本技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合材料及其制備方法、薄膜、光電器件及其制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、一些有機(jī)材料例如聚苯乙烯磺酸鹽(pedot:pss)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4′-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](tfb)等等，通常具有空穴注入、空穴傳輸性能，適用于制備空穴功能膜層。然而，這些材料在長期使用的過程中容易發(fā)生分解，或者鏈段遷移，材料的穩(wěn)定性較差，從而降低了材料的空穴注入、空穴性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于此，本技術(shù)提供一種復(fù)合材料及其制備方法、薄膜、光電器件及其制備方法及顯示裝置，本技術(shù)旨在提高現(xiàn)有空穴功能材料的穩(wěn)定性。

2、本技術(shù)實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本技術(shù)提供一種復(fù)合材料，包括空穴功能材料和添加劑，所述添加劑包括具有式(1)所示結(jié)構(gòu)的化合物；

4、

5、其中，a包括環(huán)碳原子數(shù)為6～40的芳環(huán)和環(huán)原子數(shù)為6～40的雜芳環(huán)中的一種或者多種，m為大于等于0的整數(shù)，n為正整數(shù)；

6、x每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立的選自鹵素基團(tuán)、羥基和氨基中的一種或多種的組合；

7、y每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立的選自c1～c6烷基、c1～c6環(huán)烷基以及c1～c6烷氧基中的一種或多種的組合。

8、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，a包括環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳環(huán)和環(huán)原子數(shù)為6～20的雜芳環(huán)中的一種或者多種；和/或，

9、m為0～5；和/或，

10、n為1～6。

11、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，a選自式(2)至(8)任一所示結(jié)構(gòu)的基團(tuán)中的一種或多種：

12、

13、和/或，

14、n為1或2；和/或，

15、m為0～3；和/或，

16、所述復(fù)合材料中，所述添加劑的質(zhì)量百分含量為5～25％；和/或，

17、所述添加劑的沸點(diǎn)大于230℃；和/或，

18、所述添加劑的x基團(tuán)與所述空穴功能材料之間通過非共價(jià)鍵連接。

19、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述添加劑包括具有所述式(9)至所述(15)任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或多種。

20、

21、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，x每次出現(xiàn)時(shí)各自獨(dú)立的選自所述鹵素基團(tuán)或所述羥基，且所述鹵素基團(tuán)選自-f；和/或，

22、a包括雜芳環(huán)時(shí)，x的取代位選自a中雜原子的鄰位或?qū)ξ弧?/p>

23、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述添加劑包括具有所述式(10)至所述(14)任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或多種。

24、

25、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述空穴功能材料包括空穴傳輸材料或空穴注入材料，所述空穴傳輸材料選自聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚(三芳胺)、聚吡咯、聚[n,n′-雙(4-丁苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺]、聚(對)亞苯基亞乙烯基、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚三己基噻吩及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9，9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物中的至少一種；所述空穴注入材料選自pedot、pedot:pss、酚菁銅中的至少一種。

26、第二方面，本技術(shù)提出一種復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：

27、提供空穴功能材料、添加劑以及第一溶劑；

28、將所述空穴功能材料、所述添加劑和所述第一溶劑混合，去除所述第一溶劑，得到復(fù)合材料；

29、其中，所述添加劑包括具有式(1)所示結(jié)構(gòu)的化合物；

30、

31、其中，a包括環(huán)碳原子數(shù)為6～40的芳環(huán)和環(huán)原子數(shù)為6～40的雜芳環(huán)中的一種或者多種，m為大于等于0的整數(shù)，n為正整數(shù)；

32、x每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立的選自鹵素基團(tuán)、羥基和氨基中的一種或多種的組合；

33、y每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立的選自c1～c6烷基、c1～c6環(huán)烷基以及c1～c6烷氧基中的一種或多種的組合。

34、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述復(fù)合材料中，所述添加劑的質(zhì)量百分含量為5～25％；和/或，

35、所述第一溶劑包括c1～c5醇類溶劑、氯仿、氯苯、二氯苯中的一種或多種；和/或，

36、所述添加劑包括具有所述式(9)至所述(15)任一項(xiàng)所示結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或多種。

37、

38、第三方面，本技術(shù)還提出一種薄膜，所述薄膜的材料包括上文所述的復(fù)合材料，或者，包括上文所述的制備方法制得的復(fù)合材料

39、第四方面，本技術(shù)還提出一種光電器件，包括第一電極、空穴功能層和第二電極，所述空穴功能層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的一層或兩層，且所述空穴功能層中的至少一層的材料包括如上文所述的復(fù)合材料，或者，上文所述的制備方法制得的復(fù)合材料；或者，所述空穴功能層中的至少一層包括上文所述的薄膜。

40、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述復(fù)合材料中的所述空穴功能材料選自pedot、pedot:pss、酚菁銅中的至少一種時(shí)，所述復(fù)合材料為第一復(fù)合材料；所述復(fù)合材料中的所述空穴功能材料選自聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚(三芳胺)、聚吡咯、聚[n,n′-雙(4-丁苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺]、聚(對)亞苯基亞乙烯基、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚三己基噻吩及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9，9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物中的至少一種時(shí)，所述復(fù)合材料為第二復(fù)合材料；

