本申請是200810185226.8的分案申請，原申請的申請日為2008年12月18日，原申請的發(fā)明名稱為新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法本發(fā)明涉及用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物和抗蝕劑圖案形成方法、以及能作為用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物的中間體使用的新型化合物及其制造方法。本申請要求2007年12月21日在日本提出的特愿2007－330891號、2007年12年21日在日本提出的特愿2007－331163號以及2008年3月6日在日本提出的特愿2008－056880號的優(yōu)先權(quán)，在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
：在光刻技術(shù)中進行如下工序：例如在基板上形成由抗蝕劑材料形成的抗蝕劑膜，用光、電子射線等放射線對該抗蝕劑膜進行選擇性曝光，實施顯影處理，從而在上述抗蝕劑膜上形成規(guī)定形狀的抗蝕劑圖案。將曝光后的部分向在顯影液中溶解的特性轉(zhuǎn)變的抗蝕劑材料稱為正型，將曝光后的部分向不溶于顯影液的特性轉(zhuǎn)變的抗蝕劑材料稱為負型。近年來，在半導(dǎo)體元件和液晶顯示元件的制造中，隨著光刻技術(shù)的進步，圖案的微細化發(fā)展迅速。作為微細化的方法，通常是使曝光光源的波長變短。具體而言，以往采用以g線、i線為代表的紫外線，但現(xiàn)在開始采用krf準分子激光或arf準分子激光來進行半導(dǎo)體元件的批量生產(chǎn)。另外，正在研究波長比上述準分子激光短的f2準分子激光、電子射線、euv(超紫外線)和x射線等。伴隨著曝光光源的短波長化，謀求抗蝕劑材料相對于曝光光源的靈敏度、能再現(xiàn)微細尺寸的圖案的析像度等光刻特性提高。作為滿足此要求的抗蝕劑材料，已知有含有在酸的作用下對堿顯影液的溶解性發(fā)生改變的基材成分和通過曝光來產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分的化學(xué)增幅型抗蝕劑。以往，作為這種化學(xué)增幅型抗蝕劑的基材成分，主要采用樹脂，例如使用聚羥基苯乙烯(phs)或其羥基的一部分被酸解離性溶解抑制基保護的樹脂等phs類樹脂、由(甲基)丙烯酸酯衍生而來的共聚物或其羧基的一部分被酸解離性溶解抑制基保護的樹脂等。另外，“(甲基)丙烯酸酯”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸酯和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸酯中的一方或兩方?！?甲基)丙烯酸鹽”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸鹽和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸鹽中的一方或兩方。“(甲基)丙烯酸”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸中的一方或兩方。迄今為止，已提出多種在化學(xué)增幅型抗蝕劑中使用的產(chǎn)酸劑，已知的有例如碘鎓鹽、锍鹽等鎓鹽類產(chǎn)酸劑等(例如參照專利文獻1)。專利文獻1：日本專利特開2003－241385號公報作為上述鎓鹽類產(chǎn)酸劑，現(xiàn)在一般采用具有全氟烷基磺酸離子作為陰離子部(酸)的鎓鹽類產(chǎn)酸劑。但是，這種鎓鹽類產(chǎn)酸劑從其結(jié)構(gòu)上而言對堿顯影液的親和性低，且很難在抗蝕劑膜內(nèi)均一分布，有可能對析像度等光刻特性造成不良影響。另外，上述陰離子部的全氟烷基鏈由于能抑制曝光后的酸的擴散，因此認為越長越好，但碳原子數(shù)為6～10的全氟烷基鏈難以分解。為此，從考慮到生物體蓄積性的操作安全方面出發(fā)，使用碳原子數(shù)為4以下的全氟烷基磺酸離子、例如壬氟丁烷磺酸離子等。因此，需求具有比作為抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑更有用的陰離子部的鎓鹽類化合物，與此同時還需要在制造該化合物時有用的中間體。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的發(fā)明，其目的在于提供用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物和抗蝕劑圖案形成方法、以及能作為合成用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物時的中間體而使用的新型化合物及其制造方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下構(gòu)成。即，本發(fā)明的第1方式是一種抗蝕劑組合物，其是含有在酸的作用下對堿顯影液的溶解性發(fā)生改變的基材成分(a)和通過曝光來產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分(b)的抗蝕劑組合物，其特征在于，上述產(chǎn)酸劑成分(b)含有由下述通式(b1－1)表示的化合物形成的產(chǎn)酸劑(b1)，式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；z+是有機陽離子，但不為下述通式(w-1)表示的離子，式中，r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。本發(fā)明的第2方式是一種抗蝕劑圖案形成方法，其包括：使用上述第1方式的抗蝕劑組合物在支撐體上形成抗蝕劑膜的工序；將上述抗蝕劑膜曝光的工序；以及將上述抗蝕劑膜進行堿顯影來形成抗蝕劑圖案的工序。本發(fā)明的第3方式是下述通式(b1-1)表示的化合物(以下稱為化合物(b1-1))。[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；z+是有機陽離子，但不為下述通式(w-1)表示的離子。][式中，r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。]本發(fā)明的第4方式是一種化合物的制造方法，其包括：通過使下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)與下述通式(b0-02)表示的化合物(b0-02)反應(yīng)來得到下述通式(b1-1)表示的化合物(b1-1)的工序(以下稱為化合物(b1-1)的制造方法)。z+a-…(bo-o2)[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；w+是堿金屬離子或下述通式(w-1)表示的離子；z+是有機陽離子，但不為下述通式(w-1)表示的離子；a-是非親核性陰離子。][式中，r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。]本發(fā)明的第5方式是一種產(chǎn)酸劑，其由上述第3方式的化合物形成。本發(fā)明的第6方式是一種化合物，其由下述通式(b0-1)表示(以下稱為化合物(b0-1))。[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。]本發(fā)明的第7方式是一種化合物的制造方法，其包括：通過使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序(以下稱為化合物(b0-1)的制造方法(1))。rx-q3-x21...(1-12)[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；x21為鹵原子；m+為堿金屬離子。]本發(fā)明的第8方式是一種化合物的制造方法，其包括：通過使下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序(以下稱為化合物(b0-1)的制造方法(2))。rx-q3-x21…(1-12)[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；x21為鹵原子。]本發(fā)明的第9方式是一種化合物，其是由下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)。[式中，q2是單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。]本發(fā)明的第10方式是一種化合物的制造方法，其包括：通過使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)與銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)的工序(以下稱為化合物(1-21)的制造方法)。[式中，q2是單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；m+為堿金屬離子。]本發(fā)明的第11方式是一種化合物的制造方法，其包括：通過使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)與銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序(以下稱為化合物(1-14)的制造方法)。[式中，rc是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q4是單鍵或2價的連接基團；n為0或1；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；m+為堿金屬離子。]在本說明書和權(quán)利要求書中，“脂肪族”是與芳香族相對的概念，定義為不具有芳香性的基團、化合物等?！皝喭榛痹跊]有特殊說明的情況下，包括直鏈狀、支鏈狀和環(huán)狀的2價飽和烴基?！巴榛痹跊]有特殊說明的情況下，包括直鏈狀、支鏈狀和環(huán)狀的1價飽和烴基。“低級烷基”是碳原子數(shù)為1～5的烷基?！敖Y(jié)構(gòu)單元”是指構(gòu)成樹脂成分(聚合物)的單體單元(單體單元)?！捌毓狻钡母拍畎ㄋ械姆派渚€照射。根據(jù)本發(fā)明，可提供用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物和抗蝕劑圖案形成方法、以及能作為合成用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物時的中間體而使用的新型化合物及其制造方法。具體實施方式《化合物(b0-1)》首先，對本發(fā)明的第6方式的化合物(b0-1)進行說明。本發(fā)明的第6方式的化合物(b0-1)是以上述通式(b0-1)表示的化合物。式(b0-1)中，rx的烴基可以是芳香族烴基，也可以是脂肪族烴基。rx的芳香族烴基是具有芳環(huán)的烴基，該芳香族烴基的碳原子數(shù)優(yōu)選為3～30，進一步優(yōu)選為5～30，更優(yōu)選為5～20，特別優(yōu)選為6～15，最優(yōu)選為6～12。但該碳原子數(shù)不包括取代基中的碳原子數(shù)。作為芳香族烴基，具體可以列舉苯基、聯(lián)苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烴環(huán)除去1個氫原子而得到的芳基、芐基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等芳基烷基等。上述芳基烷基中的烷基鏈的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～4，進一步優(yōu)選為1～2，特別優(yōu)選為1。該芳香族烴基可以具有取代基。例如構(gòu)成該芳香族烴基所具有的芳環(huán)的碳原子的一部分可以被雜原子取代，鍵合于該芳香族烴基所具有的芳環(huán)的氫原子也可以被取代基取代。作為前者的例子，可以列舉構(gòu)成上述芳基的環(huán)的碳原子的一部分被氧原子、硫原子等雜原子(但氮原子除外)取代得到的雜芳基、構(gòu)成上述芳基烷基中的芳香烴環(huán)的碳原子的一部分被上述雜原子取代得到的雜芳基烷基等。作為后者的例子中的芳香族烴基的取代基，可以列舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵代烷基、羥基、氧原子(＝o)等。關(guān)于作為上述芳香族烴基的取代基的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷基，最優(yōu)選甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。關(guān)于作為上述芳香族烴基的取代基的烷氧基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷氧基，進一步優(yōu)選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最優(yōu)選甲氧基、乙氧基。關(guān)于作為上述芳香族烴基的取代基的鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優(yōu)選氟原子。關(guān)于作為上述芳香族烴基的取代基的鹵代烷基，可以列舉上述烷基的氫原子的一部分或全部被上述鹵原子取代而得到的基團。rx的脂肪族烴基可以是飽和脂肪族烴基，也可以是不飽和脂肪族烴基。脂肪族烴基可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種。關(guān)于rx的脂肪族烴基，可以是構(gòu)成該脂肪族烴基的碳原子的一部分被含有雜原子(但氮原子除外)的取代基取代，也可以是構(gòu)成該脂肪族烴基的氫原子的一部分或全部被含有雜原子(但氮原子除外)的取代基取代。作為rx中的“雜原子”，只要是碳原子、氫原子以及氮原子以外的原子即可，沒有特殊限制，可以列舉例如鹵原子、氧原子、硫原子等。作為鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。含有雜原子(但氮原子除外)的取代基可以是僅由上述雜原子形成的取代基，也可以是含有上述雜原子以外的基團或原子的基團。作為取代一部分碳原子的取代基，具體可以列舉例如-o-、-c(＝o)-o-、-c(＝o)-、-o-c(＝o)-o-、-s-、-s(＝o)2-、-s(＝o)2-o-等。當脂肪族烴基為環(huán)狀時，也可以在環(huán)結(jié)構(gòu)中含有這些取代基。作為取代一部分或全部氫原子的取代基，具體可以列舉例如烷氧基、鹵原子、鹵代烷基、羥基、氧原子(＝o)等。作為上述烷氧基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷氧基，進一步優(yōu)選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最優(yōu)選甲氧基、乙氧基。作為上述鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優(yōu)選氟原子。作為上述鹵代烷基，可以列舉碳原子數(shù)為1～5的烷基，例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等烷基的氫原子的一部分或全部被上述鹵原子取代而得到的基團。作為脂肪族烴基，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的飽和烴基、直鏈狀或支鏈狀的1價不飽和烴基、或環(huán)狀的脂肪族烴基(脂環(huán)基)。作為直鏈狀的飽和烴基(烷基)，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～20，進一步優(yōu)選為1～15，最優(yōu)選為1～10。具體而言，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。作為支鏈狀的飽和烴基(烷基)，優(yōu)選碳原子數(shù)為3～20，進一步優(yōu)選為3～15，最優(yōu)選為3～10。具體而言，可以列舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。作為不飽和烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)為2～10，進一步優(yōu)選為2～5，更優(yōu)選為2～4，特別優(yōu)選為3。作為直鏈狀的1價不飽和烴基，可以列舉例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作為支鏈狀的1價不飽和烴基，可以列舉例如1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。上述不飽和烴基中特別優(yōu)選丙烯基。作為脂環(huán)基，可以是單環(huán)基，也可以是多環(huán)基。其碳原子數(shù)優(yōu)選為3～30，進一步優(yōu)選為5～30，更優(yōu)選為5～20，特別優(yōu)選為6～15，最優(yōu)選為6～12。具體而言，可以列舉例如由單環(huán)烷除去1個以上的氫原子而得到的基團；由雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子得到的基團等。更具體而言，可以列舉例如由環(huán)戊烷、環(huán)己烷等單環(huán)烷除去1個以上的氫原子而得到的基團；由金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子而得到的基團等。當脂環(huán)基在其環(huán)結(jié)構(gòu)中不具有含雜原子的取代基時，作為脂環(huán)基，優(yōu)選多環(huán)基，進一步優(yōu)選由多環(huán)烷除去1個以上氫原子而得到的基團，最優(yōu)選由金剛烷除去1個以上氫原子而得到的基團。當脂環(huán)基在其環(huán)結(jié)構(gòu)中具有含雜原子的取代基時，作為該含雜原子的取代基，優(yōu)選-o-、-c(＝o)-o-、-s-、-s(＝o)2-、-s(＝o)2-o-。作為所述脂環(huán)基的具體例子，可以列舉例如下式(l1)～(l5)、(s1)～(s4)等。[式中，q”是碳原子數(shù)為1～5的亞烷基、-o-、-s-、-o-r94-或-s-r95-，r94和r95分別獨立地是碳原子數(shù)為1～5的亞烷基，m是0或1的整數(shù)。]作為q”的亞烷基，可以列舉與上述r1的亞烷基相同的基團。作為r94和r95的亞烷基，可以列舉與上述r1的亞烷基相同的基團。關(guān)于這些脂環(huán)基，鍵合于構(gòu)成其環(huán)結(jié)構(gòu)的碳原子上的氫原子的一部分可以被取代基取代。作為該取代基，可以列舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵代烷基、羥基、氧原子(＝o)等。作為上述烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷基，特別優(yōu)選甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。關(guān)于上述烷氧基、鹵原子，分別可以列舉與作為取代上述氫原子的一部分或全部的取代基而列舉的基團相同的基團。在本發(fā)明中，作為rx，優(yōu)選可以具有取代基的直鏈狀烷基、或可以具有取代基的環(huán)式基。作為該環(huán)式基，可以是可以具有取代基的芳香族烴基，也可以是可以具有取代基的脂環(huán)基，進一步優(yōu)選可以具有取代基的脂環(huán)基。作為上述芳香族烴基，優(yōu)選可以具有取代基的萘基或可以具有取代基的苯基。作為可以具有取代基的脂環(huán)基，優(yōu)選可以具有取代基的多環(huán)式脂環(huán)基。作為該多環(huán)式脂環(huán)基，優(yōu)選由上述多環(huán)烷除去1個以上氫原子而得到的基團、上述(l2)～(l5)、(s3)～(s4)等，其中優(yōu)選金剛烷基。q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團。作為2價的連接基團，可以列舉例如亞烷基、含雜原子的基團(以下稱為含雜原子的連接基團)等。含雜原子的連接基團中的“雜原子”是指碳原子和氫原子以外的原子，可以列舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。關(guān)于作為2價連接基團的亞烷基，可以是直鏈狀，也可以是支鏈狀。該亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，進一步優(yōu)選為1～5，特別優(yōu)選為1～3。作為該亞烷基，具體可以列舉例如亞甲基[-ch2-]；-ch(ch3)-、-ch(ch2ch3)-、-c(ch3)2-、-c(ch3)(ch2ch3)-、-c(ch3)(ch2ch2ch3)-、-c(ch2ch3)2-等烷基亞甲基；亞乙基[-ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2-、-ch(ch3)ch(ch3)-、-c(ch3)2ch2-、-ch(ch2ch3)ch2-等烷基亞乙基；三亞甲基(正亞丙基)[-ch2ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2ch2-、-ch2ch(ch3)ch2-等烷基三亞甲基；四亞甲基[-ch2ch2ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2ch2ch2-、-ch2ch(ch3)ch2ch2-等烷基四亞甲基；五亞甲基[-ch2ch2ch2ch2ch2-]等。作為含雜原子的連接基團，可以列舉例如氧原子(醚鍵；-o-)、硫原子(硫醚鍵；-s-)、-nh-鍵(h可以被烷基、?；热〈〈?、酯鍵(-c(＝o)-o-)、酰胺鍵(-c(＝o)-nh-)、羰基(-c(＝o)-)、碳酸酯鍵(-o-c(＝o)-o-)等非烴類含雜原子的連接基團；該非烴類含雜原子的連接基團與上述亞烷基的組合物。作為該組合物，可以列舉例如-r91-o-、-r92-o-c(＝o)-、-c(＝o)-o-r93-(式中r91～r93分別獨立地為亞烷基)等或它們的組合物。作為上式中r91～r93的亞烷基，可以列舉與作為上述2價連接基團而列舉的亞烷基相同的基團。作為q2，優(yōu)選羰基、單鍵、-r92-o-c(＝o)-。作為q3，優(yōu)選單鍵、亞烷基、羰基。特別優(yōu)選q2為羰基且q3為單鍵、或q2為單鍵且q3為亞烷基、或q2為-r92-o-c(＝o)-且q3為羰基。式(b0-1)中，y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基。作為y1的亞烷基，可以列舉與作為上述2價連接基團而列舉的亞烷基中碳原子數(shù)為1～4的亞烷基相同的基團。