本發(fā)明涉及含氟醚化合物、磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑以及磁記錄介質(zhì)。本技術(shù)基于2022年9月30日在日本技術(shù)的特愿2022-158422號(hào)來(lái)主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用到本文中。

背景技術(shù)：

1、為了使磁記錄再生裝置中的記錄密度高，適于高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展。

2、以往，作為磁記錄介質(zhì)，有在基板上形成記錄層，在記錄層上形成了由碳等形成的保護(hù)層的物質(zhì)。保護(hù)層保護(hù)被記錄于記錄層的信息，并且提高磁頭的滑動(dòng)性。然而，僅在記錄層上設(shè)置保護(hù)層，不能充分獲得磁記錄介質(zhì)的耐久性。因此，一般而言，在保護(hù)層的表面涂布潤(rùn)滑劑而形成了潤(rùn)滑層。

3、作為在形成磁記錄介質(zhì)的潤(rùn)滑層時(shí)使用的潤(rùn)滑劑，提出了例如，含有在具有包含-cf2-的重復(fù)結(jié)構(gòu)的氟系的聚合物的末端具有羥基、氨基等極性基的化合物的物質(zhì)。

4、例如，在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了具有2個(gè)全氟聚醚鏈經(jīng)由在甘油結(jié)構(gòu)(-o-ch2-ch(oh)-ch2-o-)的兩端結(jié)合了亞甲基(-ch2-)的2價(jià)連接基而結(jié)合了的骨架，且在其兩末端經(jīng)由亞甲基而結(jié)合有作為具有極性基的有機(jī)基的末端基的含氟醚化合物。

5、在專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4中，公開(kāi)了具有2個(gè)全氟聚醚鏈經(jīng)由包含亞甲基(-ch2-)和亞甲基的1個(gè)氫原子被羥基取代了的基團(tuán)(-ch(oh)-)且具有2個(gè)羥基的2價(jià)連接基而結(jié)合了的骨架，且在其兩末端經(jīng)由亞甲基而結(jié)合有作為具有極性基的有機(jī)基的末端基的含氟醚化合物。

6、在專利文獻(xiàn)5中，公開(kāi)了具有2個(gè)或3個(gè)全氟聚醚鏈經(jīng)由包含亞甲基(-ch2-)和亞甲基的1個(gè)氫原子被羥基取代了的基團(tuán)(-ch(oh)-)且具有2個(gè)羥基的2價(jià)連接基而結(jié)合了的骨架，且在其兩末端經(jīng)由亞甲基而結(jié)合有作為具有極性基的有機(jī)基的末端基的含氟醚化合物。

7、在專利文獻(xiàn)6和專利文獻(xiàn)7中，公開(kāi)了具有2個(gè)全氟聚醚鏈經(jīng)由包含苯環(huán)或脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的2價(jià)連接基而結(jié)合了的骨架，且在其兩末端經(jīng)由亞甲基(-ch2-)而結(jié)合有作為具有極性基的有機(jī)基的末端基的含氟醚化合物。

8、在專利文獻(xiàn)8中，公開(kāi)了全氟聚醚鏈經(jīng)由在由二氟亞甲基(-cf2-)構(gòu)成的鏈狀結(jié)構(gòu)的兩末端包含至少1個(gè)極性基的連接基而結(jié)合，且在該全氟聚醚鏈的末端結(jié)合了具有羥基的結(jié)構(gòu)單元的含氟醚化合物。

9、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

10、專利文獻(xiàn)

11、專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利第10540997號(hào)說(shuō)明書(shū)(b)

12、專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2021/251335號(hào)(a)

13、專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)第2021/020066號(hào)(a)

14、專利文獻(xiàn)4：日本專利第6804981號(hào)公報(bào)(b)

15、專利文獻(xiàn)5：美國(guó)專利第10262685號(hào)說(shuō)明書(shū)(b)

16、專利文獻(xiàn)6：國(guó)際公開(kāi)第2021/065380號(hào)(a)

17、專利文獻(xiàn)7：國(guó)際公開(kāi)第2022/113854號(hào)(a)

18、專利文獻(xiàn)8：國(guó)際公開(kāi)第2018/159250號(hào)(a)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、近年來(lái)，面向磁記錄介質(zhì)的大容量化，要求進(jìn)一步減少磁間距(磁頭與磁記錄介質(zhì)的磁性層的距離)。因此，要求使磁記錄介質(zhì)中的潤(rùn)滑層的厚度更薄。

