可用于oled器件中，包括熒光材料。式i和iii的化合物可用作熒光發(fā)光材料。雖然術(shù)語(yǔ)“熒光”通常用于形容任何發(fā)光材料，但在這種情況下其是指由單重激發(fā)態(tài)發(fā)光的材料。熒光材料可用在相同層中、相鄰層中、相鄰像素中或任意組合中作為磷光材料。必須注意不要選擇會(huì)不利地影響磷光材料性能的材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是必須適當(dāng)設(shè)置在相同層或在相鄰層中作為磷光材料的材料的三重激發(fā)態(tài)能量以防止不需要的淬滅。如在us-a-4,769,292和5,935,721中更充分描述的，有機(jī)el元件的發(fā)光層(lel)包括發(fā)光熒光或磷光材料，其中由于在該區(qū)域中電子-空穴對(duì)的重組而產(chǎn)生電致發(fā)光。發(fā)光層可以由單一材料組成，但更通常地由用客體發(fā)射材料摻雜的主體材料組成，其中光發(fā)射主要來(lái)自發(fā)光材料且可為任何顏色。發(fā)光層中的主體材料可為如下文所定義的電子傳輸材料、如上文所定義的空穴傳輸材料或支持空穴-電子重組的另一種材料或材料的組合。熒光發(fā)射材料通常以主體材料的0.01-10重量％引入。主體和發(fā)射材料可為小的非聚合分子或聚合材料如聚芴和聚乙烯亞芳基(例如聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)、ppv)。在聚合物的情況下，小分子發(fā)射材料可分子分散至聚合物主體中，或者發(fā)射材料可通過(guò)將少量成分共聚至主體聚合物而加入。主體材料可混合在一起以改進(jìn)膜形成、電性能、光發(fā)射效率、壽命或可制造性。主體可包含具有良好空穴傳輸性能的材料和具有良好電子傳輸性能的材料。

已知的有用的主體和發(fā)射材料包括但不限于在us-a-4,768,292、5,141,671、5,150,006、5,151,629、5,405,709、5,484,922、5,593,788、5,645,948、5,683,823、5,755,999、5,928,802、5,935,720、5,935,721和6,020,078中公開(kāi)的那些。

8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物及類(lèi)似的衍生物(式e)構(gòu)成一類(lèi)有用的主體化合物，其能夠支持電致發(fā)光并特別適合波長(zhǎng)長(zhǎng)于500納米(例如綠色、黃色、橙色和紅色)的光發(fā)射。

其中m表示金屬；v為1-4的整數(shù)；且zz在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地表示完成具有至少兩個(gè)稠合芳族環(huán)的核的原子。由前述顯而易見(jiàn)的是金屬可為單價(jià)、二價(jià)、三價(jià)或四價(jià)金屬。金屬可例如為堿金屬如鋰、鈉或鉀；堿土金屬如鎂或鈣；土金屬如鋁或鎵或過(guò)渡金屬如鋅或鋯。通常可使用已知為有用的螯合金屬的任何單價(jià)、二價(jià)、三價(jià)或四價(jià)金屬。zz完成包含至少兩個(gè)稠合芳族環(huán)的雜環(huán)核，其中至少一個(gè)為吡咯或吖嗪環(huán)。另外的環(huán)，包括脂族環(huán)和芳族環(huán)，如果需要，均可用兩個(gè)所需的環(huán)進(jìn)行稠合。為避免加入分子主體(molecularbulk)而不能改進(jìn)官能性，環(huán)原子的數(shù)目通常保持在18或更少。

有用的螯合喔星化物(oxinoid)化合物的示例如下：

co-1：三喔星化鋁[別名，三(8-羥基喹啉)合鋁(iii)]

co-2：雙喔星化鎂[別名，雙(8-羥基喹啉)合鎂(ii)]

co-3：雙[苯并{f}-8-羥基喹啉]合鋅(ii)

co-4：雙(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(iii)-μ-氧代-雙(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(iii)

co-5：三喔星化銦[別名，三(8-羥基喹啉)合銦]

co-6：三(5-甲基喔星)化鋁[別名，三(5-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(iii)]

co-7：喔星化鋰[別名，(8-羥基喹啉)合鋰(i)]

co-8：喔星化鎵[別名，三(8-羥基喹啉)合鎵(iii)]

co-9：喔星化鋯[別名，四(8-羥基喹啉)合鋯(iv)]