作為氟代亞烷基，可以列舉該亞烷基的氫原子的一部分或全部被氟原子取代得到的基團。作為y1，具體可以列舉－cf2－、－cf2cf2－、－cf2cf2cf2－、－cf(cf3)cf2－、－cf(cf2cf3)－、－c(cf3)2－、－cf2cf2cf2cf2－、－cf(cf3)cf2cf2－、－cf2cf(cf3)cf2－、－cf(cf3)cf(cf3)－、－c(cf3)2cf2－、－cf(cf2cf3)cf2－、－cf(cf2cf2cf3)－、－c(cf3)(cf2cf3)－；－chf－、－ch2cf2－、－ch2ch2cf2－、－ch2cf2cf2－、－ch(cf3)ch2－、－ch(cf2cf3)－、－c(ch3)(cf3)－、－ch2ch2ch2cf2－、－ch2ch2cf2cf2－、－ch(cf3)ch2ch2－、－ch2ch(cf3)ch2－、－ch(cf3)ch(cf3)－、－c(cf3)2ch2－；－ch2－、－ch2ch2－、－ch2ch2ch2－、－ch(ch3)ch2－、－ch(ch2ch3)－、－c(ch3)2－、－ch2ch2ch2ch2－、－ch(ch3)ch2ch2－、－ch2ch(ch3)ch2－、－ch(ch3)ch(ch3)－、－c(ch3)2ch2－、－ch(ch2ch3)ch2－、－ch(ch2ch2ch3)－、－c(ch3)(ch2ch3)－等。作為y1，優(yōu)選氟代亞烷基，特別優(yōu)選鍵合于相鄰的硫原子的碳原子被氟取代的氟代亞烷基。作為這樣的氟代亞烷基，可以列舉－cf2－、－cf2cf2－、－cf2cf2cf2－、－cf(cf3)cf2－、－cf2cf2cf2cf2－、－cf(cf3)cf2cf2－、－cf2cf(cf3)cf2－、－cf(cf3)cf(cf3)－、－c(cf3)2cf2－、－cf(cf2cf3)cf2－；－ch2cf2－、－ch2ch2cf2－、－ch2cf2cf2－；－ch2ch2ch2cf2－、－ch2ch2cf2cf2－、－ch2cf2cf2cf2－等。其中，優(yōu)選－cf2－、－cf2cf2－、－cf2cf2cf2－或ch2cf2cf2－，進一步優(yōu)選－cf2－、－cf2cf2－或－cf2cf2cf2－，特別優(yōu)選－cf2－。式(b0-1)中，r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基。作為r3～r6的烴基，可以列舉與上述rx相同的基團。該烴基可以是脂肪族烴基，也可以是芳香族烴基。當該烴基為脂肪族烴基時，作為該脂肪族烴基，特別優(yōu)選可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～12的烷基。作為該烴基可以具有的取代基，可以列舉與作為上述rx的烴基可以具有的取代基而列舉的基團相同的基團，特別優(yōu)選羥基。另外，還可以具有含氮原子的取代基例如氮原子、氰基(-cn)、氨基(-nh2)、酰胺基(-nh-c(＝o)-)等。r3～r6中至少1個為所述烴基，優(yōu)選2個或3個為所述烴基。r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。例如，可以是r3～r6中的2個鍵合形成1個環(huán)，也可以是r3～r6中的3個鍵合形成1個環(huán)，還可以是r3～r6中的各2個分別鍵合形成2個環(huán)。作為r3～r6中的至少2個分別鍵合并與式中的氮原子一起形成的環(huán)(含氮原子作為雜原子的雜環(huán))，可以是脂肪族雜環(huán)，也可以是芳香族雜環(huán)。另外，該雜環(huán)可以是單環(huán)，也可以是多環(huán)。作為式(b0-1)中的陽離子部(n+(r3)(r4)(r5)(r6))的具體例子，可以列舉由胺衍生而來的銨離子。這里，“由胺衍生而來的銨離子”是指胺的氮原子與氫原子鍵合形成的陽離子、胺的氮原子與一個取代基鍵合形成的季銨離子。衍生上述銨離子的胺可以是脂肪族胺，也可以是芳香族胺。作為脂肪族胺，特別優(yōu)選氨nh3的氫原子的至少1個被碳原子數(shù)為12以下的烷基或羥烷基取代得到的胺(烷基胺或烷基醇胺)或環(huán)胺。作為烷基胺和烷基醇胺的具體例子，可以列舉正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺等一烷基胺；二乙基胺、二正丙基胺、二正庚基胺、二正辛基胺、二環(huán)己基胺等二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三正丁基胺、三正己基胺、三正戊基胺、三正庚基胺、三正辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、三正十二烷基胺等三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二正辛醇胺、三正辛醇胺等烷基醇胺。作為環(huán)胺，可以列舉例如含有氮原子作為雜原子的雜環(huán)化合物。作為該雜環(huán)化合物，可以是單環(huán)化合物(脂肪族單環(huán)胺)，也可以是多環(huán)化合物(脂肪族多環(huán)胺)。作為脂肪族單環(huán)胺，具體可以列舉哌啶、哌嗪等。作為脂肪族多環(huán)胺，優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10的脂肪族多環(huán)胺，具體可以列舉1，5-重氮雙環(huán)[4.3.0]-5-壬烯、1，8-重氮雙環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯、六亞甲基四胺、1，4-重氮雙環(huán)[2.2.2]辛烷等。作為芳香族胺，可以列舉苯胺、吡啶、4-二甲基氨基吡啶(dmap)、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑等。作為季銨離子，可以列舉四甲基銨離子、四乙基銨離子、四丁基銨離子等。在本發(fā)明中，作為式(b0-1)中的陽離子部(n+(r3)(r4)(r5)(r6))，特別優(yōu)選r3～r6中至少1個為烷基且至少1個為氫原子的陽離子部。其中，優(yōu)選r3～r6中的3個為烷基且剩余1個為氫原子的陽離子(三烷基銨離子)或r3～r6中的2個為烷基且剩余1個為氫原子的陽離子(二烷基銨離子)。三烷基銨離子或二烷基銨離子中的烷基分別獨立地優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，進一步優(yōu)選為1～8，最優(yōu)選為1～5。具體可以列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。其中最優(yōu)選乙基。在本發(fā)明中，化合物(b0-1)優(yōu)選為下述通式(b0-1-1)表示的化合物，特別優(yōu)選為下述通式(b0-1-11)或(b0-1-12)表示的化合物。[式中，rx、q3、y1、r3～r6分別與上述通式(b0-1)中的rx、q3、y1、r3～r6相同，n為0或1。][式中，n、y1、r3～r6分別與上述通式(b0-1-1)中的n、y1、r3～r6相同，r1是亞烷基，rb和rc分別獨立地為可以具有取代基(但氮原子除外)的烴基，q4是單鍵或亞烷基。]式(b0-1-11)中，作為rb，可以列舉與上述rx相同的基團，優(yōu)選可以具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的飽和烴基、可以具有取代基的脂環(huán)基、或可以具有取代基的芳香族烴基。其中，優(yōu)選直鏈狀的飽和烴基或可以具有取代基的脂環(huán)基。作為r1的亞烷基，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的亞烷基，該亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，進一步優(yōu)選為1～5，特別優(yōu)選為1～3。作為具體例子，可以列舉與作為上述2價連接基團而列舉的亞烷基相同的基團。作為式(b0-1-12)中的rc，可以列舉與上述rx相同的基團，優(yōu)選可以具有取代基的脂環(huán)基或可以具有取代基的芳香族烴基。其中，優(yōu)選在其環(huán)結(jié)構(gòu)中具有含雜原子的取代基的脂環(huán)基。作為q4的亞烷基，可以列舉與作為上述2價連接基團而列舉的亞烷基相同的基團。n優(yōu)選為1。作為化合物(b0-1)，特別優(yōu)選下述通式(b0-1-21)～(b0-1-22)、(b0-1-31)～(b0-1-35)表示的化合物。[式中，d、e、f分別獨立地為1～10的整數(shù)，p為1～3的整數(shù)，q1～q2分別獨立地為1～5的整數(shù)，r1為0～3的整數(shù)，g為1～20的整數(shù)，r7為取代基。][式中，q”、d、e、f、p分別與上述相同，n1～n3分別獨立地為0或1，v1～v5分別獨立地為0～3的整數(shù)，w1～w5分別獨立地為0～3的整數(shù)，r7為取代基。]作為r7的取代基，可以列舉在上述rx中作為脂肪族烴基可以具有的取代基、芳香族烴基可以具有的取代基而列舉的基團相同的基團。當r7所帶的符號(r1、w1～w5)為2以上的整數(shù)時，該化合物中的多個r7分別可以相同，也可以不同。本發(fā)明的化合物(b0-1)是新型化合物。本發(fā)明的化合物(b0-1)能作為在合成用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物(特別是本發(fā)明的第3方式的化合物(b1-1))時的中間體而使用。本發(fā)明的化合物(b0-1)例如可以采用后述的本發(fā)明第7方式的化合物(b0-1)制造方法(1)或本發(fā)明第8方式的化合物(b0-1)制造方法(2)來制造。《化合物(b0-1)的制造方法(1)》接著，對本發(fā)明第7方式的化合物(b0-1)制造方法(1)進行說明。本發(fā)明的化合物(b0-1)的制造方法(1)包括：通過使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)。rx-q3-x21...(1-12)[式中，rx、q2、q3、y1、r3～r6分別與上述通式(b0-1)中的rx、q2、q3、y1、r3～r6相同；x21為鹵原子；m+為堿金屬離子。]作為式(1-11)中的m+，可以列舉鈉離子、鉀離子、鋰離子等。作為化合物(1-11)，可以使用市售的化合物，也可以合成。例如，當化合物(1-11)為式(1-11)中的q2是羰基的化合物(以下稱為化合物(1-11-1))時，可以列舉包括通過將下述通式(0-1)表示的化合物(0-1)在堿的存在下加熱、中和得到下述通式(0-2)表示的化合物(0-2)的工序(以下稱為鹽形成工序)和將上述化合物(0-2)在酸強度高于化合物(1-11-1)的酸的存在下加熱而得到化合物(1-11-1)的工序(以下稱為羧酸化工序)的方法。[式中，r01為烷基，y1、m+同上。]作為r01的烷基，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的烷基，具體可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、辛戊基等。其中，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4的烷基，最優(yōu)選甲基。作為化合物(0-1)，可以使用市售品。關(guān)于鹽形成工序，例如可以通過將化合物(0-1)在溶劑中溶解、在該溶液中加堿、加熱來實施。作為溶劑，只要是能溶解化合物(0-1)的溶劑即可，可以列舉例如水、四氫呋喃等。作為堿，使用與式(0-2)中的m相對應(yīng)的堿，作為該堿，可以列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰等堿金屬氫氧化物。關(guān)于堿的用量，相對于化合物(0-1)1摩爾，優(yōu)選為1～5摩爾，進一步優(yōu)選為2～4摩爾。加熱溫度優(yōu)選為20～120℃左右，進一步優(yōu)選為50～100℃左右。加熱時間根據(jù)加熱溫度等而各異，通常優(yōu)選0.5～12小時，進一步優(yōu)選1～5小時。關(guān)于上述加熱后的中和，可以通過在上述加熱后的反應(yīng)液中添加鹽酸、硫酸、對甲苯磺酸等酸來實施。此時，優(yōu)選使酸添加后的反應(yīng)液的ph(25℃)為6～8來實施中和。中和時的反應(yīng)液的溫度優(yōu)選為20～30℃，進一步優(yōu)選為23～27℃。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(0-2)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。在羧酸化工序中，通過將在上述鹽形成工序中得到的化合物(0-2)在酸強度高于化合物(1-11-1)的酸的存在下加熱來得到該化合物(1-11-1)?！八釓姸雀哂诨衔?1-11-1)的酸(以下有時簡稱為強酸)”是指pka(25℃)的值小于化合物(1-11-1)中的-cooh的酸。通過使用所述強酸，化合物(0-2)中的-coo-m+變?yōu)?cooh，得到化合物(1-11-1)。作為強酸，可以從公知的酸中適當選擇使用pka小于上述化合物(1-11-1)中的-cooh的pka的酸?；衔?1-11-1)中的-cooh的pka可以用公知的滴定法來求得。作為強酸，具體可以列舉芳基磺酸、烷基磺酸等磺酸、硫酸、鹽酸等。作為芳基磺酸，可以列舉例如對甲苯磺酸。作為烷基磺酸，可以列舉例如甲磺酸、三氟甲磺酸等。作為強酸，從對有機溶劑的溶解性以及精制容易性的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選對甲苯磺酸。關(guān)于羧酸化工序，例如可以通過將化合物(0-2)溶解在溶劑中、加強酸后加熱來實施。作為溶劑，只要是能溶解化合物(0-2)的溶劑即可，可以列舉例如乙腈、甲乙酮等。關(guān)于強酸的用量，相對于化合物(0-2)1摩爾，優(yōu)選為0.5～3摩爾，進一步優(yōu)選為1～2摩爾。加熱溫度優(yōu)選為20～150℃左右，進一步優(yōu)選為50～120℃左右。加熱時間根據(jù)加熱溫度等而各異，通常優(yōu)選0.5～12小時，進一步優(yōu)選1～5小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(1-11-1)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。例如，當化合物(1-11)為式(1-11)中的q2為-r1-o-c(＝o)-(式中，r1與上述r92同樣，為亞烷基)的化合物(以下稱為化合物(1-11-2))時，可以列舉包括通過使下述通式(0-3)表示的化合物(0-3)與上述化合物(1-11-1)反應(yīng)來得到化合物(1-11-2)的工序的方法。ho-r1-o-r2…(0-3)[式中，r1為亞烷基；r2為可以具有芳香基作為取代基的脂肪基，y1為碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；m+為堿金屬離子。]使化合物(0-3)與化合物(1-11-1)反應(yīng)的方法沒有特殊限制，例如可以通過在溶劑中將化合物(0-3)與化合物(1-11-1)混合、溶解、加熱來實施。作為溶劑，可以列舉例如甲苯、二氯苯、1，2-二氯乙烷、1，3-二氯丙烷等。作為加熱溫度(反應(yīng)溫度)，優(yōu)選20～140℃左右，進一步優(yōu)選為60～130℃左右。加熱時間根據(jù)加熱溫度等而各異，通常優(yōu)選為1～72小時，進一步優(yōu)選為6～48小時。上述反應(yīng)可以在酸性催化劑的存在下進行。作為酸性催化劑，沒有特殊限制，可以列舉例如芳基磺酸、烷基磺酸等磺酸、硫酸、鹽酸等。作為芳基磺酸，可以列舉例如對甲苯磺酸。作為烷基磺酸，可以列舉例如甲磺酸、三氟甲磺酸等?？梢詥为毷褂盟鼈冎械娜我环N，也可以2種以上合用。作為酸性催化劑，從對有機溶劑的溶解性和精制容易性的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選對甲苯磺酸。關(guān)于酸性催化劑的用量，相對于化合物(1-11-1)1摩爾，優(yōu)選為0.1～2摩爾，進一步優(yōu)選為0.1～1摩爾。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(1-11-2)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。作為式(1-12)中的x21的鹵原子，可以列舉溴原子、氯原子、碘原子、氟原子等，從反應(yīng)性優(yōu)異的觀點出發(fā)，優(yōu)選溴原子或氯原子。作為化合物(1-12)，可以使用市售品。作為胺或銨鹽，可以使用與式(b0-1)中的陽離子部(n+(r3)(r4)(r5)(r6))對應(yīng)的物質(zhì)。作為該胺的具體例子，可以列舉上述作為衍生銨離子的胺而列舉的烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、芳香族胺等。作為銨鹽的具體例子，可以列舉四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨等季銨鹽等。作為使化合物(1-11)、化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)的方法，沒有特殊限制，可以列舉例如在反應(yīng)溶劑中使化合物(1-11)、化合物(1-12)與胺或銨鹽接觸的方法。該方法例如可以通過在反應(yīng)溶劑中溶解化合物(1-11)而得到的溶液中添加化合物(1-12)和胺或季銨化合物來實施。作為反應(yīng)溶劑，只要能溶解化合物(1-11)和化合物(1-12)即可，具體可以列舉四氫呋喃(thf)、丙酮、二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜(dmso)、乙腈等。關(guān)于化合物(1-12)的添加量，相對于化合物(1-11)，優(yōu)選約為1～3當量，進一步優(yōu)選1～2當量。關(guān)于胺或季銨化合物的添加量，相對于化合物(1-11)，優(yōu)選約為1～3當量，進一步優(yōu)選1～2當量。反應(yīng)溫度優(yōu)選為-20～40℃，進一步優(yōu)選為0～30℃。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(1-11)和化合物(1-12)的反應(yīng)性和反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選為1～120小時，進一步優(yōu)選為1～48小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(b0-1)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如洗滌、濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。在本發(fā)明中，化合物(b0-1)具有n+(r3)(r4)(r5)(r6)作為陽離子部，由于難溶于水，因此可以通過水洗來進行精制。得到的化合物(b0-1)的結(jié)構(gòu)可以通過1h-核磁共振(nmr)譜法、13c-nmr譜法、19f-nmr譜法、紅外線吸收(ir)譜法、質(zhì)譜(ms)法、元素分析法、x射線結(jié)晶衍射法等一般的有機分析方法來確認?！痘衔?b0-1)的制造方法(2)、化合物(1-21)》接著，對本發(fā)明第8方式的化合物(b0-1)制造方法(2)以及本發(fā)明地9方式的化合物(1-21)進行說明。本發(fā)明的化合物(b0-1)的制造方法(2)包括通過使下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序。rx-q3-x21...(1-12)[式中，rx、q2、q3、y1、r3～r6分別與上述通式(b0-1)中的rx、q2、q3、y1、r3～r6相同；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合而成環(huán)；x21為鹵原子。]作為式(1-21)中的r3’～r6’，分別可以列舉與上述r3～r6相同的基團。在本制造方法(2)中，式(1-21)中的陽離子部(n+(r3’)(r4’)(r5’)(r6’))與式(b0-1)中的陽離子部(n+(r3)(r4)(r5)(r6))可以相同，也可以不同，考慮到工序的簡化等，優(yōu)選相同。關(guān)于使化合物(1-21)、化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)的工序，除了將上述制造方法(1)中的化合物(1-11)用化合物(1-21)代替以外可以用與上述制造方法(1)相同的方法來實施。在本制造方法(2)中作為初始物質(zhì)使用的化合物(1-21)是新型的化合物?；衔?1-21)例如可以使用后述的化合物(1-21)的制造方法來制造?！痘衔?1-21)的制造方法》接著，對本發(fā)明第10方式的化合物(1-21)的制造方法進行說明。本發(fā)明的化合物(1-21)的制造方法包括通過使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)與銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)的工序。式中，q2、y1、r3’～r6’、m+分別同上。作為銨鹽，可以列舉上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺的鹽酸鹽或溴酸鹽等。關(guān)于化合物(1-11)與銨鹽的反應(yīng)，可以與現(xiàn)有公知的鹽置換方法同樣地來實施。例如，將化合物(1-11)與銨鹽溶于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶劑中，通過攪拌等使其反應(yīng)。反應(yīng)溫度優(yōu)選為0℃～150℃左右，進一步優(yōu)選為0℃～100℃左右。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(1-11)以及銨鹽的反應(yīng)性及反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選為0.5～10小時，進一步優(yōu)選為1～5小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(1-21)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。得到的化合物(1-21)的結(jié)構(gòu)可以通過1h-核磁共振(nmr)譜法、13c-nmr譜法、19f-nmr譜法、紅外線吸收(ir)譜法、質(zhì)譜(ms)法、元素分析法、x射線結(jié)晶衍射法等通常的有機分析方法來確認?！痘衔?1-14)的制造方法》接著，對本發(fā)明第11方式的化合物(1-14)制造方法進行說明。