本發(fā)明涉及微處理器
技術領域：
，具體涉及一種微處理器用高導熱耐候封裝材料及其制備方法。
背景技術：
：隨著集成電路的高功率化、高集成度，電子元器件的組裝密度持續(xù)增加和設備的幾何尺寸不斷縮減，其耗能輸出急劇增大。因此，為了確保敏感器件的運行的可靠性和較長使用壽命，使得發(fā)熱電子元器件所產生的熱量能夠及時排出的導熱絕緣材料的研究越來越重要。為了解決電子元件導熱散熱問題，工業(yè)界在電子元件表面安裝散熱器來進行散熱，散熱器與cpu之間采用硅脂進行填充，使散熱片與cpu之間的貼合更加緊密。但實際使用過程中，cpu—硅脂—散熱片這三層在貼合后的接觸面不能達到理想的平整面，界面縫隙中仍然存有空氣，增加界面熱阻，嚴重阻礙了熱量的傳導，而且硅脂在涂抹過程中，并不能很好的控制硅脂的涂抹厚度，影響整體的散熱效果，導致導熱和散熱的效率不理想。另一方面隨著市場上對處理器的性能要求越來越高，相應硅芯片級功率消耗也愈來愈大，散熱問題亟需解決，據(jù)統(tǒng)計，由于過熱引起的處理器失效占處理器失效總數(shù)的60％；導熱材料發(fā)揮最佳導熱效果的理想狀態(tài)是和熱源之間緊密接觸，現(xiàn)今的封裝材料的導熱性較低，耐候性不強，使用壽命較短，并且有引發(fā)火災的危險。技術實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，該封裝材料導熱散熱效果好，熱阻抗較低，耐候性較好，還具有較好的阻燃性能，能夠發(fā)揮良好的密封效果；同時本發(fā)明提供的制備方法材料成本較低、原料易得、工藝簡明，具有較高的使用價值和良好的應用前景。本發(fā)明解決技術問題采用如下技術方案：本發(fā)明提供了一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，包括以下重量份的原料：不飽和聚酯樹脂50-60份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物12-18份、納米氧化物5-7份、乙二醇4-8份、硅油10-14份、阻燃添加劑10-14份、增效助劑8-10份、氮化硼1-3份、碳化硅4-6份、石墨烯6-8份、偶聯(lián)劑3-5份。優(yōu)選地，所述微處理器用高導熱耐候封裝材料包括以下重量份的原料：不飽和聚酯樹脂55份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物15份、納米氧化物6份、乙二醇6份、硅油12份、阻燃添加劑12份、增效助劑9份、氮化硼2份、碳化硅5份、石墨烯7份、偶聯(lián)劑4份。優(yōu)選地，所述納米氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯、氧化硅按照重量比2:2:1的比例組成的混合物，所述納米氧化物的粒徑小于50納米。優(yōu)選地，所述阻燃添加劑為，所述阻燃劑為有機阻燃劑、無機阻燃劑按照重量比1:2組成的混合物，有機阻燃劑包括基于磷或三聚氰胺的阻燃劑，無機阻燃劑包括基于無機化合物的阻燃劑。優(yōu)選地，所述增效助劑為增塑劑、耐候助劑、交聯(lián)劑按照重量比2:1:2組成的混合物，所述增塑劑為聚酯己二酸，所述耐候助劑為硫代二丙酸二月桂酯，所述交聯(lián)劑為異氰脲酸三縮水甘油酯。優(yōu)選地，所述石墨烯為鉑摻雜石墨烯，直徑為5-10nm。優(yōu)選地，所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑和鈦酸酯偶聯(lián)劑中的一種。本發(fā)明還提供一種微處理器用高導熱耐候封裝材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一，按照要求稱量各組分原料；步驟二，將阻燃添加劑、增效助劑、乙二醇、硅油共同在50-60℃的水浴中攪拌20-30min，攪拌轉速200-300r/min，得混合物a；步驟二，將偶聯(lián)劑、納米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入攪拌機中在攪拌轉速為150-200r/min下攪拌15-25分鐘，得到混合物b；步驟三，將不飽和聚酯樹脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步驟二制得的混合物a、步驟三制得的混合物b加入高速攪拌機，在溫度為70-80℃、攪拌轉速為300-400r/min下，攪拌1-2小時，自然冷卻后得到發(fā)明的微處理器用高導熱耐候封裝材料。