本公開涉及顯示，尤其涉及一種功能層材料、發(fā)光器件及顯示面板。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)發(fā)光裝置以其自發(fā)光、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，成為近年來最具有潛力的新型發(fā)光裝置。在oled發(fā)光裝置發(fā)光過程中，向oled發(fā)光裝置中包括的發(fā)光層發(fā)射來自陽極的空穴和來自陰極的電子，將這些電子和空穴組合形成電子空穴對(duì)，并將形成的電子空穴對(duì)從單重態(tài)轉(zhuǎn)換為基態(tài)以發(fā)出光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例的目的在于提供一種功能層材料、發(fā)光器件及顯示面板，用于提升器件壽命和發(fā)光效率，降低發(fā)光器件的電壓。

2、為達(dá)到上述目的，本公開的實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種功能層材料，選自如下通式(i)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

4、

5、其中，ia表示第一取代單元，包括至少一個(gè)稠環(huán)芳基；x選自o、s和se中的任一種；y選自o、s、n(r4)、c(r5r6)和單鍵中任一種，且，x和y相同或不同；l1選自單鍵、取代或未取代的c6～c30的亞芳基、取代或未取代的c1～c30的亞雜芳基、取代或未取代的c7～c30的芳亞烷基和取代或未取代的c2～c30的雜芳亞烷基中的任一種；l2選自取代或未取代的c6～c30的亞芳基、取代或未取代的c1～c30的亞雜芳基、取代或未取代的c7～c30的芳亞烷基和取代或未取代的c2～c30的雜芳亞烷基中的任一種；且，l2和l1相同或不同；r1、r2、r4、r5和r6相同或不同，分別獨(dú)立地選自氫、氘、取代或未取代的c1～c39的烷基、取代或未取代的c2～c39的烯基、取代或未取代的c2～c39的炔基、取代或未取代的c6～c39的芳基、取代或未取代的c5～c60的雜芳基、取代或未取代的c6～c60的芳氧基、取代或未取代的c1～c39的烷氧基、取代或未取代的c6～c39的芳胺基、取代或未取代的c3～c39的環(huán)烷基、取代或未取代的c3～c39的雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c39的烷基甲硅烷基、取代或未取代的c1～c39的烷基硼基、取代或未取代的c6～c39的芳基硼基、取代或未取代的c6～c39的芳基膦基、取代或未取代的c6～c39的芳基甲硅烷基；n的取值為大于或等于1的正整數(shù)；q的取值為大于或等于1的正整數(shù)。

6、由通式(i)所示結(jié)構(gòu)可知，該功能層材料為三芳胺類材料，使得該功能層材料為空穴型材料，可以用于傳輸空穴，和/或，阻擋電子。如此，該功能層材料可以用于形成發(fā)光器件的具有空穴傳輸功能的第一類功能層中，例如電子阻擋功能層，空穴傳輸功能層，用于將空穴傳輸至發(fā)光層。而且，該三芳胺類材料的三個(gè)取代單元分別為第一取代單元、第二取代單元和第三取代單元。其中，第二取代單元中的雜原子x或y可以改善功能層材料的空穴傳輸能力，增加了傳輸至發(fā)光層的空穴量，可以提高空穴和電子在發(fā)光層中的復(fù)合概率，改善了發(fā)射效率，同時(shí)由于第二取代單元具有較高的三線態(tài)能級(jí)，可以使該功能層材料具有相對(duì)較高的三線態(tài)能級(jí)，可以阻擋發(fā)光層中的激子向靠近第一類功能層的方向傳輸，使更多的激子可以停留在發(fā)光層中，這樣一來，發(fā)光器件的發(fā)光效率可以得到有效提高。第三取代單元含有咔唑基，可以使該功能層材料具有合適的最高占據(jù)分子軌道能級(jí)，減小了空穴自第一類功能層向發(fā)光層傳輸時(shí)需要克服的能隙，這樣一來，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的電壓可以有效降低，如此，可以降低發(fā)光器件的功耗。進(jìn)一步地，由于第一取代單元ia為稠環(huán)芳基，具有相對(duì)較好的共軛，可以在第二取代單元、第三取代單元協(xié)同下，使得發(fā)光器件的發(fā)光效率相對(duì)更高，電壓相對(duì)更低，使用壽命得到延長。

7、在一些實(shí)施例中，功能層材料選自如下通式(ii)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