本發(fā)明的化合物(1-14)的制造方法包括通過使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)與銨鹽反應(yīng)來得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序。[式中，rc為可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q4是單鍵或2價的連接基團；n為0或1；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；r3’～r6’分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3’～r6’中的至少1個為上述烴基，r3’～r6’中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)；m+為堿金屬離子。]式中，rc、q4、n、y1、r3’～r6’、m+分別同上。作為銨鹽，可以列舉上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺的鹽酸鹽或溴酸鹽等。關(guān)于化合物(1-13)與銨鹽的反應(yīng)，可以與現(xiàn)有公知的鹽置換方法同樣地來實施。例如，將化合物(1-13)與銨鹽溶于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶劑中，通過攪拌等使其反應(yīng)。反應(yīng)溫度優(yōu)選為0℃～150℃左右，進一步優(yōu)選為0℃～100℃左右。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(1-13)以及銨鹽的反應(yīng)性及反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選為0.5～10小時，進一步優(yōu)選為1～5小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(1-14)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如洗滌、濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。在本發(fā)明中，化合物(1-14)具有n+(r3’)(r4’)(r5’)(r6’)作為陽離子部，由于難溶于水，因此可以通過水洗來進行精制。得到的化合物(1-14)的結(jié)構(gòu)可以通過1h-核磁共振(nmr)譜法、13c-nmr譜法、19f-nmr譜法、紅外線吸收(ir)譜法、質(zhì)譜(ms)法、元素分析法、x射線結(jié)晶衍射法等通常的有機分析方法來確認?！痘衔?b0-1)的用途》如上所述，本發(fā)明的化合物(b0-1)是新型化合物，能作為合成用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物特別是本發(fā)明第3方式的化合物(b1-1)時的中間體使用。即，對化合物(b0-1)進行鹽置換，將化合物(b0-1)的陽離子部(n+(r3)(r4)(r5)(r6))置換成合適的陽離子部例如锍離子、碘鎓離子等有機陽離子而得到的化合物通過曝光能產(chǎn)生酸(磺酸)。所述化合物可以作為抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑使用。本發(fā)明的化合物(b0-1)作為在通過上述鹽置換來制造產(chǎn)酸劑用化合物時的中間體，非常有用。即，由于陽離子部為n+(r3)(r4)(r5)(r6)，因此能通過水洗來容易地精制該化合物，能期待最終產(chǎn)物純度的提高。若陽離子部為堿金屬離子，則水洗精制會使該化合物溶解，很難通過水洗來精制。另外，通過鹽置換由本發(fā)明的化合物(b0-1)制得的化合物不僅能作為產(chǎn)酸劑使用，而且將該化合物作為產(chǎn)酸劑而摻入抗蝕劑組合物后有助于提高抗蝕劑組合物的光刻特性，例如提高形成抗蝕劑圖案時的析像度、掩模重現(xiàn)性(例如掩模線性(masklinearity：マスクリニアリティ)等)、曝光量(el)寬裕度、抗蝕劑圖案形狀、焦深(dof)等。el容裕度是指改變曝光量進行曝光時，能以與目標尺寸的偏差在規(guī)定范圍內(nèi)的尺寸來形成抗蝕劑圖案的曝光量的范圍，即得到忠實于掩模圖案的抗蝕劑圖案的曝光量的范圍，el容裕度的值越大，隨曝光量的變動而產(chǎn)生的圖案尺寸的變化量越小，工序的容裕度越提高，因而優(yōu)選。推測產(chǎn)生上述效果的理由如下。即，通過鹽置換由上述化合物(b0-1)制得的化合物的陰離子部具有在“y1-so3-”的骨架上鍵合有rx-q3-o-q2-的結(jié)構(gòu)。因此，與以往作為陰離子使用的氟代烷基磺酸離子相比，極性大，空間位阻大，成為龐大的結(jié)構(gòu)。據(jù)推測，與九氟丁磺酸離子等現(xiàn)有的產(chǎn)酸劑的陰離子部相比，極性大引起的分子間的相互作用以及其龐大的立體結(jié)構(gòu)能從化學(xué)上和物理上抑制該陰離子部(酸)在抗蝕劑膜內(nèi)的擴散。因此，抑制曝光區(qū)域產(chǎn)生的酸向未曝光區(qū)域擴散，從而使未曝光區(qū)域與曝光區(qū)域的對堿顯影液的溶解性之差(溶解對比度)提高，籍此，析像度和抗蝕劑圖案形狀提高。y1的可以具有取代基的亞烷基或可以具有取代基的氟代亞烷基的烷基鏈與例如碳原子數(shù)為6～10的全氟烷基鏈的難分解性相比，其分解性良好，可以獲得考慮到生物體蓄積性的操作性進一步提高這一效果。作為將本發(fā)明的化合物(b0-1)作為中間體而制造的用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物的一個例子，可以列舉后述本發(fā)明的化合物(b1-1)?！痘衔?b1-1)》接著，對本發(fā)明第3方式的化合物(b1-1)進行說明?；衔?b1-1)優(yōu)選作為本發(fā)明第1方式的抗蝕劑組合物的產(chǎn)酸劑使用。式(b1-1)中的rx、y1、q2和q3分別與上述通式(b0-1)中的rx、y1、q2和q3相同。作為z+的有機陽離子，只要是上述通式(w-1)表示的離子以外的陽離子即可，沒有特殊限制，可以適當使用以往作為鎓鹽類產(chǎn)酸劑的陽離子部而為人所知的陽離子。所述陽離子部中，作為z+的有機陽離子，優(yōu)選锍離子或碘鎓離子，特別優(yōu)選锍離子。具體而言，可以優(yōu)選使用下述通式(b’-1)、(b’-2)、(b-5)或(b-6)表示的陽離子部。[式中，r1”～r3”、r5”～r6”分別獨立地表示芳基或烷基；r1”～r3”中的任意2個可以相互鍵合并與式中的硫原子一起成環(huán)；r1”～r3”中的至少一個表示芳基，r5”～r6”中的至少一個表示芳基。][式中，r40是氫原子或烷基，r41是烷基、乙酰基、羧基或羥烷基，r42～r46分別獨立地為烷基、乙酰基、烷氧基、羧基或羥烷基；n0～n5分別獨立地為0～3的整數(shù)，其中，n0+n1為5以下，n6為0～2的整數(shù)。]式(b’－1)中，r1”～r3”分別獨立地表示芳基或烷基。r1”～r3”中的任意2個可以相互鍵合并與式中的硫原子一起成環(huán)。而且，r1”～r3”中的至少一個表示芳基。r1”～r3”中優(yōu)選2個以上為芳基，最優(yōu)選r1”～r3”全部是芳基。作為r1”～r3”的芳基，沒有特殊限制，可列舉例如碳原子數(shù)為6～20的無取代的芳基、該無取代的芳基的一部分或全部氫原子被烷基、烷氧基、烷氧基烷基氧基、烷氧基羰基烷基氧基、鹵原子、羥基等取代后的取代芳基、－(r4’)－c(＝o)－r5’。r4’是碳原子數(shù)為1～5的亞烷基。r5’是芳基。作為r5’的芳基，可以列舉與上述r1”～r3”的芳基相同的基團。作為無取代的芳基，從能廉價合成的觀點出發(fā)，優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10的芳基。具體可以列舉例如苯基、萘基。作為取代芳基中的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷基，最優(yōu)選甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。作為取代芳基中的烷氧基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷氧基，最優(yōu)選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基。作為取代芳基中的鹵原子，優(yōu)選氟原子。作為取代芳基中的烷氧基烷基氧基，可以列舉例如通式－o－c(r47)(r48)－o－r49[式中，r47、r48分別獨立地為氫原子或直鏈狀或支鏈狀的烷基，r49是烷基。]表示的基團。r47、r48中，烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～5，可以是直鏈狀，也可以是支鏈狀，優(yōu)選乙基、甲基，最優(yōu)選甲基。r47、r48優(yōu)選至少一方為氫原子。特別優(yōu)選一方是氫原子，另一方是氫原子或甲基。作為r49的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～15，可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種。作為r49中的直鏈狀、支鏈狀的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等。作為r49中的環(huán)狀烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為4～15，更優(yōu)選碳原子數(shù)為4～12，最優(yōu)選碳原子數(shù)為5～10。具體可以列舉被碳原子數(shù)1～5的烷基、氟原子或氟代烷基取代或未取代的單環(huán)烷、雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷脫去1個以上的氫原子后的基團等。作為單環(huán)烷，可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷等。作為多環(huán)烷，可以列舉金剛烷、降冰片烷、異冰片烷(isobornane)、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷等。其中，優(yōu)選金剛烷脫去1個以上氫原子后的基團。作為取代芳基中的烷氧基羰基烷基氧基，可以列舉例如通式：－o－r50－c(＝o)－o－r51[式中，r50是直鏈狀或支鏈狀的亞烷基，r51是叔烷基。]表示的基團。作為r50中的直鏈狀、支鏈狀的亞烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5，可以列舉例如亞甲基、亞乙基、三亞甲基、四亞甲基、1，1－二甲基亞乙基等。作為r51中的叔烷基，可以列舉2－甲基－2－金剛烷基、2－乙基－2－金剛烷基、1－甲基－1－環(huán)戊基、1－乙基－1－環(huán)戊基、1－甲基－1－環(huán)己基、1－乙基－1－環(huán)己基、1－(1－金剛烷基)－1－甲基乙基、1－(1－金剛烷基)－1－甲基丙基、1－(1－金剛烷基)－1－甲基丁基、1－(1－金剛烷基)－1－甲基戊基；1－(1－環(huán)戊基)－1－甲基乙基、1－(1－環(huán)戊基)－1－甲基丙基、1－(1－環(huán)戊基)－1－甲基丁基、1－(1－環(huán)戊基)－1－甲基戊基；1－(1－環(huán)己基)－1－甲基乙基、1－(1－環(huán)己基)－1－甲基丙基、1－(1－環(huán)己基)－1－甲基丁基、1－(1－環(huán)己基)－1－甲基戊基、叔丁基、叔戊基、叔己基等。作為r1”～r3”的芳基，分別優(yōu)選苯基或萘基。作為r1”～r3”的烷基，沒有特殊限制，可以列舉例如碳原子數(shù)為1～10的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基等。從析像度優(yōu)異的觀點出發(fā)，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5。具體可以列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、正戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、壬基、癸基等。其中，從析像度優(yōu)異且能廉價合成的觀點出發(fā)，可以優(yōu)選甲基。當r1”～r3”中的任意2個相互鍵合并與式中的硫原子一起成環(huán)時，優(yōu)選形成包含硫原子在內(nèi)的3～10元環(huán)，特別優(yōu)選形成5～7元環(huán)。當r1”～r3”中的任意2個相互鍵合并與式中的硫原子一起成環(huán)時，剩余的一個優(yōu)選為芳基。上述芳基可以列舉與上述r1”～r3”的芳基相同的基團。作為式(b’－1)表示的陽離子部的具體例子，可以列舉三苯基锍、(3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－金剛烷氧基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－金剛烷氧基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(叔丁氧基羰基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(叔丁氧基羰基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－甲基－2－金剛烷基氧基羰基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(2－甲基－2－金剛烷基氧基羰基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、三(4－甲基苯基)锍、二甲基(4－羥基萘基)锍、一苯基二甲基锍、二苯基一甲基锍、(4－甲基苯基)二苯基锍、(4－甲氧基苯基)二苯基锍、三(4－叔丁基)苯基锍、二苯基(1－(4－甲氧基)萘基)锍、二(1－萘基)苯基锍、1－苯基四氫噻吩鎓(phenyltetrahydrothiophenium)、1－(4－甲基苯基)四氫噻吩鎓、1－(3，5－二甲基－4－羥苯基)四氫噻吩鎓、1－(4－甲氧基萘－1－基)四氫噻吩鎓、1－(4－乙氧基萘－1－基)四氫噻吩鎓、1－(4－正丁氧基萘－1－基)四氫噻吩鎓、1－苯基四氫噻喃鎓、1－(4－羥苯基)四氫噻喃鎓、1－(3，5－二甲基－4－羥苯基)四氫噻喃鎓、1－(4－甲基苯基)四氫噻喃鎓等。式(b’－2)中，r5”和r6”分別獨立地表示芳基或烷基。r5”和r6”中至少一個表示芳基。優(yōu)選r5”和r6”兩者均為芳基。作為r5”和r6”的芳基，可以列舉與r1”～r3”的芳基相同的基團。作為r5”和r6”的烷基，可以列舉與r1”～r3”的烷基相同的基團。其中，最優(yōu)選r5”和r6”均為苯基。作為式(b’－2)表示的陽離子部的具體例子，可以列舉二苯基碘鎓、二(4-叔丁基苯基)碘鎓等。通式(b－5)～(b－6)的r40～r46中，烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷基，其中，更優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的烷基，特別優(yōu)選甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基或叔丁基。烷氧基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷氧基，其中更優(yōu)選直鏈或支鏈狀的烷氧基，特別優(yōu)選甲氧基、乙氧基。羥烷基優(yōu)選上述烷基中的一個或多個氫原子被羥基取代后的基團，可以列舉羥甲基、羥乙基、羥丙基等。當or40所帶的符號n0為2以上的整數(shù)時，多個or40可以分別相同或不同。當r41～r46所帶的符號n1～n6為2以上的整數(shù)時，多個r41～r46可以分別相同或不同。n0優(yōu)選為0或1。n1優(yōu)選為0～2。n2和n3優(yōu)選分別獨立地為0或1，更優(yōu)選為0。n4優(yōu)選為0～2，更優(yōu)選為0或1。n5優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為0。n6優(yōu)選為0或1。作為z+，優(yōu)選式(b’－1)或(b－5)表示的陽離子部，特別優(yōu)選下式(b’－1－1)～(b’－1－10)、(b－5－1)～(b－5－4)表示的陽離子部，更優(yōu)選式(b’－1－1)～(b’－1－8)表示的陽離子部等三苯基骨架的陽離子部、或(b’－1－10)表示的陽離子部。式(b’－1－9)～(b’－1－10)中，r8、r9分別獨立地為可以具有取代基的苯基、萘基或碳原子數(shù)為1～5的烷基、烷氧基、羥基，優(yōu)選可以具有取代基的苯基。u是1～3的整數(shù)，最優(yōu)選1或2。作為化合物(b1-1)，優(yōu)選下述通式(b1-1-1)表示的化合物。[式中，rx、y1和z+分別與上述通式(b1-1)中的rx、y1和z+相同；r1為亞烷基。]在上述通式(b1-1-1)中，rx、y1和z+分別與上述通式(b1-1)中的rx、y1和z+相同。r1的亞烷基可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀，進一步優(yōu)選直鏈狀。直鏈狀或支鏈狀的亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～12，進一步優(yōu)選為1～5，更優(yōu)選為1～3。作為該亞烷基，具體可以列舉例如亞甲基[-ch2-]；-ch(ch3)-、-ch(ch2ch3)-、-c(ch3)2-、-c(ch3)(ch2ch3)-、-c(ch3)(ch2ch2ch3)-、-c(ch2ch3)2-等烷基亞甲基；亞乙基[-ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2-、-ch(ch3)ch(ch3)-、-c(ch3)2ch2-、-ch(ch2ch3)ch2-等烷基亞乙基；三亞甲基(正亞丙基)[-ch2ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2ch2-、-ch2ch(ch3)ch2-等烷基三亞甲基；四亞甲基[-ch2ch2ch2ch2-]；-ch(ch3)ch2ch2ch2-、-ch2ch(ch3)ch2ch2-等烷基四亞甲基；五亞甲基[-ch2ch2ch2ch2ch2-]等。其中，優(yōu)選亞甲基、亞乙基或正亞丙基，特別優(yōu)選亞乙基。作為化合物(b1-1)，特別優(yōu)選下述通式(b1-1-11)～(b1-1-13)表示的化合物。[式中，z+同上，p為1～3的整數(shù)，q1～q3分別獨立地為1～12的整數(shù)，r1為0～3的整數(shù)，g為1～20的整數(shù)，r7為取代基。]作為r7的取代基，可以列舉在上述rx中作為脂肪族烴基可以具有的取代基而列舉的基團相同的基團。當r7所帶的符號(r1)為2以上的整數(shù)時，該化合物中的多個r7可以分別相同或不同。p優(yōu)選為1或2。q1～q3優(yōu)選分別獨立地為1～5，更優(yōu)選為1～3。r1優(yōu)選為0～2的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1。g較優(yōu)選為1～15，更優(yōu)選為1～10。本發(fā)明的化合物(b1-1)是新型化合物。本發(fā)明的化合物(b1-1)能作為化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑使用，可以作為產(chǎn)酸劑摻入化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物中。本發(fā)明的化合物(b1-1)的制造方法沒有特殊限制，例如可以采用后述的本發(fā)明化合物(b1-1)的制造方法來制造?！痘衔?b1-1)的制造方法》接著，對本發(fā)明第4方式的化合物(b1-1)制造方法進行說明。本發(fā)明第4方式的化合物(b1-1)制造方法包括通過使下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)與下述通式(b0-02)表示的化合物(b0-02)反應(yīng)來得到化合物(b1-1)的工序。z+a-…(bo-o2)[式中，rx是可以具有取代基的烴基，但取代基不為氮原子；q2和q3分別獨立地為單鍵或2價的連接基團；y1是碳原子數(shù)為1～4的亞烷基或氟代亞烷基；w+是堿金屬離子或下述通式(w-1)表示的離子；z+是有機陽離子，但下述通式(w-1)表示的離子除外；a-是非親核性陰離子。][式中，r3～r6分別獨立地為氫原子或可以具有取代基的烴基，r3～r6中的至少1個為上述烴基，r3～r6中的至少2個可以分別鍵合成環(huán)。]式中，rx、q2、q3、y1、z+分別與上述通式(b1-1)中的rx、q2、q3、y1、z+相同。w+是堿金屬離子或上述通式(w-1)表示的離子(以下稱為取代銨離子)。w+中，作為堿金屬離子，可以列舉鈉離子、鉀離子、鋰離子等。式(w-1)中，r3～r6分別與上述通式(b0-1)中的r3～r6相同。a-是非親核性陰離子。作為該非親核性離子，可以列舉例如溴離子、氯離子等鹵離子、能形成酸性低于化合物(b0-1)的酸的離子、bf4-、asf6-、sbf6-、pf6-或clo4-等。作為a-中的能形成酸性低于化合物(b0-1)的酸的離子，可以列舉對甲苯磺酸離子、甲磺酸離子、苯磺酸離子、三氟甲磺酸離子等磺酸離子。在本發(fā)明第4方式的化合物(b1-1)制造方法中，特別優(yōu)選化合物(b0-1)是下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)，化合物(b1-1)是下述通式(b1-1-1)表示的化合物(b1-1-1)。[式中，rx、y1和w+與上述通式(b0-1)中的rx、y1和w+相同；rb與rx相同；z+與上述通式(b1-1)中的z+相同；r1與上述通式(b0-1-11)中的r1相同。]上述化合物(b0-01)例如可以通過使下述通式(1-3)表示的化合物(1-3)與下述通式(2-1)表示的化合物(2-1)反應(yīng)來合成。[式中，rx、r1、y1、w+分別同上，x22為鹵原子。]作為x22的鹵原子，可以列舉溴原子、氯原子、碘原子、氟原子等，從反應(yīng)性優(yōu)異的觀點出發(fā)，優(yōu)選溴原子或氯原子，特別優(yōu)選氯原子?；衔?1-3)、(2-1)分別可以使用市售品，也可以合成。例如，當化合物(1-3)中的w+為堿金屬離子時，作為該化合物(下述通式(1-3’)表示的化合物(1-3’))的優(yōu)選合成方法，可以列舉具有通過使下述通式(1-1)表示的化合物(1-1)與下述通式(1-2)表示的化合物(1-2)反應(yīng)來得到化合物(1-3’)的工序的方法。