勻地熔融 混合,冷卻,粉碎從而得到組合物。依據(jù)如下所示的方法對得到的各組合物進行評價。將結(jié) 果記載于表1和表2中。
[0064] (i)螺旋流 使用符合EMMI標準的模具,以175°C、6. 9N/mm2、成型時間為180秒的條件進行測定。
[0065] (ii)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度 以175°C X 120秒鐘、成型壓力為6. 9MPa的條件將各組合物進行傳遞成型,接著于 250°C進行4小時的后固化,由此得到5 X 5 X 15_的試驗片。測定試驗片在5°C /分鐘的升 溫速度下的尺寸變化(Rigaku TMA8310),根據(jù)50~100°C的切線與270~290°C的切線的交點 求得玻璃化轉(zhuǎn)變點。
[0066] (iii)高溫放置時的重量變化 以175°C X 120秒鐘、成型壓力為6. 9MPa的條件將各組合物進行傳遞成型,接著于 180°C進行4小時的后固化,由此得到10 X 100 X 4mm的試驗片。將試驗片在250°C烘箱中保 存336小時。測定基于保存前的試驗片的重量、因保存導(dǎo)致的重量減少的比率(%)。
[0067] (iv) HTSL 特性確認 利用各組合物將6_X6mm的芯片、DA劑(Ablestick制84-1LMI-SR4)、晶片焊盤 部(8mmX8mm)和導(dǎo)線焊接部鍍有Ag的Cu合金(Olin C7025)制IOOpin QFP引線框 通過以下方法進行封裝:以175 °C X 120秒鐘、成型壓力為6. 9MPa的條件進行傳遞成 型,接著于180°C進行4小時的后固化。用引線框切割器將連桿(tie bar)切斷,得到 20mmX 14mmX 2. 7mm的QFP封裝。將該封裝在200°C烘箱中保存500小時,在保存后進行封 裝破裂的確認并通過超聲探傷裝置觀察內(nèi)部破裂、與引線框(LF)的剝離。
[0068] (V)溫度循環(huán)特性確認 利用各組合物,將6mmX6mm的芯片、DA劑(Ablestick制84-1LMI-SR4)、晶片焊盤部 (8mmX8mm)和導(dǎo)線焊接部鍍有Ag的Cu合金(Olin C7025)制IOOpin QFP引線框通過以 下方法進行封裝:以175°C X 120秒鐘、成型壓力為6. 9MPa的條件進行傳遞成型,接著于 180°C進行4小時的后固化。用引線框切割器將連桿切斷,得到20mmX 14mmX2. 7mm的QFP 封裝。對于該封裝,以_65°C X 30分鐘ΦΦ 175°C X 30分鐘的條件將溫度循環(huán)試驗進行1000 次循環(huán),進行封裝破裂的確認并通過超聲探傷裝置觀察內(nèi)部破裂、與引線框的剝離。
[0069] (Vi)吸濕焊劑回流試驗 利用各組合物,將6mmX6mm的芯片、DA劑(Ablestick制84-1LMI-SR4)、晶片焊盤部 (8mmX8mm)和導(dǎo)線焊接部鍍有Ag的Cu合金(Olin C7025)制IOOpin QFP引線框通過以 下方法進行封裝:以175°C X 120秒鐘、成型壓力為6. 9MPa的條件進行傳遞成型,接著于 180°C進行4小時的后固化。用引線框切割器將連桿切斷,得到20mmX 14mmX2. 7mm的QFP 封裝。在以30°C /60%RHX 192h的條件使該封裝吸濕后,在IR回流爐(最高溫度為265°C ) 中通過3次,進行封裝破裂的確認并通過超聲探傷裝置觀察內(nèi)部破裂、與引線框的剝離。
[0070] (vii) 260°C彎曲強度 依據(jù)JIS K6911,以175°C父120秒鐘、成型壓力為6.910^的條件將各組合物進行傳遞 成型,接著于180°C進行4小時的后固化,由此得到100X 100X4mm的試驗片。在將試驗片 于250°C烘箱中放置3分鐘后,使用島津制作所制自動繪圖儀(autograph)進行3點彎曲試 驗,求得彎曲強度。
[0071] (viii) 175°C 體積電阻率 依據(jù)JIS K6911,以175°C父120秒鐘、成型壓力為6.910^的條件將各組合物進行傳遞 成型,接著于180°C進行4小時的后固化,由此得到直徑為90mm、厚度為2mm的試驗片。使 用該試驗片測定175°C下的體積電阻率。
[0072] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性 本發(fā)明的樹脂組合物提供玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、耐熱性優(yōu)異的固化物。因此,在高溫下、 特別是在200°C~250°C下長期保存時的熱分解(重量減少)少。另外,由本發(fā)明的樹脂組 合物得到的固化物的吸濕性低,耐焊劑回流性也優(yōu)異。此外,該固化物在高溫下的機械強度 和電氣絕緣性優(yōu)異。另外,本發(fā)明的組合物的成型性良好。因此,本發(fā)明的組合物特別適合 作為表面安裝型的半導(dǎo)體裝置的封裝樹脂。