優(yōu)選地，所述微處理器用高導熱耐候封裝材料的制備步驟為：步驟一，按照要求稱量各組分原料；步驟二，將阻燃添加劑、增效助劑、乙二醇、硅油共同在55℃的水浴中攪拌25min，攪拌轉速250r/min，得混合物a；步驟二，將偶聯(lián)劑、納米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入攪拌機中在攪拌轉速為180r/min下攪拌20分鐘，得到混合物b；步驟三，將不飽和聚酯樹脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步驟二制得的混合物a、步驟三制得的混合物b加入高速攪拌機，在溫度為75℃、攪拌轉速為350r/min下，攪拌1.5小時，自然冷卻后得到發(fā)明的微處理器用高導熱耐候封裝材料。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下的有益效果：（1）本發(fā)明的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料添加了納米氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯、氧化硅，能夠有效增加材料的耐磨、耐熱和耐電壓性能。（2）本發(fā)明的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料添加的氮化硼、碳化硅能夠有效增加材料的導熱性能，同時還添加了少許石墨烯材料，石墨烯材料分散均勻能夠有效提高材料的熱導率。（3）本發(fā)明的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料采用了不飽和聚酯樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物，提高了材料的表面平整性，使其具有較好的機械強度和表面致密性，能夠得到良好的密封效果。（4）本發(fā)明的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料的導熱散熱效果好，熱阻抗較低，耐候性較好，還具有較好的阻燃性能，能夠發(fā)揮良好的密封效果；同時本發(fā)明提供的制備方法材料成本較低、原料易得、工藝簡明，具有較高的使用價值和良好的應用前景。具體實施方式下面結合具體實施例，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例1.本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，包括以下重量份的原料：不飽和聚酯樹脂50份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物12份、納米氧化物5份、乙二醇4份、硅油10份、阻燃添加劑10份、增效助劑8份、氮化硼1份、碳化硅4份、石墨烯6份、偶聯(lián)劑3份。本實施例中的納米氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯、氧化硅按照重量比2:2:1的比例組成的混合物，所述納米氧化物的粒徑小于50納米。本實施例中的阻燃添加劑為，所述阻燃劑為有機阻燃劑、無機阻燃劑按照重量比1:2組成的混合物，有機阻燃劑包括基于磷或三聚氰胺的阻燃劑，無機阻燃劑包括基于無機化合物的阻燃劑。本實施例中的增效助劑為增塑劑、耐候助劑、交聯(lián)劑按照重量比2:1:2組成的混合物，所述增塑劑為聚酯己二酸，所述耐候助劑為硫代二丙酸二月桂酯，所述交聯(lián)劑為異氰脲酸三縮水甘油酯。本實施例中的石墨烯為鉑摻雜石墨烯，直徑為5-10nm。本實施例中的偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑。本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一，按照要求稱量各組分原料；步驟二，將阻燃添加劑、增效助劑、乙二醇、硅油共同在50℃的水浴中攪拌20min，攪拌轉速200r/min，得混合物a；步驟二，將偶聯(lián)劑、納米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入攪拌機中在攪拌轉速為150r/min下攪拌15分鐘，得到混合物b；步驟三，將不飽和聚酯樹脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步驟二制得的混合物a、步驟三制得的混合物b加入高速攪拌機，在溫度為70℃、攪拌轉速為300r/min下，攪拌1小時，自然冷卻后得到發(fā)明的微處理器用高導熱耐候封裝材料。實施例2.本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，包括以下重量份的原料：不飽和聚酯樹脂60份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物18份、納米氧化物7份、乙二醇8份、硅油14份、阻燃添加劑14份、增效助劑10份、氮化硼3份、碳化硅6份、石墨烯8份、偶聯(lián)劑5份。