3、然而，一般而言如果使?jié)櫥瑢拥暮穸缺?，則具有磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性降低的傾向。此外，在使?jié)櫥瑢拥暮穸缺〉那闆r下如果發(fā)生旋脫(spin-off)(因伴隨磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)的離心力和發(fā)熱，從而潤(rùn)滑劑飛散或蒸發(fā)的現(xiàn)象)，則不能維持滿足潤(rùn)滑層的功能的充分的膜厚。

4、本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其以提供可以形成具有優(yōu)異的耐腐蝕性，并且可以抑制旋脫的潤(rùn)滑層，可以作為磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑的材料而適合使用的含氟醚化合物作為目的。

5、此外，本發(fā)明以提供包含本發(fā)明的含氟醚化合物，可以形成耐腐蝕性良好，并且旋脫抑制效果高的潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑作為目的。

6、此外，本發(fā)明以提供具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤(rùn)滑層的、耐腐蝕性良好、旋脫抑制效果高的磁記錄介質(zhì)作為目的。

7、用于解決課題的手段

8、本發(fā)明包含以下方案。

9、[1]一種含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。

10、r1-ch2-r2[-ch2-r3-ch2-r2]x-ch2-r4??(1)

11、(在式(1)中，x表示1或2。r2為全氟聚醚鏈。(x+1)個(gè)r2可以一部分相同或全部相同，也可以各自不同。r3為下述式(2)所示的2價(jià)連接基。在x為2的情況下，2個(gè)r3可以相同，也可以各自不同。r1和r4為具有1～4個(gè)極性基的碳原子數(shù)1～50的末端基。r1與r4可以相同，也可以不同。)

12、

13、(在式(2)中，a1和a2表示0～5的整數(shù)。a1與a2可以相同，也可以不同，a1和a2中的至少一者為1以上。b表示0或1。y為碳原子數(shù)2～8的非環(huán)狀的2價(jià)飽和烴基。上述飽和烴基為在碳原子間不包含醚氧原子的被部分地氟化了的飽和烴基、或在碳原子間可以包含醚氧原子且可以僅具有1個(gè)極性基的未被氟化的飽和烴基。其中，在上述未被氟化的飽和烴基具有上述極性基的情況下，上述極性基與y的除結(jié)合末端以外的碳原子結(jié)合。式(2)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

14、[2]根據(jù)[1]所述的含氟醚化合物，上述式(2)為下述式(2-1)～(2-5)中的任一者所示的連接基。

15、

16、(在式(2-1)中，a11和a12表示0～5的整數(shù)。a11與a12可以相同，也可以不同。a11與a12的合計(jì)值為1～6。c表示2～8的整數(shù)。c個(gè)ra和rb各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基。c個(gè)(-crarb-)所包含的碳原子的合計(jì)數(shù)為2～8。式(2-1)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

17、(在式(2-2)中，a21和a22表示0～5的整數(shù)。a21與a22可以相同，也可以不同。a21與a22的合計(jì)值為1～6。d表示2～4的整數(shù)。d個(gè)rc各自獨(dú)立地表示-ch2ch2-、-ch2ch2ch2-、-ch(ch3)ch2-或-ch2ch(ch3)-。d個(gè)rc所包含的碳原子的合計(jì)數(shù)為4～8。式(2-2)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

18、(在式(2-3)中，a31和a32表示0～5的整數(shù)。a31與a32可以相同，也可以不同。a31與a32的合計(jì)值為1～6。e表示1～6的整數(shù)。式(2-3)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

19、(在式(2-4)中，a41和a42表示1～5的整數(shù)。a41與a42可以相同，也可以不同。a41與a42的合計(jì)值為2～6。f1和f2表示1～6的整數(shù)。f1與f2可以相同，也可以不同，f1與f2的合計(jì)值為2～7。式(2-4)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

20、(在式(2-5)中，a51和a52表示0～5的整數(shù)。a51與a52可以相同，也可以不同。a51與a52的合計(jì)值為1～6。式(2-5)的左側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r1側(cè)的亞甲基結(jié)合，右側(cè)末端的氧原子與式(1)中的r4側(cè)的亞甲基結(jié)合。)

