本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光材料領(lǐng)域,具體涉及一種含有雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物及其有機電致發(fā)光器件,屬于有機電致發(fā)光器件顯示技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
有機電致發(fā)光器件(OLEDs)為在兩個金屬電極之間通過旋涂或者真空蒸鍍沉積一層有機材料制備而成的器件,一個經(jīng)典的三層有機電致發(fā)光器件包含空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。由陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)空穴傳輸層跟由陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)電子傳輸層結(jié)合在發(fā)光層形成激子,而后發(fā)光。有機電致發(fā)光器件可以根據(jù)需要通過改變發(fā)光層的材料來調(diào)節(jié)發(fā)射各種需要的光。
有機電致發(fā)光器件作為一種新型的顯示技術(shù),具有自發(fā)光、寬視角、低能耗、效率高、薄、色彩豐富、響應速度快、適用溫度范圍廣、低驅(qū)動電壓、可制作柔性可彎曲與透明的顯示面板以及環(huán)境友好等獨特優(yōu)點,可以應用在平板顯示器和新一代照明上,也可以作為LCD的背光源。
自從20世紀80年代底發(fā)明以來,有機電致發(fā)光器件已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)上有所應用,比如作為相機和手機等屏幕,但是目前的OLED器件由于效率低,使用壽命短等因素制約其更廣泛的應用,特別是大屏幕顯示器,因此需要提高器件的效率。而制約其中的一個重要因素就是有機電致發(fā)光器件中的有機電致發(fā)光材料的性能。另外由于OLED器件在施加電壓運行的時候,會產(chǎn)生焦耳熱,使得有機材料容易發(fā)生結(jié)晶,影響了器件的壽命和效率,因此,也需要開發(fā)穩(wěn)定高效的有機電致發(fā)光材料。
有機電致磷光現(xiàn)象,突破了有機電致發(fā)光量子效率低于25%的理論限制,提升到100%(Baldo M.A.,Forrest S.R.Et al,Nature,1998,395,151-154),其應用也大大地提高了有機電致發(fā)光器件的效率。一般地,電致磷光需要采用主客體摻雜技術(shù),常用的作為磷光主體材料的CBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-biphenyl)具有高效和高三線態(tài)能級,當其作為主體材料時,三線態(tài)能量能夠有效地從發(fā)光主體材料轉(zhuǎn)移到客體磷光發(fā)光材料。但是由于CBP的空穴易傳輸而電子難流動的特性,使得發(fā)光層的電荷不平衡,結(jié)果降低了器件的效率。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明首先提供一種含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物,其為具有如下結(jié)構(gòu)式I或II的化合物:
其中,R1-R16分別獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、C1-C12烷基、C1-C8烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的芳基、C3-C30的取代或者未取代的雜芳基、三芳香胺基、咔唑基、三芳基氧膦基;
A和B分別獨立地選自單鍵、O、S、Se、NAr1或者CR17R18,其中Ar1、R17和R18分別獨立地選自氫、氘、C1-C12烷基、C6-C30的取代或者未取代的芳基,C3-C30的取代或者未取代的雜芳基;
L1和Ar分別獨立地選自單鍵、C6-C30的取代或者未取代的芳基、C3-C30的取代或者未取代的雜芳基。
優(yōu)選地,R1-R16分別獨立地選自氫、氘、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、異丙基、異丁基、叔丁基、環(huán)己基、苯基。
優(yōu)選地,R17和R18分別獨立地選自甲基、苯基。
優(yōu)選地,Ar1為苯基。
優(yōu)選地,L1選自單鍵和苯基。
優(yōu)選地,Ar選自苯基、聯(lián)苯基、萘基。