有用的熒光發(fā)射材料包括但不限于蒽、并四苯、呫噸、苝、紅熒烯、香豆素、若丹明和喹吖酮的衍生物、二氰基亞甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲炔化合物、吡喃和噻喃化合物、芴衍生物、perifianthene衍生物、茚并苝衍生物、雙(吖嗪基)胺硼化合物、雙(吖嗪基)甲烷化合物和喹諾酮化合物。有用的材料的示例性實(shí)例包括但不限于如us7,090,930b2中所述的化合物l1至l52。

電子傳輸層(etl)

優(yōu)選的用于形成本發(fā)明的有機(jī)el器件的電子傳輸層的薄膜形成材料為金屬螯合喔星化物化合物，包括喔星的螯合物本身(通常也稱(chēng)為8-喹啉醇或8-羥基喹啉)。該類(lèi)化合物有助于注入和傳輸電子，并表現(xiàn)出高水平的性能和易于制成薄膜的形式。預(yù)期的喔星化物化合物的示例為如前所述滿足結(jié)構(gòu)式(e)的那些。其它電子傳輸材料包括如在us4,356,429中所公開(kāi)的各種丁二烯衍生物和如在us4,539,507中所述的各種雜環(huán)熒光增白劑。滿足結(jié)構(gòu)式(g)的吲哚也是有用的電子傳輸材料。三嗪也是已知的可用作電子傳輸材料。摻雜可用于增強(qiáng)導(dǎo)電性。alq3為固有電子傳輸層的實(shí)例。n-摻雜電子傳輸層的實(shí)例為用li以1∶1的摩爾比摻雜的bphen，如us6,337,102中所述。

有機(jī)層的沉積

上文提及的有機(jī)材料合適地通過(guò)任何適于形成有機(jī)材料的方式進(jìn)行沉積。在小分子的情況下，它們通常通過(guò)熱蒸發(fā)進(jìn)行沉積，但是也可通過(guò)其它方式，例如由具有任選的粘合劑的溶劑進(jìn)行沉積以改進(jìn)膜形成。如果材料為可溶的或以低聚物/聚合物形式，通常優(yōu)選溶液處理如旋涂、噴墨印刷。樹(shù)枝狀取代基可用于增強(qiáng)小分子進(jìn)行溶液加工的能力。圖案沉積可通過(guò)使用陰影掩模、整體陰影掩模(us5,294,870)、由供體片材的空間限定熱染料轉(zhuǎn)移(us5,688,551、5,851,709和6,066,357)和噴墨法(us6,066,357)而獲得。密封

大部分oled器件對(duì)于濕氣或氧氣或兩者是敏感的，因此，它們通常被密封在惰性氣氛如氮?dú)饣驓鍤庵?，并與干燥劑如氧化鋁、鋁土礦、硫酸鈣、粘土、硅膠、沸石、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、硫酸鹽或金屬鹵化物和高氯酸鹽一起。密封和干燥的方法包括但不限于在us6,226,890中描述的那些。此外，隔離層例如siox、teflon和可替代的無(wú)機(jī)/聚合物層在本領(lǐng)域中公知用于密封。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案制得的器件可引入廣泛的消費(fèi)品中，這些消費(fèi)品包括平板顯示器、電腦顯示器、電視、廣告牌、內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號(hào)用發(fā)光體、全透明顯示器、撓性顯示器、激光打印機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)碼助理(pdas)、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、取景器、微型顯示器、車(chē)輛、戲院或運(yùn)動(dòng)場(chǎng)屏幕或招牌。各種控制機(jī)理可用于控制根據(jù)本發(fā)明制得的器件，包括被動(dòng)矩陣和主動(dòng)矩陣。