ho-r1-o-r2...(1-1)[式中，r1、y1分別與上述相同，r2為可以具有芳香族基作為取代基的脂肪族基，m+為堿金屬離子。]作為m+，可以列舉與上述w+所列舉的堿金屬離子相同的堿金屬離子。r2為可以具有芳香族基作為取代基的脂肪族基。該脂肪族基可以是飽和脂肪族基，也可以是不飽和脂肪族基。另外，脂肪族基可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任一種，也可以是它們的組合。脂肪族基可以是僅由碳原子和氫原子形成的脂肪族烴基，也可以是構(gòu)成該脂肪族烴基的碳原子的一部分被含雜原子的取代基取代后的基團，也可以是構(gòu)成該脂肪族烴基的氫原子的一部分或全部被含雜原子的取代基取代后的基團。作為上述雜原子，只要是碳原子和氫原子以外的原子即可，沒有特殊限制，可以列舉例如鹵原子、氧原子、硫原子、氮原子等。作為鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。含雜原子的取代基可以僅由雜原子形成，也可以是含有雜原子以外的基團或原子的基團。作為取代碳原子的一部分的取代基，具體可以列舉例如-o-、-c(＝o)-o-、-c(＝o)-、-o-c(＝o)-o-、-c(＝o)-nh-、-nh-(h可以被烷基、?；热〈〈?、-s-、-s(＝o)2-、-s(＝o)2-o-等。當脂肪族基含有環(huán)式基時，可以在該環(huán)式基的環(huán)結(jié)構(gòu)中含有這些取代基。作為取代氫原子的一部分或全部的取代基，具體可以列舉例如烷氧基、鹵原子、鹵代烷基、羥基、氧原子(＝o)、-coor96、-oc(＝o)r97、氰基等。作為上述烷氧基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的烷氧基，進一步優(yōu)選甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最優(yōu)選甲氧基、乙氧基。作為上述鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優(yōu)選氟原子。作為上述鹵代烷基，可以列舉碳原子數(shù)為1～5的烷基例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等烷基的氫原子的一部分或全部被上述鹵原子取代后的基團。r96和r97分別獨立地為氫原子或碳原子數(shù)為1～15的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基。當r96和r97中的烷基為直鏈狀或支鏈狀時，其碳原子數(shù)優(yōu)選為1～10，進一步優(yōu)選為1～5，更優(yōu)選為1或2。具體可以列舉與后述的直鏈狀或支鏈狀的1價飽和烴基相同的基團。當r96和r97中的烷基為環(huán)狀時，該環(huán)可以是單環(huán)，也可以是多環(huán)。其碳原子數(shù)優(yōu)選為3～15，進一步優(yōu)選為4～12，更優(yōu)選為5～10。具體可以列舉與后述的環(huán)狀的1價飽和烴基相同的基團。作為脂肪族烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～30的直鏈狀或支鏈狀的飽和烴基、碳原子數(shù)為2～10的直鏈狀或支鏈狀的1價不飽和烴基、或碳原子數(shù)為3～30的環(huán)狀的脂肪族烴基(脂環(huán)基)。作為直鏈狀的飽和烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～20，進一步優(yōu)選為1～15，最優(yōu)選為1～10。具體可以列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。作為支鏈狀的飽和烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)為3～20，進一步優(yōu)選為3～15，最優(yōu)選為3～10。具體可以列舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。作為不飽和烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)為2～5，進一步優(yōu)選為2～4，更優(yōu)選為3。作為直鏈狀的1價不飽和烴基，可以列舉例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作為支鏈狀的1價不飽和烴基，可以列舉例如1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。上述不飽和烴基中特別優(yōu)選丙烯基。作為脂環(huán)基，可以是單環(huán)基，也可以是多環(huán)基。其碳原子數(shù)優(yōu)選為3～30，進一步優(yōu)選為5～30，更優(yōu)選為5～20，特別優(yōu)選為6～15，最優(yōu)選為6～12。具體可以列舉例如由單環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團；由雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。更具體而言，可以列舉例如由環(huán)戊烷、環(huán)己烷等單環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團；由金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)癸烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。在r2中，上述脂肪族基可以具有芳香族基作為取代基。作為芳香族基，可以列舉苯基、聯(lián)苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烴環(huán)除去1個氫原子后的芳基；構(gòu)成這些芳基的環(huán)的碳原子的一部分被氧原子、硫原子、氮原子等雜原子取代后的雜芳基等。這些芳香族基可以具有碳原子數(shù)為1～10的烷基、鹵代烷基、烷氧基、羥基、鹵原子等取代基。該取代基中的烷基或鹵代烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4。該鹵代烷基優(yōu)選為氟代烷基。該鹵原子可以列舉氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等，優(yōu)選氟原子。另外，若化合物(1-1)中的r2為芳香族基，即與r2相鄰的氧原子不通過脂肪族基而直接與芳香環(huán)鍵合，則化合物(1-1)與化合物(1-2)的反應(yīng)無法進行，得不到化合物(1-3)?；衔?1-1)、(1-2)可以分別使用市售品，也可以利用公知的方法來合成。例如化合物(1-2)，可以列舉包括通過將下述通式(0-1)表示的化合物(0-1)在堿的存在下加熱、中和來得到下述通式(0-2)表示的化合物(0-2)的工序(以下稱為鹽形成工序)和通過將上述化合物(0-2)在酸強度高于化合物(1-2)的酸的存在下加熱來得到化合物(1-2)的工序(以下稱為羧酸化工序)的方法。[式中，r01為烷基，y1、m+同上。]作為r01的烷基，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的烷基，具體可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等。其中，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4的烷基，最優(yōu)選甲基。作為化合物(0-1)，可以使用市售品。關(guān)于鹽形成工序，例如可以通過將化合物(0-1)在溶劑中溶解、在該溶液中加堿、加熱來實施。作為溶劑，只要是能溶解化合物(0-1)的溶劑即可，可以列舉例如水、四氫呋喃等。作為堿，使用與式(0-2)中的m對應(yīng)的堿，作為該堿，可以列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰等堿金屬氫氧化物。關(guān)于堿的用量，相對于化合物(0-1)1摩爾，優(yōu)選為1～5摩爾，進一步優(yōu)選為2～4摩爾。加熱溫度優(yōu)選為20～120℃左右，進一步優(yōu)選為50～100℃左右。加熱時間根據(jù)加熱溫度等而各異，通常優(yōu)選0.5～12小時，進一步優(yōu)選1～5小時。關(guān)于上述加熱后的中和，可以通過在上述加熱后的反應(yīng)液中添加鹽酸、硫酸、對甲苯磺酸等酸來實施。此時，優(yōu)選使酸添加后的反應(yīng)液的ph(25℃)為6～8來實施中和。中和時的反應(yīng)液的溫度優(yōu)選為20～30℃，進一步優(yōu)選為23～27℃。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(0-2)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。在羧酸化工序中，通過將在上述鹽形成工序中得到的化合物(0-2)在酸強度高于化合物(1-2)的酸的存在下加熱來得到該化合物(1-2)?！八釓姸雀哂诨衔?1-2)的酸(以下有時簡稱為強酸)”是指pka(25℃)的值小于化合物(1-2)中的-cooh的酸。通過使用所述強酸，化合物(0-2)中的-coo-m+變?yōu)?cooh，得到化合物(1-2)。作為強酸，從公知的酸中適當選擇使用pka小于上述化合物(1-2)中的-cooh的pka的酸即可?；衔?1-2)中的-cooh的pka可以用公知的滴定法來求得。作為強酸，具體可以列舉芳基磺酸、烷基磺酸等磺酸、硫酸、鹽酸等。作為芳基磺酸，可以列舉例如對甲苯磺酸。作為烷基磺酸，可以列舉例如甲磺酸、三氟甲磺酸等。作為強酸，從對有機溶劑的溶解性以及精制容易性的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選對甲苯磺酸。關(guān)于羧酸化工序，例如可以通過將化合物(0-2)溶解在溶劑中、加強酸后加熱來實施。作為溶劑，只要是能溶解化合物(0-2)的溶劑即可，可以列舉例如乙腈、甲乙酮等。關(guān)于強酸的用量，相對于化合物(0-2)1摩爾，優(yōu)選為0.5～3摩爾，進一步優(yōu)選為1～2摩爾。加熱溫度優(yōu)選為20～150℃左右，進一步優(yōu)選為50～120℃左右。加熱時間根據(jù)加熱溫度等而各異，通常優(yōu)選0.5～12小時，進一步優(yōu)選1～5小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(1-2)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。例如，當化合物(1-3)中的w+為上述取代銨離子時，該化合物(下述通式(1-3”)表示的化合物(1-3”))例如可以通過使上述化合物(1-3’)與銨鹽反應(yīng)來制造。[式中，rx、r1、y1、r3～r6分別與上述相同。]作為此時使用的銨鹽，可以列舉上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺的鹽酸鹽或溴酸鹽等。關(guān)于反應(yīng)，例如可以將化合物(1-3’)與銨鹽在水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶劑中溶解并通過攪拌等來使其反應(yīng)。反應(yīng)溫度優(yōu)選為0℃～150℃左右，進一步優(yōu)選為0℃～100℃。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(1-3’)、銨鹽的反應(yīng)性及反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選為0.5～10小時，進一步優(yōu)選為1～5小時。作為使化合物(1-3)與化合物(2-1)反應(yīng)的方法，沒有特殊限制，可以列舉例如在反應(yīng)溶劑中使化合物(1-3)和化合物(2-1)接觸的方法。該方法例如可以通過在堿的存在下向在反應(yīng)溶劑中溶解有化合物(1-3)得到的溶液中添加化合物(2-1)來實施。作為反應(yīng)溶劑，只要是能溶解作為原料的化合物(1-3)和化合物(2-1)的溶劑即可，具體可以列舉四氫呋喃(thf)、丙酮、二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜(dmso)、乙腈等。作為堿，可以列舉例如三乙基胺、4-二甲基氨基吡啶(dmap)、吡啶等有機堿；氫氧化鈉、k2co3、cs2co3等無機堿等。關(guān)于化合物(2-1)的添加量，相對于化合物(1-3)，優(yōu)選約為1～3當量，進一步優(yōu)選為1～2當量。反應(yīng)溫度優(yōu)選為-20～40℃，進一步優(yōu)選為0～30℃。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(1-3)和化合物(2-1)的反應(yīng)性及反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選為1～120小時，進一步優(yōu)選為1～48小時。當化合物(b0-01)中的w+為上述取代銨離子時，該化合物(下述通式(b0-01’)表示的化合物(b0-01’))例如可以通過使上述化合物(1-3’)、上述化合物(2-1)與胺或銨鹽同時反應(yīng)的方法來制造。[式中，rx、r1、y1、w+、x22分別與上述相同。]上述化合物(1-3’)、上述化合物(2-1)與胺或銨鹽可以與上述化合物(1-3)與上述化合物(2-1)反應(yīng)的情況同樣地進行反應(yīng)。作為此時使用的胺，可以列舉上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺等，作為銨鹽，可以列舉四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化胺、四丁基氫氧化胺等四烷基氫氧化銨(作為四烷基銨中的烷基，分別獨立地為碳原子數(shù)為1～4的烷基)。在上述制造方法中，上述化合物(1-3”)、化合物(b0-01’)等取代銨鹽作為制造本發(fā)明的化合物(b1-1)時的中間體非常有用。即，由于陽離子部為n+(r3)(r4)(r5)(r6)，因此能通過水洗來容易地精制該化合物，能期待最終產(chǎn)物純度的提高。若陽離子部為堿金屬離子，則水洗精制會使該化合物溶解，很難通過水洗來精制。因此，在本發(fā)明的制造方法中，化合物(b1-1)優(yōu)選由陽離子部具有上述取代銨離子的中間體來制造。化合物(b0-01)與化合物(b0-02)的反應(yīng)可以與現(xiàn)有公知的鹽置換方法同樣地實施。例如，可以將化合物(b0-01)與化合物(b0-02)溶解于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶劑中，通過攪拌等使其反應(yīng)。反應(yīng)溫度優(yōu)選為0℃～150℃左右，進一步優(yōu)選為0℃～100℃左右。反應(yīng)時間根據(jù)化合物(b0-01)以及化合物(b0-02)的反應(yīng)性和反應(yīng)溫度等而各異，通常優(yōu)選0.5～12小時，進一步優(yōu)選1～5小時。反應(yīng)結(jié)束后，可以對反應(yīng)液中的化合物(b1-1)進行分離、精制。分離、精制可以利用現(xiàn)有公知的方法，例如濃縮、溶劑提取、蒸餾、結(jié)晶、重結(jié)晶、色譜法等，可以單獨使用它們中的任一種，或2種以上組合使用。得到的化合物(b1-1)的結(jié)構(gòu)可以通過1h-核磁共振(nmr)譜法、13c-nmr譜法、19f-nmr譜法、紅外線吸收(ir)譜法、質(zhì)譜(ms)法、元素分析法、x射線結(jié)晶衍射法等一般的有機分析方法來確認?！懂a(chǎn)酸劑》本發(fā)明第5方式的產(chǎn)酸劑由上述本發(fā)明的化合物(b1-1)形成。該產(chǎn)酸劑是化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑，例如可以用作后述本發(fā)明第1方式的抗蝕劑組合物的產(chǎn)酸劑成分(b)。該產(chǎn)酸劑特別優(yōu)選由下述通式(b1-1-1)表示的化合物形成。《抗蝕劑組合物》接著，對本發(fā)明第1方式的抗蝕劑組合物進行說明。本發(fā)明第1方式的抗蝕劑組合物含有在酸的作用下對堿顯影液的溶解性改變的基材成分(a)(以下稱為(a)成分)和通過曝光來產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分(b)(以下稱為(b)成分)。關(guān)于使用所述抗蝕劑組合物形成的抗蝕劑膜，若在抗蝕劑圖案形成時進行選擇性的曝光，則由(b)成分產(chǎn)生酸，該酸使(a)成分對堿顯影液的溶解性發(fā)生改變。其結(jié)果是，該抗蝕劑膜的曝光部對堿顯影液的溶解性改變，而未曝光部對堿顯影液的溶解性不變，因此通過堿顯影，正型時的曝光部、負型時的未曝光部被溶解除去，形成抗蝕劑圖案。本發(fā)明的抗蝕劑組合物可以是負型抗蝕劑組合物，也可以是正型抗蝕劑組合物。＜(a)成分＞作為(a)成分，通?？梢詥为毷褂?種作為化學(xué)增幅型抗蝕劑用的基材成分的有機化合物或2種以上混合使用。這里，“基材成分”是指具有成膜能力的有機化合物，優(yōu)選使用分子量為500以上的有機化合物。由于該有機化合物的分子量為500以上，因此成膜能力提高，且易形成納米水平的抗蝕劑圖案。上述分子量為500以上的有機化合物可以大致分為分子量在500以上不足2000的低分子量有機化合物(以下稱為低分子化合物。)和分子量在2000以上的高分子量樹脂(高分子材料)。作為上述低分子化合物，通常采用非聚合物。樹脂(聚合物、共聚物)的情況下，作為“分子量”，采用通過gpc(凝膠滲透色譜法)測得的聚苯乙烯換算的質(zhì)均分子量。以下簡稱“樹脂”時，指分子量在2000以上的樹脂。作為(a)成分，可以使用在酸的作用下堿溶解性改變的樹脂，也可以使用在酸的作用下堿溶解性改變的低分子材料。當本發(fā)明的抗蝕劑組合物是負型抗蝕劑組合物時，作為(a)成分，可采用在堿顯影液中可溶的基材成分，在該負型抗蝕劑組合物中還摻入交聯(lián)劑。關(guān)于所述負型抗蝕劑組合物，當通過曝光由(b)成分產(chǎn)生酸時，在該酸的作用下在基材成分與交聯(lián)劑之間產(chǎn)生交聯(lián)，變?yōu)樵趬A顯影液中難溶。因此，在抗蝕劑圖案的形成中，對在基板上涂布該負型抗蝕劑組合物而得到的抗蝕劑膜進行選擇性曝光時，曝光部變?yōu)樵趬A顯影液中難溶，而未曝光部在堿顯影液中依然可溶而未發(fā)生變化，因此能通過堿顯影來形成抗蝕劑圖案。作為負型抗蝕劑組合物的(a)成分，通常使用在堿顯影液中可溶的樹脂(以下稱為堿可溶性樹脂。)。作為堿可溶性樹脂，具有由選自α－(羥烷基)丙烯酸或α－(羥烷基)丙烯酸的低級烷基酯中的至少一種衍生的單元的樹脂能形成膨潤少的良好的抗蝕劑圖案，故優(yōu)選。另外，α－(羥烷基)丙烯酸是指與羧基鍵合的α位的碳原子上鍵合有氫原子的丙烯酸、和該α位碳原子上鍵合有羥烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)1～5的羥烷基)的α-羥烷基丙烯酸中的一方或雙方。作為交聯(lián)劑，例如通常若采用具有羥甲基或烷氧基甲基的甘脲等氨基類交聯(lián)劑，則能形成膨潤少的良好的抗蝕劑圖案，故優(yōu)選。交聯(lián)劑的摻和量相對于堿可溶性樹脂100質(zhì)量份優(yōu)選為1～50質(zhì)量份。當本發(fā)明的抗蝕劑組合物為正型抗蝕劑組合物時，作為(a)成分，采用在酸的作用下在堿顯影液中的溶解性增加的基材成分。該(a)成分在曝光前難溶于堿顯影液，當通過曝光由上述(b)成分產(chǎn)生酸時，在該酸的作用下，在堿顯影液中的溶解性增加。因此，在抗蝕劑圖案的形成中，若對在基板上涂布該正型抗蝕劑組合物而得到的抗蝕劑膜進行選擇性曝光，則曝光部在堿顯影液中的溶解性從難溶性向可溶性轉(zhuǎn)變，而未曝光部不發(fā)生改變，依然為堿難溶性，因此能通過堿顯影來形成抗蝕劑圖案。本發(fā)明的抗蝕劑組合物中，(a)成分優(yōu)選為在酸的作用下在堿顯影液中的溶解性增加的基材成分。即，本發(fā)明的抗蝕劑組合物優(yōu)選正型抗蝕劑組合物。該(a)成分可以是在酸的作用下在堿顯影液中的溶解性增加的樹脂成分(a1)(以下有時稱為(a1)成分。)，也可以是在酸的作用下在堿顯影液中的溶解性增加的低分子化合物(a2)(以下有時稱為(a2)成分。)，也可以是它們的混合物。其中，該(a)成分優(yōu)選含有(a1)成分。[(a1)成分]作為(a1)成分，通常，可以單獨使用1種用作化學(xué)增幅型抗蝕劑用的基材成分的樹脂成分(基材樹脂)或2種以上混合使用。在本方式中，作為(a1)成分，優(yōu)選含有由丙烯酸酯衍生的結(jié)構(gòu)單元。這里，在本說明書和權(quán)利要求書中，“由丙烯酸酯衍生的結(jié)構(gòu)單元”是指丙烯酸酯的烯屬雙鍵斷裂構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元。“丙烯酸酯”除了α位的碳原子上鍵合氫原子的丙烯酸酯外，還包含α位的碳原子與取代基(氫原子以外的原子或基團)鍵合的丙烯酸酯。作為取代基，可以列舉低級烷基、鹵代低級烷基等。另外，在沒有特殊說明的情況下，由丙烯酸酯衍生的結(jié)構(gòu)單元的α位(α位的碳原子)是指與羰基鍵合的碳原子。在丙烯酸酯中，關(guān)于作為α位的取代基的低級烷基，具體可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等低級直鏈狀或支鏈狀的烷基。作為鹵代低級烷基，具體可以列舉上述“α位的取代基的低級烷基”的一部分或全部氫原子被鹵原子取代后的基團。作為該鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別優(yōu)選氟原子。在本發(fā)明中，與丙烯酸酯的α位鍵合的基團優(yōu)選氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基，更優(yōu)選氫原子、低級烷基或氟代低級烷基，從工業(yè)上獲得的容易性的觀點出發(fā)，最優(yōu)選氫原子或甲基。(a1)成分特別優(yōu)選具有由含有酸解離性溶解抑制基的丙烯酸酯衍生而來的結(jié)構(gòu)單元(a1)。(a1)成分除結(jié)構(gòu)單元(a1)外，還優(yōu)選具有由含有含內(nèi)酯的環(huán)式基的丙烯酸酯衍生而來的結(jié)構(gòu)單元(a2)。(a1)成分除結(jié)構(gòu)單元(a1)或結(jié)構(gòu)單元(a1)和(a2)外，還優(yōu)選具有由含有含極性基脂肪族烴基的丙烯酸酯衍生而來的結(jié)構(gòu)單元(a3)?！そY(jié)構(gòu)單元(a1)結(jié)構(gòu)單元(a1)中的酸解離性溶解抑制基在解離前具有使(a1)成分整體在堿顯影液中難溶的堿溶解抑制性，并在酸的作用下解離而使該(a1)成分整體在堿顯影液中的溶解性增加，可以使用迄今為止提出的化學(xué)增幅型抗蝕劑用基材樹脂的酸解離性溶解抑制基。