進一步優(yōu)選地,本發(fā)明的含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物為下列結(jié)構(gòu)式1-44的化合物:
本發(fā)明的一種含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物可以應用在有機電致發(fā)光器件、有機太陽能電池、有機薄膜晶體管或有機光感受器領(lǐng)域。
本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件,該器件包含陽極、陰極和有機層,有機層包含發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層中的至少一層,其中所述有機層中至少有一層含有如結(jié)構(gòu)式I或II所述的含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物:
其中R1-R16、A、B、L1和Ar的定義如前所述。
其中有機層為發(fā)光層;
或者有機層為發(fā)光層和電子傳輸層;
或者有機層為發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層;
或者有機層為空穴傳輸層和發(fā)光層;
或者有機層為空穴注入層、空穴傳輸層和發(fā)光層;
或者有機層為空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層;
或者有機層為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層;
或者有機層為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層;
或者有機層為空穴注入層、空穴傳輸層、阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層;
或者有機層為空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層;
或者有機層為空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和空穴阻擋層。
優(yōu)選地,其中如結(jié)構(gòu)式I或者II所述的合物所在的層為發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層。
優(yōu)選地,其中結(jié)構(gòu)式I或者II所述的化合物為結(jié)構(gòu)式1-44的化合物。
如結(jié)構(gòu)式I或者II所述的含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物用于發(fā)光器件制備時,可以單獨使用,也可以和其它化合物混合使用;如結(jié)構(gòu)式I或者II所述的含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物可以單獨使用其中的一種化合物,也可以同時使用結(jié)構(gòu)式I或者II中的兩種以上的化合物。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件,進一步優(yōu)選的方式為,該有機電致發(fā)光器件包含陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,其中發(fā)光層中含有一種以上的結(jié)構(gòu)式I或者II的化合物;進一步優(yōu)選地,發(fā)光層中含有一種以上的結(jié)構(gòu)式1-44的化合物。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件有機層的總厚度為1-1000nm,優(yōu)選50-500nm。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件在使用本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)式I或者II的化合物時,可以搭配使用其它材料,如在空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和阻擋層中等,而獲得藍光、綠光、黃光、紅光或者白光。