本發(fā)明的各個(gè)特征和方面在隨后的實(shí)施例中進(jìn)一步加以說(shuō)明。盡管呈現(xiàn)這些實(shí)施例以向本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員顯示如何在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行操作，但是這些實(shí)施例不用于限制本發(fā)明的范圍，該范圍僅由權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行限定。除非在以下實(shí)施例以及在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中另外指出，所有份數(shù)和百分比均以重量計(jì)，溫度為以攝氏度計(jì)和壓力為處于大氣壓或接近大氣壓。

實(shí)施例

實(shí)施例1

根據(jù)chemistryofheterocycliccompounds43(2007)665制備產(chǎn)物：向5.00克(31.6毫摩爾)萘-1，8-二胺和16.3克(158毫摩爾)芐腈中加入50克多磷酸。將反應(yīng)混合物在180℃下在氮?dú)庀录訜?8小時(shí)。除去熱浴并加入50毫升乙醇。將反應(yīng)混合物倒入水中，并用氨水溶液中和。過(guò)濾產(chǎn)物，并用水和水/乙醇(1/1)洗滌。將產(chǎn)物溶解在甲苯中，并在硅膠上過(guò)濾。在真空下除去溶劑，用乙酸乙酯對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行索格利特提取(產(chǎn)率：1.26克(9.2％))。熔點(diǎn)：295.0-296.0℃。

實(shí)施例2

a)將10.0克(63.2毫摩爾)萘-1，8--二胺、12.9克(69.5毫摩爾)4-溴-苯甲醛和13.2克(69.5毫摩爾)焦亞硫酸鈉溶解在150毫升乙醇中。在氮?dú)庀禄亓鞣磻?yīng)混合物3小時(shí)，并冷卻至25℃。過(guò)濾產(chǎn)物并用水和乙醇洗滌(產(chǎn)率：14.4克(71％))。

b)將實(shí)施例2a的1.00克(3.09毫摩爾)產(chǎn)物和0.710克(3.40毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入10克多磷酸和5毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀略?0℃下攪拌6小時(shí)。加入20毫升乙醇和30毫升水。將懸浮液倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物并用水、乙醇、再次水洗滌(產(chǎn)率：0.66克(42％))。

c)將實(shí)施例2b的3.00克(5.86毫摩爾)產(chǎn)物、1.41克(6.45毫摩爾)萘-1-基-苯基-胺和620毫克(6.45毫摩爾)叔丁醇鈉溶解在80毫升甲苯中。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入66毫克(0.29毫摩爾)乙酸鈀(ii)。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入119毫克(0.59毫摩爾)三叔丁基膦。將反應(yīng)混合物用氬氣進(jìn)行脫氣，在氬氣下在90℃下攪拌3小時(shí)，然后冷卻至25℃，并用1％氰化鈉水溶液洗滌。分離有機(jī)相，并除去溶劑。在硅膠上的柱層析法(甲苯/己烷3/7)得到產(chǎn)物(產(chǎn)率：870毫克(23％))。熔點(diǎn)：309.5℃。

實(shí)施例3

a)將50毫升乙醇加入3.60克(22.8毫摩爾)萘-1，8-二胺、2.66克(25.0毫摩爾)苯甲醛和4.76克(25.0毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。回流反應(yīng)混合物2.5小時(shí)。過(guò)濾產(chǎn)物并用乙醇和水洗滌(產(chǎn)率：89％)。

b)將20克多磷酸和10毫升甲苯加入實(shí)施例1a的2.00克(8.19毫摩爾)產(chǎn)物和1.88克(9.01毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮中。在氮?dú)庀略?0℃下攪拌反應(yīng)混合物為18小時(shí)。除去加入浴并加入60毫升水。將懸浮液倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物，并用乙醇洗滌，并乙酸乙酯進(jìn)行索格利特提取(產(chǎn)率：1.10克(31％))。熔點(diǎn)：273.0-274.5℃。

