本發(fā)明屬于有機電致材料，具體涉及一種二苯并五元雜環(huán)類化合物、中間體、組合物和有機電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)具體為：陽極、陰極以及介于兩者之間的有機層。為了提高有機電致發(fā)光元件的效率和穩(wěn)定性，有機材料層包括具有不同材料的多層，例如空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。當前，有機電致發(fā)光已經(jīng)成為主流的顯示技術(shù)，相應(yīng)的，各種新型的oled材料也被開發(fā)。

2、為了滿足人們對于oled器件的更高要求，本領(lǐng)域亟待開發(fā)更多種類的材料，以使提高oled器件在電流效率、壽命等方面的性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種二苯并五元雜環(huán)類化合物、中間體、組合物和有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明中通過對二苯并五元雜環(huán)類化合物的結(jié)構(gòu)進行設(shè)計，使其適用作有機電致發(fā)光器件磷光發(fā)光層的主體材料，使有機電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動電壓、較高的電流效率和較長的壽命。

2、為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明提供一種二苯并五元雜環(huán)類化合物，所述二苯并五元雜環(huán)類化合物具有如下式i所示結(jié)構(gòu)：

4、

5、其中，式i中，r1、r2、r3中的任一個選自具有式i-1所示結(jié)構(gòu)的基團，其它兩個選自h或d，*表示連接位置；

6、x選自o、s；

7、ar選自單鍵、c6-c40亞芳基或c6-c30亞雜芳基中的任意一種；

8、ar1、ar2各自獨立地選自h、c6-c40芳基或c6-c30雜芳基中的任意一種；

9、a1、a2、a3各自獨立地選自n或cr，且至少一個選自n；r選自h、-cn、c6-c20芳基或c1-c12烷基中的任意一種；

10、式i化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子(d)、-f、-cn、c6-c20芳基、三苯基甲基、三苯基硅基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

11、本發(fā)明中通過對二苯并五元雜環(huán)類化合物的結(jié)構(gòu)進行設(shè)計，使其適用作有機電致發(fā)光器件磷光發(fā)光層的主體材料，使有機電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動電壓、較高的電流效率和較長的壽命。

12、本發(fā)明中，c6-c40可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等。

13、c6-c30可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28或c30等。

14、c6-c20可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等。

15、c1-c12可以是c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11或c12。

16、需要說明的是，本發(fā)明中，“d”表示氘原子，下同。

17、以下作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，但不作為對本發(fā)明提供的技術(shù)方案的限制，通過以下優(yōu)選的技術(shù)方案，可以更好的達到和實現(xiàn)本發(fā)明的目的和有益效果。

18、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c40亞芳基選自亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞萘并芴基、亞芘基、亞苝基、亞螺芴基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞氫化苯并蒽基、亞茚并芴基、亞苯并茚并芴基、亞二苯并茚并芴基、亞萘并芴基、亞四苯基甲烷基或亞苯并萘并芴基中的任意一種或至少兩種的組合。

19、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c30亞雜芳基選自亞咔唑基、亞二苯并噻吩基、亞萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基或亞咔唑基中的任意一種。

20、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c40芳基選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、萘并芴基、芘基、苝基、螺芴基、三亞苯基、熒蒽基、氫化苯并蒽基、茚并芴基、苯并茚并芴基、二苯并茚并芴基、萘并芴基、四苯基甲烷基或苯并萘并芴基中的任意一種或至少兩種的組合。

21、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c30雜芳基選自咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基中的任意一種或至少兩種的組合。

22、優(yōu)選地，所述c6-c20芳基選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、三亞苯基或熒蒽基中的任意一種。

23、優(yōu)選地，所述c1-c12烷基選自甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、辛基、金剛烷基中的任意一種。

24、優(yōu)選地，所述c1-c12烷氧基選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基中的任意一種。

25、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar選自單鍵、亞苯基、亞咔唑基、亞聯(lián)苯基、亞芴基、亞萘基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞茚并芴基、亞二苯并噻吩基、亞萘并苯并呋喃基或亞萘并苯并噻吩基或亞咔唑基中的任意一種。