本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層和空穴注入層,所需材料具有很好的空穴傳輸性能,能夠有效地把空穴從陽極傳輸?shù)桨l(fā)光層上。除了可以使用具有本發(fā)明I或者II的化合物外,還可以包括其它小分子和高分子有機化合物,包括但不限于咔唑類化合物、三芳香胺化合物、聯(lián)苯二胺化合物、芴類化合物、酞菁類化合物、六氰基六雜三苯(hexanitrilehexaazatriphenylene)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌(F4-TCNQ)、聚乙烯基咔唑、聚噻吩、聚乙烯或聚苯磺酸。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層,具有很好的發(fā)光特性,可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)可見光的范圍。除本發(fā)明的具有結(jié)構(gòu)式I或者II化合物外,還可以含有如下化合物,但是不限于此,萘類化合物、芘類化合物、芴類化合物、菲類化合物、屈類化合物、熒蒽類化合物、蒽類化合物、并五苯類化合物、苝類化合物、二芳乙烯類化合物、三苯胺乙烯類化合物、胺類化合物、苯并咪唑類化合物、呋喃類化合物、有機金屬螯合物。
本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的有機電子傳輸材料要求具有很好的電子傳輸性能,能夠有效地把電子從陰極傳輸?shù)桨l(fā)光層中,具有很大的電子遷移率??梢赃x擇如下化合物,但是不限于此:氧雜惡唑、噻唑類化合物、三氮唑類化合物、三氮嗪類化合物、三氮雜苯類化合物、喔啉類化合物、二氮蒽類化合物、含硅雜環(huán)類化合物、喹啉類化合物、菲啰啉類化合物、金屬螯合物(如Alq3)、氟取代苯類化合物、苯并咪唑類化合物。
本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的電子注入層,可以有效地把電子從陰極注入到有機層中,主要選自堿金屬或者堿金屬的化合物,或選自堿土金屬或者堿土金屬的化合物或者堿金屬絡合物,可以選擇如下化合物,但是不限于此:堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物或者鹵化物、堿土金屬的氧化物或者鹵化物、稀土金屬的氧化物或者鹵化物、堿金屬或者堿土金屬的有機絡合物;優(yōu)選為鋰、氟化鋰、氧化鋰、氮化鋰、8-羥基喹啉鋰、銫、碳酸銫、8-羥基喹啉銫、鈣、氟化鈣、氧化鈣、鎂、氟化鎂、碳酸鎂、氧化鎂,這些化合物可以單獨使用也可以混合物使用,也可以跟其他有機電致發(fā)光材料配合使用。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中有機層的每一層,可以通過真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法、溶于溶劑的浸涂法、旋涂法、棒涂法或者噴墨打印等方式制備。對于金屬電機可以使用蒸鍍法或者濺射法進行制備。
器件實驗表明,本發(fā)明如結(jié)構(gòu)式I或者II所述的含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物,具有較好熱穩(wěn)定性、高發(fā)光效率、高發(fā)光純度。采用該含有氮雜環(huán)的有機電致發(fā)光化合物制作的有機電致發(fā)光器件具有電致發(fā)光效率良好和色純度優(yōu)異以及壽命長的優(yōu)點。
附圖說明
圖1為化合物1的核磁圖譜。
圖2為化合物9的核磁圖譜。
圖3為本發(fā)明的一種有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖;
其中,110代表為玻璃基板,120代表為陽極,130代表為空穴注入層,140代表為空穴傳輸層,150代表為阻擋層,160代表為發(fā)光層,170代表為電子傳輸層,180代表為電子注入層,190代表為陰極。
具體實施方式
為了更詳細敘述本發(fā)明,特舉以下例子,但是不限于此。
實施例1
化合物1的合成
中間體1-1的合成
在單口瓶中加入對溴苯甲腈(5g,27.5mmol)、咔唑(4.2g,25mmol)、叔丁醇鈉(4.8g,50mmol)、醋酸鈀、x-phos、甲苯(50ml),在氮氣保護下加熱回流24h,冷卻。旋蒸除去甲苯,加入50ml二氯甲烷溶解,后用水洗。有機相旋干,加入乙醇重結(jié)晶,抽濾出產(chǎn)物。得到白色固體3.9g,產(chǎn)率60%。
中間體1-2的合成
在單口瓶中加入中間體1-1(1g,3.7mmol)、5-溴-2-氨基吡啶(0.78g,4.5mmol)、溴化亞銅(0.18mmol,27mg)、鄰菲啰啉(0.18mmol,33mg)、碘化鋅(0.37mmol,118mg)、鄰二氯苯(5ml),通空氣130度反應24小時,冷卻至室溫后用乙酸乙酯稀釋,過濾除去無機鹽,濾液濃縮后使用柱層析分離。得到白色固體0.5g,產(chǎn)率31%。
化合物1的合成
向單口瓶中加入中間體1-2(0.5g,1.15mmol)、咔唑硼酸(0.39g,1.35mmol)、碳酸鉀(0.34g,2.5mmol)、四三苯基膦鈀(50mg)、四氫呋喃(6ml)和水(2ml),在氮氣保護下加熱回流6小時,原料反應完畢。旋干四氫呋喃,用二氯甲烷萃取產(chǎn)物。濃縮有機相,柱層析分離產(chǎn)物,得到白色產(chǎn)物0.4g,產(chǎn)率57%。