實(shí)施例4

將20克多磷酸加入2.00克(6.19毫摩爾)實(shí)施例2a的產(chǎn)物和2.55克(24.8毫摩爾)芐腈中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀略?80℃下攪拌17小時(shí)。除去熱浴，并加入20毫升乙醇和30毫升水。將懸浮液倒入水中，用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物，用水、乙醇、再次水洗滌，并用乙酸乙酯進(jìn)行索格利特提取(產(chǎn)率：1.83克(58％))。

實(shí)施例5

a)將100毫升乙醇加入20.0克(126毫摩爾)萘-1，8-二胺、21.7克(139毫摩爾)萘-1-甲醛(carbaldehyde)和26.4克(139毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。使反應(yīng)混合物在氮?dú)庀禄亓?小時(shí)。過(guò)濾產(chǎn)物并用乙醇和水洗滌(產(chǎn)率：25.6克(69％))。在下一反應(yīng)步驟中使用產(chǎn)物而無(wú)進(jìn)一步的提純。

b)將2克(6.79毫摩爾)實(shí)施例5a的產(chǎn)物、1.56克(7.47毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入20克多磷酸和3毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在100℃下加熱57小時(shí)并倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物、用水和乙醇洗滌、用乙酸乙酯煮兩次、用乙酸乙酯進(jìn)行索格利特提取、在硅膠上用甲苯過(guò)濾并用乙醚煮(產(chǎn)率：830毫克(25％))。熔點(diǎn)：260-261℃。

實(shí)施例6

a)將300毫升乙醇加入9.00克(56.9毫摩爾)萘-1，8-二胺、11.6克(62.6毫摩爾)3-溴-苯甲醛和11.9克(62.6毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。在氮?dú)庀禄亓鞣磻?yīng)混合物14小時(shí)并進(jìn)行熱過(guò)濾。用乙醇洗滌固體。收集乙醇相。對(duì)乙醇進(jìn)行部分蒸掉并將乙醇溶液倒入水中。過(guò)濾產(chǎn)物并用水洗滌。在下一反應(yīng)步驟中使用產(chǎn)物而無(wú)進(jìn)一步的提純(產(chǎn)率：17.0克(93％))。

b)將5克(15.5毫摩爾)實(shí)施例6a的產(chǎn)物、3.54克(17.0毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入50克多磷酸和2毫升甲苯的混合物中。在氮?dú)庀略?00℃下加熱反應(yīng)混合物22小時(shí)并倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物、用水和乙醇洗滌并用乙醇煮。產(chǎn)率3.82克(48％)。

c)將2.00克(39.1毫摩爾)實(shí)施例6b的產(chǎn)物、1.15克(4.69毫摩爾)1-比醇硼酸和2.84克(11.7毫摩爾)磷酸鉀單水合物用氬氣進(jìn)行脫氣。加入10毫升1，4-二烷、40毫升甲苯和8毫升。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入96毫克(0.24毫摩爾)2-二環(huán)己基膦基-2’，6’-二甲氧基聯(lián)苯(sphos)和8.8毫克(0.039毫摩爾)乙酸鈀(ii)，在氬氣下加熱反應(yīng)混合物4小時(shí)。蒸餾溶劑、過(guò)濾產(chǎn)物并用水和乙醇洗滌。在硅膠上的柱層析法(甲苯/環(huán)己烷7/3)得到產(chǎn)物，用乙醚煮產(chǎn)物(產(chǎn)率：820毫克(33％))。熔點(diǎn)：240℃。