26、優(yōu)選地，所述ar選自單鍵、亞苯基、亞咔唑基、亞萘基、亞9,9-二甲基芴基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基或亞聯(lián)苯基中的至少一種，進一步優(yōu)選為單鍵、亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞咔唑基中的任意一種。

27、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar1、ar2各自獨立地選自h、苯基、咔唑基、聯(lián)苯基、9,9-二甲基芴基、萘基、三亞苯基、熒蒽基、茚并芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并呋喃基或萘并苯并噻吩基中的任意一種或至少兩種的組合。

28、優(yōu)選地，所述ar1、ar2各自獨立地選自h、苯基、咔唑基、萘基、9,9-二甲基芴基、二苯并噻吩基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、三亞苯基或熒蒽基中的至少一種，進一步優(yōu)選為苯基、萘基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基中的至少一種。

29、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述a1、a2、a3中任一個選自n，其他兩個為cr，r選自h或-cn。

30、優(yōu)選地，所述a1、a2、a3中任兩個選自n，另一個為cr。

31、優(yōu)選地，所述a1、a2、a3均選自n。

32、優(yōu)選地，所述r選自h、-cn、苯基或聯(lián)苯基中的任意一種，進一步優(yōu)選為h或-cn。

33、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述r1選自具有式i-1所示結(jié)構(gòu)的基團。

34、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述r2選自具有式i-1所示結(jié)構(gòu)的基團。

35、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述r3選自具有式i-1所示結(jié)構(gòu)的基團。

36、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述式i化合物中的氫原子各自獨立地可以被-d、-f、-cn、苯基、萘基、聯(lián)苯基、三苯基甲基、三苯基硅基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基中的至少一種取代。

37、優(yōu)選地，所述式i化合物中的氫原子各自獨立地可以被-d、-f、-cn、苯基、萘基、甲基、乙基、叔丁基甲氧基、乙氧基、丙氧基中的至少一種取代。

38、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述二苯并五元雜環(huán)類化合物選自如下取代或未取代的化合物中的任意一種：

39、

40、

41、

42、

43、所述取代是指上述二苯并五元雜環(huán)類化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子取代。優(yōu)選地，所述二苯并五元雜環(huán)類化合物選自如下化合物中的任意一種：

44、

45、需要說明的是，本發(fā)明對于上述二苯并五元雜環(huán)類化合物的制備方法沒有任何特殊的限制，本領(lǐng)域常用的制備方法均適用，舉例說明本發(fā)明提供的式i化合物的中間體制備方法如下：

46、

47、其中，x1、x2各自獨立地選自氟、氯、溴、碘中的任意一種；

48、x選自o、s；

49、化合物m0-1、化合物m0-2、化合物m0-3、化合物m1-2、化合物m1-1、化合物m1、化合物m2-2、化合物m2-1、化合物m2、化合物m3-2、化合物m3-1、化合物m3中的氫原子各自獨立地可以被氘原子(d)、-f、-cn、c6-c20芳基、三苯基甲基、三苯基硅基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

50、第二方面，本發(fā)明提供一種中間體，所述中間體包括具有如下化合物：

51、

52、其中，x1選自氟、氯、溴、碘中的任意一種；

53、x選自o、s；

54、化合物m1-2、化合物m1-1、化合物m1、化合物m2-2、化合物m2-1、化合物m2、化合物m3-2、化合物m3-1、化合物m3中的氫原子各自獨立地可以被氘原子(d)、-f、-cn、c6-c20芳基、三苯基甲基、三苯基硅基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

