本發(fā)明涉及電阻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫系數(shù)電阻元件及其制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的電阻中，若按形成電阻體的材料進行分類，可分為金屬氧化膜電阻器和碳膜電阻器兩大類。金屬氧化膜電阻器中形成電阻體的材料是金屬氧化物；而碳膜電阻器中形成電阻體的材料是碳。使用過程中，電流通過電阻，電阻發(fā)熱從而導(dǎo)致溫度升高，電阻值會隨之發(fā)生變化。而金屬氧化膜電阻器和碳膜電阻器的溫度系數(shù)都比較高，也就是說它們的電阻值隨溫度的變化而變化的程度較大。利用這個特性制成的電阻，也可稱為熱敏電阻。這類型電阻會給需要電阻值變化小的應(yīng)用場合帶來諸多不便。
以高分子導(dǎo)電復(fù)合材料為基材的電阻，在臨界轉(zhuǎn)變溫度的前后，使電阻率發(fā)生幾個數(shù)量級的變化，即ptc的電阻可隨其使用的環(huán)境溫度的升高而增加，從而可以在較高溫度下減小或切斷電流，起到過流、過溫保護，目前，這類器件已經(jīng)在各種電路保護裝置中大量使用，如鋰離子電池、汽車馬達等。一般的，填充導(dǎo)電粒子的結(jié)晶高分子復(fù)合材料可表現(xiàn)出正溫系數(shù)ptc現(xiàn)象，也就是說在較低的溫度時，這類導(dǎo)體呈現(xiàn)較低的電阻率，而當溫度升高到達高分子聚合物熔點以上，電阻率會急速升高。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的實施例提供一種低溫系數(shù)電阻元件及其制備方法，利用合金材料制備電阻體，溫度系數(shù)低，電阻值相對穩(wěn)定。
為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
本發(fā)明的實施例提供一種低溫系數(shù)電阻元件，包括以下的重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物40-65份，導(dǎo)電電阻體25-50份，無機填料1-10份，硅烷偶聯(lián)劑1-5份，抗氧劑0.1-2份。
進一步的，所述的一種低溫系數(shù)電阻元件是以下重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物50-60份，導(dǎo)電電阻體30-40份，無機填料5-8份，硅烷偶聯(lián)劑1-3份，抗氧劑0.5-1份。
進一步的，所述高分子聚合物是二酚基丙烷型環(huán)氧樹脂，縮水甘油酯類環(huán)氧樹脂，酚醛多環(huán)氧樹脂中的一種或多種混合物。
進一步的，所述導(dǎo)電電阻體是銅、鎳、錳三種金屬的混合物。
進一步的，所述導(dǎo)電電阻體是由以下重量份數(shù)的原料制備而成：銅55-60份，鎳20-25份，錳15-20份。
進一步的，所述無機填料是三氧化二鋁，二氧化硅，三氧化二鎂，氧化鈣的混合物。
進一步的，所述無機填料是由以下重量份數(shù)的原料制備而成：三氧化二鋁80-90份，二氧化硅5-10份，三氧化二鎂5-10份，氧化鈣1-5份。
進一步的，所述抗氧劑是丁基羥基茴香醚，二丁基羥基甲苯，叔丁基對苯二酚中的一種或多種混合物。
本發(fā)明還提供了一種低溫系數(shù)電阻元件的制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1450℃-1550℃條件下熔煉30-60分鐘，拉取直徑為0.6-1毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200-250℃，混煉30-60分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
本發(fā)明實施例提供的一種低溫系數(shù)電阻及其制備方法，具有以下優(yōu)點：
（1）制備工藝簡單可行，生產(chǎn)成本低廉；（2）組分分散均勻，晶粒大小勻稱；（3）溫度系數(shù)低，電阻值相對穩(wěn)定。
具體實施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。
實施例1
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂40-50份，銅15-25份，鎳5-10份，錳5-8份，三氧化二鋁0.8-0.9份，二氧化硅0.05-0.1份，三氧化二鎂0.05-0.1份，氧化鈣0.01-0.05份,硅烷偶聯(lián)劑1-3份，丁基羥基茴香醚0.1-0.8份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1450℃條件下熔煉60分鐘，拉取直徑為1毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
實施例2
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂40-50份，銅15-25份，鎳5-10份，錳5-8份，三氧化二鋁0.8-0.9份，二氧化硅0.05-0.1份，三氧化二鎂0.05-0.1份，氧化鈣0.01-0.05份,硅烷偶聯(lián)劑1-3份，丁基羥基茴香醚0.1-0.8份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1550℃條件下熔煉30分鐘，拉取直徑為0.6毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
實施例3
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂50-60份，銅15-25份，鎳5-10份，錳5-8份，三氧化二鋁3-8份，二氧化硅0.2-2份，三氧化二鎂0.2-2份，氧化鈣0.05-0.2份,硅烷偶聯(lián)劑1-3份，丁基羥基茴香醚0.8-1份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1450℃條件下熔煉60分鐘，拉取直徑為1毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
實施例4
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂50-60份，銅15-25份，鎳5-10份，錳5-8份，三氧化二鋁3-8份，二氧化硅0.2-2份，三氧化二鎂0.2-2份，氧化鈣0.05-0.2份,硅烷偶聯(lián)劑1-3份，丁基羥基茴香醚0.8-1份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1550℃條件下熔煉30分鐘，拉取直徑為0.6毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
實施例5
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂60-65份，銅20-35份，鎳8-15份，錳8-12份，三氧化二鋁5-10份，二氧化硅0.5-5份，三氧化二鎂0.5-5份，氧化鈣0.1-0.5份,硅烷偶聯(lián)劑3-5份，丁基羥基茴香醚1-2份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1450℃條件下熔煉60分鐘，拉取直徑為1毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
實施例6
一種低溫系數(shù)電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：酚醛多環(huán)氧樹脂60-65份，銅20-35份，鎳8-15份，錳8-12份，三氧化二鋁5-10份，二氧化硅0.5-5份，三氧化二鎂0.5-5份，氧化鈣0.1-0.5份,硅烷偶聯(lián)劑3-5份，丁基羥基茴香醚1-2份。
一種低溫系數(shù)電阻元件制備方法，包括：
s1、將銅、鎳、錳三種金屬在1550℃條件下熔煉30分鐘，拉取直徑為0.6毫米的合金絲；
s2、將步驟1得到的所述合金絲在800℃條件中保溫10h，自然冷卻；
s3、混合步驟2得到的合金和剩余粉料，在乙醇中研磨成納米粉末；
s4、將步驟3得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；
s5、將步驟4得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述低溫系數(shù)電阻元件。
本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于設(shè)備實施例而言，由于其基本相似于方法實施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準。