實施例2
化合物9的合成
中間體9-1
在單口瓶中加入對溴苯甲腈(10g,55mmol)、吖啶(10g,48mmol)、叔丁醇鈉(10g,100mmol)、醋酸鈀(0.2g)、x-phos(0.4g)、甲苯(100ml),在氮氣保護下加熱回流24h,冷卻,旋蒸除去甲苯,加入250ml二氯甲烷溶解,后用水洗。有機相濃縮后柱層析分離產(chǎn)物,得到白色固體5g,產(chǎn)率60%。
中間體9-2
在單口瓶中加入中間體9-2(3.7g,12mmol)、5-溴-2-氨基吡啶(2.4g,14mmol)、溴化亞銅(270mg,1.8mmol)、鄰菲啰啉(330mg,1.8mmol)、碘化鋅(1.18g,3.7mmol)、鄰二氯苯(50ml),通空氣130度反應24小時,冷卻至室溫后用乙酸乙酯稀釋,過濾除去無機鹽,濾液濃縮后使用柱層析分離。得到白色固體5g,產(chǎn)率31%。
化合物9
向單口瓶中加入中間體9-2(1g,2.1mmol)、咔唑硼酸(0.92g,2.5mmol)、碳酸鉀(690mg,5mmol)、四三苯基膦鈀(70mg)、四氫呋喃(30ml)、水(10ml),在氮氣保護下加熱回流6h,顯示原料反應完畢。旋干四氫呋喃,加入二氯甲烷萃取產(chǎn)物。濃縮有機相,柱層析分離產(chǎn)物,得到白色產(chǎn)物980mg,產(chǎn)率73%。
實施例3
化合物19的合成
在三口燒瓶中,加入中間體1-2(1.5g,3.4mmol)、咔唑(0.85g,5.1mmol)、碳酸鉀(1.1g,6.8mmol)、碘化亞銅(0.2g)、鄰菲羅啉(0.2g)和硝基苯(25ml),在氮氣保護下加熱回流12小時,冷卻,除去溶劑,加入二氯甲烷,過濾,除去無機鹽,粗品經(jīng)柱層析純化得到產(chǎn)品0.77g,產(chǎn)率43%。
實施例4
化合物28的合成
合成方法跟化合物19的合成一樣,除了用中間體9-2代替中間體1-2外,產(chǎn)率50%。
實施例5
化合物33的合成
合成方法跟化合物1一樣,除了用9-苯基咔唑3-硼酸代替咔唑硼酸酯外,產(chǎn)率76%。
實施例6
化合物37的合成
中間體37-1的合成
合成方法跟中間體1-2一樣,除了用4-溴-2-氨基吡啶代替5-溴-2-氨基吡啶外,產(chǎn)率42%。
化合物37的合成
合成方法跟化合物化合物1一樣,除了用中間體37-1代替中間體1-2外,產(chǎn)率57%。
實施例7
化合物43的合成
合成方法跟化合物37一樣,除了原料為中間體37-1和9-苯基-3-咔唑硼酸外,產(chǎn)率73%。
實施例8-14
有機電致發(fā)光器件的制備
使用實施例的化合物制備OLED。
首先,將透明導電ITO玻璃基板110(上面帶有陽極120)(中國南玻集團股份有限公司)依次經(jīng):去離子水、乙醇、丙酮和去離子水洗凈,再用氧等離子處理30秒。
然后,在ITO上旋涂35nm厚的PEDOT:PSS(聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽))為空穴注入層130,150度下干燥30分鐘。
然后,在空穴注入層上蒸鍍40nm厚的TAPC為空穴傳輸材料140。
然后,蒸鍍TCTA,形成5nm厚的電子阻擋層150。
然后,在電子阻擋層上蒸鍍20nm厚的發(fā)光層160,其中,本發(fā)明化合物為主體發(fā)光材料,而以8%重量比的Ir(ppy)3作為磷光摻雜客體材料。
然后,在發(fā)光層上蒸鍍45nm厚的BmPYPB作為電子傳輸層170。
最后,蒸鍍1nm LiF為電子注入層180和80nm Al作為器件陰極190。
所制備的器件(結(jié)構(gòu)示意圖見圖3)用Photo Research PR650光譜儀測得的在5000cd/m2的亮度下的外量子效率如表1所示。
比較例1和2
比較例制備的器件跟實施例5-8件制備方法一樣,除了用CBP和化合物A代替本發(fā)明化合物作為主體材料外。
器件中所述化合物的結(jié)構(gòu)式如下:
從表中可以看出,本發(fā)明的新型有機材料用于有機電致發(fā)光器件,可以降低工作電壓,提高器件效率,是具有優(yōu)良性能的磷光主體材料。如上所述,本發(fā)明的化合物具有高的穩(wěn)定性,制備的有機電致發(fā)光器件具有高的效率和光純度。
以上詳細描述了本發(fā)明的較佳具體實施例。應當理解,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此,凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術(shù)方案,皆應在由權(quán)利要求書所確定的保護范圍內(nèi)。