本發(fā)明涉及一種熱激發(fā)延遲熒光主體材料及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管由于其具有啟動(dòng)電壓低，發(fā)光效率高等優(yōu)點(diǎn)，因而引起了人們的廣泛的研究，作為第三代平面顯示和照明技術(shù)，有機(jī)電致發(fā)光二極管目前普遍采用磷光染料來構(gòu)建磷光電致發(fā)光，但由于磷光染料的構(gòu)建常伴有貴金屬存在，這就提高了制備成本，同時(shí)對環(huán)境也不夠友好。因此，人們迫切需要其它類型的染料替代磷光染料。而近期，被稱為第三代的有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)的熱激發(fā)延遲熒光技術(shù)，已經(jīng)取得了很大的研究進(jìn)展，熱激發(fā)延遲熒光染料可以通過自身三線態(tài)到單線態(tài)反向隙間竄躍使三線態(tài)激子轉(zhuǎn)化為單線態(tài)激子，進(jìn)而利用其發(fā)光，理論上可以實(shí)現(xiàn)100％的內(nèi)量子效率。用該類染料制備的器件，同樣具有較高的效率，可以和磷光器件相媲美，同時(shí)熱激發(fā)延遲熒光染料均為純有機(jī)化合物，制備成本低，對環(huán)境友好。熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料，為了實(shí)現(xiàn)高的器件效率，需要具備以下三點(diǎn)：1、具有較高的三線態(tài)能級，使能量很好的從主體傳遞給客體；2、良好的載流子傳輸能力，以提高器件電子的注入與傳輸性能；3、具有較弱的分子間作用力，防止主體分子間主客體分子間的強(qiáng)分子間相互作用引起的發(fā)射猝滅。通常，平面類熱激發(fā)延遲熒光染料分子由于其分子間具有較強(qiáng)的相互作用可以有效地促進(jìn)載流子傳輸能力，然而，由于其較強(qiáng)的分子間作用力也會促進(jìn)分子的聚集，這就會使發(fā)射猝滅，降低了器件效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的平面類熱激發(fā)延遲熒光染料分子易發(fā)生猝滅，導(dǎo)致器件效率低的技術(shù)問題，而提供基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料及其制備方法和應(yīng)用。

本發(fā)明的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式為：

記為DPDPA；

或者記為DPDPSA；

或者其中X＝S或O，Y＝S或O，當(dāng)X＝Y(jié)＝S時(shí)記為DPDPS₂A；當(dāng)X＝S，Y＝O時(shí)記為DPDPSOA；當(dāng)X＝Y(jié)＝O時(shí)記為DPDPO₂A；

或者記為DPDPP；

或者記為DPDPSP；

或者其中X＝S或O，Y＝S或O，當(dāng)X＝Y(jié)＝S時(shí)記為DPDPS₂P；當(dāng)X＝S，Y＝O時(shí)記為DPDPSOP；當(dāng)X＝Y(jié)＝O時(shí)記為DPDPO₂P。

上述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴芳基化合物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體干燥后，直接純化或者硫化/和氧化后再純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴芳基化合物為鄰二溴苯或2,3-二溴萘。

上述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的應(yīng)用，是將其用于熱激發(fā)延遲熒光電致發(fā)光器件中。

利用基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料制備熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件的方法，按以下步驟實(shí)現(xiàn)：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫、厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃、厚度為5～30nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB(N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺)、厚度為40～70nm nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP(1,3-二-9-咔唑基苯)、厚度為5～20nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為20～40nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料DMAC-DPS/4CzTPNPh(雙[4-(9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶)苯基]硫砜/2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-對苯二腈、客體材料的摻雜濃度為5％～15％)的發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO(二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)、厚度為5～20nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲羅啉)、厚度為20～50nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF(氟化鋰)、厚度為1～30nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al、厚度為100～200nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本發(fā)明構(gòu)建了用于熱激發(fā)延遲熒光器件的基于膦雜芳基衍生物的主體材料，該材料是在芳基上引入磷原子以及進(jìn)一步硫化或/和氧化得到的穩(wěn)定的主體材料。選擇膦雜芳基衍生物作為主體材料，首先，作為含有膦原子-雜原子分子的材料，該主體分子具有較高的三線態(tài)能級，同時(shí)該類主體具有平面結(jié)構(gòu)，P＝O或P＝S基團(tuán)具有極化分子的作用，提高了分子的電子注入傳輸能力，使得該類分子材料具有良好的載流子傳輸能力，另一方面，該類分子通過其上的磷原子、及進(jìn)一步修飾(氧化及硫化)調(diào)節(jié)了分子的幾何構(gòu)型，進(jìn)而達(dá)到抑制分子間的相互作用，抑制猝滅，使主體材料在具有良好的載流子傳輸能力同時(shí)還能有效抑制分子間的聚集。從而有效地提高了熱激發(fā)延遲熒光器件的效率。總之，本發(fā)明中膦雜芳基衍生物主體材料用于電致發(fā)光器件包含以下優(yōu)點(diǎn)：