41、所述空穴功能層包括層疊的所述空穴注入層和所述空穴傳輸層，其中，所述空穴注入層的材料獨(dú)立的選自所述第一復(fù)合材料，所述空穴傳輸層的材料獨(dú)立的選自所述第二復(fù)合材料；或者，

42、所述空穴功能層包括層疊的所述空穴注入層和所述空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層的材料選自所述第二復(fù)合材料，所述空穴注入層的材料選自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁銅中的至少一種；或者，

43、所述空穴功能層包括層疊的所述空穴注入層和所述空穴傳輸層，其中，所述空穴注入層的材料選自所述第一復(fù)合材料，所述空穴傳輸層的材料選自4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4，4'-二胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚(三芳胺)、聚吡咯、聚[n,n′-雙(4-丁苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺]、聚(對)亞苯基亞乙烯基、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、銅酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚三己基噻吩及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9，9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、螺npb、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、c60中的至少一種。

44、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一電極和所述第二電極各自獨(dú)立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金屬電極的材料選自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一種或多種；和/或，

45、所述光電器件還包括發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)于所述第一電極和所述空穴功能層之間、或者設(shè)于所述第二電極和所述空穴功能層之間，所述發(fā)光層的材料選自有機(jī)發(fā)光材料及量子點(diǎn)發(fā)光材料中的一種或多種，所述有機(jī)發(fā)光材料選自4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價(jià)鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)材料、激基復(fù)合物發(fā)光材料中的一種或多種；所述量子點(diǎn)發(fā)光材料選自單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)及鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料中的至少一種；所述單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼層材料分別選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種；所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種；所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種；所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一種；所述i-iii-vi族化合物選自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種；所述鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料選自摻雜或非摻雜的無機(jī)鈣鈦礦型半導(dǎo)體、或有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體；所述無機(jī)鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價(jià)金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；所述有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機(jī)胺陽離子，選自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價(jià)金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；和/或，

46、所述光電器件還包括電子功能層，所述電子功能層設(shè)于所述第一電極和所述空穴功能層之間，所述電子功能層包括電子傳輸層和電子注入層中的一層或兩層，且所述電子功能層包括電子傳輸層和電子注入層時(shí)，所述電子注入層位于所述電子傳輸層和所述第一電極之間；所述電子傳輸層的材料選自金屬氧化物、摻雜金屬氧化物、ii-vi族半導(dǎo)體材料、iii-v族半導(dǎo)體材料及i-iii-vi族半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述金屬氧化物選自zno、bao、tio2、sno2中的至少一種；所述摻雜金屬氧化物中的金屬氧化物選自zno、tio2、sno2中的至少一種，摻雜元素選自al、mg、li、in、ga中的至少一種，所述ii-vi半導(dǎo)體族材料選自zns、znse、cds中的至少一種；所述iii-v半導(dǎo)體族材料選自inp、gap中的至少一種；所述i-iii-vi族半導(dǎo)體材料選自cuins、cugas中的至少一種；所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰中的至少一種。

47、第五方面，本技術(shù)還提出一種光電器件的制備方法，包括以下步驟：

48、提供第一電極；

49、提供復(fù)合材料，將復(fù)合材料設(shè)置在所述第一電極的一側(cè)，形成空穴功能層；

50、在所述空穴功能層背離所述第一電極的一側(cè)設(shè)置第二電極；

51、其中，所述復(fù)合材料包括如上文所述的復(fù)合材料，或者，上文所述的制備方法制得的復(fù)合材料。

52、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，將復(fù)合材料設(shè)置在所述第一電極的一側(cè)，形成空穴功能層的步驟包括：

53、提供第二溶劑，將復(fù)合材料分散在所述第二溶劑中，得到復(fù)合材料溶液；

54、在所述第一電極的一側(cè)設(shè)置所述復(fù)合材料溶液，得到空穴功能層；

55、其中，所述第二溶劑包括c1～c5醇類溶劑、氯仿、氯苯、二氯苯中的一種或多種。

56、可選的，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述復(fù)合材料溶液中，所述空穴功能材料的濃度為2～15mg/ml。

57、第六方面，本技術(shù)還提出一種顯示裝置，包括上文所述的光電器件，或者，上文所述的制備方法制得的光電器件。

58、本技術(shù)提供一種復(fù)合材料，所述復(fù)合材料包括空穴功能材料和添加劑，添加劑含有鹵素基團(tuán)、羥基、氨基等強(qiáng)極性基團(tuán)，這些基團(tuán)和空穴功能材料之間形成較強(qiáng)的分子間氫鍵或鹵鍵，通過這種分子間相互作用，形成分子鎖，可以調(diào)節(jié)空穴功能材料的聚集行為，使其鏈段排列更加規(guī)整有序，優(yōu)化并固定其形貌，在長期使用過程中提升空穴功能材料的穩(wěn)定性。