本發(fā)明涉及耐高溫電阻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高溫型電阻元件及其制備方法。

背景技術(shù)：

以高分子導(dǎo)電復(fù)合材料為基材的正溫度系數(shù)熱敏電阻，在臨界轉(zhuǎn)變溫度的前后，使電阻率發(fā)生幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化，即ptc的電阻可隨其使用的環(huán)境溫度的升高而增加，從而可以在較高溫度下減小或切斷電流，起到過流、過溫保護(hù)，目前，這類器件已經(jīng)在各種電路保護(hù)裝置中大量使用，如鋰離子電池、汽車馬達(dá)等。一般的，填充導(dǎo)電粒子的結(jié)晶高分子復(fù)合材料可表現(xiàn)出正溫系數(shù)ptc現(xiàn)象，也就是說在較低的溫度時(shí)，這類導(dǎo)體呈現(xiàn)較低的電阻率，而當(dāng)溫度升高到達(dá)高分子聚合物熔點(diǎn)以上，電阻率會(huì)急速升高。目前常規(guī)的聚合物材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、eva、eaa、eba，導(dǎo)電填料包括炭黑、石墨、碳纖維、鎳粉、銅粉、鋁粉等。

目前一般生產(chǎn)企業(yè)制造熱敏電阻粉體使用的工藝為：稱料、加入施主雜質(zhì)球磨混料、烘干、壓塊1150℃預(yù)合成、粉碎、稱料、加入受主雜質(zhì)和燒結(jié)助劑球磨混料、加入余料量為8%的濃度為10%的pva、噴霧造粒。按此工藝生產(chǎn)的電阻組份分散不均勻、晶粒大小不勻、α系數(shù)低、耐電壓性能差，使用時(shí)容易出現(xiàn)熱擊穿等致命缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種高溫型電阻元件及其制備方法，原料簡(jiǎn)單，制備的得到的所述高溫型電阻元件元件，組分分散均勻，較高的耐電壓能力，可在汽車電機(jī)等高溫環(huán)境下工作，具有較好的耐壓等級(jí)，提升了器件在高溫高壓下的可靠性。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種高溫型電阻元件，包括以下的重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物40-65份，導(dǎo)電填料25-50份，無機(jī)填料1-10份，偶聯(lián)劑1-5份，抗氧劑0.1-2份，分散助劑0.01-0.1份。

進(jìn)一步的，所述的一種高溫型電阻元件是以下重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物50-60份，導(dǎo)電填料30-40份，無機(jī)填料5-8份，偶聯(lián)劑1-3份，抗氧劑0.5-1份，分散助劑0.03-0.08份。

進(jìn)一步的，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種混合物。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電填料是炭黑、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬纖維、無氧導(dǎo)電陶瓷粉中的一種或多種的混合物。

進(jìn)一步的，所述無機(jī)填料是氫氧化銀或氫氧化鎂。

進(jìn)一步的，所述偶聯(lián)劑是鈦酸偶聯(lián)劑或硅烷偶聯(lián)劑。

進(jìn)一步的，所述抗氧劑是對(duì)苯二酚、硫代雙酚、萘胺、二苯胺、對(duì)苯二胺中的一種或多種混合物。

進(jìn)一步的，所述分散助劑是二氧化錳，三氧化二銻，碳酸鋰的混合物。

進(jìn)一步的，所述分散助劑是由以下重量份數(shù)的原料組成：二氧化錳40-60份，三氧化二銻40-60份，碳酸鋰10-30份。

本發(fā)明還提供了一種高溫型電阻元件的制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度200℃-250℃，混煉30-60分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種高溫型電阻及其制備方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

（1）制備工藝簡(jiǎn)單可行，生產(chǎn)成本低廉；（2）組分分散均勻，晶粒大小勻稱、α系數(shù)高；（3）耐壓耐高溫，衰減性能較好。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氫氧化銀1-5份，硅烷偶聯(lián)劑1-2份，對(duì)苯二酚0.1-0.5份，二氧化錳0.01-0.04份，三氧化二銻0.01-0.04份，碳酸鋰0.01-0.02份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實(shí)施例2

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氫氧化銀1-5份，硅烷偶聯(lián)劑1-2份，對(duì)苯二酚0.1-0.5份，二氧化錳0.01-0.04份，三氧化二銻0.01-0.04份，碳酸鋰0.01-0.02份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實(shí)施例3

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氫氧化銀5-8份，硅烷偶聯(lián)劑2-3份，對(duì)苯二酚0.5-1份，二氧化錳0.01-0.04份，三氧化二銻0.01-0.04份，碳酸鋰0.01-0.02份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實(shí)施例4

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氫氧化銀5-8份，硅烷偶聯(lián)劑2-3份，對(duì)苯二酚0.5-1份，二氧化錳0.01-0.04份，三氧化二銻0.01-0.04份，碳酸鋰0.01-0.02份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實(shí)施例5

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯60-65份，炭黑40-50份，氫氧化銀8-10份，硅烷偶聯(lián)劑3-5份，對(duì)苯二酚1-2份，二氧化錳0.03-0.08份，三氧化二銻0.03-0.08份，碳酸鋰0.02-0.04份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實(shí)施例6

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯60-65份，炭黑40-50份，氫氧化銀8-10份，硅烷偶聯(lián)劑3-5份，對(duì)苯二酚1-2份，二氧化錳0.03-0.08份，三氧化二銻0.03-0.08份，碳酸鋰0.02-0.04份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

s1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

s2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉，混煉溫度250℃，混煉30分鐘，壓成薄片；

s3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于設(shè)備實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。