1、保持較高的三線態(tài)能級，保證能量從主體到客體的有效傳遞。

2、提高電致發(fā)光器件材料的載流子注入和傳輸能力，基于膦雜芳基衍生物主體材料制備的電致發(fā)光器件將啟亮電壓降低到2.5～2.8V，具有良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性，裂解溫度為290℃-398℃，同時(shí)提高了有機(jī)電致發(fā)光材料的發(fā)光效率和亮度，本發(fā)明主要應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光二極管器件中。

附圖說明

圖1是實(shí)施例一合成的化合物DPDPA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖2是實(shí)施例一合成的DPDPA的熱重分析譜圖；

圖3是實(shí)施例二合成的化合物DPDPSA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPSA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPSA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖4是實(shí)施例二合成的DPDPSA的熱重分析譜圖；

圖5是實(shí)施例三合成的化合物DPDPS₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPS₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPS₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖6是實(shí)施例三合成的DPDPS₂A的熱重分析譜圖；

圖7是實(shí)施例四合成的化合物DPDPSOA紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPSOA/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPSOA/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖8是實(shí)施例四合成的DPDPSOA的熱重分析譜圖；

圖9是實(shí)施例五合成的化合物DPDPO₂A紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPO₂A/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPO₂A/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖10是實(shí)施例五合成的DPDPO₂A的熱重分析譜圖；

圖11是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖12是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖13是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖14是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-功率效關(guān)系曲線，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖15是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖16是應(yīng)用實(shí)施例一的熱激發(fā)延遲熒光器件的電致發(fā)光光譜，其中用■表示DPDPA，用●表示DPDPSA，用▲表示DPDPS₂A，用▼表示DPDPSOA，用◆表示DPDPO₂A；

圖17是實(shí)施例六合成的化合物DPDPP紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPP/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPP/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖18是實(shí)施例六合成的DPDPP的熱重分析譜圖；

圖19是實(shí)施例七合成的化合物DPDPSP紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPSP/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPSP/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖20是實(shí)施例七合成的DPDPSP的熱重分析譜圖；

圖21是實(shí)施例八合成的化合物DPDPS₂P紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPS₂P/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPS₂P/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖22是實(shí)施例八合成的DPDPS₂P的熱重分析譜圖；

圖23是實(shí)施例九合成的化合物DPDPSOP紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPSOP/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPSOP/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖24是實(shí)施例九合成的DPDPSOP的熱重分析譜圖；

圖25是實(shí)施例十合成的化合物DPDPO₂P紫外熒光光譜譜圖,其中用■曲線表示DPDPO₂P/二氯甲烷的紫外吸收光譜圖，用□曲線表示DPDPO₂P/二氯甲烷的熒光發(fā)射光譜圖；

圖26是實(shí)施例十合成的DPDPO₂P的熱重分析譜圖；

圖27是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P；

圖28是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P；

圖29是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P；

圖30是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P；

圖31是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P；

圖32是應(yīng)用實(shí)施例二的熱激發(fā)延遲熒光器件的電致發(fā)光光譜，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。

具體實(shí)施方式

具體實(shí)施方式一：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的結(jié)構(gòu)式為記為DPDPA；或者記為DPDPSA；或者其中X＝S或O，Y＝S或O，當(dāng)X＝Y(jié)＝S時(shí)記為DPDPS₂A；當(dāng)X＝S，Y＝O時(shí)記為DPDPSOA；當(dāng)X＝Y(jié)＝O時(shí)記為DPDPO₂A；或者記為DPDPP；或者記為DPDPSP；或者其中X＝S或O，Y＝S或O，當(dāng)X＝Y(jié)＝S時(shí)記為DPDPS₂P；當(dāng)X＝S，Y＝O時(shí)記為DPDPSOP；當(dāng)X＝Y(jié)＝O時(shí)記為DPDPO₂P。

