本技術屬于發(fā)光材料，特別涉及一種主體材料組合物及有機電致發(fā)光器件。

背景技術：

1、目前，作為新一代顯示技術的有機電致發(fā)光器件(oled)在顯示和照明技術方面都獲得了越來越多的關注。但是，和市場應用要求相比，oled器件的發(fā)光效率、驅動電壓、使用壽命等性能還需要繼續(xù)改進。

2、一般來說，oled器件基本結構為在金屬電極中間夾雜各種不同功能的有機功能材料薄膜，猶如一個三明治的結構，在電流的驅動下，從陰陽兩極分別注入電子和空穴，空穴和電子在移動一段距離后，在發(fā)光層得到復合，并以光或熱的形式進行釋放，從而達到發(fā)光效果。然而，磷光oled的性質不僅由所使用的三重態(tài)發(fā)光體所決定。還包括其他類型材料，例如主體材料，也是相當重要。主體材料對于降低器件的驅動電壓，提高器件的發(fā)光效率，提高器件的使用壽命等，具有顯著的作用。而現(xiàn)有的主體材料在降低器件的驅動電壓，提高器件的發(fā)光效率，提高器件的使用壽命方面有待進一步改進。

3、因此，有必要繼續(xù)研發(fā)新型的主體材料及其組合物，以進一步提高有機電致發(fā)光器件的性能，用于解決有機電致發(fā)光器件所存在的上述問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術旨在至少解決上述現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此，本技術提出一種主體材料組合物及有機電致發(fā)光器件。

2、本技術的第一方面提供一種主體材料組合物。

3、在一些實施方式中，一種主體材料組合物，其包含至少一種第一主體化合物和至少一種第二主體化合物；所述第一主體化合物的結構如式(1)所示：

4、

5、其中，環(huán)a選自以下式(1-2)或式(1-3)；

6、

7、其中，x1-x12分別獨立地選自為cr0或n；且x1-x4、x5-x6、x7-x8、x9-x12中有兩個相鄰位點與式(1)中含x的5元環(huán)稠合；

8、r0選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、取代或未取代的c1-c40的烷基、取代或未取代的c1-c40的雜烷基、取代或未取代的c2-c40的烯基、取代或未取代的c2-c40的炔基、取代或未取代的c3-c40的環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c40雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基、取代或未取代的c1-c40的烷氧基、取代或未取代的c6-c60的芳氧基、取代或未取代的c3-c40的烷基甲硅烷基、取代或未取代的c6-c60的芳基甲硅烷基、取代或未取代的c1-c40的烷基硼基、取代或未取代的c6-c60的芳基硼基、取代或未取代的c6-c60的芳基膦基或c6-c60的芳基胺基中的至少一種；或，相鄰的兩個r0可連接成并環(huán)；

9、環(huán)b選自取代或未取代的苯環(huán)、萘環(huán)或菲環(huán)；

10、其中，式(1)中x選自nra、crbrc或氧族元素；

11、ra、rb、rc分別獨立地選自取代或未取代的c1-c30的烷基、取代或未取代的c1-c30的雜烷基、取代或未取代的c3-c30的環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c30雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c30的芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的c6-c30的芳基甲硅烷基中的至少一種；

12、l選自單鍵、取代或未取代c6-c60的亞芳基或取代或未取代c3-c60的亞雜芳基；

13、ar1和ar2分別獨立地選自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基；

14、所述第二主體化合物的結構如式(2)所示：

15、

16、其中，z1、z2、z3各自獨立地選自n或crd；

17、ar3至ar5各自獨立地表示氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基、取代或未取代的c3-c60環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、-n-(r’)(r”)；或者ar3至ar5各自獨立地和與其取代位相鄰的碳原子或雜原子上的取代基連接成環(huán)；

18、其中，ar3至ar5至少一個選自下式(3)：

19、

20、其中，y選自nre、crfrg或氧族元素；

21、re、rf、rg分別獨立地選自取代或未取代的c1-c30的烷基、取代或未取代的c1-c30的雜烷基、取代或未取代的c3-c30的環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c30雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c30的芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30的烷基甲硅烷基或c6-c30的芳基甲硅烷基中的至少一種；或rf和rg連接成環(huán)；

22、其中，表示與式(2)中l(wèi)1、l2、l3的連接位點；

23、其中，環(huán)c選自取代或未取代的苯環(huán)、萘環(huán)、菲環(huán)；

24、r1選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、取代或未取代的c1-c40的烷基、取代或未取代的c1-c40的雜烷基、取代或未取代的c2-c40的烯基、取代或未取代的c2-c40的炔基、取代或未取代的c3-c40的環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c40雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基、取代或未取代的c1-c40的烷氧基、取代或未取代的c6-c60的芳氧基、取代或未取代的c3-c40的烷基甲硅烷基、取代或未取代的c6-c60的芳基甲硅烷基、取代或未取代的c1-c40的烷基硼基、取代或未取代的c6-c60的芳基硼基、取代或未取代的c6-c60的芳基膦基或取代或未取代的c6-c60的芳基胺基；

25、其中，r’和r”各自獨立地表示取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c2-c30烯基、取代或未取代的c6-c30芳基、或取代或未取代的c3-c30雜芳基；

26、其中，p為0-10的整數(shù)；若p為2-10，則每個r1可相同或不同，且相鄰的r1可連接形成并環(huán)；

27、l1、l2、l3選自單鍵、取代或未取代c6-c60的亞芳基、取代或未取代c3-c60的亞雜芳基、或取代或未取代的c3-c30亞環(huán)烷基；

28、所述r0、r1、ra～rg、l、l1～l3、ar1～ar5、r’、r”中，所述取代為被氘、鹵素、氰基、異氰基、膦基、c1-c6烷基、c3-c16環(huán)烷基、c1-c6烷基取代的胺基、c1-c6烴基取代或未取代的c6-c30芳基、c1-c6烴基取代或未取代的c3-c30雜芳基中的至少一個所取代，其中取代數(shù)目為單取代到最大數(shù)目取代；

29、所述亞雜芳基、雜芳基、雜烷基、雜環(huán)烷基或雜原子中的雜原子獨立選自o、s、n、se、si和ge中的至少一種。

30、相對于現(xiàn)有技術，本技術的有益效果如下：

31、本技術所述多種主體材料多種主體材料組合物驅動電壓低，發(fā)光效率高，器件壽命長等優(yōu)點，甚至還具有升華溫度低的優(yōu)點，可作為主體材料用于oled發(fā)光器件中。同時具有較低的熔點，作為熔融型材料有利于材料蒸鍍穩(wěn)定性。該多種主體材料組合物作為紅光主體材料，具有應用于amoled產(chǎn)業(yè)的可能。