55、所述中間體用于制備如第一方面所述的二苯并五元雜環(huán)類化合物。

56、優(yōu)選地，所述中間體包括如下化合物：

57、

58、第三方面，本發(fā)明提供一種組合物，所述組合物包括第一組分和第二組分；所述第一組分包括如第一方面所述二苯并五元雜環(huán)類化合物；

59、所述第二組分包括具有如下式ii所示結(jié)構(gòu)的化合物：

60、

61、其中，ar21、ar22各自獨立地選自c6-c30芳基或c6-c20雜芳基；

62、ar23選自單鍵、亞苯基或亞聯(lián)苯基中的任意一種；

63、式ii所示化合物中的氫原子可以被-f、-cn、c6-c20芳基、c1-c6烷基或c1-c6烷氧基中的至少一種取代。

64、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar21、ar22各自獨立地選自苯基、三聯(lián)苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、三亞苯基中的任意一種。

65、優(yōu)選地，所述式ii化合物中的氫原子可以被-f、-cn、苯基、聯(lián)苯基、萘基、三亞苯基、甲基、乙基中的至少一種取代。

66、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述式ii化合物選自如下取代或未取代的化合物中的任意一種：

67、

68、

69、所述取代是指上述化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子取代。

70、優(yōu)選地，式ii所示化合物選自下述取代或未取代的化合物h-1～h-40、h-17o、h-17m中的任意一種：

71、

72、

73、

74、所述取代是指上述化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子取代。

75、需要說明的是，本發(fā)明中對于上述化合物的制備方法沒有任何特殊的限制，本領(lǐng)域常用的制備方法均適用。

76、第四方面，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件包括陽極、陰極以及設(shè)置于所述陽極和陰極之間的有機薄膜層；

77、所述有機薄膜層材料包括如第一方面所述的二苯并五元雜環(huán)類化合物和/或如第三方面所述的組合物。

78、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機薄膜層包括發(fā)光層，所述發(fā)光層的主體材料包括如第一方面所述的化合物和/或第三方面所述的組合物。

79、優(yōu)選地，所述發(fā)光層為磷光發(fā)光層。

80、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機電致發(fā)光器件為紅光有機電致發(fā)光器件。

81、本發(fā)明中發(fā)光層包括發(fā)光層主體材料和摻雜材料，其中摻雜材料又叫染料或者磷光發(fā)光材料。發(fā)光層主體材料可以為單一化合物，也可以是由兩種或兩種以上化合物形成的混合物。

82、所述發(fā)光層包括磷光發(fā)光層，所述磷光發(fā)光層包括綠色磷光發(fā)光層、紅色磷光發(fā)光層、黃色磷光發(fā)光層、藍色磷光發(fā)光層。

83、磷光發(fā)光層中主體材料的體積百分含量為60％～99.9％(例如可以是60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％、98％或99.9％等)，優(yōu)選為70％～99.5％，進一步優(yōu)選為85％～95％。

84、本發(fā)明中，發(fā)光層的摻雜材料可選用磷光發(fā)光材料，所述磷光發(fā)光材料又稱三重態(tài)發(fā)光材料，指物質(zhì)從三重激發(fā)態(tài)發(fā)出的光。本發(fā)明中歸于磷光材料的具體選擇不做特殊限定，本領(lǐng)域常用的發(fā)光層的摻雜材料均適用，示例性地包括但不限于：具有如下式pd所示結(jié)構(gòu)的化合物：

85、

86、其中，m選自ir、pt、pd、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、cu或au中的任意一種；

87、y1-y4各自獨立地選自碳或氮；

88、y1和y2之間可以通過單鍵或雙鍵連接，y3和y4之間可以通過單鍵或雙鍵連接；

89、cy1和cy2各自獨立地選自苯基、萘基、芴基、螺芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并咪唑唑基、苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并噻吩基、n雜咔唑基中的任意一種，其中cy1和cy2可任選地經(jīng)由單鍵或有機連接基團彼此連接；

90、m的任意兩個配體之間、兩個以上配體之間可以通過單鍵、雙鍵連接，或者可以通過o、s橋接，或者可以通過任意化學(xué)基團或者化學(xué)結(jié)構(gòu)連接以形成符合化學(xué)原理的結(jié)構(gòu)形式；