具體實(shí)施方式二：具體實(shí)施方式一所述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的制備方法如下：

將鄰二溴芳基化合物、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體干燥后，直接純化或者硫化/和氧化后再純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料；其中鄰二溴芳基化合物為鄰二溴苯或2,3-二溴萘。

具體實(shí)施方式三：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式二不同的是所述的硫化過程是：向有機(jī)層液體中加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行反應(yīng)0.5～2小時(shí)，完成硫化。其它與具體實(shí)施方式二相同。

具體實(shí)施方式四：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式二或三不同的是所述的氧化的過程是：向有機(jī)層液體中加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行反應(yīng)0.5～2小時(shí)，完成氧化。其它與具體實(shí)施方式二或三相同。

具體實(shí)施方式五：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA的合成方法如下：將鄰二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，以石油醚和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA；其中鄰二溴苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式六：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA的合成方法如下：將鄰二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)0.5～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA；其中鄰二溴苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2。

具體實(shí)施方式七：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂A的合成方法如下：將鄰二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA；其中鄰二溴苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：1。

具體實(shí)施方式八：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA的合成方法如下：將鄰二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)；再加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA；其中鄰二溴苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(10～15)：1。

具體實(shí)施方式九：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂A的合成方法如下：將鄰二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂A；其中鄰二溴苯的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(20～25)：1。

具體實(shí)施方式十：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPP的合成方法如下：將2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，以石油醚和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到DPDPP；其中2,3-二溴萘的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml。

具體實(shí)施方式十一：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP的合成方法如下：將2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)0.5～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP；其中2,3-二溴萘的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2。

具體實(shí)施方式十二：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂P的合成方法如下：將2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1～2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂P；其中2,3-二溴萘的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：1。

具體實(shí)施方式十三：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOP的合成方法如下：將2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入硫粉，在溫度為15～30℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；再加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOP；其中2,3-二溴萘的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物質(zhì)量的量與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比為(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(10～15)：1。

具體實(shí)施方式十四：本實(shí)施方式的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P的合成方法如下：將2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基鋰按摩爾比為1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氫呋喃(THF)中，在溫度為-60～-85℃的條件下反應(yīng)1～3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入H₂O₂，在溫度為-5～20℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)0.5～2小時(shí)；旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P；其中2,3-二溴萘的物質(zhì)的量與四氫呋喃的體積的比為1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂與苯基二氯化膦的物質(zhì)的量的比(20～25)：1。

具體實(shí)施方式十五：具體實(shí)施方式一所述的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料的應(yīng)用，是將其用于熱激發(fā)延遲熒光電致發(fā)光器件中。

具體實(shí)施方式十六：利用基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料制備熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件的方法，按以下步驟實(shí)現(xiàn)：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫、厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃、厚度為5～30nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB(N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺)、厚度為40～70nm nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP(1,3-二-9-咔唑基苯)、厚度為5～20nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為20～40nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料DMAC-DPS/4CzTPNPh(雙[4-(9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶)苯基]硫砜/2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-對苯二腈，客體材料的摻雜濃度為5％～15％)的發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO(二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)、厚度為5～20nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲羅啉)、厚度為20～50nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF(氟化鋰)、厚度為1～30nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al、厚度為100～200nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果：

實(shí)施例一：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol鄰二溴苯、1mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到盛有20ml的THF的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃條件下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，有機(jī)層液體用無水NaSO₄干燥后，減壓蒸餾除去二氯甲烷溶劑，再以石油醚與二氯甲烷的體積比6:1的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到DPDPA。

本實(shí)施例制備的DPDPA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:368.09(100.0％),369.09(26.2％),370.10(3.3％)；GC-MS:m/z(％):368(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₂₄H₁₈P₂:C,78.26；H,4.93。從而可知DPDPA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA的紫外熒光光譜譜圖如圖1所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA的熱重分析譜圖如圖2所示，由圖2可知DPDPA的裂解溫度達(dá)290℃。