8、

9、其中，l3選自單鍵、取代或未取代的c6～c30的亞芳基、取代或未取代的c1～c30的亞雜芳基、取代或未取代的c7～c30的芳亞烷基和取代或未取代的c2～c30的雜芳亞烷基中的任一種；且，l3和l1相同或不同，l3和l2相同或不同；r3選自氫、氘、取代或未取代的c1～c39的烷基、取代或未取代的c2～c39的烯基、取代或未取代的c2～c39的炔基、取代或未取代的c6～c39的芳基、取代或未取代的c5～c60的雜芳基、取代或未取代的c6～c60的芳氧基、取代或未取代的c1～c39的烷氧基、取代或未取代的c6～c39的芳胺基、取代或未取代的c3～c39的環(huán)烷基、取代或未取代的c3～c39的雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c39的烷基甲硅烷基、取代或未取代的c1～c39的烷基硼基、取代或未取代的c6～c39的芳基硼基、取代或未取代的c6～c39的芳基膦基、取代或未取代的c6～c39的芳基甲硅烷基；m的取值為大于或等于1的正整數(shù)。

10、在另一些實(shí)施例中，x為氧，y為單鍵；或，x為硫，y為單鍵。

11、在又一些實(shí)施例中，x為氧，y為氧；或，x為氧，y為硫。

12、在又一些實(shí)施例中，功能層材料選自如下通式(iii)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

13、

14、在又一些實(shí)施例中，功能層材料選自如下通式(iv)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

15、

16、在又一些實(shí)施例中，在功能層材料選自通式(i)所示結(jié)構(gòu)中的任一種的情況下，通式(i)所示結(jié)構(gòu)中含有至少一個(gè)氘；或，在功能層材料選自通式(ii)所示結(jié)構(gòu)中的任一種的情況下，通式(ii)所示結(jié)構(gòu)中含有至少一個(gè)氘；或，在功能層材料選自通式(iii)所示結(jié)構(gòu)中的任一種的情況下，通式(iii)所示結(jié)構(gòu)中含有至少一個(gè)氘；或，在功能層材料選自通式(iv)所示結(jié)構(gòu)中的任一種的情況下，通式(iv)所示結(jié)構(gòu)中含有至少一個(gè)氘。

17、在又一些實(shí)施例中，在m大于2的情況下，相鄰兩個(gè)r3能夠鍵合成環(huán)。

18、在又一些實(shí)施例中，在q大于2的情況下，相鄰兩個(gè)r1能夠鍵合成環(huán)。

19、在又一些實(shí)施例中，在n大于2的情況下，相鄰兩個(gè)r2能夠鍵合成環(huán)。

20、在又一些實(shí)施例中，功能層材料用于傳輸穴穴，和/或，阻擋電子。

21、另一方面，提供一種發(fā)光器件，包括相對(duì)設(shè)置的陰極和陽極，以及設(shè)置于陰極和陽極之間的至少一個(gè)發(fā)光單元；發(fā)光單元包括：發(fā)光層和設(shè)置于發(fā)光層靠近陽極一側(cè)的第一類功能層；第一類功能層的材料包括如上述任一實(shí)施例所述的功能層材料。

22、本公開的一些實(shí)施例提供的發(fā)光器件所能實(shí)現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的一種功能層材料所能達(dá)到的有益效果相同，在此不再贅述。

23、在一些實(shí)施例中，第一類功能層包括多個(gè)子功能層，多個(gè)子功能層中的至少一個(gè)子功能層包括功能層材料。

24、在另一些實(shí)施例中，多個(gè)子功能層包括層疊設(shè)置的電子阻擋功能層、空穴注入功能層和空穴傳輸功能層；空穴注入功能層、空穴傳輸功能層和電子阻擋功能層沿遠(yuǎn)離陽極的方向依次排布；空穴注入功能層、空穴傳輸功能層和電子阻擋功能層中，至少電子阻擋功能層包括功能層材料。

25、在又一些實(shí)施例中，發(fā)光層，被配置為出射藍(lán)光；發(fā)光層的材料包括：主體材料和客體材料；主體材料結(jié)構(gòu)式如下所示。

26、

27、客體材料結(jié)構(gòu)式如下所示。

28、

29、又一方面，提供一種顯示面板，包括多個(gè)如上述任一實(shí)施例所述的發(fā)光器件；還包括：與發(fā)光器件電連接的像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。

30、本公開的一些實(shí)施例提供的顯示面板所能實(shí)現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的一種發(fā)光器件所能達(dá)到的有益效果相同，在此不再贅述。