91、r91和r92各自獨立地選自-h、-d、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團、羧酸鹽基團、磺酸基團、磺酸鹽基團、磷酸基團、磷酸鹽基團、-sf5、取代或未取代c1-c60(例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烷基、取代或未取代c2-c60(例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烯基、取代或未取代c2-c60(例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)炔基、取代或未取代c1-c60(例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烷氧基、取代或未取代c2-c10(例如可以是c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9或c10)雜環(huán)烷基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳氧基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳硫基、取代或未取代單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代單價非芳族稠合雜多環(huán)基團中的任意一種。

92、a1和a2各自獨立地為選自1-5的整數(shù)，例如可以是1、2、3、4或5；

93、b選自0-4的整數(shù)，例如可以是0、1、2、3或4；

94、a選自1、2或3；

95、l1為單價有機配體、二價有機配體或三價有機配體。

96、優(yōu)選地，所述式pd化合物選自如下化合物中的任意一種：

97、

98、

99、

100、

101、

102、

103、本發(fā)明中，所述有機薄膜層包括空穴層，所述空穴層包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層。

104、所述空穴注入層材料包括p型摻雜劑。p型摻雜劑是指和空穴注入層材料共存于oled器件中，能夠氧化空穴注入層材料，從而作為電子受體，可以促進空穴注入層的空穴向陽極移動。本發(fā)明中，p型摻雜劑的lumo的絕對值和空穴層材料的homo的絕對值的差大于-0.2v，優(yōu)選為大于-0.1ev，進一步優(yōu)選為大于0ev，進一步優(yōu)選為大于0.1ev，進一步優(yōu)選為大于0.2ev。

105、p型摻雜劑以體積百分含量為1％～10％(例如可以是1％、2％、4％、6％、8％或10％等)的體積比例存在于空穴注入層中。本發(fā)明中，對于p型摻雜劑的種類不做任何特殊的限定，示例性地可以選用cn113728453a公開的d-1～d-13所示化合物或者為如下所述hi-1到hi-9所示化合物：

106、

107、本發(fā)明中，空穴層材料(包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層)具有如下式ht-gh4所示結(jié)構(gòu)：

108、

109、其中，l41選自單鍵、c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基；

110、ar41、ar42各自獨立地選自c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基；

111、x選自cr41r42或者nr43，其中r41、r42、r43各自獨立地選自取代或未取代的苯基(所述取代的取代基選自c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基、c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷氧基、萘基、三亞苯基、熒蒽基、9,9-二甲基芴基、聯(lián)苯基、取代或未取代的基(所述取代的取代基為苯基)、取代或未取代的二苯并噻吩基(所述取代的取代基為苯基)、取代的噻吩基、c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基中的任意一種，r41、r42可以通過單鍵連接成環(huán)。式ht-gh4化合物選自如下化合物中的任意一種：

112、

113、

114、本發(fā)明中，空穴層材料(包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層)還包括具有如下式ⅰa所示結(jié)構(gòu)的化合物或者如式ib所示結(jié)構(gòu)的化合物：

115、

116、其中，l選自含有c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)亞芳基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

117、m選自0～4之間的整數(shù)(例如可以是0、1、2、3或4)，n選自0或者1；

118、ar選自亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

119、ar1和ar2各自獨立地選自含有c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、二苯并呋喃或二苯并噻吩基中的任意一種；

120、ar1和ar之間、ar2和ar之間以及ar1、ar2之間各自獨立地可以通過單鍵、o、s、cr1r2、nr連接或者橋接。

121、r、r1、r2各自獨立地選自c1-c20(例如可以是c1、c2、c4、c6、c8、c10、c12、c14、c16、c18或c20等)烷基、c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的任意一種；

122、式ⅰb化合物和式ia化合物中的h各自獨立地可以被-f、-cn、-d(氘原子)、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種替代。

123、優(yōu)選地，所述ar為亞熒蒽基，m+n＞1。

124、優(yōu)選地，所述式ib化合物和式ia化合物中的h可被-f、-cn、-d、c1-c3烷基(例如可以是甲基、乙基或丙基)、c1-c3烷氧基(例如可以是甲氧基、乙氧基或丙氧基)、苯基、聯(lián)苯基、三亞苯基、熒蒽基中的至少一種替代。