眾所周知的有與(甲基)丙烯酸等中的羧基形成環(huán)狀或鏈狀的叔烷基酯的基團；烷氧基烷基等縮醛型酸解離性溶解抑制基等。這里，“叔烷基酯”是指：羧基的氫原子被鏈狀或環(huán)狀的烷基取代而形成酯，其羰基氧基(－c(o)－o－)的末端的氧原子與上述鏈狀或環(huán)狀的烷基的叔碳原子鍵合的結(jié)構(gòu)。該叔烷基酯在酸的作用下，氧原子與叔碳原子之間的鍵斷裂。另外，上述鏈狀或環(huán)狀的烷基可以具有取代基。以下，為方便起見，將通過與羧基形成叔烷基酯而具有酸解離性的基團稱為“叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基”。作為叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基，可以列舉脂肪族支鏈狀酸解離性溶解抑制基、含有脂環(huán)基的酸解離性溶解抑制基?！爸咀逯ф湢睢笔侵覆痪哂蟹枷阈缘闹ф湢罱Y(jié)構(gòu)?！爸咀逯ф湢钏峤怆x性溶解抑制基”的結(jié)構(gòu)不限于由碳和氫形成的基團(烴基)，但優(yōu)選烴基。另外，“烴基”可以飽和也可以不飽和，通常優(yōu)選飽和。作為脂肪族支鏈狀酸解離性溶解抑制基，優(yōu)選碳原子數(shù)4～8的叔烷基，具體可以列舉叔丁基、叔戊基、叔庚基等?！爸h(huán)基”是指不具有芳香性的單環(huán)基或多環(huán)基。結(jié)構(gòu)單元(a1)中的“脂環(huán)基”可以具有取代基，也可以沒有取代基。作為取代基，可以列舉碳原子數(shù)1～5的低級烷基、氟原子、被氟原子取代后的碳原子數(shù)1～5的氟代低級烷基、氧原子(＝o)等?！爸h(huán)基”除去取代基后的基本的環(huán)結(jié)構(gòu)不限于由碳和氫形成的基團(烴基)，但優(yōu)選烴基。另外，“烴基”可以飽和也可以不飽和，通常優(yōu)選飽和。“脂環(huán)基”優(yōu)選多環(huán)基。作為脂環(huán)基，可以列舉例如被低級烷基、氟原子或氟代烷基取代的或未被取代的單環(huán)烷、雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。更具體而言，可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷等單環(huán)烷或金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)癸烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。作為含有脂環(huán)基的酸解離性溶解抑制基，可以列舉例如在環(huán)狀的烷基的環(huán)骨架上具有叔碳原子的基團，具體可以列舉2－甲基－2－金剛烷基、2－乙基－2－金剛烷基等?；蛘?，可以列舉如下述通式(a1”－1)～(a1”－6)表示的結(jié)構(gòu)單元中與羰基氧基(－c(o)－o－)的氧原子鍵合的基團那樣，具有金剛烷基、環(huán)己基、環(huán)戊基、降冰片烷基、三環(huán)癸烷基、四環(huán)十二烷基等脂環(huán)基和與其鍵合的具有叔碳原子的支鏈狀亞烷基的基團。[式中，r表示氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基；r15、r16表示烷基(直鏈狀、支鏈狀中的任一種，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5)。]通式(a1”－1)～(a1”－6)中，r的低級烷基或鹵代低級烷基與上述可以與丙烯酸酯的α位鍵合的低級烷基或鹵代低級烷基相同。“縮醛型酸解離性溶解抑制基”通常與羧基、羥基等堿可溶性基團末端的氫原子取代而與氧原子鍵合。當通過曝光而產(chǎn)生酸時，在該酸的作用下，縮醛型酸解離性溶解抑制基與該縮醛型酸解離性溶解抑制基所鍵合的氧原子之間的鍵斷裂。作為縮醛型酸解離性溶解抑制基，可以列舉例如下述通式(p1)表示的基團。[式中，r1’，r2’分別獨立地表示氫原子或低級烷基，n表示0～3的整數(shù)，y表示低級烷基或脂環(huán)基。]上述式中，n優(yōu)選為0～2的整數(shù)，更優(yōu)選0或1，最優(yōu)選0。作為r1’，r2’的低級烷基，可以列舉與上述r的低級烷基相同的基團，優(yōu)選甲基或乙基，最優(yōu)選甲基。在本發(fā)明中，優(yōu)選r1’、r2’中的至少一個為氫原子。即，酸解離性溶解抑制基(p1)優(yōu)選為下述通式(p1－1)表示的基團。[式中，r1’、n、y與上述相同。]作為y的低級烷基，可以列舉與上述r的低級烷基相同的基團。作為y的脂環(huán)基，可以從現(xiàn)有arf抗蝕劑等中大量提議的單環(huán)或多環(huán)式脂環(huán)基中適當選擇使用，例如與上述“脂環(huán)基”相同的基團。作為縮醛型酸解離性溶解抑制基，還可以列舉下述通式(p2)表示的基團。[式中，r17、r18分別獨立為直鏈狀或支鏈狀的烷基或氫原子，r19是直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基。r17和r19可以分別獨立地為直鏈狀或支鏈狀的亞烷基，r17的末端與r19的末端可以鍵合成環(huán)。]r17、r18中，烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1～15，可以是直鏈狀、支鏈狀中的任一種，優(yōu)選乙基、甲基，最優(yōu)選甲基。特別優(yōu)選r17、r18中的一方為氫原子，另一方為甲基。r19是直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基，碳原子數(shù)優(yōu)選為1～15，可以是直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀中的任一種。當r19是直鏈狀、支鏈狀時，碳原子數(shù)優(yōu)選為1～5，更優(yōu)選乙基、甲基，特別優(yōu)選乙基。當r19為環(huán)狀時，碳原子數(shù)優(yōu)選為4～15，碳原子數(shù)更優(yōu)選為4～12，碳原子數(shù)最優(yōu)選為5～10。具體而言，可以列舉被氟原子或氟代烷基取代或未取代的單環(huán)烷、雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。具體可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷等單環(huán)烷或金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。其中，優(yōu)選金剛烷除去1個以上氫原子后的基團。另外，上述式中，r17和r19可以分別獨立地為直鏈狀或支鏈狀的亞烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的亞烷基)，且r19的末端與r17的末端鍵合。此時，由r17和r19、r19所鍵合的氧原子、該氧原子以及r17所鍵合的碳原子形成環(huán)式基。作為該環(huán)式基，優(yōu)選4～7元環(huán)，更優(yōu)選4～6元環(huán)。作為該環(huán)式基的具體例子，可以列舉四氫吡喃基、四氫呋喃基等。作為結(jié)構(gòu)單元(a1)，優(yōu)選使用選自下述通式(a1－0－1)表示的結(jié)構(gòu)單元和下述通式(a1－0－2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的1種以上。[式中，r表示氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基；x1表示酸解離性溶解抑制基。][式中，r表示氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基；x2表示酸解離性溶解抑制基；y2表示亞烷基、脂環(huán)基或具有醚鍵的2價連接基團。]通式(a1－0－1)中，r的低級烷基或鹵代低級烷基與上述可以與丙烯酸酯的α位鍵合的低級烷基或鹵代低級烷基相同。x1只要是酸解離性溶解抑制基即可，沒有特殊限制，可以列舉例如上述叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基、縮醛型酸解離性溶解抑制基等，優(yōu)選叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基。在通式(a1－0－2)中，r與上述相同。x2與式(a1－0－1)中的x1相同。y2為亞烷基、脂環(huán)基或具有醚鍵的2價連接基團。當y2是亞烷基時，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10的亞烷基，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～6，特別優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～3。當y2是脂環(huán)基時，優(yōu)選2價的脂環(huán)基，作為該脂環(huán)基，除了使用脫去2個以上氫原子的基團外可以使用與上述“脂環(huán)基”中說明的基團相同的基團。當y2是2價的脂環(huán)基時，特別優(yōu)選由環(huán)戊烷、環(huán)己烷、降冰片烷、異冰片烷、金剛烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷除去2個以上氫原子后的基團。當y2是具有醚鍵的2價連接基團時，優(yōu)選為-ya-o-yb-表示的基團。在上述-ya-o-yb-表示的基團中，ya是可以具有取代基的碳原子數(shù)為2以上的2價烴基。烴基可以是脂肪族烴基，也可以是芳香族烴基。優(yōu)選脂肪族烴基。作為脂肪族烴基，可以列舉直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基、結(jié)構(gòu)中含有環(huán)的脂肪族烴基等。具體而言，與y2是2價脂環(huán)基時或y2是亞烷基時列舉的基團中碳原子數(shù)為2以上的基團相同。另外，ya可以具有取代基，作為該取代基，當ya是鏈狀的脂肪族烴基時可以列舉氟原子、被氟原子取代的碳原子數(shù)為1～5的氟代低級烷基、氧原子(＝o)等，當ya是結(jié)構(gòu)中含有環(huán)的脂肪族烴基時，與上述“脂環(huán)基”中的取代基相同。作為ya，優(yōu)選直鏈狀的脂肪族烴基，進一步優(yōu)選直鏈狀的亞烷基，更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～5的直鏈狀的亞烷基，最優(yōu)選亞乙基。yb是可以具有取代基的碳原子數(shù)為1以上的2價烴基。作為yb的烴基，可以列舉與上述ya中列舉烴基同樣的碳原子數(shù)為2以上的2價烴基以及可以具有取代基的亞甲基。作為亞甲基可以具有的取代基，可以列舉與作為上述鏈狀脂肪族烴基可以具有的取代基而列舉的取代基相同的基團。作為yb，優(yōu)選直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，特別優(yōu)選亞甲基或烷基亞甲基。烷基亞甲基中的烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5的直鏈狀烷基，進一步優(yōu)選碳原子數(shù)為1～3直鏈狀烷基，最優(yōu)選甲基。作為結(jié)構(gòu)單元(a1)，更具體而言，可以列舉下述通式(a1－1)～(a1－4)表示的結(jié)構(gòu)單元。[式中，x’表示叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基，y表示碳原子數(shù)為1～5的低級烷基或脂環(huán)基；n表示0～3的整數(shù)；y2表示亞烷基、脂環(huán)基或具有醚鍵的2價連接基團；r與上述相同，r1’、r2’分別獨立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1～5的低級烷基。]式中，x’可以列舉與上述x1中例示的叔烷基酯型酸解離性溶解抑制基相同的基團。作為r1’、r2’、n、y，分別與上述“縮醛型解離性溶解抑制基”中所述的通式(p1)中的r1’、r2’、n、y相同。作為y2，可以列舉與上述通式(a1－0－2)中的y2相同的基團。以下，列舉上述通式(a1－1)～(a1－4)表示的結(jié)構(gòu)單元的具體例子。作為結(jié)構(gòu)單元(a1)，可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。其中，優(yōu)選通式(a1－1)表示的結(jié)構(gòu)單元，具體而言，更優(yōu)選使用選自(a1－1－1)～(a1－1－6)、(a1－1－17)～(a1－1－18)、(a1－1－35)～(a1－1－41)以及(a1－3－49)～(a1－3－50)中的至少1種。此外，作為結(jié)構(gòu)單元(a1)，特別優(yōu)選包括式(a1－1－1)～式(a1－1－4)的結(jié)構(gòu)單元的下述通式(a1－1－01)表示的結(jié)構(gòu)單元、或包括式(a1－1－35)～(a1－1－41)的結(jié)構(gòu)單元的下述通式(a1－1－02)。[式中，r表示氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基，r11表示低級烷基。][式中，r表示氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基，r12表示低級烷基。h表示1～3的整數(shù)。]通式(a1－1－01)中，r與上述相同。r11的低級烷基與r中的低級烷基相同，優(yōu)選甲基或乙基。在通式(a1－1－02)中，r與上述相同。r12的低級烷基與r中的低級烷基相同，優(yōu)選甲基或乙基，最優(yōu)選乙基。h優(yōu)選1或2，最優(yōu)選2。作為結(jié)構(gòu)單元(a1)，可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。(a1)成分中，結(jié)構(gòu)單元(a1)的比例為相對于構(gòu)成(a1)成分的總結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為10～80摩爾％，更優(yōu)選20～70摩爾％，進一步優(yōu)選25～50摩爾％。若為下限值以上，則作為抗蝕劑組合物時能容易地獲得圖案，若為上限值以下，則能與其他的結(jié)構(gòu)單元達到平衡?！そY(jié)構(gòu)單元(a2)結(jié)構(gòu)單元(a2)是由含有含內(nèi)酯的環(huán)式基的丙烯酸酯衍生而來的結(jié)構(gòu)單元。這里，含內(nèi)酯的環(huán)式基是指含有一個具有－o－c(o)－結(jié)構(gòu)的環(huán)(內(nèi)酯環(huán))的環(huán)式基。內(nèi)酯環(huán)算作一個環(huán)，當僅有內(nèi)酯環(huán)時，稱為單環(huán)基，當還具有其他環(huán)結(jié)構(gòu)時，不管該結(jié)構(gòu)為何種結(jié)構(gòu)，均稱為多環(huán)基。結(jié)構(gòu)單元(a2)的內(nèi)酯環(huán)式基在用(a1)成分形成抗蝕劑膜時能有效地提高抗蝕劑膜對基板的密合性或提高與含水顯影液的親和性。作為結(jié)構(gòu)單元(a2)，沒有特殊限制，可以使用任意的結(jié)構(gòu)單元。具體而言，作為含內(nèi)酯的單環(huán)基，可以列舉γ－丁內(nèi)酯除去1個氫原子后的基團。作為含內(nèi)酯的多環(huán)基，可以列舉具有內(nèi)酯環(huán)的雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷除去1個氫原子后的基團。作為結(jié)構(gòu)單元(a2)的例子，更具體而言，可以列舉下述通式(a2－1)～(a2－5)表示的結(jié)構(gòu)單元。[式中，r為氫原子、低級烷基或鹵代低級烷基，r’是氫原子、低級烷基、碳原子數(shù)為1～5的烷氧基或－coor”，上述r”是氫原子或碳原子數(shù)為1～15的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基，m是0或1的整數(shù)，a”是可以含有氧原子或硫原子的碳原子數(shù)為1～5的亞烷基、氧原子或硫原子。]通式(a2－1)～(a2－5)中的r與上述結(jié)構(gòu)單元(a1)中的r相同。作為r’的低級烷基，可以列舉與上述結(jié)構(gòu)單元(a1)中的r的低級烷基相同的基團。當r”是直鏈狀或支鏈狀的烷基時，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～5。當r”是環(huán)狀的烷基時，優(yōu)選碳原子數(shù)為3～15，更優(yōu)選碳原子數(shù)為4～12，最優(yōu)選碳原子數(shù)為5～10。具體而言，可以列舉被氟原子或氟代烷基取代或未取代的單環(huán)烷、雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等。具體可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷等單環(huán)烷或金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷等多環(huán)烷除去1個以上氫原子后的基團等?？紤]到工業(yè)上獲得容易性等，通式(a2－1)～(a2－5)中的r’優(yōu)選氫原子。作為a”的可以含有氧原子或硫原子的碳原子數(shù)為1～5的亞烷基，具體可以列舉亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、-o-ch2-、-ch2-o-ch2-、-s-ch2-、-ch2-s-ch2-等。以下，例示上述通式(a2－1)～(a2－5)的具體結(jié)構(gòu)單元。作為結(jié)構(gòu)單元(a2)，優(yōu)選選自上述通式(a2－1)～(a2－5)表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種，更優(yōu)選選自通式(a2－1)～(a2－3)表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種。其中，優(yōu)選選自化學(xué)式(a2－1－1)、(a2－1－2)、(a2－2－1)、(a2－2－2)、(a2－2－9)、(a2－2－10)、(a2－3－1)、(a2－3－2)、(a2－3－9)和(a2－3－10)表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種。作為結(jié)構(gòu)單元(a2)，可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。(a1)成分中，結(jié)構(gòu)單元(a2)的比例為相對于構(gòu)成(a1)成分的總結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為5～60摩爾％，更優(yōu)選為10～50摩爾％，進一步優(yōu)選為20～50摩爾％。若為下限值以上，則能充分獲得含有結(jié)構(gòu)單元(a2)所產(chǎn)生的效果，若為上限值以下，則能與其他結(jié)構(gòu)單元達到平衡?！そY(jié)構(gòu)單元(a3)結(jié)構(gòu)單元(a3)是由含有含極性基的脂肪族烴基的丙烯酸酯衍生而來的結(jié)構(gòu)單元。(a1)成分具有結(jié)構(gòu)單元(a3)，因此(a1)成分的親水性提高，與顯影液的親和性提高，曝光部的堿溶解性提高，有助于提高析像度。作為極性基團，可以列舉羥基、氰基、羧基、烷基的一部分氫原子被氟原子取代后的羥烷基等，特別優(yōu)選羥基。作為脂肪族烴基，可以列舉碳原子數(shù)為1～10的直鏈狀或支鏈狀的烴基(優(yōu)選亞烷基)或多環(huán)式的脂肪族烴基(多環(huán)基)。作為該多環(huán)基，可以從例如在arf準分子激光用抗蝕劑組合物用樹脂中大量提及的多環(huán)基中適當選擇使用。該多環(huán)基的碳原子數(shù)優(yōu)選7～30。其中，更優(yōu)選由如下丙烯酸酯衍生的結(jié)構(gòu)單元，該丙烯酸酯包含含有羥基、氰基、羧基或烷基的一部分氫原子被氟原子取代后的羥烷基的脂肪族多環(huán)基。作為該多環(huán)基，可以例示雙環(huán)烷、三環(huán)烷、四環(huán)烷等除去2個以上氫原子后的基團等。具體可以列舉金剛烷、降冰片烷、異冰片烷、三環(huán)癸烷、四環(huán)十二烷等多環(huán)烷除去2個以上氫原子后的基團等。這些多環(huán)基中，工業(yè)上優(yōu)選金剛烷除去2個以上氫原子后的基團、降冰片烷除去2個以上氫原子后的基團、四環(huán)十二烷除去2個以上氫原子后的基團。作為結(jié)構(gòu)單元(a3)，當含極性基團的脂肪族烴基中的烴基是碳原子數(shù)為1～10的直鏈狀或支鏈狀的烴基時，優(yōu)選由丙烯酸的羥乙基酯衍生的結(jié)構(gòu)單元，當該烴基是多環(huán)基時，優(yōu)選下式(a3－1)表示的結(jié)構(gòu)單元、(a3－2)表示的結(jié)構(gòu)單元、(a3－3)表示的結(jié)構(gòu)單元。[式中，r同上，j是1～3的整數(shù)，k是1～3的整數(shù)，t’是1～3的整數(shù)，l是1～5的整數(shù)，s是1～3的整數(shù)。]式(a3－1)中，j優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為1。當j是2時，優(yōu)選羥基與金剛烷基的3位和5位鍵合。當j是1時，優(yōu)選羥基與金剛烷基的3位鍵合。j優(yōu)選為1，特別優(yōu)選羥基與金剛烷基的3位鍵合。式(a3－2)中，k優(yōu)選為1。氰基優(yōu)選與降冰片烷基的5位或6位鍵合。式(a3－3)中，t’優(yōu)選為1。l優(yōu)選為1。s優(yōu)選為1。它們優(yōu)選丙烯酸的羧基末端與2-降冰片烷基或3-降冰片烷基鍵合。氟代烷基醇優(yōu)選與降冰片烷基的5位或6位鍵合。作為結(jié)構(gòu)單元(a3)，可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。(a1)成分中，結(jié)構(gòu)單元(a3)的比例為相對于構(gòu)成(a1)成分的總結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為5～50摩爾％，更優(yōu)選為5～40摩爾％，進一步優(yōu)選為5～25摩爾％。若為下限值以上，則能充分獲得含有結(jié)構(gòu)單元(a3)所產(chǎn)生的效果，若為上限值以下，則能與其他結(jié)構(gòu)單元達到平衡?！