21、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r4各自獨(dú)立地為下述式(3)所示的末端基。

22、

23、(在式(3)中，l表示1～3的整數(shù)。l個(gè)m各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。l個(gè)n各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。在1個(gè)重復(fù)單元中，m和n中的至少一者為1。a表示可以具有極性基的烷基、可以具有極性基的包含碳-碳不飽和鍵的有機(jī)基、或氫原子。)

24、[4]根據(jù)[1]～[3]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r4各自獨(dú)立地為下述式(3-1)或(3-2)所示的末端基。

25、

26、(在式(3-1)中，p表示0～3的整數(shù)，q表示0～2的整數(shù)，r表示1～5的整數(shù)。p與r的合計(jì)值為1～5。b表示極性基。)

27、(在式(3-2)中，s表示0～2的整數(shù)，t表示1～5的整數(shù)。)

28、[5]根據(jù)[1]～[4]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1與r4相同。

29、[6]根據(jù)[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1所具有的極性基、與r4所具有的極性基的合計(jì)數(shù)為2～6。

30、[7]根據(jù)[1]～[6]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1所具有的極性基、與r3所具有的極性基、與r4所具有的極性基全部為羥基。

31、[8]根據(jù)[1]～[7]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的(x+1)個(gè)r2各自獨(dú)立地為下述式(4)所示的全氟聚醚鏈。

32、-(cf2)w1-o-(cf2o)w2-(cf2cf2o)w3-(cf2cf2cf2o)w4-(cf2cf2cf2cf2o)w5-(cf2)w6-(4)

33、(在式(4)中，w2、w3、w4、w5表示平均聚合度，各自獨(dú)立地表示0～20。其中，w2、w3、w4、w5不全部同時(shí)為0。w1、w6為表示cf2的數(shù)量的平均值，各自獨(dú)立地表示1～3。對(duì)作為式(4)中的重復(fù)單元的(cf2o)、(cf2cf2o)、(cf2cf2cf2o)、(cf2cf2cf2cf2o)的排列順序沒(méi)有特別限制。)

34、[9]根據(jù)[1]～[7]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的(x+1)個(gè)r2各自獨(dú)立地為選自下述式(4-1)～(4-4)所示的全氟聚醚鏈中的任1種。

35、-cf2-(ocf2cf2)h-(ocf2)i-ocf2-(4-1)

36、(在式(4-1)中，h和i表示平均聚合度，h表示1～20，i表示0～20。)

37、-cf2cf2-(ocf2cf2cf2)j-ocf2cf2-(4-2)

38、(在式(4-2)中，j表示平均聚合度，表示1～15。)

39、-cf2cf2cf2-(ocf2cf2cf2cf2)k-ocf2cf2cf2-(4-3)

40、(在式(4-3)中，k表示平均聚合度，表示1～10。)

41、-(cf2)w7-o-(cf2cf2cf2o)w8-(cf2cf2o)w9-(cf2)w10-(4-4)

42、(在式(4-4)中，w8、w9表示平均聚合度，各自獨(dú)立地表示1～20。w7、w10為表示cf2的數(shù)的平均值，各自獨(dú)立地表示1～2。)

43、[10]根據(jù)[1]～[9]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，其數(shù)均分子量在500～10000的范圍內(nèi)。

44、[11]一種磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑，其特征在于，包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

45、[12]一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，是在基板上至少依次設(shè)置了磁性層、保護(hù)層、和潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)，

46、上述潤(rùn)滑層包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

47、[13]根據(jù)[12]所述的磁記錄介質(zhì)，上述潤(rùn)滑層的平均膜厚為0.5nm～2.0nm。

48、發(fā)明的效果

49、本發(fā)明的含氟醚化合物為上述式(1)所示的化合物，作為磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑的材料是適合的。

50、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑由于包含本發(fā)明的含氟醚化合物，因此可以形成耐腐蝕性良好，旋脫抑制效果高的潤(rùn)滑層。

51、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤(rùn)滑層。因此，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性良好，旋脫抑制效果高，可靠性和耐久性優(yōu)異。此外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)由于具有耐腐蝕性良好，抑制了旋脫的潤(rùn)滑層，因此可以使?jié)櫥瑢拥暮穸缺?，可以使磁頭的上浮量更加小。