實(shí)施例二：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol鄰二溴苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有20ml的THF的50ml的三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌2小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，向有機(jī)層液體中加入0.3mmol硫粉，在20℃條件下攪拌0.5小時(shí)進(jìn)行硫化，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA。

本實(shí)施例制備的DPDPSA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:400.06(100.0％),401.06(26.8％),402.06(4.7％),402.07(3.3％),403.06(1.2％)；GC-MS:m/z(％):400(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₂₄H₁₈P₂S:C,71.99；H,4.53；S,8.01。從而可知，DPDPSA的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA的紫外熒光光譜譜圖如圖3所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSA的熱重分析譜圖如圖4所示，由圖4可知DPDPSA的裂解溫度達(dá)324℃。

實(shí)施例三：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol鄰二溴苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.6mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂A。

本實(shí)施例制備的DPDPS₂A，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:432.03(100.0％),433.04(26.2％),434.03(9.0％),434.04(3.7％),435.03(2.4％),433.03(1.6％)；GC-MS:m/z(％):432(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₂₄H₁₈P₂S₂:C,66.65；H,4.20；S,14.83。從而可知，DPDPS₂A的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖5所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂A的熱重分析譜圖如圖6所示，由圖6可知DPDPS₂A的裂解溫度達(dá)332℃。

實(shí)施例四：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

將1mmol鄰二溴苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌1～3小時(shí)后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.35mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)；再加入12mmolH₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA；

本實(shí)施例制備的DPDPSOA，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:416.06(100.0％),417.06(26.2％),418.05(4.5％),418.06(3.7％),419.05(1.2％)；GC-MS:m/z(％):416(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₂₄H₁₈OP₂S:C,69.22；H,4.36；O,3.84；S,7.70。從而可知，本實(shí)施例制備的DPDPSOA的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA的紫外熒光光譜譜圖如圖7所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOA的熱重分析譜圖如圖8所示，由圖8可知本實(shí)施例的DPDPSOA的裂解溫度達(dá)341℃。

實(shí)施例五：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂A的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

一、將1mmol鄰二溴苯、1.2mmol的苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰和20ml的THF混合于50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃下攪拌3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入25mmol的H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，以乙醇和二氯甲烷體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到DPDPO₂A。

本實(shí)施例制備的DPDPO₂A，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:400.08(100.0％),401.08(26.2％),402.08(3.6％)；GC-MS:m/z(％):400(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₂₄H₁₈O₂P₂:C,72.00；H,4.53；O,7.99。從而可知DPDPO₂A的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂A的紫外熒光光譜譜圖如圖9所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂A的熱重分析譜圖如圖10所示，由圖10可知DPDPO₂A的裂解溫度達(dá)372℃。

應(yīng)用實(shí)施例一：將實(shí)施例一至五制備的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPA、DPDPSA、DPDPS₂A、DPDPSOA、DPDPO₂A分別用于制備電致發(fā)光器件，具體按以下步驟進(jìn)行：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃，厚度為20nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB，厚度為50nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP，厚度為10nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為30nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料DMAC-DPS(客體材料的摻雜濃度為14％)的發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO，厚度為15nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen，厚度為40nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為20nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本應(yīng)用實(shí)施例制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線如圖11所示。其中的■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A。從圖11可以看出，隨著電壓的升高，器件的電流密度都呈現(xiàn)出升高的趨勢。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線如圖12所示，其中的■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A。由此圖可知以DPDPA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.6V，以DPDPSA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.8V，以DPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.6V，以DPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.7V，以DPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.8V。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線如圖13所示，其中的■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A。從圖中可以看出，由此圖可知以DPDPA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為33.2cd·A^-1，以DPDPSA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為33.8cd·A^-1，以DPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為17.0cd·A^-1，以DPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為21.1cd·A^-1，以DPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為33.0cd·A^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖14所示，其中■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A，由此圖可知以DPDPA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為38.6lm·W^-1，以DPDPSA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為39.4lm·W^-1，以DPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為19.1lm·W^-1，以DPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為24.5lm·W^-1，以DPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為38.4lm·W^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線如圖15所示，其中■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A，由此圖可知以DPDPA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率17.5％，以DPDPSA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率17.8％，以DPDPS₂A制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率8.9％，以DPDPSOA制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率11.1％，以DPDPO₂A制備的電致發(fā)光器件的的最大外量子效率17.4％。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖16所示，其中■表示DPDPA，●表示DPDPSA，▲表示DPDPS₂A，▼表示DPDPSOA，◆表示DPDPO₂A，由此圖可知以DPDPA制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰均在480nm處。