そY(jié)構(gòu)單元(a4)在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，(a1)成分還可以含有上述結(jié)構(gòu)單元(a1)～(a3)以外的有其他結(jié)構(gòu)單元(a4)。結(jié)構(gòu)單元(a4)只要是不屬于上述結(jié)構(gòu)單元(a1)～(a3)的其他結(jié)構(gòu)單元即可，沒有特殊限制，可以使用已知的眾多用于arf準分子激光用、krf準分子激光用(優(yōu)選arf準分子激光用)等的抗蝕劑用樹脂中使用的結(jié)構(gòu)單元。作為結(jié)構(gòu)單元(a4)，優(yōu)選例如由含有酸非解離性的脂肪族多環(huán)基的丙烯酸酯衍生的結(jié)構(gòu)單元等。該多環(huán)基可以列舉例如與上述結(jié)構(gòu)單元(a1)中列舉的相同的基團，可以使用已知的眾多在arf準分子激光用、krf準分子激光用(優(yōu)選arf準分子激光用)等的抗蝕劑組合物的樹脂成分中使用的結(jié)構(gòu)單元。特別是，若是從三環(huán)癸基、金剛烷基、四環(huán)十二烷基、異冰片烷基、降冰片烷基中選擇的至少1種，則因工業(yè)上容易獲得等而成為優(yōu)選。這些多環(huán)基可以具有碳原子數(shù)為1～5的直鏈狀或支鏈狀的烷基作為取代基。作為結(jié)構(gòu)單元(a4)，具體可以例示下述通式(a4－1)～(a4－5)的結(jié)構(gòu)。[式中，r與上述相同。]當(a1)成分中含有所述結(jié)構(gòu)單元(a4)時，(a1)成分中的結(jié)構(gòu)單元(a4)的比例為相對于構(gòu)成(a1)成分的總結(jié)構(gòu)單元的合計優(yōu)選為1～30摩爾％，更優(yōu)選為10～20摩爾％。在本發(fā)明中，(a1)成分優(yōu)選含有具有結(jié)構(gòu)單元(a1)、(a2)和(a3)的共聚物。作為該共聚物，可以列舉由結(jié)構(gòu)單元(a1)、(a2)和(a3)形成的共聚物，由結(jié)構(gòu)單元(a1)、(a2)、(a3)和(a4)形成的共聚物等。(a1)成分可以通過使衍生各結(jié)構(gòu)單元的單體利用使用了例如偶氮二異丁腈(aibn)之類的自由基聚合引發(fā)劑的公知的自由基聚合等來聚合得到。進行上述聚合時，通過在(a1)成分中合用例如hs－ch2－ch2－ch2－c(cf3)2－oh這樣的鏈轉(zhuǎn)移劑，可以在末端引入－c(cf3)2－oh基。如此引入了烷基的一部分氫原子被氟原子取代的羥烷基的共聚物能有效地降低顯影缺陷和ler(線邊緣粗糙度：線側(cè)壁的不均勻凹凸)。(a1)成分的質(zhì)均分子量(mw)(凝膠滲透色譜法得到的聚苯乙烯換算基準)沒有特殊限制，優(yōu)選2000～50000，更優(yōu)選3000～30000，最優(yōu)選5000～20000。若小于該范圍的上限，則作為抗蝕劑使用時對抗蝕劑溶劑具有充分的溶解性，若大于該范圍的下限，則耐干蝕性和抗蝕劑圖案剖面形狀良好。分散度(mw/mn)優(yōu)選為1.0～5.0，進一步優(yōu)選為1.0～3.0，最優(yōu)選為1.2～2.5。另外，mn表示數(shù)均分子量。[(a2)成分]作為(a2)成分，優(yōu)選分子量在500以上不足2000、且具有在上述(a1)成分的說明中例示的酸解離性溶解抑制基和親水基的低分子化合物。具體可以列舉具有多個酚骨架的化合物的羥基的一部分氫原子被上述酸解離性溶解抑制基取代后的化合物。(a2)成分優(yōu)選作為非化學(xué)增幅型的g線或i線抗蝕劑中的增感劑、耐熱性提高劑而為人所知的低分子量酚化合物的羥基的一部分氫原子被上述酸解離性溶解抑制基取代后的化合物，可從這些化合物中任意選擇使用。作為所述的低分子量酚化合物，可以列舉例如二(4－羥基苯基)甲烷、二(2，3，4－三羥基苯基)甲烷、2－(4－羥基苯基)－2－(4’－羥基苯基)丙烷、2－(2，3，4－三羥基苯基)－2－(2’，3’，4’－三羥基苯基)丙烷、三(4－羥基苯基)甲烷、二(4－羥基－3，5－二甲基苯基)－2－羥基苯基甲烷、二(4－羥基－2，5－二甲基苯基)－2－羥基苯基甲烷、二(4－羥基－3，5－二甲基苯基)－3，4－二羥基苯基甲烷、二(4－羥基－2，5－二甲基苯基)－3，4－二羥基苯基甲烷、二(4－羥基－3－甲基苯基)－3，4－二羥基苯基甲烷、二(3－環(huán)己基－4－羥基－6－甲基苯基)－4－羥基苯基甲烷、二(3－環(huán)己基－4－羥基－6－甲基苯基)－3，4－二羥基苯基甲烷、1－[1－(4－羥基苯基)異丙基]－4－[1，1－二(4－羥基苯基)乙基]苯、苯酚、間甲酚、對甲酚或二甲苯酚等苯酚類的甲醛縮合物的2、3、4核體等。當然，不限于這些。酸解離性溶解抑制基也不受特殊限制，可以列舉上述基團。作為(a)成分，可以單獨使用1種，也可以2種以上合用。本發(fā)明的抗蝕劑組合物中，(a)成分的含量可以根據(jù)預(yù)形成的抗蝕劑膜厚等來調(diào)節(jié)。＜(b)成分＞(b)成分含有由上述通式(b1－1)表示的化合物形成的產(chǎn)酸劑(b1)(以下，有時稱為(b1)成分。)。該(b1)成分與上述本發(fā)明的化合物(b1)相同。(b1)成分可以使用1種或2種以上混合使用。在本發(fā)明的抗蝕劑組合物中，(b)成分中的(b1)成分的含量優(yōu)選為40質(zhì)量％以上，進一步優(yōu)選為70質(zhì)量％以上，也可以是100質(zhì)量％。最優(yōu)選為100質(zhì)量％。若為該范圍的下限值以上，則使用該抗蝕劑組合物形成抗蝕劑圖案時，析像度、掩模重現(xiàn)性、線寬粗糙度(lwr)、圖案形狀、曝光量(el)寬裕度、焦深(dof)等光刻特性提高。(b)成分中，可以將上述(b1)成分以外的產(chǎn)酸劑(b2)(以下稱為(b2)成分)與上述(b1)成分合用。作為(b2)成分，只要是上述(b1)成分以外的成分即可，沒有特殊限制，可以使用迄今為止提出的化學(xué)增幅型抗蝕劑用產(chǎn)酸劑。作為這種產(chǎn)酸劑，迄今為止已知有碘鎓鹽或锍鹽等鎓鹽類產(chǎn)酸劑、磺化肟類產(chǎn)酸劑、二烷基或二芳基磺酰重氮甲烷類、聚(二磺酰)重氮甲烷類等重氮甲烷類產(chǎn)酸劑、硝基芐基磺酸鹽類產(chǎn)酸劑、亞胺磺酸鹽類產(chǎn)酸劑、二砜類產(chǎn)酸劑等多種。作為鎓鹽類產(chǎn)酸劑，可以使用例如下述通式(b－1)或(b－2)表示的化合物。[式中，r1”～r3”、r5”～r6”分別獨立地表示芳基或烷基；式(b－1)中的r1”～r3”中的任意2個可以相互鍵合并與式中的硫原子一起成環(huán)；r4”表示直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基或氟代烷基；r1”～r3”中的至少一個表示芳基，r5”～r6”中的至少一個表示芳基。]式(b－1)中的r1”～r3”分別與上述(b’－1)中的r1”～r3”相同。r4”表示直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基或氟代烷基作為上述直鏈狀或支鏈狀的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4。作為上述環(huán)狀的烷基，為上述r1”表示的環(huán)式基，優(yōu)選碳原子數(shù)為4～15，更優(yōu)選碳原子數(shù)為4～10，最優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10。作為上述氟代烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4。另外，該氟代烷基的氟化率(烷基中的氟原子的比例)優(yōu)選為10～100％，更優(yōu)選為50～100％，特別是氫原子全部被氟原子取代后的氟代烷基(全氟烷基)因酸強度變強而成為優(yōu)選。作為r4”，最優(yōu)選直鏈狀或環(huán)狀的烷基或氟代烷基。式(b－2)中的r5”～r6”分別與上述(b’-2)中的r5”～r6”相同。作為式(b－2)中的r4”，可以列舉與上式(b－1)中的r4”相同的基團。作為式(b－1)、(b－2)表示的鎓鹽類產(chǎn)酸劑的具體例子，可以列舉二苯基碘鎓的三氟甲磺酸鹽或九氟丁磺酸鹽、二(4－叔丁基苯基)碘鎓的三氟甲磺酸鹽或九氟丁磺酸鹽、三苯基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、三(4－甲基苯基)锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、二甲基(4－羥基萘基)锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、一苯基二甲基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；二苯基一甲基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、(4－甲基苯基)二苯基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、(4－甲氧基苯基)二苯基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、三(4－叔丁基)苯基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、二苯基(1－(4－甲氧基)萘基)锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽、二(1－萘基)苯基锍的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－苯基四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－甲基苯基)四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(3，5－二甲基－4－羥基苯基)四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－甲氧基萘－1－基)四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－乙氧基萘－1－基)四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－正丁基萘－1－基)四氫噻吩鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－苯基四氫噻喃鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－羥基苯基)四氫噻喃鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(3，5－二甲基－4－羥基苯基)四氫噻喃鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽；1－(4－甲基苯基)四氫噻喃鎓的三氟甲磺酸鹽、其七氟丙磺酸鹽或其九氟丁磺酸鹽等。另外，也可以使用這些鎓鹽的陰離子部被甲磺酸鹽、正丙磺酸鹽、正丁磺酸鹽、正辛磺酸鹽取代后的鎓鹽。此外，還可以使用上述通式(b－1)或(b－2)中的陰離子部被下述通式(b－3)或(b－4)表示的陰離子部取代后的鎓鹽類產(chǎn)酸劑(陽離子部與(b－1)或(b－2)相同)。[式中，x”表示至少1個氫原子被氟原子取代的碳原子數(shù)2～6的亞烷基；y”、z”分別獨立地表示至少一個氫原子被氟原子取代的碳原子數(shù)1～10的烷基。]x”是至少一個氫原子被氟原子取代的直鏈狀或支鏈狀的亞烷基，該亞烷基的碳原子數(shù)為2～6，優(yōu)選碳原子數(shù)為3～5，最優(yōu)選碳原子數(shù)為3。y”、z”分別獨立地為至少一個氫原子被氟原子取代的直鏈狀或支鏈狀的烷基，該烷基的碳原子數(shù)為1～10，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～7，進一步優(yōu)選碳原子數(shù)為1～3。由于在抗蝕劑溶劑中的溶解性也良好等原因，x”的亞烷基的碳原子數(shù)或y”、z”的烷基的碳原子數(shù)在上述碳原子數(shù)的范圍內(nèi)越小越好。x”的亞烷基或y”、z”的烷基中被氟原子取代的氫原子的數(shù)目越多，酸的強度越強，且在200nm以下的高能量光或電子射線下的透明性提高，因而優(yōu)選。該亞烷基或烷基中的氟原子的比例即氟化率優(yōu)選為70～100％，更優(yōu)選為90～100％，最好是所有氫原子均被氟原子取代得到的全氟亞烷基或全氟烷基。另外，也可以將具有上述通式(b－5)或(b－6)表示的陽離子部和上述(b1)成分所具有的陰離子部以外的其他陰離子部的锍鹽用作鎓鹽類產(chǎn)酸劑。作為上述其他陰離子部，可以使用迄今為止已提出的鎓鹽類產(chǎn)酸劑的陰離子部，可以列舉例如上述通式(b－1)或(b－2)表示的鎓鹽類產(chǎn)酸劑的陰離子部(r4”so3－)等氟代烷基磺酸離子；上述通式(b－3)或(b－4)表示的陰離子部等。其中，優(yōu)選氟代烷基磺酸離子，進一步優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4的氟代烷基磺酸離子，特別優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4的直鏈狀全氟烷基磺酸離子。作為具體例子，可以列舉三氟甲基磺酸離子、七氟正丙基磺酸離子、九氟正丁基磺酸離子等。在本說明書中，磺化肟類產(chǎn)酸劑是指至少具有1個下述通式(b－1)表示的基團的化合物，具有在放射線的照射下產(chǎn)生酸的特性。這種磺化肟類產(chǎn)酸劑常用于化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物，因此可以任意選擇使用。(式(b－1)中，r31、r32分別獨立地表示有機基團。)r31、r32的有機基團是含有碳原子的基團，也可以具有碳原子以外的原子(例如氫原子、氧原子、氮原子、硫原子、鹵原子(氟原子、氯原子等)等)。作為r31的有機基團，優(yōu)選直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基或芳基。這些烷基、芳基也可以具有取代基。作為該取代基，沒有特殊限制，可以列舉例如氟原子、碳原子數(shù)為1～6的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基等。這里，“具有取代基”是指烷基或芳基的一部分或全部氫原子被取代基取代。作為烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～20，進一步優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，特別優(yōu)選碳原子數(shù)為1～6，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4。作為烷基，特別優(yōu)選部分或全部被鹵代的烷基(以下有時稱為鹵代烷基)。另外，部分被鹵代的烷基是指一部分氫原子被鹵原子取代的烷基，完全被鹵代的烷基是指全部氫原子被鹵原子取代的烷基。作為鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別優(yōu)選氟原子。即，鹵代烷基優(yōu)選氟代烷基。芳基優(yōu)選碳原子數(shù)為4～20，更優(yōu)選碳原子數(shù)為4～10，最優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10。作為芳基，特別優(yōu)選部分或全部被鹵代的芳基。另外，部分被鹵代的芳基是指一部分氫原子被鹵原子取代的芳基，全部被鹵代的芳基是指全部氫原子被鹵原子取代的芳基。作為r31，特別優(yōu)選無取代基的碳原子數(shù)為1～4的烷基，或碳原子數(shù)為1～4的氟代烷基。作為r32的有機基團，優(yōu)選直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基、芳基或氰基。作為r32的烷基、芳基，可以列舉與上述r31中列舉的烷基、芳基相同的基團。作為r32，特別優(yōu)選氰基、無取代基的碳原子數(shù)為1～8的烷基、或碳原子數(shù)為1～8的氟代烷基。作為磺化肟類產(chǎn)酸劑，進一步優(yōu)選下述通式(b－2)或(b－3)表示的化合物。[式(b－2)中，r33是氰基、無取代基的烷基或鹵代烷基。r34是芳基。r35是無取代基的烷基或鹵代烷基。][式(b－3)中，r36是氰基、無取代基的烷基或鹵代烷基。r37是2價或3價的芳香族烴基。r38是無取代基的烷基或鹵代烷基。p”是2或3。]上述通式(b－2)中，r33的無取代基的烷基或鹵代烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～6。作為r33，優(yōu)選鹵代烷基，更優(yōu)選氟代烷基。r33中的氟代烷基優(yōu)選烷基的氫原子的50％以上被氟取代，更優(yōu)選70％以上被氟取代，特別優(yōu)選90％以上被氟取代。作為r34的芳基，可以列舉苯基、聯(lián)苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烴環(huán)除去1個氫原子后的基團、以及構(gòu)成這些基團的環(huán)的碳原子的一部分被氧原子、硫原子、氮原子等雜原子取代后的雜芳基等。其中，優(yōu)選芴基。r34的芳基可以具有碳原子數(shù)為1～10的烷基、鹵代烷基、烷氧基等取代基。該取代基中的烷基或鹵代烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4。另外，該鹵代烷基優(yōu)選氟代烷基。作為r35的無取代基的烷基或鹵代烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～10，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，最優(yōu)選碳原子數(shù)為1～6。作為r35，優(yōu)選鹵代烷基，更優(yōu)選氟代烷基。r35中的氟代烷基優(yōu)選烷基的氫原子的50％以上被氟取代，更優(yōu)選70％以上被氟取代，當90％以上被氟取代時，產(chǎn)生的酸的強度提高，因而特別優(yōu)選。最優(yōu)選氫原子100％被氟取代的全氟烷基。在上述通式(b-3)中，作為r36的無取代基的烷基或鹵代烷基，可以列舉與上述r33的無取代基的烷基或鹵代烷基相同的基團。作為r37的2價或3價的芳香族烴基，可以列舉由上述r34的芳基進一步除去1個或2個氫原子后的基團。作為r38的無取代基的烷基或鹵代烷基，可以列舉與上述r35的無取代基的烷基或鹵代烷基相同的基團。p”優(yōu)選2。作為磺化肟類產(chǎn)酸劑的具體例子，可列舉α－(p－甲苯磺酰氧基亞胺基)－芐基氰化物、α－(p－氯苯磺酰氧基亞胺基)－芐基氰化物、α－(4－硝基苯磺酰氧基亞胺基)－芐基氰化物、α－(4－硝基－2－三氟甲基苯磺酰氧基亞胺基)－芐基氰化物、α－(苯磺酰氧基亞胺基)－4－氯芐基氰化物、α－(苯磺酰氧基亞胺基)－2，4－二氯芐基氰化物、α－(苯磺酰氧基亞胺基)－2，6－二氯芐基氰化物、α－(苯磺酰氧基亞胺基)－4－甲氧基芐基氰化物、α－(2－氯苯磺酰氧基亞胺基)－4－甲氧基芐基氰化物、α－(苯磺酰氧基亞胺基)－噻吩－2－基乙腈、α－(4－十二烷基苯磺酰氧基亞胺基)－芐基氰化物、α－[(p－甲苯磺酰氧基亞胺基)－4－甲氧基苯基]乙腈、α－[(十二烷基苯磺酰氧基亞胺基)－4－甲氧基苯基]乙腈、α－(甲苯磺酰氧基亞胺)－4－噻吩基氰化物、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)己烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)庚烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)辛烯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亞胺基)－環(huán)己基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亞胺基)－乙基乙腈、α－(丙基磺酰氧基亞胺基)－丙基乙腈、α－(環(huán)己基磺酰氧基亞胺基)－環(huán)戊基乙腈、α－(環(huán)己基磺酰氧基亞胺基)－環(huán)己基乙腈、α－(環(huán)己基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(異丙基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(正丁基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)戊烯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)己烯基乙腈、α－(正丙基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)己烯基乙腈、α－(正丁基磺酰氧基亞胺基)－1－環(huán)己烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－苯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亞胺基)－苯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亞胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亞胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(丙基磺酰氧基亞胺基)－p－甲基苯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亞胺基)－p－溴苯基乙腈等。另外，也可以優(yōu)選使用日本專利特開平9－208554號公報(段落[0012]～[0014]的[化18]～[化19])中公開的磺化肟類產(chǎn)酸劑、國際公開第04/074242號小冊子(第65～85頁的例1～40)中公開的磺化肟類產(chǎn)酸劑。優(yōu)選的例子如下所示。作為重氮甲烷類產(chǎn)酸劑中二烷基或二芳基磺酰重氮甲烷類的具體例子，可以列舉二(異丙基磺酰)重氮甲烷、二(對甲苯磺酰)重氮甲烷、二(1，1－二甲基乙基磺酰)重氮甲烷、二(環(huán)己基磺酰)重氮甲烷、二(2，4－二甲基苯基磺酰)重氮甲烷等。另外，也可以優(yōu)選使用日本專利特開平11－035551號公報、日本專利特開平11－035552號公報、日本專利特開平11－035573號公報中公開的重氮甲烷類產(chǎn)酸劑。