實(shí)施例7

a)將50毫升乙醇加入5.00克(31.6毫摩爾)萘-1，8-二胺、3.72克(34.8毫摩爾)吡啶-4-甲醛和6.61克(34.8毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀禄亓?7小時(shí)，并進(jìn)行熱過(guò)濾。用乙醇洗滌固體。收集乙醇相。部分蒸掉乙醇并將乙醇溶液倒入水中。過(guò)濾產(chǎn)物、用水洗滌，且在下一反應(yīng)步驟中無(wú)提純地使用產(chǎn)物(產(chǎn)率：7.33克(95％))。

b)將5克(20.4毫摩爾)實(shí)施例8a的產(chǎn)物、4.67克(22.4毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入50克多磷酸和3毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀录訜嶂?00℃達(dá)26小時(shí)然后倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物并用水、乙醇、再次水洗滌。在硅膠上的柱層析法(甲苯/乙酸乙酯)得到產(chǎn)物，用乙醚對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行索格利特提取(產(chǎn)率：2.00克(23％))。熔點(diǎn)280-284℃。

實(shí)施例8

a)將5.00克(31.6毫摩爾)萘-1，8-二胺、24.0克(126毫摩爾)焦亞硫酸鈉和2.99克(14.2毫摩爾)聯(lián)苯-4，4'-二甲醛在80毫升乙醇中的混合物在氮?dú)庀禄亓?2小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至25℃、過(guò)濾產(chǎn)物、用水和乙醇洗滌，且在下一反應(yīng)步驟中無(wú)進(jìn)一步提純地使用產(chǎn)物(產(chǎn)率：6.90克(100％))。

b)將1.50克(3.08毫摩爾)實(shí)施例9a的產(chǎn)物、2.89克(13.9毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入20克多磷酸和5毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀录訜嶂?00℃達(dá)94小時(shí)，然后倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物，用水、乙醇、再次水洗滌，并用丁-2-酮煮。在硅膠上柱層析法(甲苯/乙酸乙酯100/1)得到產(chǎn)物(產(chǎn)率：230毫克(9％))。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝8.94(d、j＝8.4hz、4h)，8.66(d，j＝9.4hz、4h)，8.31(d，j＝9.4hz、4h)，8.08(s，2h)，7.92(d，8.5hz，4h)，7.48-7.65ppm(m，20h)。

實(shí)施例9

a)將3.50克(14.3毫摩爾)實(shí)施例3a的產(chǎn)物和6.29克(17.2毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入35克多磷酸和5毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀略?00℃下加熱45小時(shí)，然后倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物、用水、乙醇、再次水洗滌，并用氯仿進(jìn)行索格利特提取。將乙醚加入氯仿層中，過(guò)濾產(chǎn)物(產(chǎn)率：2.75克(33％))。

b)將2.00克(3.39毫摩爾)實(shí)施例9a的產(chǎn)物、1.63克(7.45毫摩爾)萘-1-基-苯基-胺和980毫克(10.2毫摩爾)叔丁醇鈉溶解在50毫升甲苯中。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入38毫克(0.17毫摩爾)乙酸鈀(ii)。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入69毫克(0.34毫摩爾)三叔丁基膦。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣，并在氬氣下在100℃下攪拌28小時(shí)。過(guò)濾產(chǎn)物并用甲苯、乙醇、水和再次乙醇洗滌(產(chǎn)率：2.65克(90％))。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝8.84(d，j＝6.7hz，2h)，8.78(d，j＝9.4hz，2h)，8.27(d，j＝.3hz，2h)，8.12(s，ih)，8.07(d，j＝8.4hz，2h)，7.96(d，j＝7.9hz，2h)，7.86(d，j＝8.1hz，2h)，7.44-7.68(m，15h)，6.90-7.37ppm(m，16h)。

實(shí)施例10

a)將10.0克(63.2毫摩爾)萘-1，8-二胺、361克(190毫摩爾)焦亞硫酸鈉和3.82克(28.5毫摩爾)苯-1,4-二甲醛在120毫升乙醇中的混合物在氮?dú)庀禄亓?2小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至25℃、過(guò)濾產(chǎn)物、用乙醇、水和乙醇洗滌。用乙醇進(jìn)行索格利特提取得到產(chǎn)物(產(chǎn)率6.90克(100％))。

