光可交聯(lián)材料的制作方法
【專利說明】光可交聯(lián)材料
[0001] 本申請是中國專利申請200680048708. 8的分案申請。本發(fā)明設(shè)及表示為通式（I) 的二胺化合物，W及設(shè)及通過使表示為通式（I)的二胺化合物和非必要的一種或多種另外 的其它二胺，與一種或多種四駿酸酢反應(yīng)而得到的屬于聚酷胺酸、聚酷胺酸醋或聚酷亞胺 (和其任何混合物）的低聚物、聚合物和共聚物，和設(shè)及該些二胺化合物、低聚物、聚合物和 共聚物用于制備液晶取向?qū)雍陀糜跇?gòu)建未結(jié)構(gòu)化和結(jié)構(gòu)化光學(xué)元件和多層體系的用途。
[0002] 液晶顯示器（LCD)在高級可視化設(shè)備中日益變得重要。LCD在圖像質(zhì)量（高亮度、 高分辨率、顏色和灰階能力），功耗W及尺寸和重量（平板顯示器）方面提供有利的特性。 商業(yè)LCD已被廣泛例如用于汽車和電訊儀器，W及用于筆記本、臺式計算機、電視機等的監(jiān) 視器。現(xiàn)今，電視應(yīng)用中對LCD的需要迅速增長。最近開發(fā)的LCD模式在獲得快響應(yīng)時間、 寬視角和高亮度方面具有高潛力。在其它新近開發(fā)的LCD模式中，MVA(多域垂直配向）模 式似乎最有希望用于現(xiàn)代電視應(yīng)用。
[0003] 在MVA模式中，液晶分子通常相對基材的表面幾乎垂直配向。通過使用在基材表 面上的突起（或其它排列分部），液晶分子在多于一個方向上在單個單元內(nèi)變得局部預(yù)傾 斜，得到可在不同方向上切換的域。該多域構(gòu)型顯示非常良好的顯示性能，具有在任何方向 上的最高160°的寬視角、短響應(yīng)時間（低于20ms)、高對比度比例（高達(dá)700:1)和高亮度。
[0004] 然而，通過僅使用突起，難W清楚地確定在單個像素內(nèi)的域空間。因此，MVA模式 需要另外的制造步驟W確保對上和下基材的形狀作用W及電場效應(yīng)；因此，總會導(dǎo)致復(fù)雜 的制造步驟。
[0005] 為了繞開該種技術(shù)挑戰(zhàn)，配向膜的可用性將是合乎需要的，該直接導(dǎo)致在每一像 素域內(nèi)的預(yù)定的配向方向和具有相對基材垂直軸的可得到良好控制的偏軸角。
[0006] 用于制備液晶材料的取向?qū)拥姆椒ㄊ羌夹g(shù)人員熟知的。然而，常用的單軸摩擦聚 合物取向?qū)?，例如聚酷亞胺卻具有一系列缺點，如在摩擦工藝過程中的粉塵的形成和沉積 和薄膜晶體管的伴發(fā)性部分毀壞。刷涂導(dǎo)致的刮擦是該技術(shù)的另一問題，該在像素是約10 微米或甚至更低時，如在微顯示應(yīng)用中尤其明顯。由于顯現(xiàn)所顯示信息所需要的強光學(xué)放 大，刮擦容易變得可見并且也是造成對比度水平下降的起因。另外，摩擦工藝不允許生產(chǎn)結(jié) 構(gòu)化層。
[0007] 用于得到其中取向方向通過用偏振光福射而引起的取向?qū)拥纳a(chǎn)步驟不面臨摩 擦工藝所固有的問題。利用福射技術(shù)，還可能產(chǎn)生具有不同取向的區(qū)域并因此使取向?qū)咏Y(jié) 構(gòu)化，例如描述于化n. J. Appl. Phys.，31 (1992)，2155-64 (Scha化等人）。
[000引使用線性光可聚合配向（LP巧技術(shù)，數(shù)年前已能夠?qū)崿F(xiàn)四域垂直配向向列型 (VAN)LCD0(. Schmitt, M. Scha化；EuroDisplay 99 的會議論文集，1999 年 9 月 6-9 日）。四 域VAN-LCD具有優(yōu)異的斷開態(tài)角亮度性能。
[0009] 除了在現(xiàn)代TV應(yīng)用中所要滿足的目前顯示性能要求，為了實現(xiàn)特定光學(xué)和電光 學(xué)性能，例如與TFT (薄膜晶體管）的兼容性，還認(rèn)為必要使用合適的LPP材料。還必須考 慮該材料的其它重要的特性，即直接設(shè)及和依賴于該材料的分子性能的那些決定性參數(shù)。
[0010] 該些特性主要是：
[0011] ?高電壓保持率（VHR)，即VHR〉90% (在80°C下測定）