作為聚(二磺酰)重氮甲烷類，可以列舉例如日本專利特開平11－322707號公報中公開的1，3－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)丙烷、1，4－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)丁烷、1，6－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)己烷、1，10－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)癸烷、1，2－二(環(huán)己基磺酰重氮甲基磺酰)乙烷、1，3－二(環(huán)己基磺酰重氮甲基磺酰)丙烷、1，6－二(環(huán)己基磺酰重氮甲基磺酰)己烷、1，10－二(環(huán)己基磺酰重氮甲基磺酰)癸烷等。(b2)成分可以單獨使用1種上述產(chǎn)酸劑，也可以組合使用2種以上。本發(fā)明的抗蝕劑組合物中的(b)成分的含量為相對于100質(zhì)量份(a)成分為0.5～30質(zhì)量份，優(yōu)選為1～20質(zhì)量份。在上述范圍內(nèi)能充分進行圖案形成。而且，能得到均勻的溶液，保存穩(wěn)定性良好，因而優(yōu)選。＜任意成分＞為了提高抗蝕劑圖案形狀、放置經(jīng)時穩(wěn)定性(日語原文：引き置き経時安定性)等，本發(fā)明的抗蝕劑組合物還可以含有含氮有機化合物(d)(以下稱為(d)成分)。關(guān)于該(d)成分，已提出多種物質(zhì)，從公知的物質(zhì)中任意選擇使用即可，其中，優(yōu)選脂肪族胺、特別優(yōu)選脂肪族仲胺、脂肪族叔胺。脂肪族胺是指具有1個以上脂肪族基的胺，該脂肪族基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12。作為脂肪族胺，可以列舉氨nh3的至少一個氫原子被碳原子數(shù)為12以下的烷基或羥烷基取代后的胺(烷基胺或烷基醇胺)或環(huán)胺。作為烷基胺和烷基醇胺的具體例子，可以列舉正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺等一烷基胺；二乙基胺、二正丙基胺、二正庚基胺、二正辛基胺、二環(huán)己基胺等二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三正丁基胺、三正戊基胺、三正己基胺、三正庚基胺、三正辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、三正十二烷基胺等三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二正辛醇胺、三正辛醇胺等烷基醇胺。其中，優(yōu)選3個碳原子數(shù)為5～10的烷基與氮原子鍵合而成的三烷基胺，最優(yōu)選三正戊基胺。作為環(huán)胺，可以列舉例如含有氮原子作為雜原子的雜環(huán)化合物。作為該雜環(huán)化合物，可以是單環(huán)化合物(脂肪族單環(huán)胺)，也可以是多環(huán)化合物(脂肪族多環(huán)胺)。作為脂肪族單環(huán)胺，具體可以列舉哌啶、哌嗪等。作為脂肪族多環(huán)胺，優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10，具體可以列舉1，5－重氮雙環(huán)[4.3.0]－5－壬烯、1，8－重氮雙環(huán)[5.4.0]－7－十一碳烯、環(huán)六亞甲基四胺、1，4－重氮雙環(huán)[2.2.2]辛烷等。除上述列舉的物質(zhì)以外，還可以優(yōu)選使用硬脂基二乙醇胺。它們可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。(d)成分相對于100質(zhì)量份(a)成分通常在0.01～5.0質(zhì)量份的范圍內(nèi)使用。為了防止靈敏度下降、提高抗蝕劑圖案形狀、放置經(jīng)時穩(wěn)定性等，在本發(fā)明的抗蝕劑組合物中還可以含有選自有機羧酸以及磷的含氧酸及其衍生物中的至少一種化合物(e)(以下稱為(e)成分)作為任意成分。作為有機羧酸，優(yōu)選例如乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等。作為磷的含氧酸及其衍生物，可以列舉磷酸、膦酸、次膦酸等，其中特別優(yōu)選膦酸。作為磷的含氧酸的衍生物，可以列舉例如上述含氧酸的氫原子被烴基取代后的酯等，作為上述烴基，可以列舉碳原子數(shù)為1～5的烷基、碳原子數(shù)為6～15的芳基等。作為磷酸的衍生物，可以列舉磷酸二正丁基酯、磷酸二苯基酯等磷酸酯等。作為膦酸的衍生物，可以列舉膦酸二甲基酯、膦酸二正丁基酯、膦酸苯基酯、膦酸二苯基酯、膦酸二芐基酯等膦酸酯等。作為次膦酸的衍生物，可以列舉次膦酸苯基酯等次膦酸酯等。(e)成分可以單獨使用1種，也可以2種以上合用。作為(e)成分，優(yōu)選有機羧酸，特別優(yōu)選水楊酸。(e)成分按相對于100質(zhì)量份(a)成分為0.01～5.0質(zhì)量份的比例使用。根據(jù)需要，在本發(fā)明的抗蝕劑組合物中還可以適當添加具有混合性的添加劑，例如用于改善抗蝕劑膜性能的加成性樹脂、用于提高涂布性的表面活性劑、溶解抑制劑、增塑劑、穩(wěn)定劑、著色劑、消暈劑、染料等。[有機溶劑(s)]本發(fā)明的抗蝕劑組合物可以通過將材料溶解在有機溶劑(s)(以下有時稱為(s)成分)中來制造。作為(s)成分，只要是能溶解所使用的各成分并制成均勻溶液的溶劑即可，可以從以往公知的化學(xué)增幅型抗蝕劑的溶劑中適當選用任意1種或2種以上。例如γ－丁內(nèi)酯等內(nèi)酯類；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、甲基正戊基酮、甲基異戊基酮、2－庚酮等酮類；乙二醇、二甘醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二甘醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等具有酯鍵的化合物、上述多元醇類或上述具有酯鍵的化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等單烷基醚或單苯基醚等具有醚鍵的化合物等多元醇類的衍生物[其中，優(yōu)選丙二醇單甲基醚乙酸酯(pgmea)、丙二醇單甲基醚(pgme)]；二噁烷等環(huán)醚類或、乳酸甲酯、乳酸乙酯(el)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類；苯甲醚、乙基芐基醚、甲苯基甲基醚、二苯基醚、二芐基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、均三甲基苯等芳香族類有機溶劑等。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以作為2種以上的混合溶劑使用。其中，優(yōu)選丙二醇單甲基醚乙酸酯(pgmea)、丙二醇單甲基醚(pgme)、el。另外，還優(yōu)選pgmea與極性溶劑混合而成的混合溶劑。其配比(質(zhì)量比)可以根據(jù)pgmea與極性溶劑的相溶性等來適當決定，優(yōu)選在1：9～9：1、更優(yōu)選在2：8～8：2的范圍內(nèi)。更具體而言，當摻入el作為極性溶劑時，pgmea：el的質(zhì)量比優(yōu)選為1:9～9:1，更優(yōu)選為2:8～8:2。當摻入pgme作為極性溶劑時，pgmea：pgme的質(zhì)量比優(yōu)選為1:9～9:1，進一步優(yōu)選為2:8～8:2，更優(yōu)選3:7～7:3。作為(s)成分，除此之外，還優(yōu)選選自pgmea和el中的至少1種與γ－丁內(nèi)酯的混合溶劑。此時，關(guān)于混合比例，前者與后者的質(zhì)量比優(yōu)選為70:30～95:5。(s)成分的用量沒有特殊限制，為能在基板等上涂布的濃度，根據(jù)涂布膜厚度來適當設(shè)定，通常，以抗蝕劑組合物的固體成分濃度為2～20質(zhì)量％、優(yōu)選5～15質(zhì)量％的范圍內(nèi)使用。上述本發(fā)明的抗蝕劑組合物是以往未知的新型組合物。含有本發(fā)明的化合物(b1-1)作為產(chǎn)酸劑，能提高光刻特性，例如提高形成抗蝕劑圖案時的析像度、掩模重現(xiàn)性(例如掩模線性等)、曝光量(el)寬裕度、抗蝕劑圖案形狀、焦深(dof)等。el容裕度是指改變曝光量進行曝光時，能以與目標尺寸的偏差在規(guī)定范圍內(nèi)的尺寸來形成抗蝕劑圖案的曝光量的范圍，即得到忠實于掩模圖案的抗蝕劑圖案的曝光量的范圍，el容裕度的值越大，隨曝光量的變動而產(chǎn)生的圖案尺寸的變化量越小，工序的容裕度提高，因而優(yōu)選。推測產(chǎn)生上述效果的理由如下。即，上述化合物(b0-1)的陰離子部具有在“y1-so3-”的骨架上鍵合有rx-q3-o-q2-的結(jié)構(gòu)。因此，與以往作為陰離子使用的氟代烷基磺酸離子相比，極性大，空間位阻大，成為龐大的結(jié)構(gòu)。據(jù)推測，與九氟丁磺酸離子等現(xiàn)有的產(chǎn)酸劑的陰離子部相比，極性大引起的分子間的相互作用以及其龐大的立體結(jié)構(gòu)能從化學(xué)上和物理上抑制該陰離子部(酸)在抗蝕劑膜內(nèi)的擴散。因此，抑制曝光區(qū)域產(chǎn)生的酸向未曝光區(qū)域擴散，從而使未曝光區(qū)域與曝光區(qū)域的對堿顯影液的溶解性之差(溶解對比度)提高，籍此，析像度和抗蝕劑圖案形狀提高。y1的可以具有取代基的亞烷基或可以具有取代基的氟代亞烷基的烷基鏈與例如碳原子數(shù)為6～10的全氟烷基鏈的難分解性相比，其分解性良好，可以獲得考慮到生物體蓄積性的操作性進一步提高這一效果。《抗蝕劑圖案形成方法》本發(fā)明第2方式的抗蝕劑圖案形成方法包括使用本發(fā)明的抗蝕劑組合物在支撐體上形成抗蝕劑膜的工序、將上述抗蝕劑膜曝光的工序以及將上述抗蝕劑膜進行堿顯影來形成抗蝕劑圖案的工序。該抗蝕劑圖案形成方法例如可以按如下步驟來進行。即，首先在支撐體上用旋轉(zhuǎn)涂布器等涂布上述本發(fā)明的抗蝕劑組合物，在80～150℃的溫度條件下，預(yù)烘烤(postapplybake：pab)40～120秒，優(yōu)選60～90秒，利用例如arf曝光裝置等，通過所需的掩模圖案用arf準分子激光進行選擇性曝光后，在80～150℃的溫度條件下，實施40～120秒、優(yōu)選60～90秒peb(曝光后加熱)。然后，使用堿顯影液、例如0.1～10質(zhì)量％四甲基氫氧化銨(tmah)水溶液對其進行堿顯影處理，優(yōu)選使用純水進行水淋洗，干燥。根據(jù)情況，也可以在上述堿顯影處理后進行烘烤處理(后烘烤)。這樣，即可獲得忠實于掩模圖案的抗蝕劑圖案。作為支撐體，沒有特殊限制，可以使用以往公知的支撐體，例如電子器件用基板、形成有規(guī)定的布線圖案的該基板等。更具體而言，可以列舉硅晶片、銅、鉻、鐵、鋁等金屬制基板或玻璃基板等。作為布線圖案的材料，可以使用例如銅、鋁、鎳、金等。作為支撐體，還可以是在上述基板上設(shè)有無機類和/或有機類膜的基板。作為無機類的膜，可以列舉無機防反射膜(無機barc)。作為有機類的膜，可以列舉有機防反射膜(有機barc)。曝光采用的波長不受特殊限制，可以采用arf準分子激光、krf準分子激光、f2準分子激光、euv(超紫外線)、vuv(真空紫外線)、eb(電子射線)、x射線、軟x射線等放射線來進行。上述抗蝕劑組合物對krf準分子激光、arf準分子激光、eb或euv、特別是arf準分子激光有效?？刮g劑膜的曝光可以是在空氣或氮氣等惰性氣體中進行的普通曝光(干式曝光)，也可以是液浸曝光。若采用液浸曝光，則如上所述，在曝光時，以往是在使充滿空氣或氮氣等惰性氣體的透鏡與晶片上的抗蝕劑膜之間的部分浸漬于折射率大于空氣折射率的溶劑(液浸介質(zhì))的狀態(tài)下進行曝光。更具體而言，液浸曝光是使用折射率大于空氣折射率的溶劑(液浸介質(zhì))充滿按上述方法得到的抗蝕劑膜與位于曝光裝置最下方的透鏡間，在此狀態(tài)下，通過所需的掩模圖案進行曝光(浸漬曝光)。作為液浸介質(zhì)，優(yōu)選折射率大于空氣折射率且小于通過該浸漬曝光而被曝光的抗蝕劑膜的折射率的溶劑。作為所述溶劑的折射率，只要在上述范圍內(nèi)即可，沒有特殊限制。作為折射率大于空氣折射率且小于抗蝕劑膜的折射率的溶劑，可以列舉例如水、氟類惰性液體、有機硅類溶劑、烴類溶劑等。作為氟類惰性液體的具體例子，可以列舉以c3hcl2f5、c4f9och3、c4f9oc2h5、c5h3f7等氟類化合物為主要成分的液體等，優(yōu)選沸點為70～180℃的液體，進一步優(yōu)選80～160℃的液體。若氟類惰性液體具有上述范圍的沸點，則在曝光結(jié)束后，用簡單的方法即可除去液浸中使用的介質(zhì)，因而成為優(yōu)選。作為氟類惰性液體，特別優(yōu)選烷基的氫原子全部被氟原子取代的全氟烷基化合物。作為全氟烷基化合物，具體可以列舉全氟烷基醚化合物或全氟烷基胺化合物。更具體而言，作為上述全氟烷基醚化合物，可以列舉全氟(2－丁基－四氫呋喃)(沸點102℃)，作為上述全氟烷基胺化合物，可以列舉全氟三丁基胺(沸點174℃)。實施例下面，通過實施例更詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實施例。在以下各例中，將化學(xué)式(ⅱ)表示的化合物記為“化合物(ⅱ)”，其他化學(xué)式表示的化合物也分別用同樣方式來表述。[合成例1]裝入化合物(ⅱ)4.34g(純度：94.1％)、2-芐基氧乙醇3.14g、甲苯43.4g，添加對甲苯磺酸一水合物0.47g，在105℃下回流20小時。將反應(yīng)液過濾，在濾物中添加己烷20g，攪拌。再過濾，將濾物干燥，得到化合物(ⅲ)1.41g(收率：43.1％)。對得到的化合物(ⅲ)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝4.74－4.83(t，1h，oh)、4.18－4.22(t，2h，ha)、3.59－3.64(q，2h，hb)。19f－nmr(dmso－d6、376mhz)：δ(ppm)＝－106.6。上述結(jié)果證實：化合物(ⅲ)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例1]向化合物(ⅲ)1.00g和乙腈3.00g中，在冰冷卻下滴加1-金剛烷甲酰氯0.82g和三乙基胺0.397g。滴加結(jié)束后，在室溫下攪拌20小時，過濾。將濾液濃縮干燥，溶于二氯甲烷30g，水洗3次。將有機層濃縮干燥，得到化合物(ⅳ)0.82g(收率：41％)。對得到的化合物(ⅳ)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6、400mhz)：δ(ppm)＝8.81(s，1h，hc)4.37－4.44(t，2h，hd)、4.17－4.26(t，2h，he)、3.03－3.15(q，6h，hb)、1.61－1.98(m，15h，金剛烷)、1.10－1.24(t，9h，ha)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.6。上述結(jié)果證實：化合物(ⅳ)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例2]裝入化合物(ⅱ)4.34g(純度：94.1％)、2-芐基氧乙醇3.14g、甲苯43.4g，添加對甲苯磺酸一水合物0.47g，在105℃下回流20小時后，冷卻，然后添加三乙基胺鹽酸鹽3.18g，在室溫下攪拌3小時。在反應(yīng)液中添加二氯甲烷31.4g，過濾。將濾液濃縮干燥，得到化合物(ⅶ)1.31g(收率：19.8％)。對得到的化合物(ⅶ)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6、400mhz)：δ(ppm)＝9.20(s，1h，hc)、4.80(s，1h，hf)、4.19－4.21(t，2h，hd)、3.58－3.59(m，2h，he)、3.04－3.10(q，6h，hb)、1.13－1.21(t，9h，ha)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.6。上述結(jié)果證實：化合物(ⅶ)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例3]向化合物(ⅶ)1.33g和乙腈3.00g中，在冰冷卻下滴加1-金剛烷甲酰氯0.82g和三乙基胺0.397g。滴加結(jié)束后，在室溫下攪拌20小時，過濾。將濾液濃縮干燥，溶于二氯甲烷30g，水洗3次。將有機溶劑層濃縮干燥，得到化合物(ⅳ’)0.86g(收率：43.1％)。對得到的化合物(ⅳ’)進行nmr分析。得到與[實施例1]中得到的化合物(ⅳ)相同的譜圖。[實施例4]將化合物(ⅴ)0.384g溶于二氯甲烷3.84g和水3.84g，添加化合物(ⅳ)0.40g。攪拌1小時后，通過分液處理來回收有機層，用水3.84g水洗3次。將得到的有機層濃縮干燥，得到化合物(ⅵ)0.44g(收率81.5％)。對得到的化合物(ⅵ)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝7.57－7.87(m，14h，苯基)、4.40－4.42(t，2h，hb)、4.15－4.22(t，2h，ha)、2.43(s，3h，hc)、1.60－1.93(m，15h，金剛烷)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.6。上述結(jié)果證實：化合物(ⅵ)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例5](i)向控制在20℃以下的甲磺酸60.75g分別少量添加氧化磷8.53g、2，5-二甲基苯酚8.81g和二苯基亞砜12.2g。將溫度控制在15～20℃的同時，熟化30分鐘，然后升溫至40℃，熟化2小時。然后，將反應(yīng)液滴入冷卻至15℃以下的純水109.35g中。滴加結(jié)束后，加入二氯甲烷54.68g，攪拌后，回收二氯甲烷層。在另一容器中裝入20～25℃的己烷386.86g，滴加二氯甲烷層。滴加結(jié)束后，在20～25℃下熟化30分鐘，過濾，得到目標化合物(i)17.14g(收率70.9％)。對得到的化合物(i)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6、600mhz)：δ(ppm)＝7.61－7.72(m，10h，苯基)、7.14(s，2h，hc)、3.12(s，3h，hb)、2.22(s，6h，ha)。上述結(jié)果可以證實化合物(i)具有下示結(jié)構(gòu)。將化合物(i)4g溶于二氯甲烷79.8g。確認溶解后，添加碳酸鉀6.87g，添加溴乙酸甲基金剛烷3.42g?；亓飨路磻?yīng)24小時后，過濾，水洗，用己烷進行晶析。將得到的粉體減壓干燥，得到目標化合物(ii)3.98g(收率66％)。對得到的化合物(ii)進行nmr分析。1h－nmr(cdcl3，400mhz)：δ(ppm)＝7.83－7.86(m，4h，苯基)、7.69－7.78(m，6h，苯基)、7.51(s，2h，hd)、4.46(s，2h，hc)、2.39(s，6h，ha)、2.33(s，2h，金剛烷)、2.17(s，2h，金剛烷)、1.71－1.98(m，11h，金剛烷)、1.68(s，3h，hb)、1.57－1.61(m，2h，金剛烷)、。上述結(jié)果可以證實化合物(ii)具有下示結(jié)構(gòu)。將化合物(ii)4.77g溶于二氯甲烷23.83g和水23.83g，添加化合物(ⅳ)3.22g。攪拌1小時后，通過分液處理來回收有機層，用水3.84g水洗3次。將得到的有機層濃縮干燥，得到化合物(x)4.98g(收率87％)。對得到的化合物(x)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6、400mhz)：δ(ppm)＝7.76－7.88(m，10h，苯基)、7.62(s，2h，苯基)、4.64(s，2h，hb)、4.43－4.44(t，2h，he)、4.22－4.23(t，2h，hd)、1.51－2.36(m，38h，金剛烷+ha+hc)。19f－nmr(dmso－d6、376mhz)：δ(ppm)＝－106.6。上述結(jié)果證實：化合物(x)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例6]在反應(yīng)容器中裝入三乙基胺鹽酸鹽1.99g和乙腈25.00g，向其中添加化合物(ⅷ)5.00g。在室溫下攪拌15小時，將反應(yīng)液過濾，將濾液在減壓下餾去溶劑。將得到的物質(zhì)再溶于二氯甲烷(29g)中，用純水(5.8g)水洗2次。將有機相分液，滴加到己烷(435g)中，得到目標化合物(ⅸ)1.2g(收率20％)。對得到的化合物(ⅸ)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝8.81(brs，1h，nh)、5.46(t，1h，氧代降冰片烯)、4.97(s，1h，氧代降冰片烯)、4.71(d，1h，氧代降冰片烯)、4.57(d，1h，氧代降冰片烯)、3.09(q，6h，nch2)、2.69－2.73(m，1h，氧代降冰片烯)、2.06－2.16(m，2h，氧代降冰片烯)、1.15(t，9h，ch3)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－107.1。上述結(jié)果證實化合物(ⅸ)具有上述結(jié)構(gòu)。[實施例7]向化合物(ⅲ)2.42g和乙腈7.26g中，在冰冷卻下滴加十一碳酰氯2.19g和三乙基胺1.01g。滴加結(jié)束后，在室溫下攪拌20小時，過濾。將濾液濃縮干燥，溶于二氯甲烷20g，水洗3次。將有機層濃縮干燥，得到化合物(?)3.41g(收率：80.4％)。對得到的化合物(?)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝8.81(s，1h，hf)、4.39－4.41(t，2h，hd)、4.23－4.39(t，2h，he)、3.06－3.10(q，6h，hh)、2.24－2.29(t，2h，hc)、1.09－1.51(m，25h，hb+hg)、0.83－0.89(t，3h，ha)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.8。上述結(jié)果證實化合物(?)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例8]將化合物(?’)1.68g溶于二氯甲烷8.41g和水8.41g，添加化合物(?)2.00g。攪拌1小時后，通過分液處理來回收有機層，用水3.84g水洗3次。將得到的有機層濃縮干燥，得到化合物(?)2.20g(收率81.5％)。對得到的化合物(?)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝7.74－7.90(m，15h，苯基)、4.39－4.42(t，2h，he)、4.21－4.24(t，2h，hd)、2.25－2.89(t，3h，hc)、1.17－1.50(m，15h，hb)、0.79－0.88(t，3h，ha)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.8。