b)將5.70克(13.9毫摩爾)實(shí)施例9a的產(chǎn)物和13.0克(62.5毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入60克多磷酸和5毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀略?00℃下加熱47小時(shí)，然后倒入水中。過(guò)濾產(chǎn)物并用水和乙醇洗滌。用氨水溶液中和產(chǎn)物在水中的懸浮液。過(guò)濾產(chǎn)物、用水、乙醇、再次水洗滌，并用丁-2-酮煮。在硅膠上的柱層析法(甲苯/乙酸乙酯100/1)得到產(chǎn)物(產(chǎn)率：230毫克(8％))。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝9.10(s，4h)，8.72(d，2h，j＝9.5hz，4h)，8.34(d，j＝9.5hz，4h)，8.15(s，2h)，7.53-7.78ppm(m，24h)。

實(shí)施例11

a)將5.00克(11.6毫摩爾)實(shí)施例3b的產(chǎn)物、550毫克(2.66毫摩爾)氯化釕(iii)水合物(～41％ru)、20.3克(94.9毫摩爾)高碘酸鈉在50毫升二氯甲烷、50毫升乙腈和60毫升水中的混合物在氮?dú)庀略?0℃下攪拌15小時(shí)。將反應(yīng)混合物倒入水中。過(guò)濾產(chǎn)物、用水和乙醇洗滌、在hyflo上用氯仿過(guò)濾，且在下一反應(yīng)步驟中使用產(chǎn)物而無(wú)進(jìn)一步的提純(產(chǎn)率2.70克(48％))。

b)將2.70克(5.48毫摩爾)實(shí)施例11a的產(chǎn)物和1.42克(13.2毫摩爾)苯-1，2-二胺溶解在15毫升氯仿和30毫升乙醇中。加入5滴硫酸(97％)。將反應(yīng)混合物回流16小時(shí)，并冷卻至25℃。過(guò)濾產(chǎn)物、用乙醇、水、再次乙醇洗滌。在硅膠上用二氯甲烷的柱層析法得到產(chǎn)率為10％的產(chǎn)物。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：6＝8.63-8.67(m，2h)，8.42(d，j＝9.4hz，1h)，8.05(d，j＝9.4hz，ih)，7.77(s，1h)，7.42-7.60ppm(m，17h)。

實(shí)施例12)

重復(fù)實(shí)施例11，不同的是在第一反應(yīng)步驟中使用更多的氧化劑和更長(zhǎng)的反應(yīng)時(shí)間。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝9.13(d，j＝6.9hz，2)，8.53(d，j＝8.4hz，2h)，8.03(s，1h)，7.84(dd，j＝8.4hz，j＝1.4hz，2h)，7.76(dd，j＝8.4hz，j＝1.3hz，2h)，7.72-7.43(m，13h)，7.35ppm(d，j＝8.6hz，2h)。

實(shí)施例13

a)將100毫升乙醇加入10.0克(63.2毫摩爾)萘-1，8-二胺、3.34克(75.9毫摩爾)乙醛和24.0克(126毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀略?0℃下攪拌4小時(shí)(油浴)，然后倒入水中。用二氯甲烷提取水相。用硫酸鎂干燥有機(jī)相，并在真空下除去溶劑(產(chǎn)率：6.55克(57％))。

b)將4.00克(22.0毫摩爾)實(shí)施例13a的產(chǎn)物、5.03克(24.2毫摩爾)(e)-1，3-二苯基-丙烯酮加入40克多磷酸(ppa)和3毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀录訜嶂?00℃達(dá)31小時(shí)，然后倒入水中。過(guò)濾產(chǎn)物并用水、乙醇、再次水洗滌。將產(chǎn)物在水中的懸浮液用氨水溶液進(jìn)行中和。過(guò)濾產(chǎn)物并用乙醇洗滌(產(chǎn)率：2.12克(26％))。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝8.70(d，j＝9.4hz，2h)，8.18(d，j＝9.4hz，2h)，8.15(s，1h)，7.52-7.71(m，10h)，3.20(s，3h)。