【主權(quán)項】
1. 一種組合物,其含有下列(A)成分~(D)成分: (A) 以下列通式(1)表示的環(huán)氧化合物, [化1]在式(1)中,R1、!?2和R3相互獨立地為氫原子或者取代或未取代的碳原子數(shù)1~1〇的烷 基、芳基或芳烷基,m1、m2和m3相互獨立地為1或2的整數(shù),相對于m\m2和m3的個數(shù)的總 和,為整數(shù) 2 的m1、!!!2和m3的個數(shù)的總和為 20~100%,1 ^-m1,l3=5-m3,l2=4-m2,n為 0~15 的 整數(shù); (B) 通過含有烯基的環(huán)氧化合物與以下列平均式(2)表示的有機聚硅氧烷的氫化硅 烷化反應(yīng)而得到的共聚物,相對于總計100質(zhì)量份的(A)成分、(B)成分和(C)成分為2~20 質(zhì)量份, [化2]在式⑵中,R相互獨立地為取代或未取代的碳原子數(shù)1~10的1價烴基,a為 0? 01彡a彡1的正數(shù),b為1彡b彡3的正數(shù),1. 01彡a+b< 4 ; (C) 以下列通式⑶表示的酚化合物,相對于總計100質(zhì)量份的(A)成分、⑶成分和 (C)成分為20~50質(zhì)量份, [化3]在式(3)中,R4、R5和R6相互獨立地為氫原子或者取代或未取代的碳原子數(shù)1~10的烷 基、芳基或芳烷基,P1、P2和P3相互獨立地為1或2的整數(shù),相對于p\p2和p3的個數(shù)的總 和,為整數(shù) 2 的p1、p2和p3的個數(shù)的總和為 20~100%,qh-p1,q3=5_p3,q2=4_p2,n' 為 0~15 的整數(shù);和 (D) 無機填充劑,相對于總計100質(zhì)量份的(A)成分、(B)成分和(C)成分為150~1500 質(zhì)量份。2. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中,(B)成分中的所述含有烯基的環(huán)氧化合物為選自 以下列平均式(4)或(5)表示的化合物的至少1種: [化4]R2'為具有烯基的碳原子數(shù)3~15的脂族一價烴基,R3'為縮水甘油基氧基或 以-0CH2CH(0H)CH20R'表示的基團,R'為具有烯基的碳原子數(shù)3~10的一價烴基,k為1,k' 為0或1,x為1~30的正數(shù),y為1~3的正數(shù); [化6]R2'、R3'、k和k'如上所述,X'為1~30的正數(shù),y'為1~3的正數(shù)。3.權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,(B)成分中的所述有機聚硅氧烷為選自以下 列式(a) ~(c)表示的化合物的至少1種: [化7]在式(a)中,R相互獨立地為取代或未取代的碳原子數(shù)1~10的一價烴基,R9為氫原子 或選自R的選項的基團,R8為如下所示的基團, [化8]此處,R和R9如上所述,n5為1~10的整數(shù), n1為5~200的整數(shù),n2為0~2的整數(shù),n3為0~10的整數(shù),n4為1或0,但上述式(a)的 化合物在1分子中至少具有1個鍵合于硅原子的氫原子; [化9]在式(b)中,R如上所述,n6為1~10的整數(shù),n7為1或2 ; [化 10]在式(c)中,R和R9如上所述,r為0~3的整數(shù),R1(1為氫原子或可具有氧原子的碳原子 數(shù)1~1〇的一價烴基,上述式(c)的化合物在1分子中至少具有1個鍵合于硅原子的氫原子。4. 一種半導(dǎo)體裝置,其具備將權(quán)利要求1~3中任一項所述的組合物固化而成的固化 物。
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于,提供一種玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、高溫下的機械強度和電氣絕緣性優(yōu)異,并且吸濕性低、在高溫下長期保存時的熱分解少、耐焊劑回流特性優(yōu)異的固化物,進而提供一種成型性優(yōu)異的樹脂組合物。[解決手段]含有下列(A)成分~(D)成分的組合物:(A)以下列通式(1)表示的環(huán)氧化合物,(B)通過含有烯基的環(huán)氧化合物與以平均式(2)表示的有機聚硅氧烷的氫化硅烷化反應(yīng)而得到的共聚物,(C)以通式(3)表示的酚化合物,和(D)無機填充劑。
【IPC分類】C08K3/26, C08L83/06, H01L23/29, C08K9/12, C08K7/18, C08K13/06, C08L63/00, C08G59/62, C08K3/22
【公開號】CN104910584
【申請?zhí)枴緾N201510108006
【發(fā)明人】長田將一, 萩原健司, 橫田龍平
【申請人】信越化學(xué)工業(yè)株式會社
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年3月12日