[0012] ?針對光和熱的誘導(dǎo)預(yù)傾斜角的高穩(wěn)定性
[0013] ?低配向能量分布（短福射時間和/或低福射能量）
[0014] 在薄膜晶體管型LCD的情況下，將一定量的電荷在非常短的時間內(nèi)施加到像素 的電極上并且必須隨后不因為液晶的電阻而被排除。保持該電荷并因此保持在液晶上的 電壓降的能力通過所謂的"電壓保持率"(VHR)而量化。它是在一個帖周期內(nèi)在像素上的 RMS-電壓（均方根電壓）和所加電壓的起始值的比率。
[0015] 用于具有改進(jìn)的電壓保持率（VHR)的取向?qū)拥墓夥磻?yīng)性材料描述于 W0-A-99/49360、US 6, 066, 696、US 6, 027, 772、WO-A-99/15576 和 WO-A-99/51662 中。在 W0-A-99/49360、US 6, 066, 696和US6, 027, 772中，描述了聚合物的共混物，該共混物包含 光反應(yīng)性聚合物和聚酷亞胺。
[0016] 在WO-A-99/15576和WO-A-99/51662中，描述了具有被引入其側(cè)鏈的光反應(yīng)性 肉桂酸醋基團的聚酷亞胺。WO-A-99/15576例如公開了包含特定光可交聯(lián)基團作為側(cè)鏈 的光活性聚合物，其典型的單體單元是3, 5-二胺苯甲酸6-{2-甲氧基-4-[(1巧-3-甲氧 基-3-氧代丙-1-締基]苯氧基}己醋。
[0017] 上面引用的參考文獻(xiàn)中，普遍表明，為了實現(xiàn)前述重要的參數(shù)，首先將聚酷胺/聚 酷亞胺骨架（即傳輸分子極性），其次將側(cè)鏈與引入的光反應(yīng)性基團，如肉桂酸殘基結(jié)合 的分子結(jié)構(gòu)適用于平面取向的一般概念[僅需要輕微預(yù)傾斜角，如用于TN(扭曲向列）設(shè) 備]。然而，主要開發(fā)用于TN應(yīng)用的該些類型的分子結(jié)構(gòu)不能直接用于MVA應(yīng)用。
[001引因此，本發(fā)明設(shè)及通式（I)的二胺化合物：
[0019]
【主權(quán)項】
1. 通式（I)的二胺化合物：
(I) 其中， A表示未取代或取代的碳環(huán)或雜環(huán)芳族基團，選自含5或6個原子的單環(huán)、含5或6個 原子的兩個相鄰單環(huán)、含8、9或10個原子的雙環(huán)環(huán)系或含13或14個原子的三環(huán)環(huán)系；和 其中通式（I)的以下化合物殘基，即通式（Ia)的化合物
表示直鏈或支化(^-(：16氟代烷基，其中 F是氟，和 義:是1_15的整數(shù)， B表示直鏈或支化C1-C16烷基，其除了它的氟取代基之外是未取代的或是被二-(C ^C16 烷基）氨基、C1-C6烷氧基、硝基、氰基和/或氯取代的；并且其中一個或多個-CH 2_基團可 以彼此獨立地被連接基替代； D表示含1-40個碳原子的未取代或取代的、脂族、芳族和/或脂環(huán)族二胺基團， E表示芳族基、氧原子、硫原子、-NH-、-N(C1-C6烷基）-、-CR2R 3,其中R2和R 3彼此獨立 地是氫或環(huán)狀、直鏈或支化、取代或未取代的C1-C24烷基，其中一個或多個-CH2-基團可以彼 此獨立地被連接基替代，并且條件是R 2和R3中的至少一個不是氫； S1、S2各自彼此獨立地表示間隔基單元； X、Y各自彼此獨立地表示氫、氟、氯、氰基、未取代或氟取代的C1-C12烷基，其中一個或 多個-CH2-基團可以被連接基替代； n、nl各自彼此獨立地表示1、2、3或4,條件是如果η是2、3或4,則每個A、B、Xl、D、E、 S1、S2、X、Y是相同或不同的；如果nl是2、3或4,則每個B、X1是相同或不同的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的二胺化合物，其中該連接基選自-〇-、-CO、-co-ο-、-o-co-、 -NC -NR1-, -NR1-CO-, -CO-NR1-, -NR1-CO-O-, -O-CO-NR1-, -NR1-CO-NR1-, -CH = CH-,- C E C-、-〇-CO_0_ 和-Si (CH3)2_0_Si (CH3)2-,其中： R1表示氫原子或C ^C6烷基；條件是連接基的氧原子彼此不直接地連接。
3.