實(shí)施例六：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPP的合成方法按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 2,3-二溴萘、1～2mmol的苯基二氯化膦、2～3mmol正丁基鋰和10～25ml的THF混合于，在氬氣保護(hù)下-78℃下攪拌1～3小時(shí)后倒入水中，再用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，無水NaSO₄干燥后，減壓蒸餾除去溶劑，以石油醚和二氯甲烷的體積比6：1的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到DPDPP。

本實(shí)施例制備的DPDPP，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:468.12(100.0％),469.12(34.6％),470.13(5.9％)；GC-MS:m/z(％):468(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₃₂H₂₂P₂:C,82.04；H,4.73。從而可知DPDPP的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPP的紫外熒光光譜譜圖如圖17所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPP的熱重分析譜圖如圖18所示，由圖可知本實(shí)施例的DPDPP的裂解溫度達(dá)309℃。

實(shí)施例七：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP的合成方法按下列步驟進(jìn)行：

將1mmol 2,3-二溴萘、1.2mmol苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰按加入到裝有25ml四氫呋喃(THF)的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃的條件下反應(yīng)3小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.35mmol硫粉，在溫度為20℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP。

本實(shí)施例制備的DPDPSP，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:500.09(100.0％),501.10(34.9％),502.10(5.9％),502.09(4.8％),503.09(1.6％)；GC-MS:m/z(％):500(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₃₂H₂₂P₂S:C,76.79；H,4.43；S,6.41。從而可知DPDPSP的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP的紫外熒光光譜譜圖如圖19所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSP的熱重分析譜圖如圖20所示，由圖可知DPDPSP的裂解溫度達(dá)359℃。

實(shí)施例八：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂P的合成方法，按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 2,3-二溴萘、1.2mmol苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有25ml的四氫呋喃(THF)的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃的條件下反應(yīng)2小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.7mmol硫粉，在溫度為22℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1.2小時(shí)，抽濾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑，進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂P；

本實(shí)施例制備的DPDPS₂P，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:532.06(100.0％),533.07(34.9％),534.06(9.0％),534.07(6.4％),535.06(3.2％),533.06(1.6％)；GC-MS:m/z(％):532(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₃₂H₂₂P₂S₂:C,72.16；H,4.16；S,12.04。從而可知DPDPS₂P的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的DPDPS₂P的紫外熒光光譜譜圖如圖21所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPS₂P的熱重分析譜圖如圖22所示，由圖可知本實(shí)施例的DPDPS₂P的裂解溫度達(dá)365℃。

實(shí)施例九：本實(shí)施例基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光器件的主體材料DPDPSOP的合成方法按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 2,3-二溴萘、1.2mmol苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有25ml的四氫呋喃(THF)的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃的條件下反應(yīng)2小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，把有機(jī)層液體用無水硫酸鈉干燥后，加入0.35mmol硫粉，在溫度為22℃的條件下攪拌進(jìn)行硫化反應(yīng)1.2小時(shí)；再加入15mmol H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑，進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOP；

本實(shí)施例制備的DPDPSOP，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:516.09(100.0％),517.09(35.7％),518.09(6.3％),518.08(4.5％),519.09(1.7％)；GC-MS:m/z(％):516(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₃₂H₂₂OP₂S:C,74.41；H,4.29；O,3.10；S,6.21。從而可知DPDPSOP的結(jié)構(gòu)式為：

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOP的紫外熒光光譜譜圖如圖23所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPSOP的熱重分析譜圖如圖24所示，由圖可知本實(shí)施例的DPDPSOP的裂解溫度達(dá)373℃。

實(shí)施例十：本實(shí)施例的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P按下列步驟實(shí)現(xiàn)：

將1mmol 2,3-二溴萘、1.2mmol苯基二氯化膦、2mmol正丁基鋰加入到裝有25ml的四氫呋喃(THF)的50ml三頸圓底燒瓶中，在氬氣保護(hù)下，在溫度為-78℃的條件下反應(yīng)2小時(shí)，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有機(jī)層，加入30mmol H₂O₂，在溫度為0℃的條件下攪拌進(jìn)行氧化反應(yīng)1小時(shí)；用亞硫酸氫鈉溶液和水分別洗滌，二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)去除二氯甲烷溶劑，再以乙醇和二氯甲烷的體積比1:20的混合溶劑為淋洗劑，進(jìn)行柱層析純化，得到基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P；