125、優(yōu)選地，所述l、ar1、ar2各自獨立地選自苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種。

126、優(yōu)選地，所述式ⅰb化合物選自如下化合物中1-112中的任意一種：

127、

128、

129、本發(fā)明提供的oled器件中，空穴層材料除包括式ht-gh4所述化合物、式ib化合物、式ia化合物外，可以同時包括本領(lǐng)域常規(guī)的空穴材料，不受特別限制。示例性地包括但不限于：三芳胺類化合物或者咔唑類化合物。優(yōu)選含有3個以上n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物，因為3個以上n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物的homo較高(絕對值較小)，更適合用作空穴注入層材料。含有2個或者1個n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物，可以用作空穴傳輸層材料。部分含有1個n原子的化合物或者咔唑類化合物，若其具有較高的lumo，也可用作電子阻擋層材料。

130、所述三芳胺類化合物或者咔唑類化合物作為空穴層材料，所述空穴層材料包括如下結(jié)構(gòu)：

131、

132、其中，ar601～ar609各自獨立地選自取代或者未取代的c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、取代或者未取代的二苯并噻吩基、取代或者未取代的萘并苯并呋喃基、取代或者未取代的萘并苯并噻吩基、取代或者未取代的二萘并呋喃基、取代或者未取代的二萘并噻吩基中的任意一種；

133、并且ar601～ar609中相鄰或者連接在同一個n原子上的ar601～ar609，可以通過單鍵連接或者通過o、s、cr701r702、nr703橋接；

134、r701、r702、r703選自c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳香基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基、c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基，且r701、r702可以通過單鍵連接。

135、空穴阻擋層(hbl)可以限制空穴和/或激子在發(fā)光層范圍內(nèi)，以改善器件的電流效率和壽命。與最接近hbl界面的發(fā)光層材料相比，hbl材料具有較低homo(絕對值較大)和/或較高三重態(tài)能量。

136、電子傳輸層(etl)可以包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層可以是固有的(未經(jīng)摻雜的)或經(jīng)摻雜的，可以使用摻雜來增強導(dǎo)電性。本發(fā)明中，對于etl材料不做特殊限制，可以使用任何金屬絡(luò)合物或有機化合物，只要其可以傳輸電子即可。一般電子傳輸層材料中含有以下結(jié)構(gòu)片段：吡啶結(jié)構(gòu)、嘧啶結(jié)構(gòu)、三嗪結(jié)構(gòu)、苯并咪唑結(jié)構(gòu)、苯并噁唑結(jié)構(gòu)、苯并噻唑結(jié)構(gòu)、n雜萘結(jié)構(gòu)、n雜啡結(jié)構(gòu)、n雜咔唑結(jié)構(gòu)、n雜二苯并噻吩結(jié)構(gòu)中的至少一種。

137、本發(fā)明中，對于電子傳輸層材料不做任何特殊限制，示例性地包括但不限于：

138、

139、

140、本發(fā)明中，所述陰極的材料是具有低逸出功的金屬(例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等))、由多種金屬構(gòu)成的金屬合金(由堿金屬或堿土金屬與銀構(gòu)成的合金，例如由鎂和銀構(gòu)成的合金)或多層結(jié)構(gòu)。若陰極材料為多層結(jié)構(gòu)，除了上述所提及的金屬之外，還可以使用具有相對高逸出功的其它金屬，例如ag或al，在這種情況下通常使用所述金屬的組合，例如ca/ag、mg/ag或ba/ag。

141、也可選用在金屬陰極和有機半導(dǎo)體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層，形成多層結(jié)構(gòu)；所述具有高介電常數(shù)的材料也可以稱作電子注入材料，可選用堿金屬或堿土金屬的氟化物、以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)或喹啉鋰(liq)。

142、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

143、本發(fā)明中通過對二苯并五元雜環(huán)類化合物的結(jié)構(gòu)進行設(shè)計，使其適用作有機電致發(fā)光器件磷光發(fā)光層的主體材料，使有機電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動電壓、較高的電流效率和較長的壽命。