本實施例中的納米氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯、氧化硅按照重量比2:2:1的比例組成的混合物，所述納米氧化物的粒徑小于50納米。本實施例中的阻燃添加劑為，所述阻燃劑為有機阻燃劑、無機阻燃劑按照重量比1:2組成的混合物，有機阻燃劑包括基于磷或三聚氰胺的阻燃劑，無機阻燃劑包括基于無機化合物的阻燃劑。本實施例中的增效助劑為增塑劑、耐候助劑、交聯(lián)劑按照重量比2:1:2組成的混合物，所述增塑劑為聚酯己二酸，所述耐候助劑為硫代二丙酸二月桂酯，所述交聯(lián)劑為異氰脲酸三縮水甘油酯。本實施例中的石墨烯為鉑摻雜石墨烯，直徑為5-10nm。本實施例中的偶聯(lián)劑為鈦酸酯偶聯(lián)劑。本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一，按照要求稱量各組分原料；步驟二，將阻燃添加劑、增效助劑、乙二醇、硅油共同在60℃的水浴中攪拌30min，攪拌轉速300r/min，得混合物a；步驟二，將偶聯(lián)劑、納米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入攪拌機中在攪拌轉速為200r/min下攪拌25分鐘，得到混合物b；步驟三，將不飽和聚酯樹脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步驟二制得的混合物a、步驟三制得的混合物b加入高速攪拌機，在溫度為80℃、攪拌轉速為400r/min下，攪拌2小時，自然冷卻后得到發(fā)明的微處理器用高導熱耐候封裝材料。實施例3.本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，包括以下重量份的原料：不飽和聚酯樹脂55份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物15份、納米氧化物6份、乙二醇6份、硅油12份、阻燃添加劑12份、增效助劑9份、氮化硼2份、碳化硅5份、石墨烯7份、偶聯(lián)劑4份。本實施例中的納米氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯、氧化硅按照重量比2:2:1的比例組成的混合物，所述納米氧化物的粒徑小于50納米。本實施例中的阻燃添加劑為，所述阻燃劑為有機阻燃劑、無機阻燃劑按照重量比1:2組成的混合物，有機阻燃劑包括基于磷或三聚氰胺的阻燃劑，無機阻燃劑包括基于無機化合物的阻燃劑。本實施例中的增效助劑為增塑劑、耐候助劑、交聯(lián)劑按照重量比2:1:2組成的混合物，所述增塑劑為聚酯己二酸，所述耐候助劑為硫代二丙酸二月桂酯，所述交聯(lián)劑為異氰脲酸三縮水甘油酯。本實施例中的石墨烯為鉑摻雜石墨烯，直徑為5-10nm。本實施例中的偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑。本實施例的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料的制備方法，包括以下步驟：步驟一，按照要求稱量各組分原料；步驟二，將阻燃添加劑、增效助劑、乙二醇、硅油共同在55℃的水浴中攪拌25min，攪拌轉速250r/min，得混合物a；步驟二，將偶聯(lián)劑、納米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入攪拌機中在攪拌轉速為180r/min下攪拌20分鐘，得到混合物b；步驟三，將不飽和聚酯樹脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步驟二制得的混合物a、步驟三制得的混合物b加入高速攪拌機，在溫度為75℃、攪拌轉速為350r/min下，攪拌1.5小時，自然冷卻后得到發(fā)明的微處理器用高導熱耐候封裝材料。以上各實施例制得的微處理器用高導熱耐候封裝材料的性能測試結果如下：實驗項目實施例1實施例2實施例3現(xiàn)有技術熱導率w/(m·k)8.18.78.46.5本發(fā)明的一種微處理器用高導熱耐候封裝材料，其導熱散熱效果好，熱阻抗較低，耐候性較好，還具有較好的阻燃性能，能夠發(fā)揮良好的密封效果；同時本發(fā)明提供的制備方法材料成本較低、原料易得、工藝簡明，具有較高的使用價值和良好的應用前景。對于本領域技術人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發(fā)明內。此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。當前第1頁12