本實(shí)施例制備的DPDPO₂P，質(zhì)譜儀測得數(shù)據(jù)為：m/z:500.11(100.0％),501.11(34.7％),502.12(5.9％)；GC-MS:m/z(％):500(100)[M⁺]；Elemental Analysis of C₃₂H₂₂O₂P₂:C,76.80；H,4.43；O,6.39。從而可知DPDPO₂P的結(jié)構(gòu)式為

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P的紫外熒光光譜譜圖如圖25所示。

本實(shí)施例得到的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPO₂P熱重分析譜圖如圖26所示，由圖可知本實(shí)施例的DPDPO₂P的裂解溫度達(dá)398℃。

應(yīng)用實(shí)施例二：將實(shí)施例六至十制備的基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料DPDPP、DPDPSP、DPDPS₂P、DPDPSOP、DPDPO₂P分別用于制備電致發(fā)光器件，具體按以下步驟進(jìn)行：

一、將經(jīng)過去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設(shè)為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫，厚度為100nm的陽極導(dǎo)電層；

二、在陽極導(dǎo)電層上蒸鍍材料為MoO₃，厚度為20nm的空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍材料為NPB，厚度為50nm的空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍材料為mCP，厚度為10nm的電子阻擋層；

五、在電子阻擋層上繼續(xù)蒸鍍厚度為30nm的主體材料(基于膦雜芳基衍生物的熱激發(fā)延遲熒光主體材料)和客體材料4CzTPNPh(客體材料的摻雜濃度為14％)的發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上蒸鍍材料為DPEPO，厚度為15nm的空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍材料為Bphen，厚度為40nm的電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍材料為LiF，厚度為20nm的電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬Al，厚度為150nm的陰極導(dǎo)電層，封裝，得到熱激發(fā)延遲熒光(TADF)電致發(fā)光器件。

本應(yīng)用實(shí)施例制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關(guān)系曲線如圖27所示。其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。從圖27可以看出，隨著電壓的升高，器件的電流密度都呈現(xiàn)出升高的趨勢。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關(guān)系曲線如圖28所示，其中的其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。由此圖可知以DPDPP制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.7V，以DPDPSP制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為4.5V，以DPDPS₂P制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.7V，以DPDPSOP制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.8V，以DPDPO₂P制備的電致發(fā)光器件的啟亮電壓為2.8V。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關(guān)系曲線如圖29所示，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。從圖中可以看出，以DPDPP制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為34.3cd·A^-1，以DPDPSP制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為1.7cd·A^-1，以DPDPS₂P制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為17.0cd·A^-1，以DPDPSOP制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為26.5cd·A^-1，以DPDPO₂P制備的電致發(fā)光器件的電流效率達(dá)到最大值為23.0cd·A^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關(guān)系曲線如圖30所示，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。由此圖可知以DPDPP制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為39.91lm·W^-1，以DPDPSP制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為3.91lm·W^-1，以DPDPS₂P制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為18.4lm·W^-1，以DPDPSOP制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為30.81lm·W^-1，以DPDPO₂P制備的電致發(fā)光器件的功率效率達(dá)到最大值為19.5lm·W^-1。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的亮度-外量子效率關(guān)系曲線如圖31所示，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P。由此圖可知以DPDPP制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率18.1％，以DPDPSP制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率1.9％，以DPDPS₂P制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率9.0％，以DPDPSOP制備的電致發(fā)光器件的最大外量子效率14％，以DPDPO₂P制備的電致發(fā)光器件的的最大外量子效率12.1％。

本應(yīng)用實(shí)施例的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖32所示，其中用□表示DPDPP，用○表示DPDPSP，用△表示DPDPS₂P，用▽表示DPDPSOP，用◇表示DPDPO₂P，由此圖可知以DPDPP制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在610nm處，以DPDPSP制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在613nm處，以DPDPS₂P制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在613nm處，以DPDPSOP制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在615nm處，以DPDPO₂P制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光峰在618nm處。