實(shí)施例14

a)將100毫升乙醇加入7.00克(44.3毫摩爾)萘-1，8-二胺、7.60克(48.7毫摩爾)萘-2-甲醛和9.25克(48.7毫摩爾)焦亞硫酸鈉中。將反應(yīng)在氮?dú)庀禄亓?7小時(shí)。過(guò)濾產(chǎn)物，并用乙醇和水洗滌(產(chǎn)率：7.27克(56％))。在下一反應(yīng)步驟中使用產(chǎn)物而無(wú)進(jìn)一步的提純。

b)將5克(17.0毫摩爾)實(shí)施例14a的產(chǎn)物、6.29克(20.4毫摩爾)(e)-1，3-二-萘-2-基-丙烯酮加入50克多磷酸和2毫升甲苯的混合物中。將反應(yīng)混合物在氮?dú)庀录訜嶂?00℃達(dá)28小時(shí)，然后倒入水中。用氨水溶液中和水相。過(guò)濾產(chǎn)物并用水、乙醇、再次水洗滌。用乙酸乙酯和含甲苯的水進(jìn)行索格利特提取從而得到產(chǎn)物，用乙酸乙酯煮產(chǎn)物(產(chǎn)率：2.16克(22％))。熔點(diǎn)：267-270℃。

實(shí)施例15

將2.94克(18毫摩爾)萘-1.8-二胺和9.40克(63毫摩爾)4-(二甲基氨基)-芐腈攪拌至100克含83％五氧化二磷的多磷酸中。將反應(yīng)混合物加熱至180℃，并在該溫度下保持3小時(shí)。在冷卻至90℃之后，將反應(yīng)物質(zhì)倒入2.5升冰/水混合物中并強(qiáng)烈攪拌3小時(shí)。過(guò)濾沉淀物并將其在200毫升水中調(diào)成漿，用稀釋的含水氫氧化鈉將懸浮液中和至ph7、攪拌2小時(shí)并進(jìn)行過(guò)濾。在減壓下，在15小時(shí)的過(guò)程中在50℃下干燥濾餅。在5小時(shí)的過(guò)程中，用150毫升乙酸乙酯對(duì)良好研磨的粉末進(jìn)行索格利特提取。將提取物在略微降低的壓力下在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上濃縮至60毫升體積，并在室溫下保持18小時(shí)。通過(guò)過(guò)濾分離產(chǎn)物，將其再次溶解在300毫升煮沸的乙酸乙酯中，在略微降低的壓力下在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上濃縮至30毫升體積，并在室溫下保持24小時(shí)。通過(guò)過(guò)濾分離最終產(chǎn)物(產(chǎn)率：0.39克(4％))。

元素組成：76.28％c5.95％h13.50％n

計(jì)算的c37h34n6xh2o：76.53％c6.25％h14.47％n

計(jì)算的c37h34n6：78.98％c6.09％h14.93％n

實(shí)施例16

將3.00克(5.87毫摩爾)實(shí)施例2b的產(chǎn)物、2.12克(5.57毫摩爾)4，4，5，5-四甲基-2-(10-苯基-蒽-9-基)-1，3，2-二氧硼戊環(huán)和2.84克(11.7毫摩爾)磷酸鉀單水合物用氬氣進(jìn)行脫氣。加入200毫升1，4-二烷、50毫升甲苯和10毫升水。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣。加入145毫克(0.35毫摩爾)2-二環(huán)己基膦基-2’，6'-二甲氧基聯(lián)苯(sphos)和13毫克(0.059毫摩爾)乙酸鈀(ii)。用氬氣對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行脫氣，并在氬氣下在100℃下加熱4小時(shí)。類(lèi)似于實(shí)施例6c進(jìn)行后處理(產(chǎn)率：1.47克；(17％))。

¹hnmr(300mhz，cdcl3)：δ＝9.06(d，j＝8.3hz，2h)，8.76(d，j＝9.4hz，2h)，8.37(d，j＝9.4hz，2h)，8.19(s，1h)，7.52-7.90(m，21h)，7.34-7.40(m，4h)。