上述結(jié)果證實化合物(?)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例9]將三乙基胺鹽酸鹽2.50g、化合物(ⅹⅲ)3.19g、乙腈15.00g在室溫下攪拌15小時。將反應(yīng)液過濾，將濾液在減壓下餾去溶劑，得到化合物(ⅹiv)4.01g(收率95.6％)。對得到的化合物(ⅹiv)進行nmr分析。1h－nmr(dmso－d6，400mhz)：δ(ppm)＝9.20(s，1h，hc)、3.02－3.13(q，6h，hb)、1.11－1.24(t，9h，ha)。19f－nmr(dmso－d6，376mhz)：δ(ppm)＝－106.8。上述結(jié)果證實化合物(ⅹiv)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例10、比較例1]將表1所示各成分混合、溶解，制備正型的抗蝕劑組合物。[表1]表1中的各略稱的意思如下。另外，表1中的[]內(nèi)的數(shù)值為摻和量(質(zhì)量份)。另外，表1中，(b)－1的9.14重量份與(b’)－1的8.0質(zhì)量份為等摩爾量。(a)－1：下述化學(xué)式(a)－1(式中，l/m/n＝45/35/20(摩爾比))表示的mw＝7000、mw/mn＝1.8的共聚物。(b)－1：下述化學(xué)式(b)－1表示的化合物(上述化合物(ⅵ))。(b’)－1：下述化學(xué)式(b’)－1表示的化合物。(d)－1：三正戊基胺。(e)－1：水楊酸。(s)－1：γ－丁內(nèi)酯。(s)－2：pgmea/pgme＝6/4(質(zhì)量比)。使用得到的抗蝕劑組合物進行以下評價。[抗蝕劑圖案形成]在8英寸的硅晶片上，用旋轉(zhuǎn)涂布器涂布有機類防反射膜組合物“arc29a”(商品名、卜利科學(xué)(ブリュワーサイエンス)公司制)，在加熱板上在205℃下燒結(jié)60秒使其干燥，形成膜厚82nm的有機類防反射膜。然后，在該防反射膜上，用旋轉(zhuǎn)涂布器分別涂布上述抗蝕劑組合物，在加熱板上在110℃、60秒的條件下進行預(yù)烘烤(pab)處理，干燥，形成膜厚150nm的抗蝕劑膜。然后，針對上述抗蝕劑膜，利用arf曝光裝置nsr-s302(尼康公司制造；na(開口數(shù))＝0.60，2/3環(huán)形照明)，隔著掩模圖案，選擇性照射arf準分子激光(193nm)。然后，在110℃下、60秒的條件下進行曝光后加熱(peb)處理，然后在23℃下用2.38質(zhì)量％的四甲基氫氧化銨(tmah)水溶液顯影30秒，然后用純水淋洗30秒，甩水干燥。其結(jié)果是，在任一例中均在上述抗蝕劑膜上形成了線寬120nm、間距240nm的線和空間圖案(以下稱為l/s圖案)。求出形成上述線寬120nm、間距240nm的l/s圖案的最適曝光量eop(mj/cm2)。另外，作為析像度，求出上述eop中的界限析像度。它們的結(jié)果示于表2。使用掃描型電子顯微鏡(商品名：s-9220、日立制作所公司制)觀察上述形成的線寬120nm、間距240nm的l/s圖案的剖面形狀。其結(jié)果是，實施例10的抗蝕劑圖案形狀與比較例1相比，線側(cè)壁的垂直性提高，與基板界面的拖邊(日語原文：裾引き)得以抑制等，矩形性提高。[lwr評價]對于以上述eop形成的線寬120nm、間距240nm的l/s圖案，利用測長sem(掃描型電子顯微鏡、加速電壓800v、商品名：s-9220、日立制作所公司制)，沿線的長度方向測定5處的線寬，從其結(jié)果算出標準偏差(s)的3倍值(3s)作為表示lwr的尺度。其結(jié)果如表2所示。該3s的值越小，表示線寬的粗糙度越小，得到寬度更均一的l/s圖案。[el容裕度]除了分別改變曝光量以外，采用與上述同樣的操作順序，形成以線寬120nm、間距240nm為目標尺寸的l/s圖案。此時，求出以目標尺寸(線寬120nm)的±5％(114nm、126nm)形成l/s圖案的線時的曝光量，然后用下式求出el容裕度(單位：％)。其結(jié)果如表2所示。el容裕度(％)＝(|e1－e2|/eop)×100[式中，e1表示形成線寬114nm的l/s圖案時的曝光量(mj/cm2)，e2表示形成線寬126nm的l/s圖案時的曝光量(mj/cm2)。][表2][掩模誤差因子(mef)評價]以上述eop，使用以線寬130nm、間距260nm的l/s圖案為目標的掩模圖案和以線寬120nm、間距260nm的l/s圖案為目標的掩模，形成l/s圖案，由下式求出mef的值。mef＝|cd130-cd120|/|md130-md120|上式中，cd130、cd120分別是使用以線寬130nm、120nm為目標的掩模圖案形成的l/s圖案的實際線寬(nm)。md130、md120分別是該掩模圖案的目標線寬(nm)，md130＝130、md120＝120。該mef的值越接近1，表示形成的抗蝕劑圖案越忠實于掩模。其結(jié)果是，實施例10為2.0，比較例1為2.0，同等。[掩模線性評價]以上述eop，將掩模圖案的l/s比(線寬與空間寬之比)固定在1：1，使掩模尺寸(線寬)在110～150nm的范圍內(nèi)以10nm為單位改變，分別形成l/s圖案，測定形成的l/s圖案的尺寸(線寬)。其結(jié)果如表3所示。如表3所示，在實施例10中，在120nm的eop下，即使尺寸偏離120nm，與比較例1相比，也能形成忠實于掩模尺寸的尺寸的l/s圖案，證明實施例10的抗蝕劑組合物的掩模重現(xiàn)性優(yōu)于比較例1的抗蝕劑組合物。[表3]實施例10比較例1110nm93.589.5120nm121.9119.9130nm118.8139.1140nm147.4153.1150nm163.2167.0如上述結(jié)果所示，實施例10的抗蝕劑組合物的光刻特性優(yōu)異。[實施例11～13、比較例2]將表4所示的各成分混合、溶解，制備正型的抗蝕劑組合物。[表4]表4中的(a)-1、(d)-1、(s)-1、(s)-2與表1中的(a)-1、(d)-1、(s)-1、(s-2)相同，其他的略稱分別表示如下的意思。另外，[]內(nèi)的數(shù)值為摻和量(質(zhì)量份)。另外，實施例11～13以及比較例2的(b)成分的摻和量(總計)分別為等摩爾量。(b)-2：下示化學(xué)式(b)-2表示的化合物(上述化合物(x))。(b’)-2：下述化學(xué)式(b’)-2表示的化合物。使用得到的抗蝕劑組合物進行以下的評價。[抗蝕劑圖案形成]在8英寸的硅晶片上，用旋轉(zhuǎn)涂布器涂布有機類防反射膜組合物“arc29a”(商品名、卜利科學(xué)公司制)，在加熱板上于205℃下燒結(jié)60秒使其干燥，形成膜厚89nm的有機類防反射膜。然后，在該防反射膜上，用旋轉(zhuǎn)涂布器分別涂布上述抗蝕劑組合物，在加熱板上在110℃、60秒的條件下進行預(yù)烘烤(pab)處理，干燥，形成膜厚150nm的抗蝕劑膜。然后，使用旋轉(zhuǎn)涂布器在上述抗蝕劑膜上涂布保護膜形成用涂布液“tilc-035”(商品名、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制)，在90℃下加熱60秒，形成膜厚90nm的外保護膜。接著，利用arf液浸曝光裝置nsr-s609b(尼康公司制造；na(開口數(shù))＝1.07，σ0.97)，隔著孔圖案的掩模，對形成了外保護膜的上述抗蝕劑膜選擇性照射arf準分子激光(193nm)。然后，在105℃下、60秒的條件下進行曝光后加熱(peb)處理，然后在23℃下用2.38質(zhì)量％的四甲基氫氧化銨(tmah)水溶液顯影30秒，然后用純水淋洗30秒，甩水干燥。其結(jié)果是，在任一例中均在上述抗蝕劑膜上形成了孔直徑為90nm的孔以等間距(間距180nm)排列而成的接觸孔圖案(以下稱為dencech圖案)。接著，以形成上述dencech圖案的最適曝光量eop(mj/cm2)形成孔直徑為90nm的孔以等間距(間距570nm)排列而成的接觸孔圖案(以下稱為isoch圖案)。對上述直徑90nm的isoch圖案中的光刻特性進行評價。其結(jié)果如表5所示。[焦深(dof)評價]以上述eop，將焦點適當上下錯開，與上述[抗蝕劑圖案形成]同樣地形成抗蝕劑圖案，求出在目標尺寸±5％(即85.5～94.5nm)的尺寸變化率的范圍內(nèi)能形成上述isoch圖案的焦深(dof、單位：nm)。其結(jié)果如表5所示。[mef評價]以上述eop，分別采用將孔直徑的目標尺寸定為61nm、63nm、65nm、67nm、69nm的掩模圖案，形成間距57nm的isoch圖案。此時，求出以目標尺寸(nm)為橫軸、以用各掩模圖案在抗蝕劑膜上形成的孔圖案的孔徑(nm)為縱軸繪制得到的直線的斜率，作為mef。mef(直線的斜率)的值越接近1則表示掩模重現(xiàn)性越好。得到的結(jié)果如表5所示。[el容裕度評價]求出以目標尺寸(孔直徑90nm)的±5％(85.5nm、94.5nm)形成直徑90nm的isoch圖案時的曝光量，然后由下式求出el容裕度(單位：％)。其結(jié)果如表5所示。el容裕度(％)＝(|e1－e2|/eop)×100[式中，e1表示形成孔直徑85.5nm的ch圖案時的曝光量(mj/cm2)，e2表示形成孔直徑94.5nm的ch圖案時的曝光量(mj/cm2)。][表5]實施例11實施例12實施例13比較例2eop(mj/cm2)37.139.442.141.7dof(nm)0.150.140.150.14mef3.033.322.983.52el容裕度(％)9.59.469.278.58如表5所示，與比較例2的抗蝕劑組合物相比，實施例11～13的抗蝕劑組合物的mef、el容裕度良好，在dof上更好。上述結(jié)果證實：本發(fā)明第6方式的化合物(b0-1)能作為產(chǎn)酸劑用化合物的中間體使用，本發(fā)明第3方式的化合物(b1-1)為能作為產(chǎn)酸劑使用的化合物。[實施例14～20]將表6所示各成分混合、溶解，制備正型的抗蝕劑組合物。[表6]表6中的(b)-1、(d)-1、(s)-2與表1中的(b)-1、(d)-1、(s)-2相同，其他略稱分別表示如下意思。[]內(nèi)的數(shù)值為摻和量(質(zhì)量份)。另外，實施例14～20的(b)成分的摻和量(總量)分別為等摩爾量。(a)－2：下述化學(xué)式(a)－2(式中，l/m/n＝30/50/20(摩爾比))表示的mw＝10000、mw/mn＝2.0的共聚物。(a)－3：下述化學(xué)式(a)－3(式中，l/m/n＝40/40/20(摩爾比))表示的mw＝10000、mw/mn＝2.0的共聚物。使用得到的抗蝕劑組合物進行以下的評價。[抗蝕劑圖案形成]在12英寸的硅晶片上，用旋轉(zhuǎn)涂布器涂布有機類防反射膜組合物“arc29a”(商品名、卜利科學(xué)公司制)，在加熱板上于205℃下燒結(jié)60秒使其干燥，形成膜厚70nm的有機類防反射膜。然后，在該防反射膜上，用旋轉(zhuǎn)涂布器分別涂布上述抗蝕劑組合物，在加熱板上在110℃、60秒的條件下進行預(yù)烘烤(pab)處理，干燥，形成膜厚170nm的抗蝕劑膜。然后，利用arf曝光裝置nsr-s308f(尼康公司制造；na(開口數(shù))＝0.85，σ＝0.95)，隔著掩模圖案，對上述抗蝕劑膜選擇性照射arf準分子激光(193nm)。然后，在90℃、60秒的條件下進行曝光后加熱(peb)處理，然后在23℃下用2.38質(zhì)量％的四甲基氫氧化銨(tmah)水溶液顯影30秒，然后用純水淋洗30秒，甩水干燥。其結(jié)果是，在任一例中均在上述抗蝕劑膜上形成了孔直徑為110nm的孔以等間距(間距210nm)排列而成的densech圖案。接著，以形成上述dencech圖案的最適曝光量eop(mj/cm2)形成孔直徑為110nm的孔以等間距(間距780nm)排列而成的isoch圖案。對上述直徑110nm的dense/iso的各ch圖案中的光刻特性進行評價。其結(jié)果如表7所示。[焦深(dof)評價]以上述eop，將焦點適當上下錯開，與上述[抗蝕劑圖案形成]同樣地形成抗蝕劑圖案，求出在目標尺寸±5％(即104.5～115.5nm)的尺寸變化率的范圍內(nèi)能形成上述各ch圖案的焦深(dof、單位：nm)。[mef評價]分別采用孔直徑的目標尺寸在110nm±5nm的范圍以1nm為單位變化的掩模圖案，以上述eop，形成各ch圖案(間距為dense：210nm、iso：780nm)。此時，求出以掩模尺寸(nm)為橫軸、以用各掩模圖案在抗蝕劑膜上形成的孔圖案的孔徑(nm)為縱軸繪制得到的直線的斜率，作為mef。mef(直線的斜率)的值越接近1則表示掩模重現(xiàn)性越好。[cdu(孔直徑的均一性)評價]對得到的各ch圖案，分別測定孔的直徑(dence：54個，iso：26個)，求出由該結(jié)果算出的標準偏差(σ)的3倍值(3σ)。如此求得的3σ的值越小，形成于該抗蝕劑膜上的各孔的cdu越高，即意味著存在于一定范圍內(nèi)的孔的直徑的偏差越小。[圓度評價]使用測長sem(日立制作所公司制，產(chǎn)品名：s-9220)觀察各ch圖案中的孔形狀，按以下基準進行評價。a：圓度非常高(從上空觀察的孔圖案的圓周部沒有凹凸，形狀非常好)。b：圓度高(從上空觀察的孔圖案的圓周部略有凹凸，整體為圓度高的形狀)[表7]如表7所示，實施例14～20的抗蝕劑組合物在dense/isoch圖案兩方均具有優(yōu)異的光刻特性(dof、mef、cdu、圓度)。關(guān)于cdu和圓度等的孔形狀，實施例15～19的抗蝕劑組合物特別好。上述結(jié)果還證實：本發(fā)明第6方式的化合物(b0-1)能作為產(chǎn)酸劑用化合物的中間體使用，本發(fā)明第3方式的化合物(b1-1)為能作為產(chǎn)酸劑使用的化合物。[實施例21]向化合物(ⅲ)8.00g和二氯甲烷150.00g中在冰冷卻下滴加1-金剛烷乙酰氯7.02g和三乙基胺3.18g。滴加結(jié)束后，在室溫下攪拌20小時，過濾。將濾液用純水54.6g洗滌3次，將有機層濃縮干燥，得到化合物(ⅹv)14.90g(收率：88.0％)。對得到的化合物(ⅹv)進行nmr分析。1h－nmr(dmso，400mhz)：δ(ppm)＝8.81(brs，1h，hc)、4.40(t，2h，hd)、4.20(t，2h，he)、3.08(q，6h，hb)、2.05(s，2h，hf)、1.53－1.95(m，15h，金剛烷)、1.17(t，9h，ha)。19f－nmr(dmso，376mhz)：δ(ppm)＝－106.90。上述結(jié)果證實化合物(ⅹv)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例22]將化合物(v)7.04g溶于二氯甲烷70.4g和水70.4g中，添加化合物(ⅹv)9.27g。攪拌1小時后，通過分液處理來回收有機層，用1％hclaq70.4g洗滌1次，用純水70.4g洗滌4次。將得到的有機層濃縮干燥，得到化合物(ⅹvi)11.59g(收率90.6％)。對得到的化合物(ⅹvi)進行nmr分析。1h－nmr(dmso，400mhz)：δ(ppm)＝7.50－7.87(m，14h，苯基)、4.42(s，3h，hc)、4.23(s，2h，hb)、2.43(s，3h，ha)、2.01(s，2h，hf)、1.94(s，2h，金剛烷)、1.52－1.61(m，13h，金剛烷)19f－nmr(dmso，376mhz)：δ(ppm)＝－106.49上述結(jié)果證實化合物(ⅹvi)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例23]將化合物(ⅹⅹ)21.6g、水53.0g和二氯甲烷69.7g在室溫下攪拌，向其中添加化合物(ⅳ)12.9g。攪拌1小時后，通過分液來回收有機層，用1％hclaq34.9g洗滌1次，用純水69.7g洗滌2次。將得到的有機層濃縮干燥，得到化合物(ⅹxi)9.94g(收率61.4％)。對得到的化合物(ⅹxi)進行nmr分析。1h－nmr(dmso，400mhz)：δ(ppm)＝8.00(d，2h，hf)、7.75(t，1h，hi)、7.58(t，2h，hg)、5.30(s，2h，he)、4.37－4.44(t，2h，ha)、4.17－4.26(t，2h，hb)、3.54(m，4h，hd)、2.49－2.18(m，4h，hc)、1.93－1.60(m，15h，金剛烷)19f－nmr(dmso，376mhz)：δ(ppm)＝－106.2上述結(jié)果證實化合物(ⅹxi)具有下示結(jié)構(gòu)。[實施例24～26]將表8所示各成分混合、溶解，準備正型的抗蝕劑組合物。[表8]表8中的(b)-1、(s)-2與表1中的(b)-1、(s)-2相同，其他略稱分別表示以下意思。[]內(nèi)的數(shù)值為摻和量(質(zhì)量份)。另外，實施例24～26的(b)成分的摻和量(總量)分別為等摩爾量。(a)－4：下述化學(xué)式(a)－4(式中，l/m/n＝30/50/20(摩爾比))表示的mw＝10000、mw/mn＝2.0的共聚物。(a)－5：下述化學(xué)式(a)－5(式中，l/m/n＝30/50/20(摩爾比))表示的mw＝10000、mw/mn＝2.0的共聚物。(a)－6：高分子化合物(a)-6(通過后述參考例3來合成)。(b)－3：下述化學(xué)式(b)－3表示的化合物(上述化合物(ⅹvi))。(b)－4：下述化學(xué)式(b)－4表示的化合物(上述化合物(ⅹxi))。(d)－2：硬脂基二乙醇胺。[高分子化合物(a)-6的合成例][參考例1]在1l的三口燒瓶中裝入氫化鈉(nah)4.8g，在冰浴中保持0℃的同時，加入300g四氫呋喃(thf)，然后一邊攪拌一邊加入124g化合物(1)，攪拌10分鐘。然后，一邊攪拌一邊加入30g化合物(2)，反應(yīng)12小時。反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液抽濾，通過減壓濃縮來除去回收的濾液中的thf。然后，在濃縮液中加入水和乙酸乙酯進行提取，將得到的乙酸乙酯溶液減壓濃縮，用柱色譜(sio2，庚烷：乙酸乙酯＝8：2)進行精制，將餾份減壓濃縮，進而減壓干燥，得到化合物(3)12g。測定得到的化合物(3)的1h-nmr。其結(jié)果如下所示。1h－nmr(溶劑：cdcl3，400mhz)：δ(ppm)＝4.09(s，2h(ha))、3.75(t，2h(hb))、3.68(t，2h(hc))、3.03(brs，2h(hd))、1.51－2.35(m，17h(he))上述結(jié)果證實化合物(3)具有下示結(jié)構(gòu)。[參考例2]在300ml的三口燒瓶中裝入5g化合物(3)、3.04g三乙基胺(et3n)和10gthf，攪拌10分鐘。然后，加入2.09g化合物(4)和10gthf，在室溫下反應(yīng)12小時。反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液抽濾，通過減壓濃縮來除去回收的濾液中的thf。然后，在濃縮液中加入水和乙酸乙酯進行提取。對得到的乙酸乙酯溶液用柱色譜(sio2，庚烷：乙酸乙酯＝8：2)進行精制，將餾份減壓濃縮，進而減壓干燥，得到化合物(5)4.9g。測定得到的化合物(5)的1h-nmr。其結(jié)果如下所示。1h－nmr(溶劑：cdcl3，400mhz)：δ(ppm)＝6.15(s，1h(ha))、5.58(s，1h(hb))、4.35(t，2h(hc))、4.08(s，2h(hd))、3.80(t，2h(he))、1.51－2.35(m，2oh(hf))上述結(jié)果證實化合物(5)具有下示結(jié)構(gòu)。[參考例3(高分子化合物(a)-6的合成)]將6.30g(30.30mmol)的化合物(6)、7.00g(20.83mmol)的化合物(5)、2.83g(11.99mmol)化合物(7)溶于64.52g甲乙酮。在該溶液中加入和光純藥制v-601(聚合引發(fā)劑)11.68mmol并使其溶解。將其在氮氛圍氣下花6個小時滴加到加熱至75℃的甲乙酮26.88g中。滴加結(jié)束后，將反應(yīng)液加熱攪拌1小時，然后，將反應(yīng)液冷卻至室溫。將該聚合液濃縮至固體成分為30質(zhì)量％，在室溫下滴加到320ml的正庚烷中使共聚物析出。然后，制備該共聚物的thf溶液54g，滴加到正庚烷320ml中使共聚物析出。用甲醇/水＝60/40(體積比)的混合溶液將該共聚物分散而進行共聚物的洗滌，然后用甲醇/水＝70/30(體積比)的混合溶液進行分散而進行共聚物的洗滌，通過過濾來回收。將如此得到的共聚物在40℃下干燥3天，得到12.0g白色粉體(收率74％)。將得到的共聚物表示為高分子化合物(a)-6，其結(jié)構(gòu)式如下所示。測定該高分子化合物(a)-6的13c-nmr(600mhz)，結(jié)果：聚合物組成(下述結(jié)構(gòu)式中的各結(jié)構(gòu)單元的比例(摩爾比))為l/m/n＝52.6/27.5/19.9。通過gpc測定求得的標準聚苯乙烯換算的質(zhì)均分子量(mw)為5300，分散度(mw/mn)為1.97。該結(jié)果證明：得到的高分子化合物(a)-6是化合物(6)和化合物(5)和化合物(7)的共聚物。使用得到的抗蝕劑組合物，按以下操作順序形成抗蝕劑圖案，評價光刻特性。[抗蝕劑圖案形成]在12英寸的硅晶片上，用旋轉(zhuǎn)涂布器涂布有機類防反射膜組合物“arc29”(商品名、卜利科學(xué)公司制)，在加熱板上于205℃下燒結(jié)60秒使其干燥，形成膜厚89nm的有機類防反射膜。然后，在該防反射膜上，用旋轉(zhuǎn)涂布器分別涂布上述得到的實施例24～26的正型抗蝕劑組合物，在加熱板上在90℃、60秒的條件下進行預(yù)烘烤(pab)處理，干燥，形成膜厚120nm的抗蝕劑膜。接著，使用旋轉(zhuǎn)涂布器在上述抗蝕劑膜上涂布保護膜形成用涂布液“tsrc-002”(商品名、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制)，在90℃下加熱60秒，形成膜厚28nm的外保護膜。然后，針對形成了外保護膜的上述抗蝕劑膜，利用液浸用arf曝光裝置nsr-s609b(尼康公司制造；na(開口數(shù))＝1.07，2/3環(huán)形照明，縮小倍數(shù)1/4倍，液浸介質(zhì)：水)，隔著掩模圖案(6％半色調(diào))選擇性照射arf準分子激光(193nm)。然后，使用保護膜除去液“ts-rememover-s”(商品名、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制)除去外保護膜后，在表8所示的條件下進行peb處理，然后在23℃下用2.38質(zhì)量％的tmah水溶液nmd-w(商品名、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制)堿顯影30秒，然后用純水淋洗25秒，甩水干燥。其結(jié)果是，在任一例中均形成了直徑為70nm、間距為131nm的ch圖案。此時的最適曝光量eop(mj/cm2)即靈敏度如表9所示。[圓度評價]使用測長sem(日立制作所公司制、產(chǎn)品名：s-9220)觀察各ch圖案中的孔形狀，以與實施例14～20相同的基準進行評價。結(jié)果如表9所示。[表9]實施例24實施例25實施例26eop(mj/cm2)312820圓度abb表9的結(jié)果證實：本發(fā)明第6方式的化合物(b0-1)能作為產(chǎn)酸劑用化合物的中間體使用，本發(fā)明第3方式的化合物(b1-1)為能作為產(chǎn)酸劑的化合物。當前第1頁12