1.一種高純度炔烴，其大體上不含烷基鹵化物、水及羧酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的高純度炔烴，其中該高純度炔烴是以下中的一者或多者：
3.根據(jù)權(quán)利要求1的配制劑，其中該高純度炔烴包含：
4.根據(jù)權(quán)利要求1的配制劑，其中該高純度炔烴包含：
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含可檢測的烷基鹵化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含烷基鹵化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含通過gc-ms、gc-icp-ms、gc-icp-oes、gc-fid、gc-ecd、hplc及uv/vis中的一者或多者檢測的可檢測的含鹵素雜質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約1000ppm的含鹵素雜質(zhì)濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約500ppm的含鹵素雜質(zhì)濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約100ppm的含鹵素雜質(zhì)濃度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約50ppm的含鹵素雜質(zhì)濃度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約10ppm的含鹵素雜質(zhì)濃度。
13.根據(jù)權(quán)利要求5至12中任一項的高純度炔烴，其中該含鹵素雜質(zhì)是氟代烴、氯代烴、溴代烴及碘代烴中的一者或多者。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含可檢測的水。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含水。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約500ppm的水濃度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約100ppm的水濃度。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約50ppm的水濃度。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約25ppm的水濃度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約10ppm的水濃度。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含可檢測的羧酸。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含羧酸。
23.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約1000ppm的羧酸濃度。
24.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約500ppm的羧酸濃度。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項的高純度炔烴，其中該高純度炔烴具有小于約100ppm的羧酸濃度。
26.根據(jù)權(quán)利要求1的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含可檢測的烷基鹵化物、可檢測的水及可檢測的羧酸。
27.根據(jù)權(quán)利要求1的高純度炔烴，其中該高純度炔烴不含烷基鹵化物、水及羧酸。
28.一種表面鈍化配制劑，其包含(i)一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至27中任一項的高純度炔烴。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的表面鈍化配制劑，其中該(i)一種或多種高純度炔烴包含兩種或更多種根據(jù)權(quán)利要求1至27中任一項的高純度炔烴。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的表面鈍化配制劑，其中該(i)一種或多種高純度炔烴包含5-癸炔(3e)及3-己炔(1i)中的一者或多者。
31.根據(jù)權(quán)利要求28的表面鈍化配制劑，其中該(i)一種或多種高純度炔烴包含5-癸炔(3e)及3-己炔(1i)。
32.根據(jù)權(quán)利要求28的表面鈍化配制劑，其中該(i)一種或多種高純度炔烴包含5-癸炔(3e)。
33.根據(jù)權(quán)利要求28的表面鈍化配制劑，其中該(i)一種或多種高純度炔烴包含3-己炔(1i)。
34.一種用于在基板的至少一個表面上形成膜的方法，其包括：
35.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中該方法包括原子層沉積工藝(ald)。
36.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中該方法包括等離子體增強的ald(peald)。
37.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中該方法包括化學(xué)氣相沉積工藝(cvd)。
38.一種用于經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝形成含金屬膜的方法，其包括：
39.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其進(jìn)一步包括將至少一種反應(yīng)物引入該反應(yīng)容器內(nèi)。
40.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其進(jìn)一步包括將至少一種反應(yīng)物引入該反應(yīng)容器內(nèi)，該反應(yīng)物選自以下的組：水、雙原子氧、氧等離子體、臭氧、no、n2o、no2、一氧化碳、二氧化碳及其組合。
41.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其進(jìn)一步包括將至少一種反應(yīng)物引入該反應(yīng)容器內(nèi)，該反應(yīng)物選自以下的組：氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨等離子體、氮等離子體、氮/氫等離子體，及其組合。
42.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其進(jìn)一步包括將至少一種反應(yīng)物引入該反應(yīng)容器內(nèi)，該反應(yīng)物選自以下的組：氫、氫等離子體、氫及氦的混合物、氫及氬的混合物、氫/氦等離子體、氫/氬等離子體、含硼化合物、含硅化合物及其組合。
43.一種用于經(jīng)由熱原子層沉積(ald)工藝或類熱ald工藝形成含金屬膜的方法，其包括：
44.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中該來源氣體是選自以下的含氧來源氣體中的一者或多者：水、雙原子氧、臭氧、no、n2o、no2、一氧化碳、二氧化碳及其組合。
45.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中該來源氣體是選自以下的含氮來源氣體中的一者或多者：氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨等離子體、氮等離子體、氮/氫等離子體及其混合物。
46.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中該第一吹掃氣體及該第二吹掃氣體各獨立地選自以下中的一者或多者：氬、氮、氦、氖，及其組合。
47.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其進(jìn)一步包括將能量施加至該一種或多種前體、該來源氣體、該基板，及其組合。
48.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其進(jìn)一步包括將能量施加至該一種或多種前體、該來源氣體、該基板，及其組合，其中該能量是以下中的一者或多者：熱、等離子體、脈沖等離子體、螺旋等離子體、高密度等離子體、電感耦合等離子體、x射線、電子束、光子、遠(yuǎn)程等離子體方法及其組合。
49.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中步驟b包括使用載氣流將該一種或多種配制劑以蒸氣的形式引入該反應(yīng)容器內(nèi)。
50.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中步驟b包括使用包含以下中的一者或多者的溶劑介質(zhì)引入該一種或多種配制劑：甲苯、均三甲苯、異丙苯、對傘花烴(4-異丙基甲苯)、1,3-二異丙苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環(huán)己烷、正丁基環(huán)己烷及十氫萘(萘烷)及其組合。
51.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其進(jìn)一步包括使氮化物膜沉積于該至少一個鈍化表面上。
52.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其進(jìn)一步包括使氧化物膜沉積于該至少一個鈍化表面上。
53.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其進(jìn)一步包括使多組分氧化物膜沉積于該至少一個鈍化表面上。
54.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其進(jìn)一步包括使多組分氧化物膜沉積于該至少一個鈍化表面上，其中該多組分氧化物膜包含選自以下的兩種或更多種元素的氧化物：鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鎵、銦、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉬、鎢、碲及銻。
55.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含三甲基鋁。
56.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含四(二甲基氨基)鈦。
57.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含四(乙基甲基氨基)鋯。
58.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含四(乙基甲基氨基)鉿。
59.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含五(二甲基氨基)鉭。
60.根據(jù)權(quán)利要求34至50中任一項的方法，其中該一種或多種前體包含三(異丙基環(huán)戊二烯基)鑭。