實(shí)施例17

產(chǎn)品制備類(lèi)似于實(shí)施例6c。

¹hnmr(300mhz，cdcl3，δ)：8.92(d，j＝9.4hz，2h)，8.87(d，j＝8.4hz，2h)，7.71(d，j＝9.4hz，2h)，7.48-7.40(m，22h)。

應(yīng)用實(shí)施例1

在高真空(＜10^-6毫巴)下通過(guò)熱蒸發(fā)制造器件。陽(yáng)極由在先沉積在玻璃基底上的約120納米的氧化銦錫(ito)組成。陰極由1納米lif接著100納米al組成。所有器件在制備后在手套箱(＜1ppm的h2o和o2)的氮?dú)鈿夥障聼o(wú)封裝地立即進(jìn)行測(cè)試。

有機(jī)組件(stack)自ito表面依次由作為空穴注入層(hil)的60納米的2-tnata(4，4′，4″-三(n-(萘-2-基)-n-苯基-氨基)三苯胺)、作為空穴傳輸層的30納米的4，4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯(α-npd)、作為發(fā)射層的30納米的用10％紅色發(fā)射體摻雜的雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基酚合鋁(iii)、雙(1-苯基異喹啉)(乙?；?合銥(iii)組成。電子傳輸層(etl)的組成如下表所示。

對(duì)器件1-1、1-2和1-3測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中：

tpbi＝1，3，5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯

應(yīng)用實(shí)施例2

以與應(yīng)用實(shí)施例1中相同的方式制造器件2-1和2-2，不同的是使用實(shí)施例2的化合物而不是balq作為主體，且電子傳輸層的組成(如下表所示)不同。

對(duì)器件2-1和2-2測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中：

應(yīng)用實(shí)施例3

以與器件1-2相同的方式制造器件3-1，不同的是使用實(shí)施例1的化合物而不是balq作為主體，且電子傳輸層的組成(如下表所示)不同。

對(duì)器件3-1測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中：

應(yīng)用實(shí)施例4

在高真空(＜10^-6毫巴)下通過(guò)熱蒸發(fā)制造器件。陽(yáng)極由在先沉積在玻璃基底上的約120納米的氧化銦錫(ito)組成。陰極由1納米lif接著100納米al組成。

有機(jī)組件自ito表面依次由作為空穴注入/空穴傳輸層的用moox摻雜的α-npd(60納米)、作為電子阻擋層的α-npd(10納米)、作為發(fā)射層的用10％紅色發(fā)射體摻雜的α-npd、雙(1-苯基異喹啉)(乙?；?合銥(iii)(20納米)組成。電子傳輸層(etl)的組成、對(duì)器件4-1測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中。

(nht5和ndp2由novaledag，dresden提供)

應(yīng)用實(shí)施例5

以與器件4-1相同的方式制造器件5-1，不同的是陰極由100納米al組成，使用實(shí)施例2的化合物而不是α-npd作為主體。電子傳輸層(etl)的組成、對(duì)器件5-1測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中。

應(yīng)用實(shí)施例6

以與器件5-1相同的方式制造器件6-1和6-2，不同的是使用銥(iii)雙-(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化物)作為發(fā)射體、α-npd作為主體。電子傳輸層(etl)的組成、對(duì)器件6-1和6-2測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中。

應(yīng)用實(shí)施例7

以與器件1-1相同的方式制造器件7-1、7-2和7-3，不同的是使用銥(iii)雙-(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化物)作為發(fā)射體。電子傳輸層(etl)的組成、對(duì)器件7-1、7-2和7-3測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²、)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中

實(shí)施例8

以與器件4-1相同的方式制造器件8-1、8-2和8-3，不同的是使用銥(iii)雙-(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化物)作為發(fā)射體。電子傳輸層(etl)的組成、對(duì)器件8-1、8-2和8-3測(cè)得的發(fā)光效率以及起始電壓(@1000cd/m²)和最大發(fā)光度報(bào)道在下表中。